JPH0766559A

JPH0766559A - 多層回路基板の配線層間接続構造及び該接続構造の形成方法

Info

Publication number: JPH0766559A
Application number: JP5230743A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Otani; 健一大谷; Toshio Mugishima; 利夫麦島; Osamu Seki; 収関; Noboru Matsuki; 昇松木
Original assignee: FURUKAWA SAAKIT FOIL KK; Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: FURUKAWA SAAKIT FOIL KK; Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1993-08-25
Filing date: 1993-08-25
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】【目的】従来のスルーホール方式に代わる新しい配線
の層間接続構造を提供して多層回路基板の金属配線の更
なる微細化、実装密度の向上を図ること。【構成】絶縁体を介して設けられた配線相互が、該絶
縁体を貫通する貫通孔を通じて接続された多層回路基板
の配線層間接続構造において、貫通孔５は、略直線状の
縁を有するともに、該縁部には孔外部から孔内方へ向け
次第に絶縁体の厚みが減少するような斜面６が形成され
ているものであり、絶縁体１の一方の面Ａに設けられ斜
面６を下って貫通孔５内に延設された複数の配線２と、
絶縁体１の他方の面Ｂに設けられ貫通孔５内に延設され
た複数の配線３とが互いに接続されている。【効果】安価な製造コストにより、１００μｍ以下、
５０μｍ程度にまで配線ピッチを微細化することが可能
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層回路基板の配線層
間の接続構造、並びに該接続構造の形成方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、テープキャリアや可撓性回路基板
などの回路基板においては、部品実装密度を上げるため
に多層にし、さらに配線間のピッチを細かくしたファイ
ンパターンが採用されている。

【０００３】近年半導体デバイスチップの高集積度化の
傾向は著しく、それに従って入出力ピンの多数化が進
み、現在ではピン間ピッチが１００μｍ以下の半導体デ
バイスチップも実用の段階に入っており、テープキャリ
アや可撓性回路基板配線間のピッチも１００μｍ以下に
することが望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
両面以上の多層のテープキャリアや可撓性回路基板にお
ける配線間隔は、２００〜３００μｍピッチが限界であ
った。すなわち、かかる多層のテープキャリアや可撓性
回路基板においては、絶縁体の上下の金属配線の接続
は、スルーホールを通じてなされているが、複数組のフ
ァインピッチの金属配線を上下層で接続する場合、現
在、安価に作製できるスルーホール最小径は、１００μ
ｍ程度であり、スルーホール周縁部（いわゆるランド）
を含めると２００μｍに達するからである。このよう
に、スルーホールを有する金属配線のピッチは２００μ
ｍを優に越えてしまい、従来においてはこれ以上の金属
配線の微細化は達成できなかった。

【０００５】本発明は、かかる問題を解決するもので、
従来のスルーホール方式に取って代わる新しい配線の層
間接続構造を提供することにより、多層回路基板の金属
配線の更なる微細化を図ることを目的とするものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本願の請求項１の発明は、絶縁体を介して設けられた配
線相互が、該絶縁体を貫通する貫通孔を通じて接続され
た多層回路基板の配線層間接続構造において、前記貫通
孔の縁部には孔外部から孔内方へ向け次第に絶縁体の厚
みが減少するような斜面が形成されており、前記絶縁体
の一方の面に設けられ前記斜面を下って貫通孔内に延設
された複数の配線と、前記絶縁体の他方の面に設けられ
貫通孔内に延設された複数の配線とが互いに接続されて
いることを特徴とする多層回路基板の配線層間接続構造
に係るものである。

【０００７】請求項２の発明は、前記請求項１の発明に
おいて、前記貫通孔を閉じるように前記配線の接続部に
重なる底板状絶縁層が設けられたことを特徴とするもの
で、前記斜面は貫通孔の両岸にそれぞれ形成されていて
も良いし、全内周縁に形成されていても良いし、或いは
一部のみでも良い。

【０００８】また、前記絶縁体の他方の面に設けられた
配線が、該絶縁体の他方の面に沿って水平に貫通孔を横
断するように形成され、前記絶縁体の一方の面に設けら
れた配線と、前記絶縁体の他方の面に設けられた配線と
が、前記貫通孔を横断する部分により互いに接続されて
も良い。また、当然のことながら、前記貫通孔の一方の
岸と他方の岸とでそれぞれ独立に前記絶縁体の一方の面
に設けられた配線と他方の面に設けられた配線とが接続
されていても良い。

【０００９】請求項３の発明は、前記請求項１の発明に
おいて、前記貫通孔の縁部においてそれぞれ独立に前記
絶縁体の一方の面に設けられた配線と他方の面に設けら
れた配線とが接続され、前記貫通孔周辺又は貫通孔内の
配線に電子部品の外部端子を接続することにより該電子
部品を搭載したことを特徴とする多層回路基板の配線層
間接続構造に係るものである。

【００１０】請求項４の発明は、前記請求項１乃至３の
いずれか一項の発明において、前記絶縁体を、ポリイミ
ドにより構成し、前記斜面を有する貫通孔を、水酸化カ
リウムを含む溶液でエッチングすることにより形成する
ことを特徴とする多層回路基板の配線層間接続構造の形
成方法に係るものである。

【００１１】請求項５の発明は、前記請求項４の発明に
おいて、前記エッチングを行うためのレジストとして有
機材料を主体とする材料を用いることを特徴とする多層
回路基板の配線間接続構造の形成方法に係るものであ
る。

【００１２】

【作用】本発明においては、絶縁体を介して設けられた
配線同士を接続するための貫通孔の縁部に孔外部から孔
内方へ向け次第に絶縁体の厚みが減少するような斜面が
形成されており、絶縁体の一方の面に設けられ前記斜面
を下って貫通孔内に延設された複数の配線と、絶縁体の
他方の面に設けられ貫通孔内に延設された複数の配線と
が互いに接続されている。以下、本明細書において、該
斜面を有する貫通孔を含めて「スルーチャンネル」と称
する。

【００１３】前述のように従来の配線層間の接続構造で
は、配線間の接続を行うために配線の一本毎にスルーホ
ールを設けており、該スルーホール部の専有面積の大き
さからファインピッチの配線構造が実現できなかった
が、本発明では、前記のようなスルーチャンネルを通じ
て一括して複数の配線を層間接続するため、層間接続部
においても他の基板上と同様の配線ピッチを維持するこ
とができ、したがって従来より格段に細密な配線構造を
実現することが可能となる。

【００１４】請求項２の接続構造によれば、スルーチャ
ンネル内に突出した接続部が底板状絶縁層によって補強
されるので、接続部が損傷を受けにくく、取り扱い易い
回路基板となる利点がある。

【００１５】請求項３の接続構造によれば、半導体デバ
イスチップ等の電子部品の搭載に際し、電子部品を他方
の層の回路配線に伝えるとき、短距離の配線長が実現で
き、従来手法のスルーホールが、電子部品の外部端子よ
り、スルーホールまでの配線長が長いため、伝達される
べき信号が遅延したり、混信したりしていた問題を解消
でき、高速信号の伝達に適する。

【００１６】また、半導体デバイスチップ等の電子部品
を請求項３の接続構造の突出した接続部に搭載すると
き、本接続部がＴＡＢテープキャリアで言われるところ
のインナーリードとして働き、インナーリードボンダー
により接続が行える。このとき接続部の配線厚みが両配
線層を合せたものであるため、たとえファインパターン
になり、配線幅、厚が薄くなっても、接合に耐えて、切
断、変形が生じないようにインナーリードの強度を確保
できる。

【００１７】また、半導体デバイスチップ等の電子部品
を請求項３の接続構造の貫通孔周辺の配線部に搭載する
ことができる。このとき、搭載面の反対側の面の配線部
をインナーリードボンダーにて加圧加熱し、この配線部
に与えられた熱が請求項３の接続構造を形成する配線及
び接続部を経て、電子部品の搭載が行われる配線部に至
って、電子部品の外部端子と配線部の接合時の熱を供給
する通路となる。これにより、突出した接続部で電子部
品を接続する必要がなく、突出部であるインナーリード
の強度の問題から解放される。

【００１８】これら請求項３の接続構造は、勿論一方の
面の配線を接続構造域外で寸断して単に上記の電子部品
の搭載に利用することもでき、ファインピッチ時のＴＡ
Ｂテープキャリアのインナーリードの強度の問題を解決
させることに利用できる。

【００１９】請求項４の接続構造の形成方法では、スル
ーチャンネルのエッチングを水酸化カリウム溶液を用
い、請求項５の接続構造の形成方法では、同エッチング
時のレジストに有機材料を主体としたものを用いたの
で、穏やかな斜面を有するスルーチャンネルを形成でき
る。したがって、これらの形成方法によれば、スルーチ
ャンネルの斜面に確実に複数の配線を形成でき、本発明
のスルーチャンネルを介した接続構造を歩留り良く形成
できる。

【００２０】

【実施例】以下、実施例を通じて本発明をさらに詳しく
説明する。図１は本発明の一実施例に係る多層回路基板
の配線層間接続構造の構成を模式的に示す斜視図であ
り、図２は図１の接続構造を裏面側から見た斜視図であ
る。

【００２１】これらの図に示すように、本実施例に係る
多層回路基板の配線層間接続構造では、絶縁体１の一方
の面に配された複数組の金属配線２が、絶縁体１に設け
られた横に長細く且つ緩やかな傾斜の斜面がある構造の
貫通孔５（スルーチャンネル）の斜面６を下って、他面
側の開口７に至り、該他面側の開口７にて絶縁体１の他
方の面に配された一対一に対応する複数の金属配線３と
一体化され、これらの金属配線２，３が接続されるもの
である。

【００２２】前記スルーチャンネル５の製造方法は、具
体的に特に限定されるものではないが、例えば、次のよ
うな方法により製造できる。

【００２３】すなわち、厚さ１０〜２００μｍの可撓性
フィルム部材の両方の面にスパッタ蒸着法により厚さ
０．１〜１μｍの金属皮膜を形成する。このとき、金属
皮膜が銅であれば、可撓性フィルム部材と金属皮膜の密
着性を高めるために、５〜３０ｎｍのクロムやニッケル
等のアンカー層をスパッタ蒸着法にて可撓性フィルムと
金属皮膜の間に挿入することが望ましい。そして、必要
に応じてさらに銅メッキを施し、１〜３５μｍの銅を主
体とした金属箔層とする。

【００２４】その後、この金属箔層の一方の面（以下、
この面を「Ａ面」、他方の面を「Ｂ面」と称する。）に
スクリーン印刷や、感光性レジスト等によりリソグラフ
ィにてエッチングを施して、いわゆるスルーチャンネル
を設けるべきところの金属箔層を除去する。

【００２５】この除去部の形状は、不必要な面積を占有
しないこと、除去部が構造上弱い欠点であることによ
り、幅が０．２〜５ｍｍであることが望ましい。また除
去部の長さは接続されるべき金属配線群の幅に少し余裕
を持たせた値である。しかし、かかる除去部の幅は、必
須の条件でなく、除去部の幅が広くなり、正方形のなど
の四辺形の孔になってもかまわない。なお、除去部は直
線で構成されることが望ましいが、曲率半径の大きい曲
線で構成することもできる。

【００２６】次いで、可撓性フィルムに対して上記の金
属箔層の除去された部分についてエッチングを施し、緩
やかな斜面を有する貫通孔を形成する。なお、この貫通
孔の緩やかな斜面は貫通孔一部の壁面にだけ設けてもよ
い。つまり、斜面が一部にあれば、一部の金属配線群の
接続ができる。この意味で、後に述べる図３、図４、及
び図７に示した例のように、スルーチャンネルの両岸の
斜面を独立の二組の金属配線群の接続に使用できる。ま
た、スルーチャンネルは、長細い形状であると述べた
が、正方形や長方形などの四辺形にすることにより四辺
の斜面により独立の四組の金属配線群の接続が可能とな
る。

【００２７】このエッチングのときに、残りの金属箔層
は、ポリイミドのエッチングマスクとして使われている
が、この厚みが十分でないと、金属箔層のピンホール等
にてポリイミドにも貫通孔が生じ好ましくない。一般的
には、金属箔層の厚さは、５μｍ以上であることが望ま
しい。

【００２８】ここで、高分子材料からなる可撓性フィル
ム部材をエッチングする方法としては、例えば、プラズ
マエッチング、エキシマレーザ照射エッチング等のドラ
イエッチング法を用いる。また、可撓性フィルム部材が
ポリイミドフィルムである場合には、ヒドラジンとエチ
レンジアミンの混合水溶液、水酸化カリウム等のアルカ
リ性薬品と、水単独、またはエタノール等の有機溶剤と
の混合水溶液を用いたウエットエッチングを用いること
ができる。

【００２９】しかし、前記スルーチャンネルの斜面は緩
やかであることが金属配線を形成するために必要である
ので、ドライエッチング法のエキシマレーザ照射エッチ
ングでは微細な階段状にエッチング深さを調整し、ま
た、プラズマエッチングでは、当てるプラズマ濃度に傾
斜を持たせて斜面を形成させる必要がある。

【００３０】一方、ウエットエッチングでは、エッチン
グ液としてポリイミド分解物に対して、良溶媒、界面活
性剤を含んだエッチング液より貧溶媒で構成されるエッ
チング液の方が斜面の傾斜が緩やかとなる。これは、ポ
リイミドにエッチングを施したとき、エッチングが摺鉢
状に進み、底に近づくと、ポリイミド分解物が停滞し
て、エッチングを阻害するが、停滞しているポリイミド
分解物がこの分解物の良溶媒、界面活性剤により取り除
かれると、摺鉢状より井戸状になり、斜面の傾斜が急な
ものとなるためである。従って、斜面の傾斜を緩やかに
するためには、貧溶媒で構成されるエッチング溶液が好
ましい。

【００３１】しかしながら、エッチング速度はこの逆で
あるので、良溶媒濃度、界面活性剤濃度に適切な範囲が
ある。つまり、ヒドラジンとエチレンジアミンの混合水
溶液よりも、水酸化カリウム等のアルカリ性薬品とエタ
ノール若しくはプロパノールとの混合水溶液の方が好ま
しい。後者の混合水溶液では、アルコール成分２０％以
下の溶剤比が好ましく、水単独が最も好ましい。

【００３２】このときの斜面の傾斜角度は、ヒドラジン
とエチレンジアミンの混合水溶液では５０°であり、水
酸化カリウムのエタノール２０％と水８０％の混合溶液
では５０°であり、水酸化カリウム水溶液では４５°で
あった。但し、水酸化カリウムのエタノール２０％と水
８０％の混合溶液では、一部傾斜面にソルベントクレー
ジング的な亀裂が見受けられた。

【００３３】また、以上の説明では、ポリイミドのエッ
チングマスクとして金属層を用いることとしたが、有機
材料のレジスト層をマスクとして用いれば、サイドエッ
チングを生じさせ、緩やかな斜面を形成することができ
る。つまり、アスファルトピッチ系、コールタール系、
環化ゴム系等の有機材料のレジストをスクリーン印刷や
フォトリソグラフィにて形成した場合に、レジストと、
それが塗布されているポリイミドとの界面にエッチング
液が時間とともに浸透し、マスク機能を低下させるの
で、サイドエッチングとなり、緩やかな傾斜が形成され
る。

【００３４】このように有機材料製レジスト層からなる
マスクを用いるときには、上述のスルーチャンネル部の
ためのＡ面の金属箔層の除去は、スルーチャンネルの予
定部より少し外周に広い領域を行い、そのスルーチャン
ネルの予定部と金属箔層間の領域に上記のレジストを施
す。例えば、アスファルトピッチ系レジストを用いたと
きの斜面の傾斜角度は、１２°であった。

【００３５】この傾斜角度の１２°の斜面は後工程のリ
ソグラフィで金属配線パターンを形成するとき、水平面
のリソグラフィとほぼ同等に取り扱え、金属配線パター
ンの形成加工が容易である。この意味で斜面の傾斜角度
は、３０°以下が望ましい。斜面の傾斜がそれ以上な
ら、斜面に配線パターンを形成するためには、レジスト
のレーザ、エレクトロンビーム等による直接描画方法等
の特別な金属配線パターン形成加工が必要である。

【００３６】次いで、スルーチャンネルチャンネル部の
金属配線層を形成する。先ず、スルーチャンネルの斜面
部のポリイミド上に金属箔層を次のような二つの方法う
ちのいずれか一方の方法で設け、この金属箔層によりＡ
面金属箔層とＢ面金属箔層を電気的に接続させる。

【００３７】すなわち、第１の方法としては、傾斜部の
ポリイミド上にＡ面金属箔層とスルーチャンネルの一方
の開口を閉じているＢ面金属箔層の裏面とを電気的に接
続する金属箔層を形成するため、Ａ面金属箔層及びＢ面
金属箔層の裏面の全部若しくは一部に積層させて金属メ
ッキを行う。

【００３８】また、第２の方法としては、Ａ面金属箔層
の一部若しくは全部とスルーチャンネルの一方の開口を
閉じているＢ面金属箔層の一部若しくは全部をエッチン
グ等で除去し、少なくともスルーチャンネルの周辺部分
のポリイミドを裸にさせ、ポリイミドの楔状の縁部を露
出させる。

【００３９】そしてこの裸にされたポリイミド上に、Ａ
面金属箔層とＢ面金属箔層に電気的に接続させるように
金属箔層をメッキにより設ける。このとき、前記のＡ面
若しくはＢ面の金属箔層に施したエッチングが一部であ
るとき、これらの面の金属箔層は残存するので、電気的
接続のために、前記第１の方法と同様に、残存する金属
箔層に積層させて金属メッキを行う。また、Ａ面とＢ面
の金属箔層の全部にエッチングをした場合には、ポリイ
ミドの両面の全域に金属箔層を形成する。

【００４０】尚、前記第１及び第２の方法でスルーチャ
ンネルの斜面部のポリイミド上に金属箔層を設ける場合
には、スパッタ、蒸着等のドライメッキ、若しくは無電
解メッキ、導伝性ポリマー層を設けて、それに金属メッ
キを施す方法が利用できる。このメッキによる前記金属
箔層の積層のため、積層されるＡ面金属箔層及びスルー
チャンネル底部の金属箔層は、表面を清楚にしなければ
ならず、酸化皮膜等を除去する必要がある。

【００４１】無電解メッキ等のウエットメッキでは酸洗
等でこの酸化皮膜を除去できるが、ドライメッキでは、
プラズマアッシング等のドライプロセスで除去しなけれ
ばならない。このとき、金メッキ等の酸化皮膜を作らな
い貴金属メッキを施せば、かかる酸化皮膜の除去処理を
省くことができる。

【００４２】また、導電性ポリマー層を設け、それに金
属メッキを施す方法でも、金属箔層を設けることができ
る。この場合、国際公開番号ＷＯ８９／０８３７５号、
特公平４−５０７４８０号に開示されているように、ピ
ロール等のモノマーを酸化剤で重合し、絶縁体に導電性
ポリマー溶液を塗布する方法が利用できる。また、導電
性ポリマー上に金属メッキを施す方法としては、電解メ
ッキ、無電解メッキ、また、特開平３−８３３９５号に
開示されているようなパラジウム、銀等の貴金属の自然
メッキに電解メッキ、無電解メッキを組み合わせた方法
を利用することができる。

【００４３】次に、リソグラフィにて、Ａ、Ｂ両面をサ
ブストラクト法により金属箔層をエッチングするか、ア
ディディブ法で金属メッキを施し、金属配線パターンを
形成する。Ａ面側のリソグラフィには、スルーチャンネ
ルの傾斜部に対するリソグラフィと、Ｂ面金属箔層の裏
面に対するリソグラフィとが含まれる。

【００４４】ここで、リソグラフィにより形成できる金
属配線パターンは、図１乃至図２のように金属配線
２，３が架設されているもの、図３のように金属配線
２，３の先端が突設されているもの、図４のように金
属配線２，３の端部が開口の端部際でのみ連結されてい
るもの、の三態様があるが、Ａ面金属箔層とＢ面金属箔
層を電気的に接続させるためにスルーチャンネルの斜面
部のポリイミド上に金属箔層を形成する前記二つの方法
うちの第１の方法を用いれば、（図１、図２）又は
（図３）の接続構造を形成することができ、一方、前記
二つの方法のうちの第２の方法を用いれば、（図４）
の接続構造を形成することができる。

【００４５】なお、図３の接続構造は、図１乃至図２の
構造と異なり、スルーチャンネルの端部にてＡ面とＢ面
の複数組の金属配線が、接続されて一体化された後、該
開口部の途中まで伸びて途切れたものであり、また、図
４の接続構造は、リソグラフィ以前にＡ面とＢ面の金属
箔層がスルーチャンネルで回り込んで一体化されている
もので、これらの構造によれば、溝の両岸で別々の独立
した接続を行うことができ、このため接続密度を向上さ
せることができる。

【００４６】また、前述の導電性ポリマーによる方法で
は、以下のように、導電性ポリマーに局部的にメッキを
施すことによっても金属配線パターンが形成できる。す
なわち、スルーチャンネルの斜面部のポリイミド上に導
電性ポリマー層を設けた後、配線回路の絶縁部に相当す
る場所について、リソグラフィにてレジスト層を設ける
か、若しくは導電性ポリマーの除去、破壊、失効の処理
により導電性を局部的に喪失させる。そして、アディデ
ィブ法で金属メッキを施し、金属パターンを形成する。

【００４７】なお、前記のように導電性の喪失処理は、
所望の場所のみを局所的に処理するいわゆる直接描画方
式と、所望の場所以外をレジストによりマスクするマス
ク方式とが取り得る。直接描画方式では、エキシマレー
ザ、Ｘ線、電子線、中性子線などの、導電性ポリマーに
化学変化を及ぼす放射線を用いる。

【００４８】例えば、エキシマレーザでは、照射量が多
い場合には導電性ポリマーを揮発させることができ、照
射量が少ない場合にも導電性ポリマーを破壊することが
できる。また、炭酸ガスレーザを用いた場合には、照射
量が多い場合には導電性ポリマーを焼失させ、照射量が
少ない場合にも導電性ポリマーにドーピングされている
ドーパントを揮発させて導電性を消失させることができ
る。なお、揮発されたドーパントを再ドーピングすれ
ば、導電性を回復させることもできる。この直接描画法
では、前記スルーチャンネルの傾斜部の角度が比較的大
きくても描画が可能であり、傾斜角度が５０°でも導電
性ポリマーに配線パターンを描くことができる。

【００４９】一方、レジストによるマスク方式は、導電
性ポリマーの除去、破壊、若しくは導電性の消失処理が
全域的にしかできない場合に有効である。すなわち、こ
の処理は、プラズマアッシング等のドライの除去プロセ
ス、溶剤による導電性ポリマーの溶解除去、導電性ポリ
マーが付着している絶縁材料基板の表面部ごとのエッチ
ングによる除去が適用できる。

【００５０】溶剤除去のための溶剤は、導電性ポリマー
の種類により様々なものが考えられるが、例えば、特開
昭６１−２０６１０６号に記載されているフェニルアセ
トン等のケトン類、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ジメチルホルムアミド等のアミド類、アセトニトリ
ル等のニトリル類、プロピレンカーボネート等のカーボ
ネート類、ジクロロベンゼン等のハロゲン類、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のラクタム類、ピロール、フラン等の複
素環式化合物等を用いる。

【００５１】このとき、溶剤が、ジエチレングリコー
ル、メチルセルソルブ、Ｎ−メチルピロリドン等の低引
火性の水溶性系のものであれば、水洗等の処理が容易で
好ましい。また、導電性ポリマーにドーピングされてい
るドーパントの脱ドーピングによる導電性の消失方法と
しては、アルカリ性の溶液に浸漬する方法、放電、脱ド
ープ電位の加電等による電気化学的方法等がある。

【００５２】また、この脱ドーピング方法は、先ず最初
に全域を脱ドーピングし、その後、導電性を消失しなけ
ればならない場所のみ、レジストにてマスクを施し、そ
の他の領域に再ドーピングを施すことによっても行うこ
とができる。このとき、脱ドーピングは、前述の方法以
外にも例えば加熱によっても可能であり、例えば、１７
０°にて１０分で脱ドーピングを行うことが可能であ
る。

【００５３】また、再ドーピングは、特開平１−３３１
４０号に記載されているような電子受容体、電子供給体
であるハロゲン化合物、ルイス酸、プロトン酸、遷移金
属化合物等のドーパントを導電性ポリマーに浸漬法等に
てドーピングさせて導電性を回復させるものである。

【００５４】以上のリソグラフィにより金属配線を形成
するときに使用するレジストとしては、ポジティブタイ
プとネガティブタイプの双方が使用できるが、スルーチ
ャンネルに均一の膜厚にレジストを塗布することが重要
である。

【００５５】ここで、ロールコーターでは、均一性に問
題がある。ディップコーターでも均一性に若干の問題が
あり、ファインパターン用には適さない。ダイコーター
は比較的良好であるが、レジストの乾燥により流動して
不均一になるので、流動しにくいレジストが必要であ
る。スプレーコーターもダイコーターと同様の流動の問
題があるが、例えば、ノードソン株式会社のエアロコー
トシステムのように、レジストの微粒子をスプレーし、
スプレー途中の霧が乾燥して基材に付着する方法であれ
ば良好に塗布できる。

【００５６】また、電着レジストを用いれば、最も簡単
に良好なレジスト層を形成できる。また、露光装置とし
ては、焦点深度の深いものが好ましく、平行光投影タイ
プのものが望ましい。

【００５７】以上のリソグラフィによりスルーチャンネ
ル部とＡ、Ｂ両面の金属箔層をサブストラクト法にてエ
ッチングし、金属配線パターンを形成するときに、スル
ーチャンネルの斜面部と、底部と、Ｂ面金属箔層と、ス
ルーチャンネル部以外のＡ面金属箔層のそれぞれの肉厚
が異なると高繊細なパターンの形成が困難になる。

【００５８】これを解決するには、スルーチャンネル部
の金属メッキを施す前のＡ面金属箔層厚を、１μｍ程度
の十分薄いものにし、１０μｍ程度の金属メッキをＡ面
側からＡ面金属箔層とスルーチャンネル部とに施すとよ
く、これによりスルーチャンネル部の底部を除き、金属
箔層厚をほぼ同じにすることができる。

【００５９】ただし、前述の底部は、Ｂ面金属箔層の裏
面上に前記１０μｍ程度の金属メッキを施した構造とな
るため、肉厚がほぼ２倍となることは避けられない。こ
のため、リソグラフィにおけるエッチング時に、前記底
部の両側からエッチングを施し、互いの片側のエッチン
グ時間を前記底部以外の場所であるスルーチャンネル部
の斜面部及びＡ面若しくはＢ面の金属箔層と同一とし
て、エッチングの均一化を図る必要がある。

【００６０】しかし、それでもなお、前述の底部のエッ
チングは、オーバーエッチングとなってしまう。すなわ
ち、例えばＡ面側から底部にエッチングを施した場合に
は、金属配線を確実に形成するためには、若干オーバー
ぎみにエッチングを施す必要があるが、これによりＢ面
の金属箔層側にエッチングが食い込み、次にＢ面の金属
箔層にＢ面側からエッチングを施す場合に、前記底部は
オーバーエッチングとなってしまい、金属配線の幅が異
常に細いものとなってしまうのである。

【００６１】この問題の解決のためには、底部のＢ面金
属箔層とその裏面上に施された金属メッキ層の間に、こ
れら両層に施すエッチング液に侵食されない金属を挿入
した構造とすればよい。このような構造、例えばＢ面金
属箔層とその裏面に施された金属メッキ層を銅層しその
間に銅エッチング液で侵されない金属の層を設けた構造
とすれば、このいずれかの層をエッチングで除去すると
き、銅層が除去された後、銅層のエッチング液に侵され
ない金属層が出現し、それ以上はエッチングが進行しな
い。

【００６２】この銅のエッチング液に侵食されない金属
としては、金、クローム、チタン等が挙げられるが、エ
ッチング液に硝酸第２鉄などを用いる場合には、該液に
より腐食されない、ニッケル、ニッケルクロム合金、ス
テンレスを用いることもできる。そして、これら銅のエ
ッチング液に侵食されない金属は、電解メッキや、無電
解メッキ、蒸着などにより形成することができるが、予
め可撓性フィルム部材にスパッタ蒸着法により金属皮膜
を形成することもできる。

【００６３】すなわち、前述した両面金属箔付き可撓性
フィルムを作製するときに密着性を高くするために設け
ているアンカー層に、前記のようなエッチング液に侵さ
れない金属を選択すればよい。

【００６４】なお、エッチング液に侵されない金属層に
クロムやチタンなどの酸化皮膜を作る金属を選択した場
合には、該金属層と、該金属層上に施される金属メッキ
との間の接合が不十分となり、信頼性に問題が生じるこ
とを防ぐために、十分に酸化皮膜を除去することが望ま
しい。

【００６５】次に、必要に応じて、図５乃至図６に示す
ように、スルーチャンネルを閉止するように底板状絶縁
層を設ける。これは、前記のように、スルーチャンネル
は、底部が開口孔となっており、この開口孔に金属配線
が、架設されているか（図１、図２）、或いは突設され
ている（図３、図４）ため、構造上弱く、これを補強す
ることが望ましいからである。

【００６６】この底板状絶縁層としては、カバーレイフ
ィルムを用いれば、金属配線を形成後に行える。また、
ソルダーレジスト等をスクリーン印刷等により塗布する
場合には、Ａ面若しくはＢ面の一方の面をリソグラフィ
により金属配線を形成した後に、その面に絶縁層を形成
し、その後、他方の面についてリソグラフィにより金属
配線を形成し、スルーチャンネルの作製を完了する。

【００６７】（他の例）図７に示すように、スルーチャ
ンネルを四辺形のものとし、この四辺形の各辺に斜面部
を形成し、該各辺で層間接続を行うものとしてもよい。
このように構成することにより、この四辺に形成された
斜面部に至る手前に形成された複数組の金属配線か、該
斜面部の手前の裏面の金属配線か、或いは、斜面部先端
から貫通孔内に突き出すように形成された金属配線の表
側若しくは裏側に、半導体デバイスチップの外部端子を
接続することにより、ＴＡＢテープキャリアと同様に、
該半導体デバイスチップを搭載することもできる。

【００６８】これにより、いわゆる両面ＴＡＢと称され
るテープキャリアに適応できる。すなわち、両面ＴＡＢ
においても、従来はスルーホールにより接続していたの
を、本発明のスルーチャンネルを採用することができ、
ファインピッチを実現することができる。また、前記の
半導体デバイスチップを搭載させることができる機能
は、いわゆるチップ・オン・フィルムと称される半導体
デバイスチップを回路基板に直付けした基板に適用でき
るものである。

【００６９】なお、図８及び図９は、前記図７に示すよ
うに四辺形のスルーチャンネルによる接続構造を用いた
場合の基板の両面をそれぞれを示す平面図であるが、こ
れらの図に示した点Ｘ及び点Ｙは、これらの点同士が表
裏関係にあることを示すものである。

【００７０】以上のような本実施例の多層回路基板の配
線層間接続構造によれば、スルーホールを用いていた従
来の接続構造に比べ、格段に微細な配線ピッチを実現す
ることができる。すなわち、従来においては２００μｍ
程度が限界であったのに対して、本接続構造によれば、
１００μｍ以下、５０μｍ程度にまで配線ピッチを微細
化することが可能である。然も該金属配線の微細化は、
安価な製造コストにより達成することができる。

【００７１】（第１の製造例）以下、さらに、本発明者
が実際に行った具体例について説明する。第１に、本発
明者は、次のようにして前記図１乃至図２に示す接続構
造を形成した。すなわち、先ず、ポリイミドフィルム
（東レ・デュポン社製のカプトンＫＢ）５０μｍ上にア
ルゴンプラズマ処理を施した後、ニッケルをターゲッ
ト、アルゴンをキャリアガスとして、スパッタ法により
ニッケル層を１０ｎｍの厚さにて設け、その後、銅をタ
ーゲット、アルゴンをキャリアガスとして、スパッタ法
により１μｍ厚の銅層を形成した。

【００７２】その後、フォトリソグラフィにてレジスト
層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて一方の面（Ａ
面）の銅箔層にエッチングを施し、スルーチャンネル部
に対応する場所で幅４ｍｍ、長さ１４ｍｍの長方形部分
の銅層を除去した。その後、スクリーン印刷によりアス
ファルトピッチ系レジスト（太陽インキ製造社製ＫＢ２
４）を、前記長方形の１ｍｍ内周で囲われた部分（幅２
ｍｍ、長さ１２ｍｍの長方形）を除き、Ａ面全域に塗布
した。また、同じレジストをＢ面全域にも塗布した。

【００７３】その後、これを１５規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて１２分間浸漬した後、水洗し、１
０％の硫酸水溶液に２０℃で１分間浸漬した。このレジ
ストを剥離した後、アルキルベンゼンスルフォン酸ソー
ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソーダを添加
した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（シップレイ
社製ニュトラクリーン６８）に５０℃にて３分間浸漬し
た。

【００７４】以上の処理にて、前記レジストに被われて
いない長方形部分のポリイミドに貫通孔が形成された。
このとき、エッチングで生じた孔状の長方形の寸法は、
サイドエッチングのため、斜面が始まる点ではレジスト
塗布点より、３００μｍ後退して拡大されており、その
点から斜面が２５０μｍ長に亙って、長方形の四辺に形
成されていた。

【００７５】その後、５０ｇ／ｌの過マンガン酸カリウ
ムと４０ｇ／ｌの水酸化カリウムを含む液に９０℃で３
分間浸漬し、水洗し、次いで２０％のピロールと２０％
イソプロパノールの水溶液に２０℃にて１分間浸漬し、
次いで１０ｍｌ／ｌの硫酸と１０ｇ／ｌのペルオキソニ
硫酸ソーダの水溶液に２０℃にて１分間浸漬し、黒褐色
のプロピロールをスルーチャンネル部であるエッチング
で生じた溝状の長方形の斜面及びその近傍のポリイミド
上に形成した。そして水洗し、自然乾燥を行った。

【００７６】しかる後、電解メッキを１規定硫酸を含む
硫酸銅浴にて３Ａ／ｄｍ² の電流密度にて行い、１５μ
ｍの銅をスルーチャンネル部及び両面の銅箔の全面に積
層した。これにより、スルーチャンネル部のポリイミド
上の銅箔の厚みは１５μｍとなり、Ａ、Ｂ両面の銅箔の
厚みは、ともに１６μｍとなり、スルーチャンネル部の
底をなしている部分のＢ面銅箔層にはニッケル層上から
もメッキが行われ、Ａ面とＢ面の銅箔が一体化され３１
μｍとなった。

【００７７】その後、Ａ面及びＢ面に電着レジスト（日
本ペイント社製フォトＥＤＰ−１０００）をスルーチ
ャンネル部を含む全域について塗布した。そして、Ｂ面
のレジストには、図２に示すような配線パターン３を１
００μｍピッチで形成し、硫酸第二鉄でエッチングを施
した。この結果、スルーチャンネル部以外のＢ面銅箔は
配線回路が形成され、スルーチャンネルの底部は、Ａ面
とＢ面の銅箔が一体化されているが、このうちＢ面銅箔
のみがエッチングされてニッケル面より以降のＡ面銅箔
が残存していた。

【００７８】その後、Ｂ面側からスルーチャンネル部を
閉じるようにスクリーン印刷でポリイミド系のインク
（東芝ケミカル製ケミタイトＣＴ４１１２）を塗布し、
図５および図６に示すように、１５μｍ厚の底板状絶縁
層８を形成した。然る後、Ａ面及びＢ面に電着レジスト
（日本ペイント社製フォトＥＤＰ−１０００）をスル
ーチャンネル部を含む全域について塗布した。そして、
Ａ面のレジストには図１に示すような配線パターン２を
１００μｍピッチで形成し、塩化第二鉄でエッチングを
施した。

【００７９】この結果、スルーチャンネル部以外のＡ面
銅箔及びスルーチャンネルの斜面部は配線回路が形成さ
れ、スルーチャンネルの底部は、Ａ面とＢ面の銅箔が一
体化されており、Ｂ面の銅箔は既に配線パターンが形成
されているが、Ａ面銅箔にもエッチングが施されて配線
パターンが形成され、Ａ面とＢ面の一体化された銅箔に
配線回路が形成された。

【００８０】そして、これを１５規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて２分間浸漬した後、水洗し、１０
％の硫酸水溶液に２０℃で１分間浸漬し、スルーチャン
ネルの斜面及びその近傍のポリイミド上に残存するポリ
ピロールを除去した。

【００８１】以上により、図１乃至図２に示す１００μ
ｍピッチの配線層間接続構造を形成することができた。

【００８２】（第２の製造例）第２に、本発明者は、次
のようにして前記図４に示す接続構造を形成した。すな
わち、先ず、ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製
のカプトンＫＢ）５０μｍ上にアルゴンプラズマ処理を
施した後、銅をターゲット、アルゴンをキャリアガスと
してスパッタ法により１μｍ厚の銅層を形成した。

【００８３】その後、フォトリソグラフィによりレジス
ト層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて一方の面（Ａ
面）の銅箔層にエッチングを施し、スルーチャンネル部
に対応する場所で幅４ｍｍ、長さ１４ｍｍの長方形部分
の銅層を除去した。そして、スクリーン印刷によりアス
ファルトピッチ系レジスト（太陽インキ製造社製ＫＢ２
４）を、前記長方形の１ｍｍ内周で囲われた部分（幅２
ｍｍ、長さ１２ｍｍの長方形）を除き、Ａ面全域に塗布
した。また、同じレジストをＢ面全域にも塗布した。

【００８４】その後、これを１５規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて１２分間浸漬した後、水洗し、１
０％の硫酸水溶液に２０℃で１分間浸漬した。このレジ
ストを剥離した後、アルキルベンゼンスルフォン酸ソー
ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソーダを添加
した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（シップレイ
社製ニュトラクリーン６８）に５０℃にて３分間浸漬し
た。

【００８５】以上の処理にて、前記レジストに被われて
いない長方形部分のポリイミドに貫通孔が形成された。
このとき、エッチングで生じた貫通孔の長方形の寸法
は、サイドエッチングのため、斜面が始まる点ではレジ
スト塗布点より、３００μｍ後退して拡大されており、
その点から斜面が２５０μｍ長に亙って、長方形の四辺
に形成されていた。

【００８６】その後、Ａ、Ｂ両面の銅箔をエッチングで
除去し、スルーチャンネルが形成されたポリイミドフィ
ルムが作製された。

【００８７】そして、ポリイミドフィルム（東レ・デュ
ポン社製のカプトンＫＢ）５０μｍ上にアルゴンプラズ
マ処理を施した後、銅層を、銅をターゲット、アルゴン
をキャリアガスとしてスパッタ法により１μｍ厚の銅層
を形成した後、この銅層を電解銅メッキにより１５μｍ
厚まで積み上げた。

【００８８】然る後、Ａ面及びＢ面に電着レジスト（日
本ペイント社製フォトＥＤＰ−１０００）をスルーチ
ャンネルを含む全域について塗布した。そして、Ａ面及
びＢ面のレジストに図４に示すような配線パターン２，
３を１００μｍピッチで形成し、Ａ及びＢ両面同時にエ
ッチングを施した。

【００８９】この結果、スルーチャンネル以外のＡ、Ｂ
面銅箔、スルーチャンネルの斜面部には、配線回路が形
成され、図４に示すようにスルーチャンネルの周縁の先
端でＡ面とＢ面の銅箔が連結されていた。この連結部の
配線パターンも良好に形成できた。

【００９０】そして、スルーチャンネルを閉じるように
さらにポリイミド系のカバーレイフィルム（住友ベーク
ライト社製スミキャスト）を付着させた。

【００９１】以上により、図４に示す１００μｍピッチ
の配線層間接続構造を形成することができた。

【００９２】（第３の製造例）第３に、本発明者は、次
のようにして前記図７乃至図９に示す接続構造を形成し
た。すなわち、先ず、ポリイミドフィルム（東レ・デュ
ポン社製のカプトンＫＢ）５０μｍ上にアルゴンプラズ
マ処理を施した後、ニッケル層を、ニッケルをターゲッ
ト、アルゴンをキャリアガスとしてスパッタ法により１
０ｎｍの厚さにて設け、その後銅層をアルゴンをキャリ
アガスとしてスパッタにより１μｍ厚の銅層を形成し
た。

【００９３】その後、フォトリソグラフィにてレジスト
層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて一方の面（Ａ
面）の銅箔層にエッチングを施し、スルーチャンネル部
に対応する場所で７ｍｍ角の銅層を正方形状に除去し
た。その後、スクリーン印刷によりアスファルトピッチ
系レジスト（太陽インキ製造社製ＫＢ２４）を、前記正
方形の１ｍｍ内周で囲われた部分（５ｍｍ角の正方形）
を除き、Ａ面全域に塗布した。また、同じレジストをＢ
面全域にも塗布した。

【００９４】その後、これを１５規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて１２分間浸漬した後、水洗し、１
０％の硫酸水溶液に２０℃で１分間浸漬した。このレジ
ストを剥離した後、アルキルベンゼンスルフォン酸ソー
ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソーダを添加
した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（シップレイ
社製ニュトラクリーン６８）に５０℃にて３分間浸漬し
た。

【００９５】以上の処理にて、前記レジストに被われて
いない正方形部分のポリイミドに貫通孔が形成された。
このとき、エッチングで生じた溝状の正方形の寸法は、
サイドエッチングのため、斜面が始まる点ではレジスト
塗布点より、３００μｍ後退して拡大されており、その
点から斜面が２５０μｍ長に亙って、正方形の四辺に形
成されていた。

【００９６】その後、５０ｇ／ｌの過マンガン酸カリウ
ムと４０ｇ／ｌの水酸化カリウムを含む液に９０℃で３
分間浸漬し、水洗し、次いで２０％のピロールと２０％
イソプロパノールの水溶液に２０℃にて１分間浸漬し、
次いで１０ｍｌ／ｌの硫酸と１０ｇ／ｌのペルオキソニ
硫酸ソーダの水溶液に２０℃にて１分間浸漬し、黒褐色
のプロピロールをスルーチャンネル部であるエッチング
で生じた溝状の正方形の斜面及びその近傍のポリイミド
上に形成した。そして水洗し、自然乾燥を行った。

【００９７】然る後、電解メッキを１規定硫酸を含む硫
酸銅浴にて３Ａ／ｄｍ² の電流密度にて行い、１５μｍ
の銅をスルーチャンネル部及び両面の銅箔の全面に積み
上げた。これにより、スルーチャンネル部のポリイミド
上の銅箔の厚みは１５μｍとなり、Ａ、Ｂ両面の銅箔の
厚みは、ともに１６μｍとなり、スルーチャンネル部の
底部のＢ面の銅箔層は、裏面のニッケル層上からもメッ
キが行われ、Ａ面とＢ面の銅箔が一体化され３１μｍと
なった。

【００９８】その後、Ａ面及びＢ面に電着レジスト（日
本ペイント社製フォトＥＤＰ−１０００）をスルーチ
ャンネル部を含む全域について塗布した。そして、Ａ面
及びＢ面のレジストには、図８、図９に示すような配線
パターンを１００μｍピッチで形成し、塩化第二鉄で
Ａ、Ｂ面同時にエッチングを施した。

【００９９】この結果、スルーチャンネル部以外のＡ、
Ｂ面銅箔、スルーチャンネルの斜面部は配線回路が形成
され、スルーチャンネルには、図７に示すようにＡ面と
Ｂ面の複数組の金属配線が接続されて一体化した後、底
面の途中まで伸びて途切れて停止した、いわゆるオーバ
ーハング構造を形成しており、該オーバーハング部は
０．７ｍｍ長突き出ていた。なお、この構造は前記正方
形の他の斜面にも独立して形成されている。

【０１００】そして、これを１５規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて２分間浸漬した後、水洗し、１０
％の硫酸水溶液に２０℃で１分間浸漬し、スルーチャン
ネル部であるエッチングで生じた正方形の斜面及びその
近傍のポリイミド上に残存するポリピロールを除去し
た。その後、Ａ、Ｂ両面の銅箔配線に無電解錫メッキを
０．５μｍ厚で施した。以上により、スルーチャンネル
を形成できた。

【０１０１】以上により、図７乃至図９に示すような、
正方形の開口部にオーバーハング状に突き出しながら配
線層間接続を行っている１００μｍピッチの配線層間接
続構造を形成することができた。

【０１０２】この後さらに、本発明者は、かかる図７乃
至図９に示す配線層間接続構造に対して半導体デバイス
チップを搭載することを行った。すなわち、前記接続構
造におけるスルーチャンネル部と、オーバーハングに突
き出したＡ、Ｂ面の接続部とを、それぞれＴＡＢテープ
キャリアのデバイスホールと、インナーリードとに見立
てて、Ｂ面のオーバーハングに突き出した接続部に金バ
ンプ付き半導体デバイスチップをボンダーにてボンディ
ングしたところ、良好なボンディングにより半導体デバ
イスを搭載することができた。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
安価な製造コストにより多層回路基板の金属配線の更な
る微細化を図ることができ、実装密度の向上に寄与する
ところ大である。

【０１０４】また、本発明のスルーチャンネルはＴＡＢ
テープキャリアのデバイスホールと同様の構造を取るこ
とができるため、半導体デバイスチップを該スルーチャ
ンネルに直付けして搭載することができ、いわゆるチッ
プ・オン・フィルムを実現でき、さらにファインピッチ
の多層ＴＡＢテープキャリアにも適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る多層回路基板の配線層
間接続構造の構成を示す斜視図である。

【図２】同じく本発明の一実施例に係る多層回路基板の
配線層間接続構造の構成を示す斜視図である。

【図３】本発明の別の実施例に係る多層回路基板の配線
層間接続構造の構成を示す斜視図である。

【図４】本発明のさらに別の実施例に係る多層回路基板
の配線層間接続構造の構成を示す斜視図である。

【図５】前記図１に示した実施例に係る多層回路基板の
配線層間接続構造のスルーチャンネル部にさらに絶縁体
を設けた構成を示す斜視図である。

【図６】図５の接続構造の側断面図である。

【図７】本発明のさらに別の実施例に係る多層回路基板
の配線層間接続構造の構成を示す斜視図である。

【図８】前記図７の実施例に係る多層回路基板の配線層
間接続構造の構成を示す平面図である。

【図９】同じく前記図７の実施例に係る多層回路基板の
配線層間接続構造の構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１絶縁体２，３金属配線５溝（スルーチャンネル）６斜面部７底（貫通孔）尚、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者関収東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内 (72)発明者松木昇栃木県今市市荊沢601−２古河サーキットフォイル株式会社今市事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁体を介して設けられた配線相互が、
該絶縁体を貫通する貫通孔を通じて接続された多層回路
基板の配線層間接続構造において、前記貫通孔の縁部には孔外部から孔内方へ向け次第に絶
縁体の厚みが減少するような斜面が形成されており、前記絶縁体の一方の面に設けられ前記斜面を下って貫通
孔内に延設された複数の配線と、前記絶縁体の他方の面
に設けられ貫通孔内に延設された複数の配線とが互いに
接続されていることを特徴とする多層回路基板の配線層
間接続構造。
【請求項２】前記貫通孔を閉じるように前記配線の接
続部に重なる底板状絶縁層が設けられたことを特徴とす
る請求項１に記載の多層回路基板の配線層間接続構造。
【請求項３】前記貫通孔の縁部においてそれぞれ独立
に前記絶縁体の一方の面に設けられた配線と他方の面に
設けられた配線とが接続され、前記貫通孔周辺又は貫通孔内の配線に電子部品の外部端
子を接続することにより該電子部品を搭載したことを特
徴とする請求項１に記載の多層回路基板の配線層間接続
構造。
【請求項４】前記請求項１乃至３のいずれか一項に記
載の多層回路基板の配線層間接続構造を形成する方法で
あって、前記絶縁体を、ポリイミドにより構成し、前記斜面を有する貫通孔を、水酸化カリウムを含む溶液
でエッチングすることにより形成することを特徴とする
多層回路基板の配線層間接続構造の形成方法。
【請求項５】前記エッチングを行うためのレジストと
して有機材料を主体とする材料を用いることを特徴とす
る請求項４に記載の多層回路基板の配線間接続構造の形
成方法。