JPH076720A - 電子銃 - Google Patents

電子銃

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Publication number
JPH076720A
JPH076720A JP5146643A JP14664393A JPH076720A JP H076720 A JPH076720 A JP H076720A JP 5146643 A JP5146643 A JP 5146643A JP 14664393 A JP14664393 A JP 14664393A JP H076720 A JPH076720 A JP H076720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
chamber
high voltage
extraction grid
electron beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP5146643A
Other languages
English (en)
Inventor
Sukeyuki Yasui
祐之 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH076720A publication Critical patent/JPH076720A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 気体が導入されこの気体を電離させる陽極ワ
イヤ1を収納したイオン化室2に抽出グリッド3が配設
され、抽出グリッド3を介してイオン化室2と連通する
高電圧室4が配設され、高電圧室4に陰極6が収納され
ている。陰極6は抽出グリッド3と平行な格子陰極6a
と抽出グリッド3に対して傾斜した傾斜陰極6bとを備
え、高電圧室4の側壁に電子に対して透過性のある出口
窓5が形成されている。 【効果】 電子ビームの強度が増加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して電
子ビームを発生させる電子銃に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、排煙処理、化学反応、加工、溶
接、レーザガス励起あるいはX線装置等の多くの先端技
術の分野で高強度の電子ビームが使用され、この電子ビ
ームの発生源として電子銃が用いられている。以下に従
来の電子銃について図5を参照して説明する。
【0003】図5に示すように、気体が導入されこの気
体を電離させる陽極ワイヤ1を収納したイオン化室2に
抽出グリッド3が配設され、抽出グリッド3を介してイ
オン化室2と連通する高電圧室4が配設されている。イ
オン化室2の抽出グリッド3と対向する面には電子に対
して透過性のある出口窓5が形成されている。高電圧室
4には抽出グリッド3と対向する陰極6が収納され、陰
極6は高電圧導入端子7に接続され、高電圧導入端子7
は絶縁物8に支持されて高電圧室4の外に引き出されて
いる。高電圧室4には図示していない排気口が形成され
ており、この排気口は排気装置に連結され、この排気装
置によってイオン化室2及び高電圧室4内の圧力が制御
される。
【0004】通常、導入されている気体の陽イオン化を
効率よく行うため、イオン化室2及び高電圧室4の圧力
は10〜30mTorr という低い状態に保たれている。気体と
しては、陰極6でのイオン衝撃2次電子放出比が良好で
あるヘリウムを用いる。また、イオン化室2及び高電圧
室4は接地されており、抽出グリッド3は出口窓5と等
しい電圧状態にある。陰極6は高電圧導入端子7を介し
て図示していない高電圧供給源に接続されており、−15
0kV ほどの高い負のバイアス電圧に保たれている。一
方、出口窓5は、高エネルギーの電子に対して透過性の
ある、厚さ10μmほどのアルミニウムのシートで構成さ
れている。窓幅は電子銃の用途によって変化するが、材
料の処理に適用する場合は数cm×数+cmが望ましい。
【0005】電子銃を作動させる場合は、陰極ワイヤ1
に10kV程度のパルス電圧を印加する。電圧が印加される
と、陽極ワイヤ1と接地電位にあるイオン化室2の壁と
の間にパルス放電が起こり、イオン化室2内にプラズマ
が生成される。一方、高電圧室4内に収納された陰極6
は、抽出グリッド3を通してこのプラズマからイオンを
引き出す。
【0006】このイオンは、イオン化室2と高電圧室4
との間に配設された抽出グリッド3を通って高電圧室4
に侵入し、高エネルギーに加速された陰極6に衝突す
る。イオンが陰極6に衝突すると、陰極6の表面から二
次電子が放出される。
【0007】この様にして放出された二次電子は、イオ
ンとは逆方向に進み、抽出グリッド3に向かって加速さ
れ、さらに、イオン化室2を通過して出口窓5に至り、
高エネルギーの電子ビームとして出力される。
【0008】ここで、抽出グリッド3の近辺におけるイ
オンの初期エネルギーを無視し、負のバイアス電圧をV
HT、イオンの電荷量をeとすれば、単一の荷電イオンに
関係があることを念頭におき、イオンはe・VHTに等し
いエネルギーをもって陰極6に到達するものと考えられ
る。また、抽出グリッド3より引き出されたイオンが陰
極6に衝撃することによって放出される2次電子は、抽
出グリッド3に向かって加速され、e・VHTのエネルギ
ーに到達する。これらの状態において、1個のイオンと
このイオンによって放出される電子は、同じ電場線に対
応して、ほぼ重畳する軌道を呈する。
【0009】上記の様な電子銃は、主として、電子銃を
電子励起によるガス・レーザー、マグネット、ハイドロ
ダイナミック発電機、排煙処理用電子銃に、また、出口
窓5をX線発生用ターゲットに置き換えることで、X線
発生装置に適用し得るものである。
【0010】ところで、従来の電子銃では、陰極6から
放出された高エネルギーの電子は、プラズマが存在する
イオン化室2を通過するため電子とプラズマとの相互作
用により電子ビームのエネルギー単色性、発散角は制御
不能な悪いものになっていた。そこで、従来はその対策
として、図5に示した陽極ワイヤ1に印加するパルス電
圧を減少させ、イオン化室2内のプラズマ密度を減少さ
せることで対応していた。
【0011】しかしながら、イオン化室2のプラズマ密
度を減少させると、高電圧室4内に引き出されるイオン
数が少なくなり、得られる電子ビーム強度を向上させる
のが困難になるという問題があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
電子銃においては陰極から放出される電子がプラズマ中
を通過しなければ出口窓に到達できなかったため、電子
とプラズマの相互作用のために電子ビームの強度を向上
させるのが困難であるという問題があった。そこで本発
明の目的は、出力される電子ビームの強度を向上させた
電子銃を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては第1の発明として、気体が導入され
この気体を電離させるワイヤ状の陽極を収納したイオン
化室に抽出グリッドが配設され、この抽出グリッドを介
して前記イオン化室と連通する高電圧室が配設され、こ
の高電圧室に陰極が収納され、この陰極から放出される
電子ビームの出口窓が形成された電子銃において、前記
陰極が前記抽出グリッドと平行な格子状陰極部と前記抽
出グリッドに対して傾斜した傾斜陰極部とを備え、前記
出口窓が前記高電圧室の側壁に形成されていることを特
徴とする電子銃を提供する。
【0014】また、第2の発明として、気体が導入され
この気体を電離させるワイヤ状の陽極を収納したイオン
化室に抽出グリッドが配設され、この抽出グリッドを介
して前記イオン化室と連通する高電圧室が配設され、こ
の高電圧室に陰極が収納され、この陰極から放出される
電子ビームの出口窓が形成された電子銃において、前記
陰極が前記抽出グリッドと平行な格子状陰極部と前記抽
出グリッドに対して傾斜した傾斜陰極部とを備え、この
傾斜陰極部から放出される電子ビームを増幅するための
付加的陰極が前記高電圧室に複数配設され、前記出口窓
がその高電圧室の側壁に形成されていることを特徴とす
る電子銃を提供する。なお、前記出口窓が形成された前
記高電圧室の前記側壁に、前記電子ビームの軌道を制御
するための磁界制御室が配設されることが望ましい。
【0015】
【作用】高電圧室に収納される陰極を、抽出グリッドと
平行な格子状陰極部と抽出グリッドに対して傾斜された
傾斜陰極部で構成することにより、陰極から放出される
電子は、格子状陰極部と傾斜陰極部が構成する電気力線
に沿って高電圧室の側壁へと向かう。側壁には出口窓が
形成されているので、この出口窓より電子ビームを取り
出す。従って、プラズマが存在するイオン化室を介する
ことなく電子ビームを取り出すことができる。
【0016】また、高電圧室に付加的陰極が配設されて
いる電子銃においては、陰極から放出された電子ビーム
の強度は、この付加的陰極に衝突するために増幅される
ため、さらに電子ビームの強度を向上させることが可能
となる。さらに磁界制御室を配設することによって、出
力される電子ビームの軌道を制御することが可能とな
り、電子ビームを適用対象に応じた照射域にすることが
できる。
【0017】
【実施例】本発明の第1の実施例を図1を参照して説明
する。なお、従来と同じ部分には同一の番号を付与して
説明を省略する。図1に示すように、気体が導入されこ
の気体を電離させる陽極ワイヤ1を収納したイオン化室
2に抽出グリッド3が配設され、抽出グリッド3を介し
てイオン化室2と連通する高電圧室4が配設されてい
る。高電圧室4には陰極6が収納されており、陰極6は
抽出グリッド3に平行な格子陰極6aと、格子陰極6a
に接続された傾斜陰極6bとから構成されている。傾斜
陰極6bは抽出グリッド3に対して所定の角度傾斜させ
て配置されている。傾斜陰極6bは高電圧導入端子7に
接続され、高電圧導入端子7は絶縁物8に支持されて高
電圧室4の外に引き出されている。高電圧室4の側壁に
は電子に対して透過性のある出口窓5が形成されてい
る。
【0018】次に本実施例の作用について述べる。電子
銃を作動させる場合は、陽極ワイヤ1に10kV程度のパル
ス電圧を印加する。電圧が印加されると、陽極ワイヤ1
と接地電位にあるイオン化室2の壁との間にパルス放電
が起こり、イオン化室2内にプラズマが生成される。一
方、高電圧室4内に収納された陰極6は、抽出グリッド
3を通してこのプラズマからイオンを引き出す。このイ
オンは、イオン化室2と高電圧室4との間に配設された
抽出グリッド3を通って高電圧室4に侵入し、格子陰極
6aに向かって加速される。格子陰極6aを通過して高
エネルギーに加速されたイオンは傾斜陰極6bに衝突す
る。この衝突によって傾斜陰極6bの表面から放出され
た二次電子は、格子陰極6a及び傾斜陰極6bが構成す
る電気力線に沿って高電圧室4の側壁に形成された出口
窓5に向かって加速され、出口窓5から電子ビームとし
て出力される。
【0019】本実施例によれば、電子ビームはプラズマ
が存在するイオン化室2を通過せずに出力されるので、
陽極ワイヤ1に印加するパルス電圧を低く制御する必要
がなくなり、電子ビームの強度を向上させることができ
る。また、電子とプラズマの相互作用がなくなるため、
エネルギー的に単色である電子ビームが得られる。ここ
で、傾斜陰極6bに対するイオンの入射角をθとする
と、イオンの衝撃による二次電子の放出量は、1/ cos
θに比例するため、入射角がゼロであった従来の電子銃
に比べると印加するパルス電圧が同じ場合でも電子ビー
ムの強度を強くすることができるという効果を奏する。
【0020】次に本発明の第2の実施例を図2を参照し
て説明する。なお、従来と同じ部分には同一の番号を付
して説明を省略する。図2に示すように、気体が導入さ
れこの気体を電離させる陽極ワイヤ1を収納したイオン
化室2に抽出グリッド3を配設され、抽出グリッド3を
介してイオン化室2と連通する高電圧室4が配設されて
いる。高電圧室4には陰極6が収納されており、陰極6
は抽出グリッド3に平行な格子陰極6aと、格子陰極6
aに接続された傾斜陰極6bとから構成されている。傾
斜陰極6bは抽出グリッド3に対して所定の角度傾斜さ
せて配置されている。高電圧室4には、傾斜陰極から放
出される電子ビームを増幅するための付加的陰極9a、
9b、9c、9dが順次配設されており、付加的陰極9
dの近傍の高電圧室4の側壁には電子に対して透過性の
ある出口窓5が形成されている。付加的陰極9a、9
b、9c、9dは二次電子放出量の多い、例えばGaA
sのような半導体膜で構成されている。
【0021】次に本実施例の作用について述べる。イオ
ン化室2内に生成されたプラズマに由来するイオンは、
陰極6によって引き出され、抽出グラッド3を通って高
電圧室4に侵入し格子陰極6aに向かって加速される。
格子陰極6aを通過して高エネルギーに加速されたイオ
ンは傾斜陰極6bに衝突する。この衝突によって傾斜陰
極6bの表面から放出された二次電子は、格子陰極6a
及び傾斜陰極6bが構成する電気力線に沿って第1の付
加的陰極9aに衝突して増幅され、第2の付加的陰極9
bに向かって加速される。このように二次電子放出を繰
り返しながら付加的陰極9c、9dに順次衝突して増幅
され、高電圧室4の側壁に形成された出口窓5に向かっ
て加速され電子ビームとして出力される。
【0022】本実施例によれば、第1の実施例と同様の
効果を奏するのはもちろん、付加的陰極によって二次電
子放出が増幅されるためさらに電子ビームの強度を向上
されることができる。通常、格子陰極6aと傾斜陰極6
bは−200kV ほどの負の同電位にあり、付加的陰極9
a、9b、9cは数百Vの低電圧(図2中L.V.と示
す。)にバイアスされ、出口窓5の近傍の付加的陰極9
dは−150kV ほど(図2中H.V.と示す。)に制御さ
れ、電子ビームのエネルギーが決定される。
【0023】次に本発明の第3、第4の実施例を図3及
び図4を参照して説明する。なお、従来と同じ部分には
同一の番号を付与して説明を省略する。第3の実施例は
図3に示すように、第1の実施例に示した電子銃に磁界
制御装置10を配設した構成となっている。即ち、第1の
出口窓5aが形成された高電圧室4の側壁に、電子ビー
ムの軌道を制御するための磁界制御室10が配設され、こ
の磁界制御室10の第1の出口窓5aと対向する位置に第
2の出口窓5bが形成されている。
【0024】また、第4の実施例は図4に示すように、
第2の実施例に示した電子銃に磁界制御装置10を配設し
た構成となっている。即ち、第1の出口窓5aが形成さ
れた高電圧室4の側壁に、電子ビームの軌道を制御する
ための磁界制御室10が配設され、この磁界制御室10の第
1の出口窓5aと対向する位置に第2の出口窓5bが形
成されている。
【0025】磁界制御室10には電子ビームの軌道と直交
する方向に、図示していない外部磁界発生装置から磁界
を導入し、この磁界と電子ビームとのローレンツ力によ
って、電子ビームの軌道を制御する。このように第3及
び第4の実施例においては、電子ビームの軌道を磁界の
強さに応じて曲げることができるので、電子ビームを適
用対象に応じた照射域に制御できるという効果を奏す
る。
【0026】
【発明の効果】以上のように、本発明においては陰極が
抽出グリッドと平行な格子状陰極部と抽出グリッドに対
して傾斜した傾斜陰極部とを備え、出口窓が高電圧室の
側壁に形成されているので、プラズマが存在するイオン
化室を通過させずに電子ビームを出力させることができ
るため、電子ビームの強度を向上させた電子銃を抽供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す電子銃の断面図
【図2】本発明の第2の実施例を示す電子銃の断面図
【図3】本発明の第3の実施例を示す電子銃の断面図
【図4】本発明の第4の実施例を示す電子銃の断面図
【図5】従来の電子銃を示す断面図
【符号の説明】
1…陽極ワイヤ、2…イオン化室、3…抽出グリッド、
4…高電圧室、5、5a、5b…出口窓、6…陰極、6
a…格子陰極、6b…傾斜陰極、9a、9b、9c、9
d…付加的陰極、10…磁界制御室。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気体が導入されこの気体を電離させるワ
    イヤ状の陽極を収納したイオン化室に抽出グリッドが配
    設され、この抽出グリッドを介して前記イオン化室と連
    通する高電圧室が配設され、この高電圧室に陰極が収納
    され、この陰極から放出される電子ビームの出口窓が形
    成された電子銃において、 前記陰極が前記抽出グリッドと平行な格子状陰極部と前
    記抽出グリッドに対して傾斜した傾斜陰極部とを備え、
    前記出口窓が前記高電圧室の側壁に形成されていること
    を特徴とする電子銃。
  2. 【請求項2】 気体が導入されこの気体を電離させるワ
    イヤ状の陽極を収納したイオン化室に抽出グリッドが配
    設され、この抽出グリッドを介して前記イオン化室と連
    通する高電圧室が配設され、この高電圧室に陰極が収納
    され、この陰極から放出される電子ビームの出口窓が形
    成された電子銃において、 前記陰極が前記抽出グリッドと平行な格子状陰極部と前
    記抽出グリッドに対して傾斜した傾斜陰極部とを備え、
    この傾斜陰極部から放出される電子ビームを増幅するた
    めの付加的陰極が前記高電圧室に複数配設され、前記出
    口窓がその高電圧室の側壁に形成されていることを特徴
    とする電子銃。
  3. 【請求項3】 前記出口窓が形成された前記高電圧室の
    前記側壁に、前記電子ビームの軌道を制御するための磁
    界制御室が配設され、この磁界制御室の前記出口窓と対
    向する位置に第2の出口窓が形成されていることを特徴
    とする請求項1または請求項2記載の電子銃。
JP5146643A 1993-06-18 1993-06-18 電子銃 Pending JPH076720A (ja)

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