JPS60110117A - Thin plate substance providing alignment mark and alignment apparatus using such substance - Google Patents

Thin plate substance providing alignment mark and alignment apparatus using such substance

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JPS60110117A
JPS60110117A JP58217111A JP21711183A JPS60110117A JP S60110117 A JPS60110117 A JP S60110117A JP 58217111 A JP58217111 A JP 58217111A JP 21711183 A JP21711183 A JP 21711183A JP S60110117 A JPS60110117 A JP S60110117A
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reticle
wafer
alignment
alignment mark
circuit pattern
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章義 鈴木
Hiroshi Sato
宏 佐藤
Ichiro Ishiyama
一郎 石山
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

PURPOSE:To improve accuracy of alignment by providing a means for exposing the area of alignment mark to be used when a circuit pattern of reticle is printed to the area on the wafer different from the predetermined position on the occasion of printing a circuit pattern of reticle to the determined position on the wafer. CONSTITUTION:A reticle surface 12 is scanned with a laser 1 through an objective lens 11 in accordance with a rotating polygonal mirror 3. Different from the conventional layout of optical system, the right and left optical systems are formed non-symmetrically, the beam scanning position and observation position on the mask 12 are different each other, and the observation positions are set to the positions 27 and 28. The positions indicated by the alignment marks (x), (w) are scanned by the laser beam. This reticle has a base plate 104 and a pattern forming region and the formed circuit pattern is sequentially printed on the wafer along the columns and rows by the projection optical system. The alignment marks (x), (w) are arranged in both sides of pattern forming area 105 and are not positioned so that these are not arranged in a line along the columns or rows.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、位置合わせ用に使用されるアライメントマー
クを備えた薄板状物体およびこの物体を使用するアライ
ンメント装置に関し、特に半導体素子製造の際位置合わ
せ用に使用されるアライメントマークを備えたレチクル
、マスク又はウェハーおよびこれらを使用するアライン
メント装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thin plate-shaped object equipped with an alignment mark used for positioning and an alignment device using this object, and particularly to an alignment device used for positioning during semiconductor device manufacturing. The present invention relates to a reticle, mask, or wafer provided with marks, and an alignment device using the same.

複数個の物体を自動的に整合させるために使用される整
合装置の代表的な例としてIC,LSI等の半導体素子
の製造装置であるアライナ−が挙げられる。IC,LS
Iは複雑な回路パターンを何層にも屯ね合わせることに
より製作される。半導体素fの高速化、高密度化に伴な
い、回路パターンの線層は微細化の一途をたどり、それ
につれて重ね合わせ精度もサブミクロンオーダーの高度
なものが要求されている。
A typical example of an alignment device used to automatically align a plurality of objects is an aligner, which is a manufacturing device for semiconductor devices such as ICs and LSIs. IC,LS
I is fabricated by laminating many layers of complex circuit patterns. As semiconductor elements f become faster and more dense, the line layers of circuit patterns are becoming increasingly finer, and as a result, high overlay accuracy on the order of submicrons is required.

この様な高精度化、微細化に対応するアライナ−として
、例えばステッパーと呼ばれるステップアントリピー1
・方式のアライナ−が挙げられる。ステッパーでは縮小
又は等倍でレチクル上にあるパターンをウェハ」二に投
影転写する。この際、投影転写を行う光学系の制約から
露光面積が制限される。ウェハの全面に亘って露光する
ためには、パターンの焼き付けを行なってはステップし
てウェハを動かし、又ウェハ]−の新たな区域にパター
ンの焼き4=Jけを行なうという動作を繰り返すのであ
る。ウェハの大型化が進んで来るにつれ、必要とされる
ステップ数は増加し、処理時間が増大する。一方、ステ
ッパーで順次パターンの焼き4−Jけを行なう為には焼
き付けに先立ってレチクルとウェハ上の所定区分との相
対的な位置合わせがなされていなければならない、その
為、どの様な方式で位置合わせな行なうかが非常に重要
なパラメーターとなる。
An example of an aligner that supports such high precision and miniaturization is the Step An Repeater 1 called a stepper.
・Method of aligners can be mentioned. The stepper projects and transfers the pattern on the reticle onto a wafer at reduced or equal magnification. At this time, the exposure area is limited due to constraints on the optical system that performs projection transfer. In order to expose the entire surface of the wafer, the pattern is baked, the wafer is moved in steps, and the pattern is baked in a new area of the wafer, and the process is repeated. . As wafers become larger, the number of steps required increases and processing time increases. On the other hand, in order to sequentially print 4-J patterns using a stepper, the reticle and a predetermined section on the wafer must be aligned relative to each other before printing. The alignment is a very important parameter.

レチクルとウェハーの所定区分との位置合わせの方式と
しては、まず、オフアクシス方式といって、焼き付けを
行なう位置から離れた所で予め位置決めをし、その後は
レーザー干渉計の精度を頼りにして焼き付けを行なって
いくやり方がある。
The first method of aligning the reticle with a predetermined section of the wafer is the off-axis method, in which positioning is performed in advance at a location away from the printing position, and then the printing is performed by relying on the accuracy of the laser interferometer. There is a way to do it.

但し、この方式は、高速である反面、焼き引けを行なう
位置で直接位置合わせ状態を確認できない事、工程を経
て行くに従ってウェハーに生ずる非線型な物理的歪、す
なわち、局所的な伸縮に対処きない憤、ステージの動き
のモニターの精度が誤差要因になる東といった欠点があ
る。
However, although this method is fast, it is difficult to directly check the alignment state at the location where the burnout is performed, and it has to deal with nonlinear physical distortion that occurs on the wafer as it progresses through the process, that is, local expansion and contraction. There are drawbacks such as the fact that the precision of the stage movement monitor becomes a source of error.

・力、これに対して実際に焼き付けを行なう位装置又は
その五傍で投影光学系をとう通してウェハを観察し、レ
チクルとウェハーとのアライメントを行なうT TL方
式がある。TTL方式を用いると前述のウェハの歪、ス
テージ精度の影響を免れる°1覧ができるので、レクチ
ルとウェハーとのアライメント精度の向1−が期待でき
る。
・There is a TTL method in which the wafer is observed through a projection optical system at the device or the vicinity of the device where printing is actually performed, and alignment between the reticle and the wafer is performed. When the TTL method is used, it is possible to perform a 1-degree view that is free from the effects of the aforementioned wafer distortion and stage accuracy, so it is expected that the alignment accuracy between the reticle and the wafer will improve.

TTL方式に関してはレーザービームの走査を用いる方
〃、が従来公知技術として知られている。
Regarding the TTL method, a method using laser beam scanning is conventionally known as a known technique.

本ヂ1出願人による特開昭54−53562はその・例
である。この方式の実施例を簡単に示す第一図では一つ
のレーザー光源lからの光を左右2木の対物レンズ11
に対して分割し、2ケ所でレチクル12とウェハ13の
位置ずれを検出する。2ケ所でずれ、+71.を検知す
る事により平行移動(χ。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-53562 filed by the applicant of the present invention is an example thereof. In Figure 1, which briefly shows an example of this method, light from one laser light source l is transmitted through two objective lenses 11 on the left and right.
The positional deviation between the reticle 12 and the wafer 13 is detected at two locations. Misaligned in 2 places, +71. By detecting the parallel movement (χ.

y)と回転CO)という2種類の−ずれを、レチクル又
はウェハーの一方を他方に対して移動させることによっ
て補正することができる0図中lはレーザー、2はレー
ザー系のピント出しを行なう集光レンズ、3は回転多面
鏡、4はf−θレンズ、5はビームスプリッターである
。lのレーザーを出た光が回転多面鏡3の回転に従って
走査を行い、ビームスプリッタ−5以下の光学系に入っ
ていく。6はフィールドレンズ、25は視野分割プリズ
ムであり、プリズム25は走査レーザー光を2つの光路
に分割する。この点においてプリズム25は視野および
空間分割プリズムということができる。7は偏光ビーム
スプリッタ−18はリレーレンズ、9はビームスプリッ
タ−で、これらの素子を反射又は通過した光が対物レン
ズ11に入り物体面りで結像し、走査を行なう、瞳結像
レンズ14からディテクター18に至る系は光゛屯検出
系である。15は色フイルタ−,16は空間周波数フィ
ルターで、正反射光を遮断し、光゛屯検出用の散乱光を
とり出す役目をする。17はコンデンサーレンズである
。光[19,コンテンサーレンズ20、色フイルタ−2
1は照明光学系を構成し、エレクタ−22,接眼レンズ
23は既察光?系を構成する。この光学系の作用につい
ては特開昭854−53562に詳しいのでここでは省
略する。
Two types of misalignment, y) and rotation CO), can be corrected by moving one of the reticle or wafer relative to the other. 3 is a rotating polygon mirror, 4 is an f-theta lens, and 5 is a beam splitter. The light emitted from the laser 1 scans according to the rotation of the rotating polygon mirror 3, and enters the optical system below the beam splitter 5. 6 is a field lens, 25 is a field dividing prism, and the prism 25 divides the scanning laser beam into two optical paths. In this respect, prism 25 can be referred to as a field and space dividing prism. 7 is a polarizing beam splitter, 18 is a relay lens, and 9 is a beam splitter. The light reflected or passed through these elements enters the objective lens 11 and forms an image on the object plane, thereby performing scanning. A pupil imaging lens 14. The system extending from the detector 18 to the detector 18 is a photon detection system. 15 is a color filter, and 16 is a spatial frequency filter, which serves to block specularly reflected light and extract scattered light for light intensity detection. 17 is a condenser lens. Light [19, condenser lens 20, color filter 2
1 constitutes an illumination optical system, and an erector 22 and an eyepiece 23 are used to detect observed light. Configure the system. The operation of this optical system is detailed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 854-53562, so a description thereof will be omitted here.

この例では光;、Xを有効に用いる為、走査レーザー光
が、レチクルおよびウェハの共役面に置かれた視野分割
プリズム25によってその光路を左右に分□情されてい
る。走査線は視野分割プリズムのJAjMと直交性して
いる。
In this example, in order to effectively use the light X, the optical path of the scanning laser beam is split into left and right by a field dividing prism 25 placed on the conjugate plane of the reticle and wafer. The scanning lines are orthogonal to the JAjM of the field splitting prism.

アライスメン)・を行なう為の顕微鏡系、即ちアライメ
ンI・コープの光゛心検出以外のもラ一つの重要な機能
は観察機能である。特にレチクルとウェハの合致状jl
iのモニター、或いはレチクルの初期設定の確認等、観
察機能はアライメントスコープに対して欠く憤のできな
い要素であると言える。
In addition to detecting the optical center, one important function of the microscope system for performing the alignment (alignment I-coup) is the observation function. Especially the match between the reticle and the wafer.
It can be said that the observation function, such as monitoring the i and checking the initial settings of the reticle, is an indispensable element for an alignment scope.

観察光学系としてアライメントスコープが望まれるのは
観察できる像が自然に見易い形で見えるという′ハであ
る8 第114の様な実施形態をとった場合に接眼レンズ23
で観察される像視野の関係を第2図に示す。図中31が
視野の分割線となる視野分割プリスL、 25の稜線、
32はレーザービームの走査線、33は右側の対物レン
ズに対応する視野、34は左側の対物レンズに対応する
視野である。実際に走査レーザー光はレチクル及びウェ
ハの7ライメントマークが設置された位置において、物
体面上を横方向に走査する。
What is desirable about an alignment scope as an observation optical system is that the observable image can be seen in a natural and easy-to-see form.
Figure 2 shows the relationship between the image fields observed. In the figure, 31 is the visual field dividing line L, the ridge line 25,
32 is a scanning line of the laser beam, 33 is a field of view corresponding to the right objective lens, and 34 is a field of view corresponding to the left objective lens. In fact, the scanning laser beam scans the object plane in the lateral direction at the positions where the seven alignment marks of the reticle and wafer are placed.

アライメントマークは半導体素子を製造する過程では役
に立つが、半導体の実素子として実際の回路機能を果す
わけでは無い。ウェハの処理が終った時点ではアライメ
ントマークの部分はプツトスペースになる。従ってアラ
イメントマークの占有エリアは実素子の収率を高める意
味で成るべく小さい事が鉢ましい。−wIJ3図に示し
た様なレチクル12(又はマスク)がある時、アライメ
ントマークを各チップ101の間のスクライブ線lO3
の中に収納すると、アライメントマーク自体によるデッ
ドスペースはなくなりこの問題は解決される。この場合
、アライメントスコープによる走査が横方向なので、ア
ライメントマークはレチクルの中心線に近接した横方向
リスクライブ線103の中に収納される様にすれば良い
Alignment marks are useful in the process of manufacturing semiconductor devices, but they do not perform actual circuit functions as actual semiconductor devices. At the end of wafer processing, the alignment mark becomes a put space. Therefore, it is desirable that the area occupied by the alignment mark be as small as possible in order to increase the yield of actual devices. - wIJ3 When there is a reticle 12 (or mask) as shown in the figure, align the alignment mark with the scribe line lO3 between each chip 101.
This problem is solved by storing the alignment mark inside the alignment mark itself, which eliminates the dead space caused by the alignment mark itself. In this case, since the alignment scope scans in the lateral direction, the alignment mark may be housed within the lateral risk drive line 103 close to the center line of the reticle.

しかしながら、特に縮小型のステッパーの様な場合、レ
チクル全体が1個のチップに対応し、スクライブ線が周
辺部にしか存在しない場合が起る。第4図にレチクル1
2」二に1チツプl0ILかイf在しない場合の例を示
す6図中斜線を引いて小したのがアライメントマーク1
02の部分である。第4図から容易に理解できるとおり
対をなすアライメントマーク102は、レチクル12の
中心線から大きく離れた位置に同位置線に並んでおかれ
るため7シイメントマーク102から遠く離れたレチク
ル及びウェハーの区域はアライメントマークの設置され
た近傍区域とと比べてアライメントの精度が悪・くなる
However, especially in the case of a miniature stepper, there are cases where the entire reticle corresponds to one chip and scribe lines exist only at the periphery. Figure 4 shows reticle 1.
The diagonal line in Figure 6, which shows an example of the case where there is no 1 chip in 2, is alignment mark 1.
This is the 02 part. As can be easily understood from FIG. 4, the pair of alignment marks 102 are arranged in the same position line at a position far away from the center line of the reticle 12. The accuracy of alignment in this area is poorer than in the vicinity of the area where the alignment mark is installed.

この様にレチクル12の中心線から離れた同一クライブ
線103Jニアライメントマーク102が並置されるこ
とに起因したアライメント精度の悪化は、レチクル12
上のチップ101の数が上述のとおり1個のときに顕著
である。また、偶数個の場合に比べると奇数個の場合の
方が起りゃすいつ中心部にスクライブ線が無いからであ
る。
The deterioration in alignment accuracy caused by the juxtaposition of the same Clive line 103J near alignment marks 102 that are far from the center line of the reticle 12 is caused by
This is noticeable when the number of chips 101 on the top is one as described above. Also, compared to the case where there is an even number, the case where there is an odd number is because there is no scribe line at the center of the screen.

更には又アライメンI・マークが、レチクルのパターン
区域の対向する周囲において同一の位置に設けられてい
る場合およびウェハ上へlショットで焼き付けられたパ
ターン区域の対向する周囲において同一の位置に設けら
れている場合には、焼き伺けを終了しステップした後の
次のショットでの7ライメンI・に際し、直前のショッ
トで使用されたアライメントマークが今回のショットで
使用するアライメントマークと重なり合ってしまい、次
のショットでの7ライメントマークとして実際に機能し
ないという事態が生じてしまう。
Furthermore, if the alignment I marks are provided at the same location on opposite peripheries of the pattern area of the reticle and at the same location on the opposite periphery of the pattern area printed in one shot onto the wafer. In this case, when performing the 7-line I in the next shot after completing the burnout and stepping, the alignment mark used in the previous shot will overlap with the alignment mark used in the current shot. A situation arises in which it does not actually function as a 7 line mark for the next shot.

それ数本発明の目的は、アライメントマークの位置に起
因したアライメント精度の不均一性を除去し、アライメ
ント精度の向−Lを計ることができる改良されたアライ
メントマーク配置を有するレチクル、マスク、ウェハ等
の薄板状物体を提供することにある。
The object of the present invention is to eliminate non-uniformity in alignment accuracy caused by the position of alignment marks, and to provide reticles, masks, wafers, etc. with improved alignment mark placement that can measure the direction of alignment accuracy. The object of the present invention is to provide a thin plate-like object.

本発明能の目的は、各ステップにおける位置合わせの際
にアライメントマークの重なり合いを防11−0するこ
とができる改良されたアライメントマーク配置を有する
レチクル、マスク、ウニl−等の薄板状物体を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to provide a thin plate-like object such as a reticle, a mask, or a sea urchin having an improved alignment mark arrangement that can prevent alignment marks from overlapping during alignment at each step. It's about doing.

更に1本発明の他の目的は、薄板状物体面上でのの走査
位置が互い違いにずれるようになっている整合装置を提
供することにある。
Yet another object of the present invention is to provide an alignment device in which the scanning positions on the surface of a thin plate-like object are staggered.

ところで、レチクル上のパターンをウェハ上へ焼きイ・
jける時、レチクル上のアライメントマークも同様にウ
ェハ上へ転写されてしまう、このままの状態で焼きイζ
1けを終了したウェハに現像、拡散等の処理を施すと、
ウェハ」二に転写されたレチクルのアライメントマーク
によってウェハ上に痕跡が残るu(飽性がある(USP
、3844655を参照)。このようなウェハ上の痕跡
は、同一のつ工/買1−に新たなパターンを焼きイ1け
るために、ウェハの7ライメントマークをレチクルの7
ライメントマークと位置合せするとき障害となってしま
う。
By the way, it is not possible to print the pattern on the reticle onto the wafer.
When baking, the alignment marks on the reticle will also be transferred onto the wafer.
When processing such as development and diffusion is performed on the wafer that has completed the first stage,
The alignment marks of the reticle transferred to the wafer leave traces on the wafer (USP
, 3844655). Such marks on the wafer can be removed by changing the 7 alignment mark on the wafer to the 7 alignment mark on the reticle in order to print a new pattern on the same tool.
This becomes an obstacle when aligning with the alignment mark.

それ数本発明の目的は、ウェハ上へ転写されたレチクル
のアライメントマークによりウェハに痕跡が残るのを防
止することができるレチクルを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a reticle that can prevent traces from being left on the wafer due to alignment marks of the reticle transferred onto the wafer.

更に、本発明の他の目的は、ウェハ」二へ転写されたレ
チクルの7ライメントマークにJ:リウェハに痕跡が残
るのを防止するための手段を備えたステップアンドリピ
ート型式のアライナ−を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a step-and-repeat type aligner with means for preventing marks on the reticle from leaving marks on the reticle after it has been transferred to the wafer. There is a particular thing.

以下本発明の実施例を図面とともに説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第5図を参照すると本発明に従って構成されたレチクル
が使用される本発明に従う整合装置の好ましい一実施例
が示されている。第5図の系は第1図の系の変形であり
、同一の部材は同一の参照番号を付しである。即ちレー
ザーlを出た光が回転多面鏡3の回転に従い対物レンズ
llを通してレチクル面12上を走査する事に何ら変化
は無い。第5図に示された光学系の配置が第1図に示さ
れた光学系の配置と異っているのは、レーザーから光の
出た順番で追えば視野分割プリズム25を経て光学系が
左右に分割された後からである。
Referring to FIG. 5, there is shown a preferred embodiment of an alignment apparatus according to the present invention in which a reticle constructed according to the present invention is used. The system of FIG. 5 is a variation of the system of FIG. 1, and identical parts have been given the same reference numerals. That is, there is no change in the fact that the light emitted from the laser l scans the reticle surface 12 through the objective lens II as the rotating polygon mirror 3 rotates. The arrangement of the optical system shown in FIG. 5 is different from the arrangement of the optical system shown in FIG. This is after it has been divided into left and right.

即ち、左右の光学系が非対称に構成され、マスク12J
、のビーム走査位置及び観察位置が互い違いになってい
る事である。即ち第5図の系で観察している位置は第6
図の27と28の位置に示されている箇所である。また
レーザー光で走査している領域は、図中で斜線を施しで
あるアライメントマークX、Wの部分である。即ちスク
ライブ線106内にマークを納める事ができる。この方
式は観察箇所を結ぶスパンが長いので回転成分の誤差を
最も良く抑える事ができるという特徴がある。
That is, the left and right optical systems are configured asymmetrically, and the mask 12J
The beam scanning position and observation position of , are staggered. In other words, the observed position in the system of Figure 5 is the 6th position.
These are the locations shown at positions 27 and 28 in the figure. The areas scanned by the laser beam are the alignment marks X and W shaded in the figure. That is, the mark can be placed within the scribe line 106. This method has a long span connecting observation points, so it is characterized in that it can best suppress errors in rotational components.

このように第5図に示された本発明に従う整合装置の光
学系の!!コい違い構成はwS1図に示された従来の光
学系を変形することによって本発明に従って構成された
レチクルを使用できることを示している。第6図に示さ
れた本発明に従って構成されたレチクルには、ベースプ
レー)104とパターン形成部105を有している。こ
のパターン形成部105に形成された回路パターンは投
影光学系によってウェハー上べ列および行に沿って順次
焼き付けられる。アライメントマークX、Wはパターン
形成部105をはさむように配置され、前述した列又は
、行の方向に沿って一直線上に並ばないように互い違い
の関係に位置決めされている。
Thus, the optical system of the alignment device according to the invention shown in FIG. ! The staggered configuration shows that a reticle constructed in accordance with the present invention can be used by modifying the conventional optical system shown in Figure wS1. The reticle constructed according to the present invention shown in FIG. 6 has a base plate 104 and a pattern forming section 105. The circuit pattern formed in the pattern forming section 105 is sequentially printed on the wafer along columns and rows by a projection optical system. The alignment marks X and W are arranged to sandwich the pattern forming portion 105, and are positioned in an alternating relationship so as not to be aligned in a straight line along the aforementioned column or row direction.

第7図及び第8図はウェハ上のスクライブ線lO9に7
ライメント用のマークが配置されている例である。第7
図、8図ともレチクル12が1チツプで構成され、それ
がステップアンドリピート型式でウェハ13上へ焼き付
けられている。アライメントマークは個々の実素子の境
界であるスクライブ線107内にあるが、配置の方式が
第7図と第8図では異っている。第6図の例から明らか
な様に本実施例で用いているレチクルの7ライメントマ
ークは右上と左下に配置された対をなすアライメントマ
ークx、Wである。第7図に示されたウェハ13では隣
り合うチップ同志スクライブ線107を共用している。
Figures 7 and 8 show the scribe line lO9 on the wafer.
This is an example in which alignment marks are arranged. 7th
In both figures, the reticle 12 is composed of one chip, which is printed onto the wafer 13 in a step-and-repeat manner. The alignment mark is located within the scribe line 107, which is the boundary between the individual real elements, but the arrangement method is different between FIG. 7 and FIG. 8. As is clear from the example of FIG. 6, the seven alignment marks of the reticle used in this embodiment are a pair of alignment marks x and W arranged at the upper right and lower left. In the wafer 13 shown in FIG. 7, adjacent chips share a scribe line 107.

即ち3oというチップの周りの3OA、30B 、30
C,30Dという4つのマークに着目した時、チップ3
oの焼き付は時のアライメントに対して使うマークは3
0B (X)と30C(W)−1’あ6,30Aji上
方のチップ29焼き付は時の7ライメントの為のマーク
、30Dは下方のチップ31焼き付は時の7ライメント
の為のマークとなっている。
That is, 3OA, 30B, 30 around the chip 3o
When paying attention to the four marks C and 30D, chip 3
The mark used for the alignment of the o mark is 3.
0B (X) and 30C (W) - 1'A6, 30Aji The upper chip 29 burnt is a mark for the 7th line of time, and 30D is the lower chip 31 burnt is a mark for the 7th line of time. It has become.

これに対し、第8図の方はスクライブ線107の中を更
に二分し、アライメントマークはあく迄、対応する個々
のチップに隣接させようという実施例である。このよう
にスクライブ線を二分割して片側のスクライブ線領域を
使用すれば、新たに7ライメントを行なうとき分割され
た反対側のスクライプ線領域を使用することができるた
め都合が良い、但し、第7図の方式の方がスクライブ線
107の幅が細くて良いという利点がある事も’3実で
ある。近年スクライブ線の幅はますます狭くなる傾向が
あり、その場合にはi7図の方式の方が有利であると言
える。
On the other hand, FIG. 8 shows an embodiment in which the inside of the scribe line 107 is further divided into two, and the alignment marks are placed adjacent to the corresponding individual chips. It is convenient if you divide the scribe line into two and use the scribe line area on one side, because you can use the scribe line area on the opposite side when performing a new 7 alignment. Another advantage of the method shown in FIG. 7 is that the width of the scribe line 107 can be narrower. In recent years, the width of scribe lines has tended to become narrower and narrower, and in that case, the method shown in Figure i7 can be said to be more advantageous.

さて1以上、アライメントマークが横方向のスクライブ
線内に配置されている場合を示したが、マークが縦方向
のスクライブ線内に存在している場合にもマークの互い
違い配置は効果を発揮する。
Although the case in which the alignment marks are arranged within the scribe line in the horizontal direction has been described above, the staggered arrangement of the marks is also effective when the marks are arranged within the scribe line in the vertical direction.

第9図にその例を示す、第9図(a)は第9図(b)の
用に4つの一チップA、B、C,Dが形成されているレ
チクル12をステップアンドリピート方式でウェハへ焼
き付けた場合を示す、レチクル12には対をなすアライ
メントマークP、Qが形成されておりP、Qはレチクル
のチップ区域の対向する側において互い違いの関係に配
置されている。
An example of this is shown in FIG. 9. In FIG. 9(a), a reticle 12 on which four chips A, B, C, and D are formed for the purpose of FIG. 9(b) is transferred to a wafer using a step-and-repeat method. Reticle 12 is formed with a pair of alignment marks P, Q, which are arranged in a staggered relationship on opposite sides of the chip area of the reticle.

レチクル12のアライメントマークは第6図で説明した
如く、レチクルの左下部P°及び右上部Q°に設けても
良いが、ここではレチクルの中心に近接したP’、Q’
の位置に設けた場合を説明する。
The alignment marks of the reticle 12 may be provided at the lower left P° and the upper right Q° of the reticle as explained in FIG.
The case where it is installed in the position will be explained.

レチクル12のアライメントマークP、Qがステップア
ンドリピート方式でウェハ13上に焼き付けられた状態
は第9図(a)に示す通りである。またこの第9図(a
)はウェハ13上の7ライメントマークの位置を示して
いる。即ち、ショット40においてチップ40.A 、
 40 B 、 40C,400が焼き付けられるとき
、レチクルに形成された一対のアライメントマークP、
Qに対応するウェハの7ライメントマークは40F 、
 40Qであり、次のショク)41におけるレチクルの
アライメントマークP、Qに対応するウェハのアライメ
ントマークは41P、4IQ、となる。
The state in which the alignment marks P and Q of the reticle 12 are printed on the wafer 13 by the step-and-repeat method is as shown in FIG. 9(a). Also, this figure 9 (a
) indicates the position of the 7 alignment marks on the wafer 13. That is, in shot 40, chip 40. A,
When 40B, 40C, and 400 are printed, a pair of alignment marks P are formed on the reticle.
The 7 alignment mark on the wafer corresponding to Q is 40F,
40Q, and the wafer alignment marks corresponding to the reticle alignment marks P and Q at the next step 41 are 41P and 4IQ.

ここではウェハの7ライメントマーク40Q、4IP、
は、同一位置に無いため、あるショットでウニへのアラ
イメントマークがレチクルの7ライメンI・マーク像と
重なって、次のショットでの7ライメンI・マークとし
て機能しえないという事態を回避できる。なお第9図中
で同一の番号を付されたチップは同一のショットで焼き
付けたごとを示している。
Here, the wafer's 7 alignment marks 40Q, 4IP,
Since they are not at the same position, it is possible to avoid a situation where the alignment mark for the sea urchin overlaps the 7-line I mark image on the reticle in one shot and cannot function as the 7-line I mark in the next shot. Note that chips with the same number in FIG. 9 indicate that they were printed with the same shot.

第1θ図は縦方向にレーザー光を走査する型式の本発明
に従う整合装置の実施例である。ここで縦方向にレーザ
ーを走査する用にミラー9と9aの組合せが用いられて
いる。第5図に示された実施例と同様左右の走査光学系
が非対称に構成されているため、左右の対物レンズ11
は第9図の7ライメントマークの位置に対応して互い違
いに位置決めされている。ステップアンドビート方式は
各ショット毎に投影光学系を使用して焼き付けを行って
は次のショットにステップする動作を繰り返すので、各
ショット間のつなぎが大きな問題となる。
FIG. 1θ shows an embodiment of the alignment device according to the present invention of the type that scans a laser beam in the vertical direction. Here, a combination of mirrors 9 and 9a is used to scan the laser in the vertical direction. As in the embodiment shown in FIG. 5, the left and right scanning optical systems are constructed asymmetrically, so the left and right objective lenses
are positioned alternately corresponding to the positions of the 7 alignment marks in FIG. In the step-and-beat method, the projection optical system is used to print each shot and then the steps are repeated to move on to the next shot, so the connection between each shot becomes a major problem.

第1θ図に示された整合装置においては、ウェハ13は
ウェハキャリアー110によって支持された状態でウェ
ハー上にチップの例および行を形成すべくxステップ装
置およびYステップ装置によってXおよびY方向へ位置
をステップされる。
In the alignment apparatus shown in FIG. 1θ, a wafer 13 is positioned in the X and Y directions by an x-step device and a Y-step device to form chips and rows on the wafer while being supported by a wafer carrier 110. will be stepped.

なお各ステップ(ショット)におけるレチクル12とウ
ェハ13との7ライメントは、レチクルを保持するため
のレチクルホルダー111を移動させるためのX、Y、
θ駆動装置においておこなわれる。
Note that the seven alignments between the reticle 12 and the wafer 13 in each step (shot) are X, Y, and Y for moving the reticle holder 111 for holding the reticle.
This is done in the θ drive.

前述の如く第9図でPとQを互い違いにした事はステッ
プして次のシ・ヨツトに行った時、PとQの焼き付は像
が次のショットのウェハの7ライメントマークに重なら
ない車を確実にしている。
As mentioned above, alternating P and Q in Figure 9 means that when stepping to the next shot, the image of P and Q will not overlap with the 7 alignment mark on the wafer in the next shot. The car is secure.

一層効率的にマークを配置する為には第9図(a)の様
な状態を考えた時、P、Qの焼き付は像が次のショット
のウェハのアライメントマークに重ならない様に予め相
互の位置関係を定めておく必要がある。
In order to place marks more efficiently, considering the situation shown in Figure 9(a), print P and Q so that the images do not overlap with the alignment marks on the wafer in the next shot. It is necessary to determine the positional relationship between

第6図および第9図(b)に示されたレチクルの場合に
はアライメントマークはレチクル上のパターン2.城の
対抗する周囲に接して配置されているが、チップの数が
多くなり縦方向又は横方向に数本のスクライブ線が存在
する場合にはスクライブ線」二の異なる位置に配置して
もよい。
In the case of the reticles shown in FIGS. 6 and 9(b), the alignment marks are pattern 2.2 on the reticle. They are placed in contact with the opposing perimeter of the castle, but if the number of chips is large and there are several scribe lines in the vertical or horizontal direction, the scribe lines may be placed in two different positions. .

さて、]−述のアライメントマークの形状としては、例
えば従来公知のマークすなわち第ti図に71<す様な
例があげられる。図中51はレチクル上のマーク、点線
で示した52はウェハ上のマークであり、53は走査線
である。TTL方式なのでレチクルを通してレチクル上
のマークとウェハ上のマークを同時に検知し、その信号
に基づいて不図示の駆動系で両者の7ライメントを行な
っている。ところで第9図の様にマークを配置した場合
、PとQが同一形状のマークであるとレチクル又はウェ
ハの回転の誤差によりずれが生じた時PとQの位置を混
同する可能性も考えられる。その場合にはPとQを例え
ば逆向きのマークとすることにより位置の混同を回避で
きる。第12図はその様な手法をレチクルに応用した瘍
合でPとQは互いにマークの向きが逆転している。これ
に対応するウェハ上の同一スクライブ線上のアライメン
トマークは第13図の様に構成される。すなわちPとQ
の向きが異なるので、両者を混同する事はあり得ない。
Now, examples of the shape of the above-mentioned alignment mark include, for example, a conventionally known mark, ie, the one shown in FIG. In the figure, 51 is a mark on the reticle, 52 indicated by a dotted line is a mark on the wafer, and 53 is a scanning line. Since it is a TTL method, the mark on the reticle and the mark on the wafer are simultaneously detected through the reticle, and based on the signals, a drive system (not shown) performs 7-alignment of both. By the way, when marks are arranged as shown in Figure 9, if P and Q are marks of the same shape, there is a possibility that the positions of P and Q may be confused when a shift occurs due to an error in the rotation of the reticle or wafer. . In that case, position confusion can be avoided by making P and Q marks, for example, in opposite directions. FIG. 12 shows an example of applying such a method to a reticle, in which the directions of marks P and Q are reversed. Corresponding alignment marks on the same scribe line on the wafer are constructed as shown in FIG. That is, P and Q
Since the directions are different, it is impossible to confuse the two.

以上述べてきた様に本発明に従うアライメントマーク配
置に依ればレチクル又はマスクとウェハとのアライメン
ト精度を確実に向上させることができる。
As described above, the alignment mark arrangement according to the present invention can reliably improve the alignment accuracy between a reticle or mask and a wafer.

更に各ステップにおけるアライメントの際にアライメン
トマークの重複を防止することができるようにした点に
おいても意義を有している。又、本発明に従う整合装置
は走査光学系が非対称に構成されているため、改良され
たアライメントマーク配置に充分対処することができる
Furthermore, it is also significant in that it is possible to prevent overlapping of alignment marks during alignment in each step. Further, since the scanning optical system of the alignment device according to the present invention is asymmetrically configured, it can sufficiently cope with improved alignment mark placement.

ところで、レチクル上のパターンをウエノ\上へ焼き付
けるときレチクル上の7ライメントマークも同時にウェ
ハー[二へ転写されてしまう。この状態ではレチクル上
の7ライメントマークの形状に対応した未露光の部分が
ウェハのアライメントマークのIK域内に残っているわ
けである。それ故このままの状F;で焼き4=)けを終
了したウェハに現像、拡散等の処理を施すと、ウェハ上
に転写されたレチクルのアライメンI・マークに相当す
る未露光部分の影響でウェハ1−に;良路が残ってしま
う。
By the way, when the pattern on the reticle is printed onto the wafer, the 7 alignment marks on the reticle are also transferred onto the wafer [2] at the same time. In this state, an unexposed portion corresponding to the shape of the seven alignment marks on the reticle remains within the IK region of the alignment mark on the wafer. Therefore, when a wafer that has been baked in this state F; is subjected to processing such as development and diffusion, the wafer is To 1-; a good road remains.

この様なウェハにの痕跡は同一のウェハLに新たなパタ
ーンを焼き付ける際にウェハ上のアライメントマークの
機能を損なわせ、レチクルとウェハーとの位置合わせを
不II(能にしてしまう。
Such marks on the wafer impair the function of alignment marks on the wafer when a new pattern is printed on the same wafer L, making it impossible to align the reticle and the wafer.

本発明のkfましい1出様に依れば上述の問題点は都合
良く解決される。第12図に示された本発明に従うレチ
クルには、パターン形成部113をはさんでl)−い違
いに配置されたアライメントマークP、Qに隣接して光
透過部分R,Sが形成されている。この光透過部分R,
Sの配置に依れば、ショット40でウェハー上の7ライ
メントマークQ上へ転写されたレチクルのアライメント
マークQによる未露光部分は、ショット41において露
光するとき光透過部分Rを透過した光によって同時に露
光されるわけである(第9図参照)。
According to one advantageous aspect of the present invention, the above-mentioned problems are conveniently solved. In the reticle according to the present invention shown in FIG. 12, light transmitting portions R and S are formed adjacent to alignment marks P and Q arranged at different positions across a pattern forming portion 113. There is. This light transmitting portion R,
According to the arrangement of S, the unexposed portion of the reticle by the alignment mark Q transferred onto the 7 alignment marks Q on the wafer in shot 40 is simultaneously exposed by the light transmitted through the light transmitting portion R when exposed in shot 41. It is exposed to light (see Figure 9).

従って、レチクルのアライメントマークに相当する未露
光部分の影響でウェハー上に痕跡が残るという事態の発
生は防止できる。
Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a situation where traces remain on the wafer due to the unexposed portions corresponding to the alignment marks of the reticle.

第4図に示された本発明に従うレチクルには、第8図の
アライメントマーク配置に相応した位置に光透過部分Y
、Zが形成されている。この光透過部分Y、Zの配置に
依ればショット109でウェハー上の7ライメントマー
ク109G上へ転写されたレクチルのアライメントマー
クWによる未露光部分は、ショット108において露光
するとき光透過部分Zを透過した光によって露光される
The reticle according to the present invention shown in FIG. 4 has a light transmitting portion Y at a position corresponding to the alignment mark arrangement shown in FIG.
, Z are formed. According to the arrangement of the light transmitting portions Y and Z, the unexposed portion due to the alignment mark W of the reticle transferred onto the 7 alignment mark 109G on the wafer in shot 109 will pass through the light transmitting portion Z when exposed in shot 108. It is exposed by the transmitted light.

L述した様に本発明に依れば各ショットにおけル’t%
 光時に隣のショットで使用したアライメントマーク領
域も露光できるため別途特別な露光工程を設けずにアラ
イメントマークの保護を達成できる。
As mentioned above, according to the present invention, in each shot, L't%
Since the alignment mark area used in the adjacent shot can also be exposed to light, protection of the alignment mark can be achieved without a separate special exposure process.

特にアライメント精度が厳しく要求されるステッパーに
おいては常に同一の7ライメントマークを使用できるこ
とにより基準が一つになるため誤差が入りにくいこと、
アライメントマークを複数対設ける必要がなくなる等、
数多く利点が得られる。
In particular, in steppers where alignment accuracy is strictly required, the same 7 alignment marks can be used at all times, making it difficult for errors to occur because there is only one standard.
Eliminates the need to provide multiple pairs of alignment marks, etc.
There are many benefits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の整合装置の光学系の説明図、第2図は走
査ビームと視野の関係を示す図、第3図は複数のチップ
が面上に形成されているマスク又はレチクルを示す図。 第4図はlチップ−ルチクルの場合の従来のアライメン
トマークの配置を示す図。 第5図は本発明に従って構成されたレチクルが使用され
る整合装置の光学系配置図、 第6図は本発明に従ってアライメントマークが配置され
たレチクルを示した図、 第7図および第8図およびはそれぞれtJ、5図のレチ
クルを用いた場合のウェハ上のアライメントマークを示
す図、 第9図(a)及び(b)はそれぞれウェハー及びレチク
ルの縦方向のスクライブ線領域に従ってアライメントマ
ークを配置した場合の図、第1θ図は第9図のアライメ
ントマークを用いた整合装置の光学系配置図、 第11図はレチクル及びウェハ上のアライメントマーク
と走査線との関係を示す図、 第12図はレチクル上のアライメントマーク及び光透過
部分を示した図、 第13図はウェハのスクライブ線上の7ライメントマー
クを示した図、 i14図は、第8図に示したアライメントマーク配置に
相応した光透過部分を有するレチクルを示した図である
。 11匁I週 アラインメントマーク:P、Q、X、Y光透過部分:R
,S 第 6 層 lど / 第 7 図 篤 8 図 篤14圏
Fig. 1 is an explanatory diagram of the optical system of a conventional alignment device, Fig. 2 is a diagram showing the relationship between the scanning beam and the field of view, and Fig. 3 is a diagram showing a mask or reticle on which a plurality of chips are formed on the surface. . FIG. 4 is a diagram showing the arrangement of conventional alignment marks in the case of an l-chip reticle. FIG. 5 is an optical system layout diagram of an alignment device in which a reticle constructed according to the present invention is used; FIG. 6 is a diagram showing a reticle with alignment marks arranged according to the present invention; FIGS. 7 and 8; Figures 9(a) and 9(b) show the alignment marks on the wafer when using the reticle shown in tJ and Figure 5, respectively, and Figures 9(a) and (b) show alignment marks arranged according to the vertical scribe line area of the wafer and reticle, respectively. Figure 1θ is a diagram showing the optical system layout of the alignment device using the alignment marks in Figure 9, Figure 11 is a diagram showing the relationship between the alignment marks on the reticle and wafer, and the scanning line, and Figure 12 is Figure 13 shows the alignment marks and light-transmitting parts on the reticle. Figure 13 shows the 7 alignment marks on the wafer's scribe line. Figure i14 shows the light-transmitting parts corresponding to the alignment mark arrangement shown in Figure 8. FIG. 3 is a diagram showing a reticle having a 11 Momme I week alignment mark: P, Q, X, Y Light transmission part: R
,S 6th layer ldo/7th Fig. 8 Fig. 14 area

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) レチクル1−の回路パターンを投影光学系によ
りウェハー1−に順次投影し、ウニ/\−上に前記回路
パターンを列および行に沿って複数個焼付ζ−遣るよう
に構成されたステップアンドリピート形式の7ライナー
に使用するためのレチクルであって、ベースプレー1・
と、前記ベースプレートのパターン形成部に形成された
回路パターンと、前記パターン形成部をはさむように配
置され、且つ前記列又は行の方向に沿って直線上に並ば
ないように位置決めされた対をなすアラインメントマー
クと、ウェハーの所定位置にレチクルの回路パターンを
続刊けるとき、前記所定位置と異なるウニ/・−1,の
位置にレチクルの回路パターンを焼付けるときに使用さ
れるアラインメントマークの区域を露光させるための手
段とから構成されるレチクル。
(1) A step configured to sequentially project the circuit pattern of the reticle 1- onto the wafer 1- by a projection optical system, and print a plurality of the circuit patterns on the urchin/\- along columns and rows. A reticle for use with and repeat type 7-liner, base play 1.
and a circuit pattern formed on the pattern forming part of the base plate, and a pair arranged so as to sandwich the pattern forming part and positioned so as not to be aligned in a straight line along the direction of the column or row. Alignment mark and area of alignment mark used when printing the circuit pattern of the reticle at a position different from the predetermined position when printing the circuit pattern of the reticle at a predetermined position on the wafer. A reticle consisting of a means for exposing light.
(2) 回路パターン及びこの回路パターンに対して所
定の位置関係を有して配されたアラインメントマークを
有するレチクルを保持するためのレチクルホルダーと、
前記レチクルの像を投影するための投影光学系と、前記
レチクル像が形成される面に位置したウェハーを保持す
るためのウニバーキャリアと、ウェハーにに順次前記レ
チクル像を形成するために前記レチクル像とウェハーの
相対位置を間欠的に変更するためのステッピング手段と
、前記レチクルの像をウェハーの所定位置に露光するた
めの静止時間の少なくとも一部の時間中に前記ウェハー
上の他のレチクルのアラインメントマークが投影される
部分を露光する下段を有することを特徴とするステップ
アンドリピートアライナ−0
(2) a reticle holder for holding a reticle having a circuit pattern and an alignment mark arranged in a predetermined positional relationship with respect to the circuit pattern;
a projection optical system for projecting an image of the reticle, a universal carrier for holding a wafer positioned on a surface on which the reticle image is formed, and a reticle for sequentially forming the reticle image on the wafer. stepping means for intermittently changing the relative position of the image and the wafer; stepping means for intermittently changing the relative position of the image of the reticle on the wafer; Step-and-repeat aligner-0 characterized by having a lower stage that exposes a portion on which an alignment mark is projected.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63291431A (en) * 1987-05-25 1988-11-29 Matsushita Electronics Corp Semiconductor device

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