JPH0772031A - 真空度測定方法及び電離真空計 - Google Patents
真空度測定方法及び電離真空計Info
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- JPH0772031A JPH0772031A JP24196893A JP24196893A JPH0772031A JP H0772031 A JPH0772031 A JP H0772031A JP 24196893 A JP24196893 A JP 24196893A JP 24196893 A JP24196893 A JP 24196893A JP H0772031 A JPH0772031 A JP H0772031A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高真空状態の空間を汚染することなく高感度
で真空度を測定する電離真空計を提供する。 【構成】 紫外線を出射するＵＶランプ２１と、紫外線
が照射されると光電効果により表面から電子を放出させ
る電子放出材２２と、正電圧に印加されたグリッド２３
を介在させて電子放出材２２に対向配置された集イオン
電極２４と、この集イオン電極２４に流れるイオン電流
量Ｉi を検出して真空度を測定する電流計２５とを備え
ている。
で真空度を測定する電離真空計を提供する。 【構成】 紫外線を出射するＵＶランプ２１と、紫外線
が照射されると光電効果により表面から電子を放出させ
る電子放出材２２と、正電圧に印加されたグリッド２３
を介在させて電子放出材２２に対向配置された集イオン
電極２４と、この集イオン電極２４に流れるイオン電流
量Ｉi を検出して真空度を測定する電流計２５とを備え
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高真空域の真空度を測定
する真空度測定方法及び電離真空計に関する。
する真空度測定方法及び電離真空計に関する。
【０００２】
【従来の技術】高真空域の真空度を計測する真空計とし
て、電離真空計がよく知られており広く一般的に使用さ
れている。電離真空計は、気体分子をイオン化してこれ
により生じたイオン電流を計測する形式の真空計であ
る。図５は従来の電離真空計の回路図であり、図示する
ように、電離真空計１は、電源２によりフィラメント３
を加熱し、フィラメント３から発生した電子（いわゆる
熱電子）により、空間４に存在する気体分子をイオン化
している。イオン化された気体分子は集イオン電極５に
集められ、そのイオンの電流量を電流計６で計測するこ
とにより、空間４中の気体分子の数を求めて真空度を測
定している。
て、電離真空計がよく知られており広く一般的に使用さ
れている。電離真空計は、気体分子をイオン化してこれ
により生じたイオン電流を計測する形式の真空計であ
る。図５は従来の電離真空計の回路図であり、図示する
ように、電離真空計１は、電源２によりフィラメント３
を加熱し、フィラメント３から発生した電子（いわゆる
熱電子）により、空間４に存在する気体分子をイオン化
している。イオン化された気体分子は集イオン電極５に
集められ、そのイオンの電流量を電流計６で計測するこ
とにより、空間４中の気体分子の数を求めて真空度を測
定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の電
離真空計１は、例えばタングステンを素材とするフィラ
メント３を加熱することにより電子を放出させている
が、この時のフィラメント３の温度は約１２００℃の高
温に達している。このような高温のフィラメント３に気
体分子が接触すると気体分子が分解されて発生基のＨ
* ，ＯＨ* ，Ｏ* を発生し、以下のような真空計測上好
ましくない現象が生じる。
離真空計１は、例えばタングステンを素材とするフィラ
メント３を加熱することにより電子を放出させている
が、この時のフィラメント３の温度は約１２００℃の高
温に達している。このような高温のフィラメント３に気
体分子が接触すると気体分子が分解されて発生基のＨ
* ，ＯＨ* ，Ｏ* を発生し、以下のような真空計測上好
ましくない現象が生じる。
【０００４】よく知られた現象の例としてウォーターサ
イクル現象がある。フィラメント３がタングステンによ
り形成されている場合に、空間４中の水の気体分子が高
温のフィラメント３に接触すると、フィラメント３上で
水の分子が分解して原子状水素（Ｈ* ）と酸化タングス
テン（ＷＯ2，ＷＯ3 等）を生じる。酸化タングステン
の中には蒸発しやすいものがあり、蒸発した酸化タング
ステンが、真空計のガラス管７の壁８に付着して原子状
水素により還元されて水（Ｈ2Ｏ ）とタングステン
（Ｗ）になる。この反応がウォーターサイクル現象であ
り、このような反応が繰り返されるとフィラメント３が
次第に消耗する。この現象は水が媒介となっているが、
比較的圧力の高い低真空の所で使用される真空計でも真
空計の壁が青く変色しているのをよく見かける。これは
酸化タングステンの析出によるものである。このような
現象が繰り返されると、フィラメントが次第に劣化して
真空計の感度が著しく低下するとともにフィラメントの
寿命も短くなる。
イクル現象がある。フィラメント３がタングステンによ
り形成されている場合に、空間４中の水の気体分子が高
温のフィラメント３に接触すると、フィラメント３上で
水の分子が分解して原子状水素（Ｈ* ）と酸化タングス
テン（ＷＯ2，ＷＯ3 等）を生じる。酸化タングステン
の中には蒸発しやすいものがあり、蒸発した酸化タング
ステンが、真空計のガラス管７の壁８に付着して原子状
水素により還元されて水（Ｈ2Ｏ ）とタングステン
（Ｗ）になる。この反応がウォーターサイクル現象であ
り、このような反応が繰り返されるとフィラメント３が
次第に消耗する。この現象は水が媒介となっているが、
比較的圧力の高い低真空の所で使用される真空計でも真
空計の壁が青く変色しているのをよく見かける。これは
酸化タングステンの析出によるものである。このような
現象が繰り返されると、フィラメントが次第に劣化して
真空計の感度が著しく低下するとともにフィラメントの
寿命も短くなる。
【０００５】また近年では、半導体ウエハやガラス基板
などを真空中で保管したり搬送したりすることが考えら
れており、このとき真空度の測定が必要となる。保管や
搬送時の真空度が高真空域であれば、電離真空計を使用
せざるを得ない。この場合に前記構成の従来の電離真空
計１を用いた場合には、高温に加熱されたタングステン
フィラメント３によって分解し合成された気体により、
高真空状態の空間４が分子レベルで汚染され、これによ
り、保管中の半導体ウエハやガラス基板なども汚染され
る恐れがある。半導体ウエハ等に分子レベルでの汚染が
生じれば、半導体製品の歩留りが低下してしまう。
などを真空中で保管したり搬送したりすることが考えら
れており、このとき真空度の測定が必要となる。保管や
搬送時の真空度が高真空域であれば、電離真空計を使用
せざるを得ない。この場合に前記構成の従来の電離真空
計１を用いた場合には、高温に加熱されたタングステン
フィラメント３によって分解し合成された気体により、
高真空状態の空間４が分子レベルで汚染され、これによ
り、保管中の半導体ウエハやガラス基板なども汚染され
る恐れがある。半導体ウエハ等に分子レベルでの汚染が
生じれば、半導体製品の歩留りが低下してしまう。
【０００６】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
で、高真空状態の空間を汚染することなく高感度で真空
度を測定することができる真空度測定方法及び電離真空
計を提供することを目的とする。
で、高真空状態の空間を汚染することなく高感度で真空
度を測定することができる真空度測定方法及び電離真空
計を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の真空度測定方法は、光電効果により放出さ
れる電子により気体分子をイオン化して真空度を測定す
ることを特徴とするものである。
め、本発明の真空度測定方法は、光電効果により放出さ
れる電子により気体分子をイオン化して真空度を測定す
ることを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の電離真空計は、光を出射す
る光源と、負電圧に印加され、前記光が照射されると光
電効果により表面から電子を放出させる電子放出材と、
正電圧に印加されたグリッドを介在させて前記電子放出
材に対向配置され且つ負電圧に印加された集イオン電極
と、この集イオン電極に流れるイオン電流量を検出して
真空度を測定する測定手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
る光源と、負電圧に印加され、前記光が照射されると光
電効果により表面から電子を放出させる電子放出材と、
正電圧に印加されたグリッドを介在させて前記電子放出
材に対向配置され且つ負電圧に印加された集イオン電極
と、この集イオン電極に流れるイオン電流量を検出して
真空度を測定する測定手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、電子放出材に光を照射して
光電効果により表面から電子を放出させている。この電
子によりイオン化した気体分子は集イオン電極に集めら
れるので、集イオン電極を流れるイオン電流量を測定手
段により検出して空間の真空度を測定している。
光電効果により表面から電子を放出させている。この電
子によりイオン化した気体分子は集イオン電極に集めら
れるので、集イオン電極を流れるイオン電流量を測定手
段により検出して空間の真空度を測定している。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図４を参
照して説明する。図１は本発明の一実施例に係る電離真
空計の回路図、図２は本発明の原理を示す説明図で、光
電効果の原理を示している。
照して説明する。図１は本発明の一実施例に係る電離真
空計の回路図、図２は本発明の原理を示す説明図で、光
電効果の原理を示している。
【００１１】従来はタングステンフィラメントを高温に
加熱して電子を放出させ、この電子により気体分子をイ
オン化していたが、本発明の真空度測定方法は、光電効
果により放出される電子により気体分子をイオン化して
真空度を測定しているので、タングステンフィラメント
を用いる必要がない。図２に示すように、光電効果は、
金属製の電子放出材１０に光源Ｌp から光Ｒを照射する
と、この光Ｒが吸収されるとともに光電子と呼ばれる自
由電子１１が表面１２から放出される現象である。光電
効果に関しては、光Ｒの振動数νがある値以上でなけれ
ば光Ｒの強さを増しても電子の放出は起こらず、飛び出
す電子１１のエネルギＥは光Ｒの振動数νのみに関係
し、（１）式で表される。 Ｅ＝ｈν−φ ……………（１） Ｅ：電子のエネルギ（Ｊ） ｈ：プランク定数（Ｊ・Ｓ） ν：光の振動数（１／Ｓ） φ：電子放出材１０の仕事関数（材料固有の値）（Ｊ）
加熱して電子を放出させ、この電子により気体分子をイ
オン化していたが、本発明の真空度測定方法は、光電効
果により放出される電子により気体分子をイオン化して
真空度を測定しているので、タングステンフィラメント
を用いる必要がない。図２に示すように、光電効果は、
金属製の電子放出材１０に光源Ｌp から光Ｒを照射する
と、この光Ｒが吸収されるとともに光電子と呼ばれる自
由電子１１が表面１２から放出される現象である。光電
効果に関しては、光Ｒの振動数νがある値以上でなけれ
ば光Ｒの強さを増しても電子の放出は起こらず、飛び出
す電子１１のエネルギＥは光Ｒの振動数νのみに関係
し、（１）式で表される。 Ｅ＝ｈν−φ ……………（１） Ｅ：電子のエネルギ（Ｊ） ｈ：プランク定数（Ｊ・Ｓ） ν：光の振動数（１／Ｓ） φ：電子放出材１０の仕事関数（材料固有の値）（Ｊ）
【００１２】いま、光Ｒが照射される電子放出材１０の
仕事関数φよりもｈνが小さいとき即ち、 Ｅ＝ｈν−φ＜０ ……………（２） の時、電子放出材１０の表面１２からは電子１１は放出
されないが、前記仕事関数φよりもｈνが大きいとき即
ち、 Ｅ＝ｈν−φ＞０ ……………（３） の時、電子放出材１０の表面１２からは電子１１が放出
される。
仕事関数φよりもｈνが小さいとき即ち、 Ｅ＝ｈν−φ＜０ ……………（２） の時、電子放出材１０の表面１２からは電子１１は放出
されないが、前記仕事関数φよりもｈνが大きいとき即
ち、 Ｅ＝ｈν−φ＞０ ……………（３） の時、電子放出材１０の表面１２からは電子１１が放出
される。
【００１３】図１に示す電離真空計２０はこの光電効果
の原理を応用している。電離真空計２０は、光を出射す
る光源２１と、負電圧に印加され、前記光が照射される
と光電効果により表面から電子を放出させる電子放出材
２２と、正電圧に印加されたグリッド２３を介在させて
電子放出材２２に対向配置され且つ負電圧に印加された
集イオン電極２４と、この集イオン電極２４に流れるイ
オン電流量Ｉi を検出して真空空間３１の真空度を測定
する測定手段としての電流計２５とを備えている。
の原理を応用している。電離真空計２０は、光を出射す
る光源２１と、負電圧に印加され、前記光が照射される
と光電効果により表面から電子を放出させる電子放出材
２２と、正電圧に印加されたグリッド２３を介在させて
電子放出材２２に対向配置され且つ負電圧に印加された
集イオン電極２４と、この集イオン電極２４に流れるイ
オン電流量Ｉi を検出して真空空間３１の真空度を測定
する測定手段としての電流計２５とを備えている。
【００１４】電子放出材２２、グリッド２３及び集イオ
ン電極（イオンコレクタ）２４は円筒形のガラス管２６
の内部に取付けられている。本実施例では光源２１をガ
ラス管２６の外部に配設して電子放出材２２に光を照射
するようにしているが、ガラス管２６の内部に設置用の
スペースがあればガラス管２６の内部に光源２１を設け
てもよい。本実施例の光源２１としては、ＵＶ（紫外線
＝Ultraviolet Rays）を出射するＵＶランプ２１を用い
ている。このＵＶランプ２１は、低圧水銀ランプ、高圧
水銀ランプ、キセノンランプ、重水素ランプまたはエキ
シマレーザ等いずれのランプでもよいが、紫外線の振動
数νの値が大きい方が電子放出に有利であるので、波長
の短い紫外線を出射するランプの方が好ましい。したが
って、本実施例では、比較的波長の短い紫外線が取り出
せる重水素ランプを用いている。ガラス管２６の紫外線
が透過する部分２７には、紫外線が十分に透過できるよ
うに合成石英ガラスが使用されている。
ン電極（イオンコレクタ）２４は円筒形のガラス管２６
の内部に取付けられている。本実施例では光源２１をガ
ラス管２６の外部に配設して電子放出材２２に光を照射
するようにしているが、ガラス管２６の内部に設置用の
スペースがあればガラス管２６の内部に光源２１を設け
てもよい。本実施例の光源２１としては、ＵＶ（紫外線
＝Ultraviolet Rays）を出射するＵＶランプ２１を用い
ている。このＵＶランプ２１は、低圧水銀ランプ、高圧
水銀ランプ、キセノンランプ、重水素ランプまたはエキ
シマレーザ等いずれのランプでもよいが、紫外線の振動
数νの値が大きい方が電子放出に有利であるので、波長
の短い紫外線を出射するランプの方が好ましい。したが
って、本実施例では、比較的波長の短い紫外線が取り出
せる重水素ランプを用いている。ガラス管２６の紫外線
が透過する部分２７には、紫外線が十分に透過できるよ
うに合成石英ガラスが使用されている。
【００１５】電子放出材２２としては、純金属、合金金
属、金属酸化物または金属窒化物などいずれの金属或い
は金属化合物により形成してもよいが、仕事関数φの低
い物質の方が電子放出に有利である。本実施例では、仕
事関数φは大きいが気中において表面が長時間安定して
いる金（Ａｕ）を用いている。
属、金属酸化物または金属窒化物などいずれの金属或い
は金属化合物により形成してもよいが、仕事関数φの低
い物質の方が電子放出に有利である。本実施例では、仕
事関数φは大きいが気中において表面が長時間安定して
いる金（Ａｕ）を用いている。
【００１６】電子放出材２２の端子と集イオン電極２４
の端子には電流計２５と電源２８とが直列に接続されて
いる。電子放出材２２に接続されている電源２８の陽極
側から分岐されてグリッド２３に接続される回路には、
電流計２９と、電源２８より高電圧を印加する電源３０
とが直列に接続されている。これにより、電子放出材２
２を負電圧に印加して陰極とし、グリッド２３を正電圧
に印加して陽極とし、集イオン電極２４を負電圧に印加
して陰極としている。
の端子には電流計２５と電源２８とが直列に接続されて
いる。電子放出材２２に接続されている電源２８の陽極
側から分岐されてグリッド２３に接続される回路には、
電流計２９と、電源２８より高電圧を印加する電源３０
とが直列に接続されている。これにより、電子放出材２
２を負電圧に印加して陰極とし、グリッド２３を正電圧
に印加して陽極とし、集イオン電極２４を負電圧に印加
して陰極としている。
【００１７】集イオン電極２４で集められたイオンの電
流量Ｉi と真空空間３１の真空度との関係は次式（４）
及び（５）で表すことができる。 Ｉi ＝Ｓ・Ｉp ・Ｐ ……………（４） ここでＳ＝σ・Ｌ・β／（ｋ・Ｔ）………（５） Ｉi ＝イオン電流量 Ｐ ＝圧力 Ｉp ＝エミッション電流（ここでは光電効果により流れ
る電流） Ｌ，β＝真空計の形状により決まる値 σ ＝イオンの出来易さ（気体種類によって決まる値） ｋ ＝ボルツマン定数 Ｔ ＝温度 式（４）より、イオン電流量Ｉi を電流計２５で測定す
ることにより、真空空間３１の真空度（即ち圧力Ｐ）を
求めることができる。
流量Ｉi と真空空間３１の真空度との関係は次式（４）
及び（５）で表すことができる。 Ｉi ＝Ｓ・Ｉp ・Ｐ ……………（４） ここでＳ＝σ・Ｌ・β／（ｋ・Ｔ）………（５） Ｉi ＝イオン電流量 Ｐ ＝圧力 Ｉp ＝エミッション電流（ここでは光電効果により流れ
る電流） Ｌ，β＝真空計の形状により決まる値 σ ＝イオンの出来易さ（気体種類によって決まる値） ｋ ＝ボルツマン定数 Ｔ ＝温度 式（４）より、イオン電流量Ｉi を電流計２５で測定す
ることにより、真空空間３１の真空度（即ち圧力Ｐ）を
求めることができる。
【００１８】次に、電離真空計２０により真空空間３１
の真空度を測定する手順および作用について説明する。
電源２８及び３０により、電子放出材２２、グリッド２
３及び集イオン電極２４に電圧を印加した状態で、ＵＶ
ランプ２１から紫外線を出射すると、紫外線はガラス管
２６の透過可能部分２７を透過して電子放出材２２に照
射される。この紫外線の振動数νの値は大きいので
（３）式を満足しており、電子放出材２２の表面からは
電子が放出される。
の真空度を測定する手順および作用について説明する。
電源２８及び３０により、電子放出材２２、グリッド２
３及び集イオン電極２４に電圧を印加した状態で、ＵＶ
ランプ２１から紫外線を出射すると、紫外線はガラス管
２６の透過可能部分２７を透過して電子放出材２２に照
射される。この紫外線の振動数νの値は大きいので
（３）式を満足しており、電子放出材２２の表面からは
電子が放出される。
【００１９】放出された電子は陽極のグリッド２３に引
きつけられて進み、一部の電子はグリッド２３で捉えら
れるが残りの電子はグリッド２３を通り越して集イオン
電極２４の方向に進む。ところが、集イオン電極２４は
負電圧に印加されているので、集イオン電極２４の方向
に進んだ電子は反発力を受けて再びグリッド２３の方向
に向かう。
きつけられて進み、一部の電子はグリッド２３で捉えら
れるが残りの電子はグリッド２３を通り越して集イオン
電極２４の方向に進む。ところが、集イオン電極２４は
負電圧に印加されているので、集イオン電極２４の方向
に進んだ電子は反発力を受けて再びグリッド２３の方向
に向かう。
【００２０】一部の電子はグリッド２３により捉えられ
るが、残りの電子はグリッド２３を通過して電子放出材
２２の方向に進む。ところが電子放出材２２は負電圧に
印加されているので、電子は電子放出材２２から反発力
を受けて再度グリッド２３の方向に向かう。
るが、残りの電子はグリッド２３を通過して電子放出材
２２の方向に進む。ところが電子放出材２２は負電圧に
印加されているので、電子は電子放出材２２から反発力
を受けて再度グリッド２３の方向に向かう。
【００２１】このようにして、電子は電子放出材２２と
集イオン電極２４との間を行き来することとなり、この
間に電子は真空空間３１を浮遊している気体分子と衝突
してこの気体分子をイオン化する。すると、気体分子は
電子を放出して正にイオン化されるので、負電圧に印加
されている集イオン電極２４により集められる。このイ
オンの電流量Ｉi を電流計２５で検出すれば、式（４）
及び（５）に基づいて真空空間３１の真空度を求めるこ
とができる。
集イオン電極２４との間を行き来することとなり、この
間に電子は真空空間３１を浮遊している気体分子と衝突
してこの気体分子をイオン化する。すると、気体分子は
電子を放出して正にイオン化されるので、負電圧に印加
されている集イオン電極２４により集められる。このイ
オンの電流量Ｉi を電流計２５で検出すれば、式（４）
及び（５）に基づいて真空空間３１の真空度を求めるこ
とができる。
【００２２】このように、電離真空計２０は、従来のよ
うにタングステンを高温にすることなく電子を真空空間
３１に供給することができるので、先に述べたようなタ
ングステンの劣化がなくなり高感度で真空度を測定する
ことができ、又真空計の寿命が延びる。また、タングス
テンを用いていないので、真空度を測定する際に発生基
のＨ* ，ＯＨ* ，Ｏ* は発生しない。したがって、半導
体ウエハやガラス基板などを真空中で保管したり搬送し
たりする場合に、真空度を測定する際に真空空間を分子
レベルで汚染することはない。
うにタングステンを高温にすることなく電子を真空空間
３１に供給することができるので、先に述べたようなタ
ングステンの劣化がなくなり高感度で真空度を測定する
ことができ、又真空計の寿命が延びる。また、タングス
テンを用いていないので、真空度を測定する際に発生基
のＨ* ，ＯＨ* ，Ｏ* は発生しない。したがって、半導
体ウエハやガラス基板などを真空中で保管したり搬送し
たりする場合に、真空度を測定する際に真空空間を分子
レベルで汚染することはない。
【００２３】図３は図１の電離真空計を具体化した電離
真空計本体の平面断面図、図４は図３の正面断面図であ
る。
真空計本体の平面断面図、図４は図３の正面断面図であ
る。
【００２４】図に示すように、電離真空計２０ａの本体
のガラス管２６ａは、円筒状部４０と、円筒状部４０か
らＵＶランプ２１の方向に突出して形成された矩形状の
矩形状部４１とを備えており、矩形状部４１の開口部に
は合成石英ガラスからなる光透過部４２が取付けられて
いる。光透過部４２は、ＵＶランプ２１から出射される
紫外線を透過するようになっている。円筒状部４０の下
部には、真空空間３１とガラス管２６ａの内部とを連通
させる連通管４３が取付けられている。
のガラス管２６ａは、円筒状部４０と、円筒状部４０か
らＵＶランプ２１の方向に突出して形成された矩形状の
矩形状部４１とを備えており、矩形状部４１の開口部に
は合成石英ガラスからなる光透過部４２が取付けられて
いる。光透過部４２は、ＵＶランプ２１から出射される
紫外線を透過するようになっている。円筒状部４０の下
部には、真空空間３１とガラス管２６ａの内部とを連通
させる連通管４３が取付けられている。
【００２５】半円筒形の電子放出材２２ａが円筒状部４
０の内側に同心状に取付けられており、集イオン電極２
４ａが、グリッド２３ａを介在させて電子放出材２２ａ
に対向配置されている。グリッド２３ａおよび集イオン
電極２４ａは円筒状部４０の内部に設けられている。Ｕ
Ｖランプ２１から電子放出材２２ａに照射される紫外線
の通路を遮断しないように、図４に示すように集イオン
電極２４ａは図中下方にずらして配置されている。
０の内側に同心状に取付けられており、集イオン電極２
４ａが、グリッド２３ａを介在させて電子放出材２２ａ
に対向配置されている。グリッド２３ａおよび集イオン
電極２４ａは円筒状部４０の内部に設けられている。Ｕ
Ｖランプ２１から電子放出材２２ａに照射される紫外線
の通路を遮断しないように、図４に示すように集イオン
電極２４ａは図中下方にずらして配置されている。
【００２６】かかる構成の電離真空計２０ａには図１の
回路と同様の回路が接続されており、したがって、この
電離真空計２０ａは図１の電離真空計と同様の作用効果
を奏する。なお、各図中同一符号は同一または相当部分
を示す。
回路と同様の回路が接続されており、したがって、この
電離真空計２０ａは図１の電離真空計と同様の作用効果
を奏する。なお、各図中同一符号は同一または相当部分
を示す。
【００２７】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、従
来のようなタングステンを使用する必要がなくなり、高
真空状態の空間を汚染することなく高感度で真空度を測
定することができる。
来のようなタングステンを使用する必要がなくなり、高
真空状態の空間を汚染することなく高感度で真空度を測
定することができる。
【図１】図１乃至図４は本発明の一実施例を示す図で、
図１は電離真空計の回路図である。
図１は電離真空計の回路図である。
【図２】本発明の原理を示す説明図で、光電効果の原理
を示している。
を示している。
【図３】図１の電離真空計を具体化した電離真空計本体
の平面断面図である。
の平面断面図である。
【図４】図３の電離真空計本体の正面断面図である。
【図５】従来の電離真空計の回路図である。
１０，２２，２２ａ 電子放出材 １１ 電子 １２ 表面 ２０，２０ａ 電離真空計 ２１ ＵＶランプ（光源） ２３，２３ａ グリッド ２４，２４ａ 集イオン電極 ２５ 電流計（測定手段） Ｉi イオン電流量 Ｌp 光源 Ｒ 紫外線（光）
Claims (2)
- 【請求項１】 光電効果により放出される電子により気
体分子をイオン化して真空度を測定することを特徴とす
る真空度測定方法。 - 【請求項２】 光を出射する光源と、前記光が照射され
ると光電効果により表面から電子を放出させる電子放出
材と、正電圧に印加されたグリッドを介在させて前記電
子放出材に対向配置され且つ負電圧に印加された集イオ
ン電極と、この集イオン電極に流れるイオン電流量を検
出して真空度を測定する測定手段とを備えたことを特徴
とする電離真空計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24196893A JPH0772031A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 真空度測定方法及び電離真空計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24196893A JPH0772031A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 真空度測定方法及び電離真空計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772031A true JPH0772031A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=17082264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24196893A Pending JPH0772031A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 真空度測定方法及び電離真空計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772031A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383441B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2003-05-12 | 김도윤 | 탄소나노튜브의 장이온화를 이용한 진공 게이지 |
| JP2008533657A (ja) * | 2005-03-09 | 2008-08-21 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 冷陰極圧力センサ |
| CN112781786A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-05-11 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种利用超冷原子测量超高或极高真空的装置及检测方法 |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP24196893A patent/JPH0772031A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383441B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2003-05-12 | 김도윤 | 탄소나노튜브의 장이온화를 이용한 진공 게이지 |
| JP2008533657A (ja) * | 2005-03-09 | 2008-08-21 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 冷陰極圧力センサ |
| CN112781786A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-05-11 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种利用超冷原子测量超高或极高真空的装置及检测方法 |
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