JPH0775158B2 - 半導体製造装置用高真空チヤンバ−における駆動装置 - Google Patents
半導体製造装置用高真空チヤンバ−における駆動装置Info
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- JPH0775158B2 JPH0775158B2 JP61115767A JP11576786A JPH0775158B2 JP H0775158 B2 JPH0775158 B2 JP H0775158B2 JP 61115767 A JP61115767 A JP 61115767A JP 11576786 A JP11576786 A JP 11576786A JP H0775158 B2 JPH0775158 B2 JP H0775158B2
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体製造装置用高真空チャンバーにおける
駆動装置に関する。
駆動装置に関する。
（従来の技術） 従来からＢ、Ｐ、As等の不純物原紙をウエハに注入する
ためにイオン注入装置が使用されている。
ためにイオン注入装置が使用されている。
このイオン注入装置は、イオン源で生成したＢ、Ｐ、As
等の不純物陽イオンを質量分析して所望のイオンを分離
し、このイオンを加速管により加速させ、さらに四極子
レンズによりイオンビームにして、このイオンビームを
インプラント位置にイオンビームの入射方向と対向させ
てほぼ垂直に保持されたウエハの面へ、Ｙスキャンプレ
ート、Ｘスキャンプレートにより静電走査しながら放射
することにより、ウエハへイオンを打ち込むものであ
る。
等の不純物陽イオンを質量分析して所望のイオンを分離
し、このイオンを加速管により加速させ、さらに四極子
レンズによりイオンビームにして、このイオンビームを
インプラント位置にイオンビームの入射方向と対向させ
てほぼ垂直に保持されたウエハの面へ、Ｙスキャンプレ
ート、Ｘスキャンプレートにより静電走査しながら放射
することにより、ウエハへイオンを打ち込むものであ
る。
このようなイオン注入装置のインプラントチャンバー内
は、イオンビームを加速するため高真空とされ、イオン
注入を行なうウエハの出し入れは予備真空室を介して行
われる。
は、イオンビームを加速するため高真空とされ、イオン
注入を行なうウエハの出し入れは予備真空室を介して行
われる。
（発明が解決しようとする問題点） このためウエハをインプラントチャンバー内に出し入れ
したり、プラテンへ着脱する時間が多くかかり、特にイ
オン注入時間が短いウエハの場合にはウエハの出し入れ
やプラテンへの着脱に要する時間の方が長くなり生産性
が低くなるという問題があった。また複数のプラテンに
搭載したウエハに交互にイオンビームを放射する方式も
用いられているが、装置が複雑になり製造コストが高く
なるという難点があった。
したり、プラテンへ着脱する時間が多くかかり、特にイ
オン注入時間が短いウエハの場合にはウエハの出し入れ
やプラテンへの着脱に要する時間の方が長くなり生産性
が低くなるという問題があった。また複数のプラテンに
搭載したウエハに交互にイオンビームを放射する方式も
用いられているが、装置が複雑になり製造コストが高く
なるという難点があった。
さらにプラテンへのウエハの脱着を高速化することも考
えられるが、ウエハを保持するのに摺動機構を使用する
場合には高速化した場合摩耗によるゴミの発生が多くな
るという難点があった。
えられるが、ウエハを保持するのに摺動機構を使用する
場合には高速化した場合摩耗によるゴミの発生が多くな
るという難点があった。
本発明はこのような従来の難点を解消すべくなされたも
ので、ゴミの発生を伴わずに高速で例えばウエハの着脱
が可能で、必要に応じて複数のウエハ搬送装置を用いて
交互にウエハの供給および搬出を行うことを可能とした
半導体製造装置用高真空チャンバーにおける駆動装置を
提供することを目的とする。
ので、ゴミの発生を伴わずに高速で例えばウエハの着脱
が可能で、必要に応じて複数のウエハ搬送装置を用いて
交互にウエハの供給および搬出を行うことを可能とした
半導体製造装置用高真空チャンバーにおける駆動装置を
提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明の半導体製造装置用高真空チャンバーに
おける駆動装置は、高真空チャンバー内に配置され、一
端が支持部材に支持された固定端とされ、他端側の作動
端に、上部に環状の凸縁を有する円盤状のプラテンが配
置されたベロー管と、前記ベロー管の作動端を弾性的に
支持する弾性部材と、前記ベロー管内に給気して、該ベ
ロー管を前記弾性部材の弾性力に抗して伸長させる給気
機構と、前記ベロー管の伸長時に前記プラテンの凸縁が
係合される環状溝を有し、前記プラテンとの間にウエハ
を挟持する押え部材とを具備したことを特徴としてい
る。
おける駆動装置は、高真空チャンバー内に配置され、一
端が支持部材に支持された固定端とされ、他端側の作動
端に、上部に環状の凸縁を有する円盤状のプラテンが配
置されたベロー管と、前記ベロー管の作動端を弾性的に
支持する弾性部材と、前記ベロー管内に給気して、該ベ
ロー管を前記弾性部材の弾性力に抗して伸長させる給気
機構と、前記ベロー管の伸長時に前記プラテンの凸縁が
係合される環状溝を有し、前記プラテンとの間にウエハ
を挟持する押え部材とを具備したことを特徴としてい
る。
また、第２の発明の半導体製造装置用高真空チャンバー
における駆動装置は、イオン注入装置の高真空チャンバ
ー内に配置され、一端が支持部材に支持された固定端と
され、他端側の作動端に、上部に環状の凸縁を有する円
盤状のプラテンが配置されたベロー管と、前記ベロー管
の作動端を弾性的に支持する弾性部材と、前記ベロー管
内に給気して、該ベロー管を前記弾性部材の弾性力に抗
して伸長させる給気機構と、前記ベロー管の伸長時に前
記プラテンの凸縁が係合される環状溝を有し、前記プラ
テンとの間にウエハを挟持する押え部材とを具備したこ
とを特徴としている。
における駆動装置は、イオン注入装置の高真空チャンバ
ー内に配置され、一端が支持部材に支持された固定端と
され、他端側の作動端に、上部に環状の凸縁を有する円
盤状のプラテンが配置されたベロー管と、前記ベロー管
の作動端を弾性的に支持する弾性部材と、前記ベロー管
内に給気して、該ベロー管を前記弾性部材の弾性力に抗
して伸長させる給気機構と、前記ベロー管の伸長時に前
記プラテンの凸縁が係合される環状溝を有し、前記プラ
テンとの間にウエハを挟持する押え部材とを具備したこ
とを特徴としている。
（作用） 本発明の駆動装置は、非動作時にはベロー管の給排気管
は真空引きされ、または大気に解放されてその作動側端
面は押圧部材により押圧されて圧縮されている。また動
作時にはベロー管内に気体が送入され、この気体の圧力
によりベロー管は伸長し、作動部材が所定の駆動動作を
行う。
は真空引きされ、または大気に解放されてその作動側端
面は押圧部材により押圧されて圧縮されている。また動
作時にはベロー管内に気体が送入され、この気体の圧力
によりベロー管は伸長し、作動部材が所定の駆動動作を
行う。
なおベロー管内への気体の送入は、ベロー管が高真空中
にあるので伸縮に伴う摩擦力が小さい場合には圧力を加
えなくとも自然に吸入されるが、通常作動部材等による
摩擦力があるので、チャンバー内が高真空の場合は2.5k
g/cm2調整等のためチャンバー内が大気圧になっている
ときには3.5kg/cm2程度の圧縮空気を送入することが望
ましい。
にあるので伸縮に伴う摩擦力が小さい場合には圧力を加
えなくとも自然に吸入されるが、通常作動部材等による
摩擦力があるので、チャンバー内が高真空の場合は2.5k
g/cm2調整等のためチャンバー内が大気圧になっている
ときには3.5kg/cm2程度の圧縮空気を送入することが望
ましい。
また、本発明の駆動装置では、半導体ウエハを載置する
際に、プラテンの凸縁によって半導体ウエハの周縁部を
ガイドして簡単に所定の位置に載置することができ、さ
らに、ベロー管に給気してプラテンを駆動した際に、プ
ラテンの凸縁が押え部材の環状溝に係合されるので、正
確な位置に半導体ウエハを挟持することができる。
際に、プラテンの凸縁によって半導体ウエハの周縁部を
ガイドして簡単に所定の位置に載置することができ、さ
らに、ベロー管に給気してプラテンを駆動した際に、プ
ラテンの凸縁が押え部材の環状溝に係合されるので、正
確な位置に半導体ウエハを挟持することができる。
（実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図および第２図において、１はスイングアームであ
り、ウエハ搭載時には、図示したように水平状態とな
り、ウエハを搭載すると軸２を中心にして鉛直面から７
゜傾斜した位置まで回動し、この位置でウエハにイオン
注入が行われると逆向きに回動して元の位置まで復帰す
る。このスイングアーム１には、円筒形のポケット３が
形成されており、このポケット３の底部には透孔４が穿
設され、この透孔４には送排気管５が接続されている。
り、ウエハ搭載時には、図示したように水平状態とな
り、ウエハを搭載すると軸２を中心にして鉛直面から７
゜傾斜した位置まで回動し、この位置でウエハにイオン
注入が行われると逆向きに回動して元の位置まで復帰す
る。このスイングアーム１には、円筒形のポケット３が
形成されており、このポケット３の底部には透孔４が穿
設され、この透孔４には送排気管５が接続されている。
またポケット２の底面には環状の凹溝６が形成され、こ
の凹溝６にはＯリング７が嵌入されている。Ｏリング７
上には、環状の下部支持枠８および円盤状の上部支持枠
９に上下を固定された円筒状のベロー管10の前記下部支
持枠８が固着されている。11は支持盤12にボルト止めさ
れた、上部に環状の凸縁13を有する円盤状のプラテンで
あって、このプラテン11を固定した支持盤12はベロー管
10の上部支持枠９にボルト止めされている。
の凹溝６にはＯリング７が嵌入されている。Ｏリング７
上には、環状の下部支持枠８および円盤状の上部支持枠
９に上下を固定された円筒状のベロー管10の前記下部支
持枠８が固着されている。11は支持盤12にボルト止めさ
れた、上部に環状の凸縁13を有する円盤状のプラテンで
あって、このプラテン11を固定した支持盤12はベロー管
10の上部支持枠９にボルト止めされている。
またスイングアーム１のポケット２の近傍には円周方向
に複数のボルト案内孔14が形成され、このボルト案内孔
14と対応する位置の支持盤12にそれぞれ捩子孔15が形成
されている。これらのボルト案内孔14および捩子孔15に
は、それぞれボルト頂部に設けられたフランジ16aとス
イングアーム１の底面間に、スプリング17を介在させて
段付ボルト16が螺入されている。
に複数のボルト案内孔14が形成され、このボルト案内孔
14と対応する位置の支持盤12にそれぞれ捩子孔15が形成
されている。これらのボルト案内孔14および捩子孔15に
は、それぞれボルト頂部に設けられたフランジ16aとス
イングアーム１の底面間に、スプリング17を介在させて
段付ボルト16が螺入されている。
18は支持盤12と間隔を置いてスイングアーム１に固着さ
れたイオンビーム通過窓19を有する押え部材であって、
この押え部材18の下面にはプラテン11の縁部と係合する
溝20を有する環状のストッパー21が固定されている。
れたイオンビーム通過窓19を有する押え部材であって、
この押え部材18の下面にはプラテン11の縁部と係合する
溝20を有する環状のストッパー21が固定されている。
このウエハ保持装置は、第３図に示すように、イオン注
入装置の真空予備室23、24間のインプラント位置に軸２
をイオンビーム入射方向と直交させて配置され、２個の
ウエハ把持装置25、26により交互にウエハ22の搭載およ
び搬出が行なわれる。なお、27、28はウエハ29を収容す
るカセット、30、31はターンテーブル、32はセンタリン
グカップである。
入装置の真空予備室23、24間のインプラント位置に軸２
をイオンビーム入射方向と直交させて配置され、２個の
ウエハ把持装置25、26により交互にウエハ22の搭載およ
び搬出が行なわれる。なお、27、28はウエハ29を収容す
るカセット、30、31はターンテーブル、32はセンタリン
グカップである。
次にこの実施例の動作を第４図を参照しながら説明す
る。
る。
このウエハ保持装置は、真空にされたインプラントチャ
ンバー内において、まず第１図に示した水平状態で、上
部支持枠９がスプリング17の弾発力により引き下げられ
る。
ンバー内において、まず第１図に示した水平状態で、上
部支持枠９がスプリング17の弾発力により引き下げられ
る。
ここで一方のウエハ把持装置25が真空予備室23内でウエ
ハ29の供給を受け、このウエハ29を把持して押え部材18
とスイング部材１間の間隙ｓを通ってウエハ29をプラテ
ン11の上に搭載する［第３図、第４図（ａ）］。
ハ29の供給を受け、このウエハ29を把持して押え部材18
とスイング部材１間の間隙ｓを通ってウエハ29をプラテ
ン11の上に搭載する［第３図、第４図（ａ）］。
ウエハ把持装置25が押え部材18とプラテン11間の間隙ｓ
から出ると送排気パイプ５から空気がベロー管10内に圧
入され、この空気圧によりベロー管10がスプリング17の
弾発力に抗して伸長しウエハ29の周縁部が押え部材18に
固定されたストッパに押えられて固定される［第４図
（ｂ）］。この状態でスイングアーム１は軸２を中心に
して矢印Ａ方向に回動し鉛直面から７゜傾斜した位置で
停止して、この状態でイオンの注入が行われる［第４図
（ｃ）］。
から出ると送排気パイプ５から空気がベロー管10内に圧
入され、この空気圧によりベロー管10がスプリング17の
弾発力に抗して伸長しウエハ29の周縁部が押え部材18に
固定されたストッパに押えられて固定される［第４図
（ｂ）］。この状態でスイングアーム１は軸２を中心に
して矢印Ａ方向に回動し鉛直面から７゜傾斜した位置で
停止して、この状態でイオンの注入が行われる［第４図
（ｃ）］。
イオン注入が終了するとスイングアーム１が矢印Ｂ方向
に回動して元の水平位置に復帰し、前述した手順と逆の
順序でウエハ29がウエハ把持装置25により搬出される。
この後、ウエハ把持装置25とプラテン11を挟んで反対側
にウエハを把持して待機していたウエハ把持装置26がプ
ラテン11上にウエハ29を搭載し、同様の手順でイオン注
入が行われる。
に回動して元の水平位置に復帰し、前述した手順と逆の
順序でウエハ29がウエハ把持装置25により搬出される。
この後、ウエハ把持装置25とプラテン11を挟んで反対側
にウエハを把持して待機していたウエハ把持装置26がプ
ラテン11上にウエハ29を搭載し、同様の手順でイオン注
入が行われる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の駆動装置は、ゴミの発生
を伴わずに高速で動作させることができ、例えばウエハ
の着脱を高速で正確に行わせることが可能である。
を伴わずに高速で動作させることができ、例えばウエハ
の着脱を高速で正確に行わせることが可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図のII−II線に沿う横断面図、第３図はイオン注入装
置のインプラント位置に配置された本発明の実施例を説
明するための図、第４図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施
例の動作を説明するための図断面図である。 １……スイングアーム、２……軸、３……円筒形のポケ
ット、５……送排気管、６……環状の凹溝、７……Ｏリ
ング、８……下部支持枠、９……上部支持枠、10……ベ
ロー管、11……プラテン、12……支持盤、16……段付ボ
ルト、17……スプリング、18……押え部材、21……スト
ッパー、23、24……予備真空室、25、26……ウエハ把持
装置、27、28……カセット、29……ウエハ、30、31……
ターンテーブル、32……センタリングカップ
１図のII−II線に沿う横断面図、第３図はイオン注入装
置のインプラント位置に配置された本発明の実施例を説
明するための図、第４図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施
例の動作を説明するための図断面図である。 １……スイングアーム、２……軸、３……円筒形のポケ
ット、５……送排気管、６……環状の凹溝、７……Ｏリ
ング、８……下部支持枠、９……上部支持枠、10……ベ
ロー管、11……プラテン、12……支持盤、16……段付ボ
ルト、17……スプリング、18……押え部材、21……スト
ッパー、23、24……予備真空室、25、26……ウエハ把持
装置、27、28……カセット、29……ウエハ、30、31……
ターンテーブル、32……センタリングカップ
Claims (2)
- 【請求項１】高真空チャンバー内に配置され、一端が支
持部材に支持された固定端とされ、他端側の作動端に、
上部に環状の凸縁を有する円盤状のプラテンが配置され
たベロー管と、 前記ベロー管の作動端を弾性的に支持する弾性部材と、 前記ベロー管内に給気して、該ベロー管を前記弾性部材
の弾性力に抗して伸長させる給気機構と、 前記ベロー管の伸長時に前記プラテンの凸縁が係合され
る環状溝を有し、前記プラテンとの間にウエハを挟持す
る押え部材と を具備したことを特徴とする半導体製造装置用高真空チ
ャンバーにおける駆動装置。 - 【請求項２】イオン注入装置の高真空チャンバー内に配
置され、一端が支持部材に支持された固定端とされ、他
端側の作動端に、上部に環状の凸縁を有する円盤状のプ
ラテンが配置されたベロー管と、 前記ベロー管の作動端を弾性的に支持する弾性部材と、 前記ベロー管内に給気して、該ベロー管を前記弾性部材
の弾性力に抗して伸長させる給気機構と、 前記ベロー管の伸長時に前記プラテンの凸縁が係合され
る環状溝を有し、前記プラテンとの間にウエハを挟持す
る押え部材と を具備したことを特徴とする半導体製造装置用高真空チ
ャンバーにおける駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115767A JPH0775158B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 半導体製造装置用高真空チヤンバ−における駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115767A JPH0775158B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 半導体製造装置用高真空チヤンバ−における駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62272445A JPS62272445A (ja) | 1987-11-26 |
| JPH0775158B2 true JPH0775158B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=14670545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61115767A Expired - Fee Related JPH0775158B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 半導体製造装置用高真空チヤンバ−における駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775158B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3442904B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2003-09-02 | 花王株式会社 | 電鋳装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582771A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Ion implanting device |
| GB2109996B (en) * | 1981-11-24 | 1985-08-07 | Varian Associates | Hydraulically actuated semiconductor wafer clamping and cooling apparatus |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61115767A patent/JPH0775158B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62272445A (ja) | 1987-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |