JPH0774058A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0774058A JPH0774058A JP21582791A JP21582791A JPH0774058A JP H0774058 A JPH0774058 A JP H0774058A JP 21582791 A JP21582791 A JP 21582791A JP 21582791 A JP21582791 A JP 21582791A JP H0774058 A JPH0774058 A JP H0774058A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 陽極用電極を、ドナー材、ハロゲン化アルキ
ル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカルのアルカリ
金属塩の混合溶液に浸漬して加温して、ＴＣＮＱ錯体を
陽極用電極に含浸、接合させることにより上記錯体の分
解点に近い温度でも含浸でき、上記電極表面とＴＣＮＱ
錯体の接合性を高め、固体電解コンデンサの tanδの低
減を可能とする。 【構成】 陽極用電極をドナー材、ハロゲン化アルキ
ル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカルのアルカリ
金属塩の混合溶液または４級化されたドナー材のハロゲ
ン化物の溶液にＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカル
のアルカリ金属塩を溶解させた溶液に浸漬して加温し、
ＴＣＮＱ錯体を陽極用電極に含浸、接合させることを特
徴としている。
ル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカルのアルカリ
金属塩の混合溶液に浸漬して加温して、ＴＣＮＱ錯体を
陽極用電極に含浸、接合させることにより上記錯体の分
解点に近い温度でも含浸でき、上記電極表面とＴＣＮＱ
錯体の接合性を高め、固体電解コンデンサの tanδの低
減を可能とする。 【構成】 陽極用電極をドナー材、ハロゲン化アルキ
ル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカルのアルカリ
金属塩の混合溶液または４級化されたドナー材のハロゲ
ン化物の溶液にＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオンラジカル
のアルカリ金属塩を溶解させた溶液に浸漬して加温し、
ＴＣＮＱ錯体を陽極用電極に含浸、接合させることを特
徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体電解質としてＴＣ
ＮＱ錯体を用いた固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
ＮＱ錯体を用いた固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属
からなる陽極体電極と該電極に対向して構成された陰極
用電極との間に固体電解質を介在させてなる従来の固体
電解コンデンサにおいては、固体電解質として二酸化マ
ンガンが用いられてきた。
からなる陽極体電極と該電極に対向して構成された陰極
用電極との間に固体電解質を介在させてなる従来の固体
電解コンデンサにおいては、固体電解質として二酸化マ
ンガンが用いられてきた。
【０００３】しかしながら、この方法は二酸化マンガン
を電極上に形成させる際に、一般に陽極体電極を硝酸マ
ンガン溶液に浸漬させた後、加熱分解を行なうため、陽
極酸化皮膜が損傷をうけること、加えて二酸化マンガン
による陽極酸化皮膜の皮膜修復性が乏しいという欠点が
あった。
を電極上に形成させる際に、一般に陽極体電極を硝酸マ
ンガン溶液に浸漬させた後、加熱分解を行なうため、陽
極酸化皮膜が損傷をうけること、加えて二酸化マンガン
による陽極酸化皮膜の皮膜修復性が乏しいという欠点が
あった。
【０００４】これらの欠点を補う方法としてＴＣＮＱ錯
体などの有機半導体を固体電解質として用いた固体電解
コンデンサが出現している。この含浸方法に関する代表
的な例として特開昭57-173928号公報に記載されている
ようにＴＣＮＱ錯体を含む有機半導体を加熱融解により
液化させ、分解にいたるまでの間に素子を入れ、急冷固
化させるものである。
体などの有機半導体を固体電解質として用いた固体電解
コンデンサが出現している。この含浸方法に関する代表
的な例として特開昭57-173928号公報に記載されている
ようにＴＣＮＱ錯体を含む有機半導体を加熱融解により
液化させ、分解にいたるまでの間に素子を入れ、急冷固
化させるものである。
【０００５】しかしながら、この方法によれば、用いる
ＴＣＮＱ錯体は融解点と分解点を有し、かつその温度間
隔がある程度なければ含浸性が極端に悪くなる。ＴＣＮ
Ｑ錯体の分解点はＴＣＮＱの昇華温度の290℃付近であ
り、融解点と分解点の温度幅をもたせるためには、どう
しても融解温度を下げることになる。
ＴＣＮＱ錯体は融解点と分解点を有し、かつその温度間
隔がある程度なければ含浸性が極端に悪くなる。ＴＣＮ
Ｑ錯体の分解点はＴＣＮＱの昇華温度の290℃付近であ
り、融解点と分解点の温度幅をもたせるためには、どう
しても融解温度を下げることになる。
【０００６】一方において、固体電解コンデンサには耐
熱性が要求されており、特にチップ製品については面実
装時に半田ディップ、リフロ−の温度に耐えられる電解
質でなくてはならず、従来の融解含浸法に適したＴＣＮ
Ｑ錯体では上記の耐熱性に耐えられるものは、かなり困
難である。即ち耐熱性に優れたＴＣＮＱ錯体は融解点も
高く分解点との温度差も少なくなるので含浸性が極端に
悪くなる。逆に含浸性を良好にしようとすれば融解点が
低温側になるので耐熱性が極端に悪くなる。
熱性が要求されており、特にチップ製品については面実
装時に半田ディップ、リフロ−の温度に耐えられる電解
質でなくてはならず、従来の融解含浸法に適したＴＣＮ
Ｑ錯体では上記の耐熱性に耐えられるものは、かなり困
難である。即ち耐熱性に優れたＴＣＮＱ錯体は融解点も
高く分解点との温度差も少なくなるので含浸性が極端に
悪くなる。逆に含浸性を良好にしようとすれば融解点が
低温側になるので耐熱性が極端に悪くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決することである。即ち耐熱性錯体は融解点が高く
分解点との差が充分なくて含浸が不可能であったが本発
明により可能ならしめ、また電極表面とＴＣＮＱ錯体の
接合性が強固となりコンデンサのｔａｎδの改良を図っ
たものである。
を解決することである。即ち耐熱性錯体は融解点が高く
分解点との差が充分なくて含浸が不可能であったが本発
明により可能ならしめ、また電極表面とＴＣＮＱ錯体の
接合性が強固となりコンデンサのｔａｎδの改良を図っ
たものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の具体的手法とし
ては、 （１）陽極用電極が拡大された表面及び該表面に陽極酸
化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合金よりな
ると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いる固体電
解コンデンサの製造方法において、該陽極用電極を、ド
ナ−材、ハロゲン化アルキル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱア
ニオンラジカルのアルカリ金属塩の混合溶液に浸漬し、
かつＴＣＮＱ錯体が生成する温度に加温して、ＴＣＮＱ
錯体を該電極上で生成させることによりＴＣＮＱ錯体を
陽極用電極に含浸、接合させることを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。 （２）陽極用電極が拡大された表面及び該表面に陽極酸
化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合金よりな
ると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いる固体電
解コンデンサの製造方法において、４級化されたドナ−
材のハロゲン化物の溶液にＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオ
ンラジカルのアルカリ金属塩を溶解させた溶液に該陽極
用電極を浸漬し、かつＴＣＮＱ錯体が生成する温度に加
温して、ＴＣＮＱ錯体を該電極上で生成させることによ
りＴＣＮＱ錯体を陽極用電極に含浸、接合させることを
特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 （３）弁作用金属がアルミニウムまたはその合金である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コ
ンデンサの製造方法である。 本発明の方法において使用する弁作用金属とは、その酸
化物が電気絶縁体（誘電体）となる金属のことであっ
て、周期表の３族、４族及び５族金属を指し、例えばＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂなどであるが、特に
Ａｌがコスト的に安価でまた電解エッチング処理などに
より表面積拡大が容易で高い静電容量が得られる、など
の点で好適に使用される。該金属の合金とは、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｚｒ、Ａｌ−Ｈｆ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｎ
ｂ、などと、ＡｌとＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂの複
数組合せ合金などがある。また、ドナ−材とは、ＴＣＮ
Ｑ錯体において安定な対カチオンを与える物質であっ
て、電子供与物質が使用される。好適なドナ−材の例
は、キノリン、イソキノリン、インド−ル、キナゾリ
ン、キノキサリン、カルバゾ−ル、アクリジン、フェナ
ントリジン、フェナジン、あるいはその誘導体の比較的
沸点の高い芳香族アミン類である。ハロゲン化アルカリ
としては、炭素数１〜１６、特に１〜１０の直鎖状また
は分枝鎖状アルキルの塩化物、臭化物または沃化物を使
用しうるが、特にアルミもしくはアルミ合金での含浸に
適し、反応が効率よく進行する点で、沃化物が望まし
い。ＴＣＮＱ錯体のアルキル金属塩としては、リチウム
塩、ナトリウム塩、カリウム塩等を使用しうるが、特に
リチウム塩が望ましい。
ては、 （１）陽極用電極が拡大された表面及び該表面に陽極酸
化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合金よりな
ると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いる固体電
解コンデンサの製造方法において、該陽極用電極を、ド
ナ−材、ハロゲン化アルキル、ＴＣＮＱ及びＴＣＮＱア
ニオンラジカルのアルカリ金属塩の混合溶液に浸漬し、
かつＴＣＮＱ錯体が生成する温度に加温して、ＴＣＮＱ
錯体を該電極上で生成させることによりＴＣＮＱ錯体を
陽極用電極に含浸、接合させることを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。 （２）陽極用電極が拡大された表面及び該表面に陽極酸
化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合金よりな
ると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いる固体電
解コンデンサの製造方法において、４級化されたドナ−
材のハロゲン化物の溶液にＴＣＮＱ及びＴＣＮＱアニオ
ンラジカルのアルカリ金属塩を溶解させた溶液に該陽極
用電極を浸漬し、かつＴＣＮＱ錯体が生成する温度に加
温して、ＴＣＮＱ錯体を該電極上で生成させることによ
りＴＣＮＱ錯体を陽極用電極に含浸、接合させることを
特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 （３）弁作用金属がアルミニウムまたはその合金である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コ
ンデンサの製造方法である。 本発明の方法において使用する弁作用金属とは、その酸
化物が電気絶縁体（誘電体）となる金属のことであっ
て、周期表の３族、４族及び５族金属を指し、例えばＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂなどであるが、特に
Ａｌがコスト的に安価でまた電解エッチング処理などに
より表面積拡大が容易で高い静電容量が得られる、など
の点で好適に使用される。該金属の合金とは、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｚｒ、Ａｌ−Ｈｆ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｎ
ｂ、などと、ＡｌとＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂの複
数組合せ合金などがある。また、ドナ−材とは、ＴＣＮ
Ｑ錯体において安定な対カチオンを与える物質であっ
て、電子供与物質が使用される。好適なドナ−材の例
は、キノリン、イソキノリン、インド−ル、キナゾリ
ン、キノキサリン、カルバゾ−ル、アクリジン、フェナ
ントリジン、フェナジン、あるいはその誘導体の比較的
沸点の高い芳香族アミン類である。ハロゲン化アルカリ
としては、炭素数１〜１６、特に１〜１０の直鎖状また
は分枝鎖状アルキルの塩化物、臭化物または沃化物を使
用しうるが、特にアルミもしくはアルミ合金での含浸に
適し、反応が効率よく進行する点で、沃化物が望まし
い。ＴＣＮＱ錯体のアルキル金属塩としては、リチウム
塩、ナトリウム塩、カリウム塩等を使用しうるが、特に
リチウム塩が望ましい。
【０００９】本発明の基本的な骨子はアクセプタ−とし
てのＴＣＮＱと各種ドナ−材を用いた導電性ＴＣＮＱ錯
体の合成反応を利用したもので、この反応により誘電体
皮膜上にＴＣＮＱ錯体を生成させ、含浸を行なうもので
ある。通常ＴＣＮＱ錯体の合成は、まずドナ−材の窒素
原子の４級化反応を行なう。この方法はドナ−材と約２
〜５倍モルのＲ−Ｘ（Ｒ：アルキル基、Ｘ：ハロゲン）
を添加し、アセトニトリルなどの溶媒中で加温し４級化
を行なう。次いで４級化したハロゲン化塩とＴＣＮＱの
Ｌｉ塩をモル比で１：１の割合で溶媒に溶かし、加熱還
流を行い、ドナ−：ＴＣＮＱの１：１の錯体が生成され
る。次ぎに該生成錯体とＴＣＮＱを同様に１：１の割合
で溶媒に溶かし加熱還流を行い、ドナ−：ＴＣＮＱの比
率が１：２の錯体を形成させる。（この錯体はドナ−：
ＴＣＮＱラジカル塩：ＴＣＮＱ中性塩が１：１：１の割
合となる。）本発明はこれらの一連の反応を陽極用電極
の存在化に、同一反応系で行なわせ、導電性ＴＣＮＱ錯
体を合成し、合成と同時に誘電体皮膜上に析出させ、含
浸を行なうものである。
てのＴＣＮＱと各種ドナ−材を用いた導電性ＴＣＮＱ錯
体の合成反応を利用したもので、この反応により誘電体
皮膜上にＴＣＮＱ錯体を生成させ、含浸を行なうもので
ある。通常ＴＣＮＱ錯体の合成は、まずドナ−材の窒素
原子の４級化反応を行なう。この方法はドナ−材と約２
〜５倍モルのＲ−Ｘ（Ｒ：アルキル基、Ｘ：ハロゲン）
を添加し、アセトニトリルなどの溶媒中で加温し４級化
を行なう。次いで４級化したハロゲン化塩とＴＣＮＱの
Ｌｉ塩をモル比で１：１の割合で溶媒に溶かし、加熱還
流を行い、ドナ−：ＴＣＮＱの１：１の錯体が生成され
る。次ぎに該生成錯体とＴＣＮＱを同様に１：１の割合
で溶媒に溶かし加熱還流を行い、ドナ−：ＴＣＮＱの比
率が１：２の錯体を形成させる。（この錯体はドナ−：
ＴＣＮＱラジカル塩：ＴＣＮＱ中性塩が１：１：１の割
合となる。）本発明はこれらの一連の反応を陽極用電極
の存在化に、同一反応系で行なわせ、導電性ＴＣＮＱ錯
体を合成し、合成と同時に誘電体皮膜上に析出させ、含
浸を行なうものである。
【００１０】上記の反応を同一反応系で行なわせる手法
としては、ハロゲン化アルキルとドナ−材溶液にＴＣＮ
Ｑ、及びＴＣＮＱのリチウム塩を混合させた溶液中に、
含浸すべき電極を浸漬させ、ＴＣＮＱ錯体を形成すべき
温度まで加温し、ＴＣＮＱ錯体を電極上に形成させ含浸
を行なう。あるいは予め４級化されたドナ−材のハロゲ
ン化塩の溶液にＴＣＮＱのリチウム塩とＴＣＮＱの中性
塩を混合させた溶液を用い同様の処理を行なうことがで
きる。これらの方法において、ＴＣＮＱ錯体が生成する
温度とは、上記の反応が効率良く進行する温度のことで
あり、生成するＴＣＮＱ錯体及び他の反応条件により異
なる。一般に６０℃から１８０℃の範囲が多い。なお、
巻回型の電解コンデンサの製造においては、公知のよう
に、陽極用電極と陰極用電極とを共にコイル状に巻いた
ものを同時に浸漬して含浸を行なうことが有利である。
としては、ハロゲン化アルキルとドナ−材溶液にＴＣＮ
Ｑ、及びＴＣＮＱのリチウム塩を混合させた溶液中に、
含浸すべき電極を浸漬させ、ＴＣＮＱ錯体を形成すべき
温度まで加温し、ＴＣＮＱ錯体を電極上に形成させ含浸
を行なう。あるいは予め４級化されたドナ−材のハロゲ
ン化塩の溶液にＴＣＮＱのリチウム塩とＴＣＮＱの中性
塩を混合させた溶液を用い同様の処理を行なうことがで
きる。これらの方法において、ＴＣＮＱ錯体が生成する
温度とは、上記の反応が効率良く進行する温度のことで
あり、生成するＴＣＮＱ錯体及び他の反応条件により異
なる。一般に６０℃から１８０℃の範囲が多い。なお、
巻回型の電解コンデンサの製造においては、公知のよう
に、陽極用電極と陰極用電極とを共にコイル状に巻いた
ものを同時に浸漬して含浸を行なうことが有利である。
【００１１】
【実施例１】以下、本発明の具体的実施例について述べ
る。厚さ90μｍの高純度アルミニウム箔（純度99.99%）
を交流により電解エッチングを行い、約80倍に拡大され
た表面積を有する電極箔を作製し、中性燐酸溶液にて20
Ｖ化成を行い、誘電体皮膜を形成させた。（電極Ａ）
る。厚さ90μｍの高純度アルミニウム箔（純度99.99%）
を交流により電解エッチングを行い、約80倍に拡大され
た表面積を有する電極箔を作製し、中性燐酸溶液にて20
Ｖ化成を行い、誘電体皮膜を形成させた。（電極Ａ）
【００１２】上記電極箔を、キノリン：沃化オクチル
１：３（モル比）溶液にＴＣＮＱのリチウム塩とＴＣＮ
Ｑ中性塩を溶かした溶液に浸漬させた。次いで１５０℃
に加温し６０分間保持しＴＣＮＱ錯体の生成を行い含浸
を行なった。乾燥の後コロイダルカ−ボンを塗布形成
し、さらに銀ペ−ストで陰極リ−ドを取り出しエポキシ
樹脂で外装し、１０Ｖ３３μＦの固体電解コンデンサを
作製した。また比較のため、現在行なわれている融解含
浸法も行い特性調査を行なった。
１：３（モル比）溶液にＴＣＮＱのリチウム塩とＴＣＮ
Ｑ中性塩を溶かした溶液に浸漬させた。次いで１５０℃
に加温し６０分間保持しＴＣＮＱ錯体の生成を行い含浸
を行なった。乾燥の後コロイダルカ−ボンを塗布形成
し、さらに銀ペ−ストで陰極リ−ドを取り出しエポキシ
樹脂で外装し、１０Ｖ３３μＦの固体電解コンデンサを
作製した。また比較のため、現在行なわれている融解含
浸法も行い特性調査を行なった。
【００１３】
【実施例２】厚さ40μｍのＡｌ90Ｚｒ10合金箔を超急冷
法により作製し、芯材として99.99%アルミ箔70μｍ厚み
のものを用い、三層クラッド電極箔を作製した。その後
電解エッチングを行い、ＣＶ積として約4000μＦＶ／cm
2 を有する電極箔とし、中性燐酸溶液にて20Ｖ化成を行
い、誘電体皮膜を形成させた。（電極Ｂ）
法により作製し、芯材として99.99%アルミ箔70μｍ厚み
のものを用い、三層クラッド電極箔を作製した。その後
電解エッチングを行い、ＣＶ積として約4000μＦＶ／cm
2 を有する電極箔とし、中性燐酸溶液にて20Ｖ化成を行
い、誘電体皮膜を形成させた。（電極Ｂ）
【００１４】上記電極箔を、Ｎメチル１，１０オルトフ
ェナントロリンの沃素塩をエタノ−ルとアセトニトリル
の混合溶液（１：１）に溶かし、ＴＣＮＱのリチウム塩
とＴＣＮＱ中性塩を溶かし、浸漬させた。ついで８０℃
まで加温し、２時間保持しＴＣＮＱ錯体を合成し含浸を
行なった。乾燥の後コロイダルカ−ボンを塗布形成し、
さらに銀ペ−ストで陰極リ−ドを取り出しエポキシ樹脂
で外装し、１０Ｖ１００μＦの固体電解コンデンサを作
製した。また比較のため、現在行なわれている融解含浸
法も行い特性調査を行なった。
ェナントロリンの沃素塩をエタノ−ルとアセトニトリル
の混合溶液（１：１）に溶かし、ＴＣＮＱのリチウム塩
とＴＣＮＱ中性塩を溶かし、浸漬させた。ついで８０℃
まで加温し、２時間保持しＴＣＮＱ錯体を合成し含浸を
行なった。乾燥の後コロイダルカ−ボンを塗布形成し、
さらに銀ペ−ストで陰極リ−ドを取り出しエポキシ樹脂
で外装し、１０Ｖ１００μＦの固体電解コンデンサを作
製した。また比較のため、現在行なわれている融解含浸
法も行い特性調査を行なった。
【００１５】実施例１の結果を表１に、実施例２の結果
を表２にそれぞれ示した。
を表２にそれぞれ示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】表１、表２に示したように、本発明によ
って処理された製品のｔａｎδの改良に加え、静電容量
の増大に見られるように含浸性も向上されている。また
従来の融解含浸法と比較しても良い特性を示している。
また従来の融解含浸法では不可能であった融点を持たな
いＴＣＮＱ錯体でも含浸が可能となり、加えてＴＣＮＱ
錯体の合成プロセスも有しているため合成のための薬品
コストも大幅に下がり、工業的かつ実用的価値大なるも
のである。
って処理された製品のｔａｎδの改良に加え、静電容量
の増大に見られるように含浸性も向上されている。また
従来の融解含浸法と比較しても良い特性を示している。
また従来の融解含浸法では不可能であった融点を持たな
いＴＣＮＱ錯体でも含浸が可能となり、加えてＴＣＮＱ
錯体の合成プロセスも有しているため合成のための薬品
コストも大幅に下がり、工業的かつ実用的価値大なるも
のである。
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極用電極が拡大された表面及び該表面
に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合
金よりなると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用い
る固体電解コンデンサの製造方法において、該陽極用電
極を、ドナ−材、ハロゲン化アルキル、ＴＣＮＱ及びＴ
ＣＮＱアニオンラジカルのアルカリ金属塩の混合溶液に
浸漬し、かつＴＣＮＱ錯体が生成する温度に加温して、
ＴＣＮＱ錯体を該電極上で生成させることによりＴＣＮ
Ｑ錯体を陽極用電極に含浸、接合させることを特徴とす
る固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 陽極用電極が拡大された表面及び該表面
に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属もしくは該金属の合
金よりなると共に固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用い
る固体電解コンデンサの製造方法において、４級化され
たドナ−材のハロゲン化物の溶液にＴＣＮＱ及びＴＣＮ
Ｑアニオンラジカルのアルカリ金属塩を溶解させた溶液
に該陽極用電極を浸漬し、かつＴＣＮＱ錯体が生成する
温度に加温して、ＴＣＮＱ錯体を該電極上で生成させる
ことによりＴＣＮＱ錯体を陽極用電極に含浸、接合させ
ることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 弁作用金属がアルミニウムまたはその合
金であることを特徴とする請求項１または２に記載の固
体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21582791A JP3228531B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21582791A JP3228531B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774058A true JPH0774058A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3228531B2 JP3228531B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=16678920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21582791A Expired - Fee Related JP3228531B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3228531B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP21582791A patent/JP3228531B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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