JPH0770575B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH0770575B2
JPH0770575B2 JP62127557A JP12755787A JPH0770575B2 JP H0770575 B2 JPH0770575 B2 JP H0770575B2 JP 62127557 A JP62127557 A JP 62127557A JP 12755787 A JP12755787 A JP 12755787A JP H0770575 B2 JPH0770575 B2 JP H0770575B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
mask alignment
mask
present
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62127557A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63291431A (en
Inventor
治 島田
Original Assignee
松下電子工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 松下電子工業株式会社 filed Critical 松下電子工業株式会社
Priority to JP62127557A priority Critical patent/JPH0770575B2/en
Publication of JPS63291431A publication Critical patent/JPS63291431A/en
Publication of JPH0770575B2 publication Critical patent/JPH0770575B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、縮小投影型露光装置を用いて製造する半導体
装置の位置合わせ方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of aligning a semiconductor device manufactured by using a reduction projection type exposure apparatus.

従来の技術 近年、半導体装置の高集化にともなって半導体装置の位
置合わせ精度はより高度なものが要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have been highly integrated, the alignment accuracy of semiconductor devices has been required to be higher.

以下に、従来の半導体装置の位置合わせについて説明す
る。
The alignment of the conventional semiconductor device will be described below.

第5図は従来の半導体装置の位置合わせにおけるマスク
合わせ位置ずれ量読み取りマークの配置を示したもので
ある。第5図において、1は縮小投影露光におけるワン
・ショット露光領域である。2はチップ領域、3はマス
ク合わせ位置ずれ量読み取りマークを示す。
FIG. 5 shows the arrangement of the mask alignment position displacement amount reading marks in the alignment of the conventional semiconductor device. In FIG. 5, reference numeral 1 is a one-shot exposure area in reduction projection exposure. Reference numeral 2 is a chip area, and 3 is a mask alignment position deviation amount reading mark.

第6図は従来の半導体装置の位置合わせの手順を示した
ものである。スタート後、第1のマスク合わせを実施
し、チップ内にあるマスク合わせ位置ずれ量読み取りマ
ークにより、位置ずれ量を読み取り、その位置ずれ量を
補正し、次の第2のマスクを合わせを実行して一連のマ
スク合わせを終了する。
FIG. 6 shows a conventional procedure for aligning a semiconductor device. After the start, the first mask alignment is performed, the amount of misalignment is read by the mask alignment misalignment amount reading mark in the chip, the amount of misalignment is corrected, and the next second mask is aligned. Then, a series of mask alignment is completed.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の従来の方法では、単純に平行にずれ
るオフセット要因の位置ずれについては正確に補正をか
けることができるが、レチクルローテーション要因の位
置ずれが発生した場合、第7図に示すように、マスク合
わせ位置ずれ量読み取りマークの部分を正確に位置合わ
せできたとしても、1ショット露光領域内には大きく位
置ずれが発生し、その位置ずれ量を読み取ることができ
ないという欠点を有していた。
Problems to be Solved by the Invention However, in the above-mentioned conventional method, it is possible to accurately correct the positional deviation of the offset factor that is simply shifted in parallel, but when the positional deviation of the reticle rotation factor occurs, As shown in FIG. 7, even if the position of the mask alignment position displacement amount reading mark can be accurately aligned, a large amount of displacement occurs in the one-shot exposure area, and the displacement amount cannot be read. It had drawbacks.

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、マスク合
わせ中、レチクルローテーション要因の位置ずれ量を正
確に読み取り補正し、半導体装置の位置合わせ精度を向
上させることを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to accurately read and correct the positional deviation amount due to the reticle rotation factor during mask alignment to improve the alignment accuracy of the semiconductor device.

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体装置は、縮小
投影露光のワン・ショット露光領域の矩形のおよそ対角
に、一対のマスク合わせ位置ずれ量読み取りマークを有
するものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, a semiconductor device of the present invention has a pair of mask alignment position deviation amount read marks approximately diagonally to a rectangle of a one-shot exposure region of reduction projection exposure. It is a thing.

作用 この発明によって、レチクルローテーション要因の位置
ずれ量を矩形平面の対角位置2か所のマスク合わせ位置
ずれ量読み取りマークによって正確に読み取ることが可
能となり、その位置ずれ量を以後のマスク合わせにフィ
ードバックすることにより、レチクルローテーション要
因の位置ずれを補正し、半導体装置の位置合わせ精度を
向上させることができる。
Effect According to the present invention, it is possible to accurately read the positional deviation amount due to the reticle rotation factor by the mask alignment positional deviation amount read marks at two diagonal positions on the rectangular plane, and the positional deviation amount is fed back to the subsequent mask alignment. By doing so, it is possible to correct the positional deviation due to the reticle rotation factor and improve the alignment accuracy of the semiconductor device.

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例半導体装置の平面図であ
り、マスク合わせ位置ずれ量読み取りマークの配置を示
すものである。すなわち、第1図において、1はワンシ
ョット露光領域である。2は単位チップ領域、3はマス
ク合わせ位置ずれ量読み取りマークを示す。第2図は本
発明の第1の実施例半導体装置におけるマスク合わせ位
置ずれ量読み取りマークの細部パターンを具体的に示し
たものである。破線枠で示す同マーク3中の細部パター
ンで、5は主尺、6は副尺、7はx軸方向のバーニアパ
ターンである。8はy軸方向のバーニアパターンであ
る。第2図はチップの一部を示している。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, showing an arrangement of mask alignment position deviation amount read marks. That is, in FIG. 1, 1 is a one-shot exposure area. Reference numeral 2 is a unit chip area, and 3 is a mask alignment position shift amount read mark. FIG. 2 specifically shows a detailed pattern of the mask alignment position shift amount read mark in the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. A detailed pattern in the same mark 3 indicated by a broken line frame, 5 is a main scale, 6 is a subscale, and 7 is a vernier pattern in the x-axis direction. 8 is a vernier pattern in the y-axis direction. FIG. 2 shows a part of the chip.

以上のように構成された半導体装置について、以下その
位置合わせ手順を説明する。第3図は、本発明の半導体
装置の位置合わせの手順図である。ワン・ショット露光
領域2の矩形対角位置に配置した2個のマスク合わせ位
置ずれ量読み取りマーク3からそれぞれ位置ずれを読み
取り、レチクルローテーション要因の位置ずれが有るか
無いかを判断する。無い場合は、オフセット要因の位置
ずれを補正しマスク合わせを実行する。レチクルローテ
ーション要因の位置ずれが有る場合、レチクルを、再
度、合わせ、レチクルローテーション要因の位置ずれを
補正し、マスク合わせを実行する。そして、もう1度位
置ずれ量を読み取り、レチクルローテーション要因の位
置ずれが無いことを確認し、オフセット要因の位置ずれ
を補正しマスク合わせを実行する。
The alignment procedure of the semiconductor device configured as described above will be described below. FIG. 3 is a procedure diagram for alignment of the semiconductor device of the present invention. The misalignment is read from each of the two mask alignment misalignment amount reading marks 3 arranged at diagonally opposite positions of the one-shot exposure area 2, and it is determined whether or not there is any misalignment due to the reticle rotation factor. If there is not, the positional shift due to the offset factor is corrected and mask matching is executed. If there is a positional deviation due to the reticle rotation factor, the reticle is aligned again, the positional deviation due to the reticle rotation factor is corrected, and mask alignment is executed. Then, the misregistration amount is read again, it is confirmed that there is no misalignment due to the reticle rotation factor, the misalignment due to the offset factor is corrected, and mask alignment is executed.

以上のように、本実施例によれば、ワン・ショット露光
領域の矩形対角位置にマスク合わせ位置ずれ読み取りマ
ークを設けることにより、レチクルローテーション要因
の位置ずれの補正が可能となり、位置合わせ精度を向上
することができる。
As described above, according to the present embodiment, by providing the mask alignment misalignment reading marks at the diagonally diagonal positions of the one-shot exposure area, it becomes possible to correct the misalignment due to the reticle rotation factor, and improve the alignment accuracy. Can be improved.

以下、本発明の第2の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第4図は本発明の第2の実施例半導体装置の平面図を示
し、マスク合わせ位置ずれ量読み取りマークの配置を示
す。第4図において、1はワン・ショット露光領域、2
は単位チップ領域、3はマスク合わせ位置ずれ量読み取
りマークを示す。この第2の実施例は、このように各矩
形チップの対角位置に、それぞれ、一対にマスク合わせ
位置ずれ量読み取りマークを有する。チップの対角にマ
スク合わせ位置ずれ量読み取りマークを配置すること
で、必然的にワン・ショット露光領域の矩形面の対角に
同マークが一対に配置される。動作及び効果について
は、第1の実施例と同様である。
FIG. 4 is a plan view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, showing the arrangement of the mask alignment position deviation amount read marks. In FIG. 4, 1 is a one-shot exposure area, 2
Indicates a unit chip area, and 3 indicates a mask alignment position shift amount reading mark. In this way, the second embodiment has a pair of mask alignment position deviation amount read marks at the diagonal positions of each rectangular chip. By arranging the mask alignment position deviation amount reading marks on the diagonal of the chip, the marks are inevitably arranged in pairs on the diagonal of the rectangular surface of the one-shot exposure area. The operation and effect are similar to those of the first embodiment.

発明の効果 以上のように、本発明によれば、縮小投影型露光装置の
ワン・ショット露光領域の矩形対角面の位置にマスク合
わせ位置ずれ量読み取りマークを設けることにより、レ
チクルローテーション要因の位置ずれを補正することが
可能となり、位置合わせ精度を向上することができる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, the position of the reticle rotation factor is provided by providing the mask alignment position deviation amount read mark at the position of the rectangular diagonal surface of the one-shot exposure area of the reduction projection type exposure apparatus. The deviation can be corrected, and the alignment accuracy can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例における半導体装置の平
面図、第2図はマスク合わせ位置ずれ量読み取りマーク
の細部を具体的に示した平面パターン図、第3図は位置
合わせの手順図、第4図は本発明の第2の実施例半導体
装置の平面図、第5図は従来例半導体装置の平面図、第
6図は従来の半導体装置の位置合わせの手順図、第7図
は位置ずれの原理説明図である。 1……1ショット露光領域、2……1チップ領域、3…
…マスク合わせ位置ずれ量読み取りマーク、5……主
尺、6……副尺、7……x軸方向バーニアパターン、8
……y軸方向バーニアパターン。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan pattern diagram specifically showing details of a mask alignment position shift amount read mark, and FIG. 3 is a procedure of alignment. FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a plan view of a conventional semiconductor device, FIG. 6 is a procedure diagram for alignment of a conventional semiconductor device, and FIG. FIG. 4 is an explanatory view of the principle of positional displacement. 1 ... 1 shot exposure area, 2 ... 1 chip area, 3 ...
... Mask alignment position shift amount reading mark, 5 ... main scale, 6 ... subscale, 7 ... x-axis direction vernier pattern, 8
... y-axis direction vernier pattern.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/68 F

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】縮小投影型露光装置を用いてマスク合わせ
を実施する半導体チップ面にあって、同露光装置でのワ
ン・ショット露光領域の矩形のおよそ対角位置に、一対
のマスク合わせ位置ずれ量読み取りマークを有すること
を特徴とする半導体装置。
1. A pair of mask alignment positions are located on a semiconductor chip surface on which a mask is aligned by using a reduction projection type exposure system, at approximately diagonal positions of a rectangle of a one-shot exposure area in the exposure system. A semiconductor device having a quantity reading mark.
JP62127557A 1987-05-25 1987-05-25 Semiconductor device Expired - Lifetime JPH0770575B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62127557A JPH0770575B2 (en) 1987-05-25 1987-05-25 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62127557A JPH0770575B2 (en) 1987-05-25 1987-05-25 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63291431A JPS63291431A (en) 1988-11-29
JPH0770575B2 true JPH0770575B2 (en) 1995-07-31

Family

ID=14962966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62127557A Expired - Lifetime JPH0770575B2 (en) 1987-05-25 1987-05-25 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0770575B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH053143A (en) * 1991-04-19 1993-01-08 Hitachi Ltd Alignment method and device
JP2003158161A (en) 2001-11-20 2003-05-30 Seiko Epson Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57161746A (en) * 1981-03-30 1982-10-05 Seiko Epson Corp Glass mask
JPS59134825A (en) * 1983-01-21 1984-08-02 Hitachi Ltd Semiconductor device and semiconductor wafer therefor
JPS60110117A (en) * 1983-11-19 1985-06-15 Canon Inc Thin plate substance providing alignment mark and alignment apparatus using such substance

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57161746A (en) * 1981-03-30 1982-10-05 Seiko Epson Corp Glass mask
JPS59134825A (en) * 1983-01-21 1984-08-02 Hitachi Ltd Semiconductor device and semiconductor wafer therefor
JPS60110117A (en) * 1983-11-19 1985-06-15 Canon Inc Thin plate substance providing alignment mark and alignment apparatus using such substance

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63291431A (en) 1988-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3042639B2 (en) Photo reticles for semiconductor device manufacturing
EP0096224B1 (en) Positioning method for mask set used in ic fabrication
KR102633183B1 (en) Alignment method of photolithography mask and corresponding process method for manufacturing integrated circuits on wafers of semiconductor material
JP3048517B2 (en) Reticles for semiconductor device manufacturing
US6239858B1 (en) Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus
KR100194255B1 (en) How to Align Reticle Patterns
JP4040210B2 (en) Exposure method, reticle, and semiconductor device manufacturing method
JPH0770575B2 (en) Semiconductor device
JPS60163110A (en) Positioning device
JPS5927525A (en) Alignment method
JP2002134397A (en) Photomask, semiconductor device, method for exposing semiconductor chip pattern and chip alignment accuracy inspecting device
US4530604A (en) Method of aligning a mask and a wafer for manufacturing semiconductor circuit elements
JPH09232202A (en) Method for alignment for projection aligner
JPS5922370B2 (en) How to align masks for integrated circuits
JPS5931852B2 (en) Photoresist exposure mask
JP2844940B2 (en) Method of forming alignment mark
JP3013421B2 (en) Reduction projection exposure equipment
JPH0387013A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0555111A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0144009B2 (en)
JPS622764Y2 (en)
JP3451765B2 (en) Semiconductor wafer pattern forming mask and semiconductor chip manufacturing method using the same
JPH0222533B2 (en)
JPS5932893B2 (en) Mask alignment method using special reference marks
JPH04255210A (en) Alignment method