JPH0774081A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0774081A JPH0774081A JP5220365A JP22036593A JPH0774081A JP H0774081 A JPH0774081 A JP H0774081A JP 5220365 A JP5220365 A JP 5220365A JP 22036593 A JP22036593 A JP 22036593A JP H0774081 A JPH0774081 A JP H0774081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- resist pattern
- pattern
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は架橋剤入りノボラック系ポジ型レジ
ストを用いたイメ−ジリバ−ス法でのレジストパタ−ン
形成に於いて、現象コントラストの良い、解像性の優れ
たレジストパタ−ン形成方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 イメ−ジリバ−ス法と所定波長のＵＶ光に対
し光退色性を有する水溶性膜を組み合わせにより、レジ
ストパタ−ンを形成するに際し、露光後ベ−ク前に光退
色性の水溶性膜を除去し、ベ−クすることで露光部を架
橋させる。さらにＵＶ光を全面に照射し、現象処理する
ことでレジストパタ−ンを形成する。 【効果】 露光後ベ−クでの架橋状態がより良好とな
り、現像時の膜減りを抑制、従来プロセスに比べ現像コ
ンストラクトを大きくすることができた。このことによ
り、パターン細り、並びにパターン裾引きのない、解像
性の優れた高精度のレジストパターンを形成することが
達成できた。
ストを用いたイメ−ジリバ−ス法でのレジストパタ−ン
形成に於いて、現象コントラストの良い、解像性の優れ
たレジストパタ−ン形成方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 イメ−ジリバ−ス法と所定波長のＵＶ光に対
し光退色性を有する水溶性膜を組み合わせにより、レジ
ストパタ−ンを形成するに際し、露光後ベ−ク前に光退
色性の水溶性膜を除去し、ベ−クすることで露光部を架
橋させる。さらにＵＶ光を全面に照射し、現象処理する
ことでレジストパタ−ンを形成する。 【効果】 露光後ベ−クでの架橋状態がより良好とな
り、現像時の膜減りを抑制、従来プロセスに比べ現像コ
ンストラクトを大きくすることができた。このことによ
り、パターン細り、並びにパターン裾引きのない、解像
性の優れた高精度のレジストパターンを形成することが
達成できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は架橋剤入りノボラック系
ポジ型レジストを用いたイメージリバース法と光退色性
の水溶性膜との組合わせによる、高精度のレジストパタ
ーンを形成する方法に関する。
ポジ型レジストを用いたイメージリバース法と光退色性
の水溶性膜との組合わせによる、高精度のレジストパタ
ーンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩを始めとする半導体素子の集積度
が高まるにつれて、リソグラフィー技術に於いては、微
細でしかも寸法均一性の優れた高精度なレジストパター
ンをプロセスマージン良く形成する事が要求されてい
る。これに伴なうレジストパターン形成技術の一つとし
て公知のイメージリバース法が解像性良好なレジストパ
ターンを形成するため有利である。しかし、従来技術に
よるイメージリバース法では図４に示すように、露光装
置から投影されたパターンの光学像は光の回折によりコ
ントラストが低下、この低コントラストの光が入射する
ことにより、露光後ベークでの架橋不足が顕著となり、
現像コントラスト低下によるパターン細り、並びにパタ
ーン裾引きなどの解像性劣化の原因となっていた。尚、
図４（ａ）では、基板１上に設けたフォトレジスト２を
示し、図４（ｂ）では、所定のパターンでフォトレジス
ト２に光４を露光すると光の回折が生じる状態を示し、
図４（ｃ）では、得られるパターン５の断面が裾引き状
態となっていることを示している。
が高まるにつれて、リソグラフィー技術に於いては、微
細でしかも寸法均一性の優れた高精度なレジストパター
ンをプロセスマージン良く形成する事が要求されてい
る。これに伴なうレジストパターン形成技術の一つとし
て公知のイメージリバース法が解像性良好なレジストパ
ターンを形成するため有利である。しかし、従来技術に
よるイメージリバース法では図４に示すように、露光装
置から投影されたパターンの光学像は光の回折によりコ
ントラストが低下、この低コントラストの光が入射する
ことにより、露光後ベークでの架橋不足が顕著となり、
現像コントラスト低下によるパターン細り、並びにパタ
ーン裾引きなどの解像性劣化の原因となっていた。尚、
図４（ａ）では、基板１上に設けたフォトレジスト２を
示し、図４（ｂ）では、所定のパターンでフォトレジス
ト２に光４を露光すると光の回折が生じる状態を示し、
図４（ｃ）では、得られるパターン５の断面が裾引き状
態となっていることを示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにイメージ
リバース法だけを用いたレジストプロセスによるレジス
トパターン形成方法では、低コントラストの光が入射す
る問題により、選択的な露光後ベークでの架橋不足が顕
著となる。このため、現像時の膜減りの影響で現像コン
トラストが低下することによるパターン細り、並びにパ
ターン裾引きなどの解像性低下の原因となっていた。
リバース法だけを用いたレジストプロセスによるレジス
トパターン形成方法では、低コントラストの光が入射す
る問題により、選択的な露光後ベークでの架橋不足が顕
著となる。このため、現像時の膜減りの影響で現像コン
トラストが低下することによるパターン細り、並びにパ
ターン裾引きなどの解像性低下の原因となっていた。
【０００４】本発明は、イメージリバース法と所定の波
長のＵＶ光に対し光退色性を有する水溶性膜との組合わ
せよるレジストパターン形成方法を用いることにより、
光の回折による低コントラストの光の影響を受けない、
強度の大きい光を入射することにより、露光後ベークで
の架橋状態により良好にさせることで現像時の膜減りを
抑制し、現像コントラストを増大させ、パターン細り、
並びにパターン裾引きのない解像性の優れた高精度なレ
ジストパターン形成方法を実現するものである。
長のＵＶ光に対し光退色性を有する水溶性膜との組合わ
せよるレジストパターン形成方法を用いることにより、
光の回折による低コントラストの光の影響を受けない、
強度の大きい光を入射することにより、露光後ベークで
の架橋状態により良好にさせることで現像時の膜減りを
抑制し、現像コントラストを増大させ、パターン細り、
並びにパターン裾引きのない解像性の優れた高精度なレ
ジストパターン形成方法を実現するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はイメージリバー
ス法と所定波長のＵＶ光に対し光退色性を有する水溶性
膜を組合わせレジストパターンを形成するに際し、露光
後ベーク前に光退色性の水溶性膜を除去し、ベークする
ことで露光部を架橋させる。さらにＵＶ光を全面に照射
し、現像処理することで、現像コントラストの高い、解
像度に優れた高精度なレジストパターン形成方法を提供
するものである。
ス法と所定波長のＵＶ光に対し光退色性を有する水溶性
膜を組合わせレジストパターンを形成するに際し、露光
後ベーク前に光退色性の水溶性膜を除去し、ベークする
ことで露光部を架橋させる。さらにＵＶ光を全面に照射
し、現像処理することで、現像コントラストの高い、解
像度に優れた高精度なレジストパターン形成方法を提供
するものである。
【０００６】
【作用】本発明のイメージリバース法と光退色性の水溶
性膜との組合わせによるレジストパターン形成方法で
は、露光時に於ける光退色性の水溶性膜の効果により、
光の回折で生じた低コントラスト光の影響を受けない。
このため強度の大きい光を入射することが可能となり、
露光後ベークに於いて露光部での架橋がより顕著とな
る。
性膜との組合わせによるレジストパターン形成方法で
は、露光時に於ける光退色性の水溶性膜の効果により、
光の回折で生じた低コントラスト光の影響を受けない。
このため強度の大きい光を入射することが可能となり、
露光後ベークに於いて露光部での架橋がより顕著とな
る。
【０００７】このため現像時の膜減りを抑制でき、溶解
度差（現像コントラスト）をより大きく、更にパターン
裾引きも抑制できる。ここで用いた光退色性の水溶性膜
は、図４に示すように露光によって脱色され、透過率が
増大していく。このため脱色に十分な光エネルギーの照
射部では、光退色性の水溶性膜は透過して下層のレジス
トを感光させていく、しかし光の回折によってできた不
要な光エネルギーは光退色性の水溶性膜の脱色に不十分
であり遮蔽され、レジストを感光しないためコントラス
トが増大し、解像性が向上する。このことにより、パタ
ーン細り、並びにパターン裾引きのない解像性良好な高
精度のレジストパターンを形成することが可能となる。
度差（現像コントラスト）をより大きく、更にパターン
裾引きも抑制できる。ここで用いた光退色性の水溶性膜
は、図４に示すように露光によって脱色され、透過率が
増大していく。このため脱色に十分な光エネルギーの照
射部では、光退色性の水溶性膜は透過して下層のレジス
トを感光させていく、しかし光の回折によってできた不
要な光エネルギーは光退色性の水溶性膜の脱色に不十分
であり遮蔽され、レジストを感光しないためコントラス
トが増大し、解像性が向上する。このことにより、パタ
ーン細り、並びにパターン裾引きのない解像性良好な高
精度のレジストパターンを形成することが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明のレジストパターン形成方法を示す工程断
面図である。基板１上には、図１（ａ）に示すように、
フォトレジスト２が設けられ、さらに、その上に光退色
性の水溶性膜３が設けられている。露光は、図１（ｂ）
に示すように、所定のパターンのＵＶ光４を照射する。
この露光と所定の処理により、図１（ｃ）に示すよう
に、高精度のポジパターン６が形成される。
１は、本発明のレジストパターン形成方法を示す工程断
面図である。基板１上には、図１（ａ）に示すように、
フォトレジスト２が設けられ、さらに、その上に光退色
性の水溶性膜３が設けられている。露光は、図１（ｂ）
に示すように、所定のパターンのＵＶ光４を照射する。
この露光と所定の処理により、図１（ｃ）に示すよう
に、高精度のポジパターン６が形成される。
【０００９】この本発明によるレジストパターン形成方
法の実施例を、図２および図３に示して、具体的に示
す。図２で、被処理基板１は被加工膜（例えばＳｉＯ
2 ）を具備したＧａＡｓウェハーを用い、前記被加工膜
上に架橋剤入りノボラック系ポジ型レジスト（例えばヘ
キスト社製ＡＺ５２１４）膜２を１．５μｍの厚さに塗
布し、１１０℃下の大気中で２分間程度のベークを行う
（図２（ａ））。
法の実施例を、図２および図３に示して、具体的に示
す。図２で、被処理基板１は被加工膜（例えばＳｉＯ
2 ）を具備したＧａＡｓウェハーを用い、前記被加工膜
上に架橋剤入りノボラック系ポジ型レジスト（例えばヘ
キスト社製ＡＺ５２１４）膜２を１．５μｍの厚さに塗
布し、１１０℃下の大気中で２分間程度のベークを行う
（図２（ａ））。
【００１０】次に該レジスト膜上へ露光光であるｇ−ｌ
ｉｎｅに対して光退色性を有する水溶性膜（例えば信越
化学工業社製ＣＥＭ−４２０ＷＳＦ）を塗布形成する
（図２（ｂ））。
ｉｎｅに対して光退色性を有する水溶性膜（例えば信越
化学工業社製ＣＥＭ−４２０ＷＳＦ）を塗布形成する
（図２（ｂ））。
【００１１】次いで前述の如く形成した光退色性の水溶
性膜付きＡＺ５２１４レジスト膜上に於いて、波長４３
６ｎｍのＵＶ光を用い所望のパターンを露光した。本実
施例では露光時に於ける光退色性の水溶性膜の影響によ
る感度低下を考慮し、従来条件のファースト露光量の約
２倍である６８０ｍｊ／ｃｍ2 の光４にてパターン露光
を行う、図２（ｃ）。
性膜付きＡＺ５２１４レジスト膜上に於いて、波長４３
６ｎｍのＵＶ光を用い所望のパターンを露光した。本実
施例では露光時に於ける光退色性の水溶性膜の影響によ
る感度低下を考慮し、従来条件のファースト露光量の約
２倍である６８０ｍｊ／ｃｍ2 の光４にてパターン露光
を行う、図２（ｃ）。
【００１２】次に露光後、純水を用いて１分間の水洗処
理を施すことにより、光退色性の水溶性膜を剥離する
（図２（ｄ））。次いで剥離後のＡＺ５２１４レジスト
膜を１１５℃下の大気中で１分２０秒間程度のベークを
行い、露光部７を熱架橋させた（図３（ｅ））。
理を施すことにより、光退色性の水溶性膜を剥離する
（図２（ｄ））。次いで剥離後のＡＺ５２１４レジスト
膜を１１５℃下の大気中で１分２０秒間程度のベークを
行い、露光部７を熱架橋させた（図３（ｅ））。
【００１３】次にベーク後、波長４３６ｎｍのＵＶ光８
を用いウェハー全面に照射させた（図３（ｆ））。さら
に全面照射後のＡＺ５２１４レジスト膜を現像処理す
る。本実施例では現像液と純水の組成比を１対１．５に
希釈した専用現像液中に１分間浸漬し現像処理すること
により、レジストパターン６を形成することができた
（図３（ｇ））。
を用いウェハー全面に照射させた（図３（ｆ））。さら
に全面照射後のＡＺ５２１４レジスト膜を現像処理す
る。本実施例では現像液と純水の組成比を１対１．５に
希釈した専用現像液中に１分間浸漬し現像処理すること
により、レジストパターン６を形成することができた
（図３（ｇ））。
【００１４】尚、上記実施例に於けるベーク後の全面照
射では、波長４３６ｎｍのＵＶ光を用いた場合について
述べたが、ＵＶ光に限らず所定に限らず所定の電磁波
（エキシマレーザー、Ｘ線）、或いは所定のエネルギー
の粒子線等ＡＺ５２１４が感応する放射線を全面照射し
てレジストパターンを形成するすべてに本発明のレジス
トパターン形成方法が適用できる。
射では、波長４３６ｎｍのＵＶ光を用いた場合について
述べたが、ＵＶ光に限らず所定に限らず所定の電磁波
（エキシマレーザー、Ｘ線）、或いは所定のエネルギー
の粒子線等ＡＺ５２１４が感応する放射線を全面照射し
てレジストパターンを形成するすべてに本発明のレジス
トパターン形成方法が適用できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のイメージリバース法と所定波長
のＵＶ光に対し、光退色性を有する水溶性膜との組合わ
せによるレジストパターン形成方法をもちいることによ
り、光の回折による低コントラストの光の影響を受けな
い、強度の大きい光を入射でき、露光後ベークでの架橋
状態がより良好となり、現像時の膜減りを抑制すること
で、従来プロセスに比べ現像コントラストを大きくする
ことができた。このことにより、パターン細り、並びに
パターン裾引きのない解像性の優れた高精度のレジスト
パターンを形成することができた。
のＵＶ光に対し、光退色性を有する水溶性膜との組合わ
せによるレジストパターン形成方法をもちいることによ
り、光の回折による低コントラストの光の影響を受けな
い、強度の大きい光を入射でき、露光後ベークでの架橋
状態がより良好となり、現像時の膜減りを抑制すること
で、従来プロセスに比べ現像コントラストを大きくする
ことができた。このことにより、パターン細り、並びに
パターン裾引きのない解像性の優れた高精度のレジスト
パターンを形成することができた。
【図１】 本発明の実施例を説明する形成工程断面図。
【図２】 本発明の実施例の具体例を示す形成工程断面
図。
図。
【図３】 図２の続きを示す工程断面図。
【図４】 従来技術によるレジストパターン形成方法を
示す断面図。
示す断面図。
１…酸化膜付きＧａＡｓ基板、 ２…架橋剤入りポジ型
フォトレジスト、３…光退色性膜、 ４…ＵＶ光、 ６
…レジストパターン。
フォトレジスト、３…光退色性膜、 ４…ＵＶ光、 ６
…レジストパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７１
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板上に架橋剤入りノボラック系
ポジ型レジストを塗布しベークした後、所定波長のＵＶ
光を用いて選択的に露光し、さらにベークした後、再度
ＵＶ光を全面に照射し現像処理してレジストパターンを
形成するイメージリバース法による工程に於いて、所定
波長のＵＶ光に光退色性を有する水溶性膜を前記レジス
ト膜上へ形成した後、選択的に露光することを特徴とす
るレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 該水溶性膜の除去工程を露光後ベーク処
理の前に施すことを特徴とする請求項１記載のレジスト
パターン形成方法。 - 【請求項３】 該露光後ベーク処理として設定温度１２
０〜１３０℃の熱板を用い、処理時間を３〜４分間の範
囲とする事を特徴とする請求項１記載のレジストパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220365A JPH0774081A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220365A JPH0774081A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774081A true JPH0774081A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16749999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220365A Pending JPH0774081A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774081A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH095550A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路の作製方法 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5220365A patent/JPH0774081A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH095550A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4403151A (en) | Method of forming patterns | |
| US7851136B2 (en) | Stabilization of deep ultraviolet photoresist | |
| JP3188673B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
| US4321317A (en) | High resolution lithography system for microelectronic fabrication | |
| JPS60500229A (ja) | 高反射率を有する基板パタ−ン用二層柴外レジストシステム | |
| US5370974A (en) | Laser exposure of photosensitive polyimide for pattern formation | |
| JPH0774081A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US4508813A (en) | Method for producing negative resist images | |
| JP3592805B2 (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JP2002148809A (ja) | レジスト基板の製造方法及びレジスト基板 | |
| JP3509761B2 (ja) | レジストパターン形成方法及び微細パターン形成方法 | |
| JP3061037B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| KR920005636B1 (ko) | 포토레지스트패턴 형성방법 | |
| US6156480A (en) | Low defect thin resist processing for deep submicron lithography | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS61116838A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH02262155A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR0140469B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법 | |
| KR19990058937A (ko) | 반도체소자의 패터닝 방법 | |
| JPH01234852A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH02183256A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS588131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3185933B2 (ja) | 加工用レジスト層形成法 |