JPH077126A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH077126A JPH077126A JP5146251A JP14625193A JPH077126A JP H077126 A JPH077126 A JP H077126A JP 5146251 A JP5146251 A JP 5146251A JP 14625193 A JP14625193 A JP 14625193A JP H077126 A JPH077126 A JP H077126A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイスに、絶縁性両面接着テープを
介して内部リードを熱圧着して形成する樹脂封止型半導
体装置において、半田耐熱性、耐湿性およびモールド樹
脂との密着性を向上するものである。 【構成】 絶縁性両面接着テープ１３の、内部リード１
２が接着する周辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔１
３ａおよびスリット１３ｂを設けたものである。
介して内部リードを熱圧着して形成する樹脂封止型半導
体装置において、半田耐熱性、耐湿性およびモールド樹
脂との密着性を向上するものである。 【構成】 絶縁性両面接着テープ１３の、内部リード１
２が接着する周辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔１
３ａおよびスリット１３ｂを設けたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチックパッケー
ジ等、樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置の構造に
関するものである。
ジ等、樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置の構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置は、デバイスの大型
化に伴い、パッケージ側端とデバイス取付部であるダイ
パットとの間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。これ
は、デバイスサイズの大型化に対して、これを収納する
パッケージのサイズが規格化されているためである。そ
の結果、デバイスから電気的に接続する内部リードの引
回しの制限、外部リードの引抜き強度の低下、半田耐熱
性の低下が懸念される。
化に伴い、パッケージ側端とデバイス取付部であるダイ
パットとの間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。これ
は、デバイスサイズの大型化に対して、これを収納する
パッケージのサイズが規格化されているためである。そ
の結果、デバイスから電気的に接続する内部リードの引
回しの制限、外部リードの引抜き強度の低下、半田耐熱
性の低下が懸念される。
【０００３】そこで、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉ
ｐ）、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）といった新
しい樹脂封止型半導体装置が提案されている。
ｐ）、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）といった新
しい樹脂封止型半導体装置が提案されている。
【０００４】図４は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
平面図であり、図５は図４のＡ１−Ａ２断面図である。
図において、１はデバイス、２は内部リード、３は絶縁
性両面接着テープ、４は外部リード、５はデバイス１に
設けた電極パッド、６は金線であり、この金線６は、こ
の電極パッド５と内部リード２とを電気的に接続する。
７は封止材である。
平面図であり、図５は図４のＡ１−Ａ２断面図である。
図において、１はデバイス、２は内部リード、３は絶縁
性両面接着テープ、４は外部リード、５はデバイス１に
設けた電極パッド、６は金線であり、この金線６は、こ
の電極パッド５と内部リード２とを電気的に接続する。
７は封止材である。
【０００５】上記構成の樹脂封止型半導体装置は、ダイ
パッドがなく、内部リード２の下部とデバイス１の表面
との間に絶縁性両面接着テープ３を挟んで、熱圧着によ
って、両者を固着したものである。この構造は、上記し
た懸念に対して有効なものである。
パッドがなく、内部リード２の下部とデバイス１の表面
との間に絶縁性両面接着テープ３を挟んで、熱圧着によ
って、両者を固着したものである。この構造は、上記し
た懸念に対して有効なものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造の装置では、（Ａ）図６に示すように、内部リード２
の下面とデバイス１の表面との間を絶縁性両面接着テー
プ３を挟んで、熱圧着する際、内部リード２にしか荷重
を加えられないため、絶縁性両面接着テープ３を、デバ
イス１に熱圧着するとき、空気が閉じこめられて、逃げ
場がなく、デバイス表面の未接着部分８、およびデバイ
ス表面の内部リード２間の未接着部分９が生じること、
（Ｂ）特に、半田耐熱性での熱衝撃の際、外部リードか
らの熱伝導によって、内部リード２にも伝わる。特に、
絶縁性両面接着テープ３は、水分を吸湿し易いため、図
７に示すように、内部リード２下の絶縁性両面接着テー
プ３の接着剤３ａに、ボイド１０が発生する。これらの
未接着部分８、９およびボイド１０は、絶縁性両面接着
テープ３の吸湿量が多かったり、未接着部分８、９に水
分がたまったり、熱衝撃が強い場合、図８に示すよう
に、パッケージクラック１１を起したり、耐湿性が劣化
したりするなどの問題点があった。
造の装置では、（Ａ）図６に示すように、内部リード２
の下面とデバイス１の表面との間を絶縁性両面接着テー
プ３を挟んで、熱圧着する際、内部リード２にしか荷重
を加えられないため、絶縁性両面接着テープ３を、デバ
イス１に熱圧着するとき、空気が閉じこめられて、逃げ
場がなく、デバイス表面の未接着部分８、およびデバイ
ス表面の内部リード２間の未接着部分９が生じること、
（Ｂ）特に、半田耐熱性での熱衝撃の際、外部リードか
らの熱伝導によって、内部リード２にも伝わる。特に、
絶縁性両面接着テープ３は、水分を吸湿し易いため、図
７に示すように、内部リード２下の絶縁性両面接着テー
プ３の接着剤３ａに、ボイド１０が発生する。これらの
未接着部分８、９およびボイド１０は、絶縁性両面接着
テープ３の吸湿量が多かったり、未接着部分８、９に水
分がたまったり、熱衝撃が強い場合、図８に示すよう
に、パッケージクラック１１を起したり、耐湿性が劣化
したりするなどの問題点があった。
【０００７】本発明は、以上述べた絶縁性両面接着テー
プの未接着部分、内部リード下の絶縁性両面接着テープ
の接着剤にボイドが発生し、デバイス接着性、耐湿性、
半田耐熱性の劣化の問題点を除去するため、絶縁性両面
接着テープに複数個の貫通孔、あるいは、この貫通孔と
スリットを設けた優れた装置を提供することを目的とす
る。
プの未接着部分、内部リード下の絶縁性両面接着テープ
の接着剤にボイドが発生し、デバイス接着性、耐湿性、
半田耐熱性の劣化の問題点を除去するため、絶縁性両面
接着テープに複数個の貫通孔、あるいは、この貫通孔と
スリットを設けた優れた装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止型
半導体装置は、その絶縁性両面接着テープの、内部リー
ドが接着する周辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔を
設けるものである。
半導体装置は、その絶縁性両面接着テープの、内部リー
ドが接着する周辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔を
設けるものである。
【０００９】また、本発明に係る樹脂封止型半導体装置
は、内部リードの先端部の接着面側にハーフエッチを設
け、絶縁性両面接着テープの、内部リードが接着する周
辺部を除いた部分に複数個の貫通孔を設け、この絶縁性
両面接着テープの周辺部で、かつ内部リードのハーフエ
ッチに対応した部分にスリットを設けたものである。
は、内部リードの先端部の接着面側にハーフエッチを設
け、絶縁性両面接着テープの、内部リードが接着する周
辺部を除いた部分に複数個の貫通孔を設け、この絶縁性
両面接着テープの周辺部で、かつ内部リードのハーフエ
ッチに対応した部分にスリットを設けたものである。
【００１０】
【作用】本発明は、半田耐熱性、耐湿性およびモールド
樹脂との密着性を向上することができる。
樹脂との密着性を向上することができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の
一実施例を示す平面図である。図において、１２は内部
リードであり、この内部リード１２の先端の下側には、
図２および図３に示すように、ハーフエッチ１２ａが形
成されている。１３は絶縁性両面接着テープであり、こ
の絶縁性両面接着テープ１３は、図２および図３に示す
ように、内部リード１２で荷重されない場所に設けた複
数個の貫通孔１３ａと、前記内部リード１２のハーフエ
ッチ１２ａに対向する部分に設けた複数個のスリット１
３ｂを備えている。
一実施例を示す平面図である。図において、１２は内部
リードであり、この内部リード１２の先端の下側には、
図２および図３に示すように、ハーフエッチ１２ａが形
成されている。１３は絶縁性両面接着テープであり、こ
の絶縁性両面接着テープ１３は、図２および図３に示す
ように、内部リード１２で荷重されない場所に設けた複
数個の貫通孔１３ａと、前記内部リード１２のハーフエ
ッチ１２ａに対向する部分に設けた複数個のスリット１
３ｂを備えている。
【００１２】なお、上記絶縁性両面接着テープ１３の貫
通孔１３は、その大きさが大きい方がよく、かつ多数設
ける方がよいが、この絶縁性両面接着テープ１３の貫通
孔は、パンチ装置で抜くため、孔径が大きく、かつ多数
設けると、絶縁性両面接着テープ１３は変形を起し、た
わんでしまうので、適度の大きさの孔径と数にすること
は、もちろんである。
通孔１３は、その大きさが大きい方がよく、かつ多数設
ける方がよいが、この絶縁性両面接着テープ１３の貫通
孔は、パンチ装置で抜くため、孔径が大きく、かつ多数
設けると、絶縁性両面接着テープ１３は変形を起し、た
わんでしまうので、適度の大きさの孔径と数にすること
は、もちろんである。
【００１３】また、上記絶縁性両面接着テープ１３のス
リット１３ｂの大きさは、ワイヤボンディングを行なう
とき、金線６を内部リード１２に熱圧着する際、荷重が
加えられるので、この荷重に耐えられる面積を残し、そ
れ以外の部分をスリット１３ｂにするものである。
リット１３ｂの大きさは、ワイヤボンディングを行なう
とき、金線６を内部リード１２に熱圧着する際、荷重が
加えられるので、この荷重に耐えられる面積を残し、そ
れ以外の部分をスリット１３ｂにするものである。
【００１４】また、上記ハーフエッチ１２ａとスリット
１３ｂによって形成される空間（図３参照）に、封止材
７が入り込むことができる。この場合、封止材７のフイ
ラーの大きさは、通常１００μｍ前後であり、絶縁性両
面接着テープ１３の厚さは、通常６０〜８０μｍのた
め、ハーフエッチのないリードフレームを用いた場合、
スリット１３ｂの中には封止材７が入り込まない。
１３ｂによって形成される空間（図３参照）に、封止材
７が入り込むことができる。この場合、封止材７のフイ
ラーの大きさは、通常１００μｍ前後であり、絶縁性両
面接着テープ１３の厚さは、通常６０〜８０μｍのた
め、ハーフエッチのないリードフレームを用いた場合、
スリット１３ｂの中には封止材７が入り込まない。
【００１５】この構成による樹脂封止型半導体装置は、
複数個の貫通孔１３ａと複数個のスリット１３ｂを設け
た絶縁性両面接着テープ１３を、デバイス１の表面に設
けたのち、この絶縁性両面接着テープ１３の各スリット
１３ｂに、内部リード１２のハーフエッチ１２ａを対向
させて、この内部リード１２を絶縁性両面接着テープ１
３に設け、デバイス１、絶縁性両面接着テープ１３、内
部リード１２を相互に熱圧着する。このため、デバイス
１の表面と絶縁性両面接着テープ１３の間に、空気は閉
じ込められず、外へ逃がれるため、未接着部分をなくす
ことができる。そして、全体を封止材７で封止すると、
この封止材７は、絶縁性両面接着テープ１３の貫通孔１
３ａに入り込み、しかも、内部リード１２のハーフエッ
チ１２ａと絶縁性両面接着テープ１３のスリット１３ｂ
との間に入り込むことができる。このため、内部リード
１２下の絶縁性両面接着テープ１３の接着剤にボイドの
発生を防止することができる。
複数個の貫通孔１３ａと複数個のスリット１３ｂを設け
た絶縁性両面接着テープ１３を、デバイス１の表面に設
けたのち、この絶縁性両面接着テープ１３の各スリット
１３ｂに、内部リード１２のハーフエッチ１２ａを対向
させて、この内部リード１２を絶縁性両面接着テープ１
３に設け、デバイス１、絶縁性両面接着テープ１３、内
部リード１２を相互に熱圧着する。このため、デバイス
１の表面と絶縁性両面接着テープ１３の間に、空気は閉
じ込められず、外へ逃がれるため、未接着部分をなくす
ことができる。そして、全体を封止材７で封止すると、
この封止材７は、絶縁性両面接着テープ１３の貫通孔１
３ａに入り込み、しかも、内部リード１２のハーフエッ
チ１２ａと絶縁性両面接着テープ１３のスリット１３ｂ
との間に入り込むことができる。このため、内部リード
１２下の絶縁性両面接着テープ１３の接着剤にボイドの
発生を防止することができる。
【００１６】なお、上記の実施例では、絶縁性両面接着
テープ１３の周辺部に設けたスリット１３ｂの長さ（長
手方向）を複数個の内部リードに共通して設けたが、こ
れに限定せず、内部リードごとに設けてもよいことはも
ちろんである。
テープ１３の周辺部に設けたスリット１３ｂの長さ（長
手方向）を複数個の内部リードに共通して設けたが、こ
れに限定せず、内部リードごとに設けてもよいことはも
ちろんである。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る樹脂封止型半導体装置によれば、絶縁性両面接着テ
ープに、複数の貫通孔および複数個のスリットを設け、
しかも、内部リードの先端で、上記スリットに対向する
部分に、ハーフエッチを設けたので、半導体デバイスと
の未接着部分がなくなり、しかも、ハーフエッチとスリ
ット間にモールド樹脂が入り込むためボイドの発生を防
止できる。このため、半田耐熱性および耐湿性が向上
し、モールド樹脂との密着性を向上することができるな
どの効果がある。
係る樹脂封止型半導体装置によれば、絶縁性両面接着テ
ープに、複数の貫通孔および複数個のスリットを設け、
しかも、内部リードの先端で、上記スリットに対向する
部分に、ハーフエッチを設けたので、半導体デバイスと
の未接着部分がなくなり、しかも、ハーフエッチとスリ
ット間にモールド樹脂が入り込むためボイドの発生を防
止できる。このため、半田耐熱性および耐湿性が向上
し、モールド樹脂との密着性を向上することができるな
どの効果がある。
【図１】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１の一部詳細な断面図である。
【図３】図２のスリットとハーフエッチの関係を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】従来の樹脂封止型半導体素子を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＡ１−Ａ２断面図である。
【図６】図４の未接着部分を示す平面図である。
【図７】図４の内部リード間の未接着部分を示す一部詳
細な断面図である。
細な断面図である。
【図８】図４に発生するパッケージクラックを示す一部
詳細な断面図である。
詳細な断面図である。
１２ 内部リード １２ａ ハーフエッチ １３ 絶縁性両面接着テープ １３ａ 貫通孔 １３ｂ スリット
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体デバイスに、絶縁性両面接着テー
プを介して内部リードを熱圧着して形成する樹脂封止型
半導体装置において、 上記絶縁性両面接着テープの、内部リードが接着する周
辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔を設けることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 半導体デバイスに、絶縁性両面接着テー
プを介して内部リードを熱圧着して形成する樹脂封止型
半導体装置において、 上記内部リードの先端部の接着面側にハーフエッチを設
け、上記絶縁性両面接着テープの、内部リードが接着す
る周辺部を除いた部分に、複数個の貫通孔を設け、この
絶縁性両面接着テープの周辺部で、かつ上記内部リード
のハーフエッチに対応した部分に、スリットを設けたこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 上記スリットは、複数個の内部リードに
共通して設けたことを特徴とする請求項２記載の樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146251A JPH077126A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146251A JPH077126A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077126A true JPH077126A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15403519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5146251A Pending JPH077126A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604330B1 (ko) * | 1999-04-13 | 2006-07-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 아이 씨 카드용 집적회로 조립체 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5146251A patent/JPH077126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604330B1 (ko) * | 1999-04-13 | 2006-07-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 아이 씨 카드용 집적회로 조립체 |
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