JPH0766073A - Forming method for electrode of ceramic electronic component - Google Patents

Forming method for electrode of ceramic electronic component

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JPH0766073A
JPH0766073A JP20930993A JP20930993A JPH0766073A JP H0766073 A JPH0766073 A JP H0766073A JP 20930993 A JP20930993 A JP 20930993A JP 20930993 A JP20930993 A JP 20930993A JP H0766073 A JPH0766073 A JP H0766073A
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JP
Japan
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ceramic
electrode
electronic component
forming
etching
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JP20930993A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Todaka
秀幸 戸高
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide an electrode forming method for ceramic electronic components capable of diminishing the dispersion of electrode thickness, raising the yield rate and productivity, and forming electrodes with great adhering strength regardless of the kind of ceramic substrates. CONSTITUTION:The title forming method for ceramic electronic component has processes of forming a ceramic film out of an easily etchable ceramic substrate composed of a general ceramic, of etching the ceramic film formed, and of forming electrodes on the etched ceramic film by plating.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はチップコンデンサ,抵抗
器等のセラミック電子部品を製造する際に用いられるセ
ラミック電子部品の電極形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming electrodes of a ceramic electronic component used in manufacturing a ceramic electronic component such as a chip capacitor and a resistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器等の小型化を目的とし
て、面実装が可能なセラミック電子部品が広く用いられ
るようになり、セラミック電子部品の電極形成方法も金
属ペースト塗布法,メッキ法等種々開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, surface mountable ceramic electronic parts have been widely used for the purpose of downsizing electronic devices and the like, and various electrode forming methods of the ceramic electronic parts such as a metal paste coating method and a plating method are also used. Being developed.

【0003】以下に従来の金属ペースト塗布法によるセ
ラミック電子部品の電極形成方法について説明する。金
属ペーストとしては、銀ペーストが主に用いられ、これ
は銀粉末に、ガラスフリット,有機バインダー,溶剤を
混合して作製される。この金属ペーストをセラミック基
体に付着させ、熱処理することにより、金属ペースト中
のガラスフリットをセラミック基体に溶融固着させて、
電極を形成する。金属ペーストのセラミック基体への塗
着方法としては、セラミック基体全体を金属ペースト浴
に浸漬し、焼き付けを行って、セラミック基体表面全体
に電極を形成した後に、機械加工によって不要な電極部
分を切削する方法と、金属ペーストをセラミック基体表
面の所要部のみにスクリーン印刷あるいは刷毛等によっ
て塗布して焼き付けを行う方法の2種類がある。ここ
で、この時の電極厚みは後述のメッキ法と比較してバラ
ツキが大きいため20μm〜50μmと厚めに塗布され
ることが多い。
Hereinafter, a method of forming electrodes of a ceramic electronic component by a conventional metal paste coating method will be described. A silver paste is mainly used as the metal paste, which is prepared by mixing silver powder with a glass frit, an organic binder, and a solvent. By attaching this metal paste to a ceramic substrate and heat-treating it, the glass frit in the metal paste is melted and fixed to the ceramic substrate,
Form electrodes. As a method for applying the metal paste to the ceramic substrate, the entire ceramic substrate is immersed in a metal paste bath, baked to form electrodes on the entire surface of the ceramic substrate, and then unnecessary electrode portions are cut by machining. There are two types, a method and a method of applying a metal paste only on a required portion of the surface of the ceramic substrate by screen printing or brushing and baking. Here, since the electrode thickness at this time has a large variation compared with the plating method described later, it is often applied as thick as 20 μm to 50 μm.

【0004】以下に従来のメッキ法によるセラミック電
子部品の電極形成方法について説明する。初めに、電極
に密着強度を持たせるために、セラミック基体の表面を
エッチング処理し、セラミック基体の表面に凹凸を形成
する。次に、重金属の中間層を介して無電解メッキ処理
を行って電極を形成する。あるいは、無電解メッキ処理
の後に、更に電気メッキ処理を行って電極を形成する。
ここで、メッキ方法としては、エッチング処理したセラ
ミック基体全体をメッキ浴に浸漬し、セラミック基体表
面全体に電極を形成した後に、機械加工によって不要な
電極部分を切削する方法と、セラミック基体の所要部に
レジストを印刷し、始めから所定部のみをメッキして電
極を形成する方法の2種類がある。この時の電極厚み
は、前述の金属ペースト塗布法と比較してバラツキが小
さいために、3μm〜30μmに調整される。
A conventional method for forming electrodes of a ceramic electronic component by a plating method will be described below. First, the surface of the ceramic substrate is subjected to an etching treatment in order to impart adhesion strength to the electrodes, thereby forming irregularities on the surface of the ceramic substrate. Next, an electroless plating process is performed through an intermediate layer of heavy metal to form electrodes. Alternatively, an electrode is formed by further performing electroplating after the electroless plating.
Here, the plating method includes a method of immersing the entire etched ceramic substrate in a plating bath to form an electrode on the entire surface of the ceramic substrate, and then cutting unnecessary electrode portions by machining, and a required portion of the ceramic substrate. There are two types of methods in which a resist is printed on and the electrodes are formed by plating only a predetermined portion from the beginning. The electrode thickness at this time is adjusted to 3 μm to 30 μm because the variation is smaller than that in the above-mentioned metal paste coating method.

【0005】電極をセラミック基体に密着させる方法と
しては、金属ペースト塗布法は、ガラスフリットをセラ
ミック基体と化学的に反応させることで強度を生じさせ
ており、メッキ法では、セラミック基体の表面にエッチ
ング処理によってある種の凹凸を形成し、これにメッキ
層が物理的にアンカー状に噛み込むことで強度を生じさ
せている。
As a method for bringing the electrodes into close contact with the ceramic substrate, the metal paste coating method produces strength by chemically reacting the glass frit with the ceramic substrate. In the plating method, the surface of the ceramic substrate is etched. A certain kind of unevenness is formed by the treatment, and the plating layer physically bites into this in the shape of an anchor to generate strength.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、金属ペースト塗布法によるものは、電極厚
みに大きなバラツキが生じ、歩留りが低下して生産性に
欠けるという問題点を有していた。また、メッキ法によ
るものは、エッチング処理によってセラミック基体の表
面に凹凸を形成する際に、セラミック基体の種類によっ
ては、この凹凸を形成するのが困難であり、例えば、セ
ラミック基体が単一結晶相からなる場合には、結晶粒界
等の、セラミック基体の表面のある一部のみをエッチン
グしようとしても、セラミック基体表面全体が均等にエ
ッチングされてしまい、凹凸形状を形成することができ
ないために、メッキ処理を行ってもメッキ層をセラミッ
ク基体表面にアンカー状に噛み込ませることができず、
電極層の密着強度が低下してしまい汎用性に欠けるとい
う問題点を有していた。
However, in the above-mentioned conventional structure, the method using the metal paste coating method has a problem that a large variation occurs in the electrode thickness, the yield is lowered, and the productivity is lowered. Further, with the plating method, it is difficult to form the unevenness depending on the type of the ceramic substrate when the unevenness is formed on the surface of the ceramic substrate by the etching treatment. In the case of, even if an attempt is made to etch only a part of the surface of the ceramic base such as a grain boundary, the entire surface of the ceramic base is uniformly etched, and the uneven shape cannot be formed. Even if the plating process is performed, the plating layer cannot be caught in the ceramic substrate surface in an anchor shape,
There is a problem in that the adhesion strength of the electrode layer is reduced and the versatility is lacking.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、電極厚みのバラツキをなくすことができ歩留りが高
く生産性に優れ、セラミック基材の種類によらず高い密
着強度で電極を形成することができる汎用性に優れたセ
ラミック電子部品の電極形成方法を提供することを目的
とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. It is possible to eliminate variations in electrode thickness, yield is high and productivity is high, and electrodes are formed with high adhesion strength regardless of the type of ceramic substrate. It is an object of the present invention to provide a method of forming an electrode for a ceramic electronic component, which has excellent versatility.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項1に記載されたセラミック電子部品の
電極形成方法は、一般的なセラミックスよりなるセラミ
ック基体にエッチングが容易なセラミックスよりなるセ
ラミック皮膜を形成する工程と、形成されたセラミック
皮膜をエッチング処理する工程と、エッチング処理され
たセラミック皮膜上に電極をメッキによって形成する工
程と、を備えた構成を有しており、請求項2に記載され
たセラミック電子部品の電極形成方法は、一般的なセラ
ミックスよりなるセラミック基体の焼結完了前にセラミ
ック基体の表面にエッチングが容易なセラミックスより
なるセラミック皮膜を形成する工程と、形成されたセラ
ミック皮膜をエッチングにより除去する工程と、露出し
たセラミック基体の表面に電極をメッキによって形成す
る工程と、を備えた構成を有している。
In order to achieve this object, an electrode forming method for a ceramic electronic component according to a first aspect of the present invention is directed to a ceramic substrate made of general ceramics rather than ceramics which is easily etched. And a step of etching the formed ceramic coating, and a step of forming an electrode on the etched ceramic coating by plating. The method for forming an electrode of a ceramic electronic component described in No. 2 includes a step of forming a ceramic film made of easily-etched ceramic on the surface of the ceramic base before the completion of sintering of the ceramic base made of general ceramics. The exposed ceramic base by etching It has a step of forming an electrode by plating on the surface, the configuration with.

【0009】ここで、エッチングが容易なセラミックス
としては、チタン酸バリウム等の多相系の結晶相をもつ
もの等が好適に用いられる。また、エッチング方法とし
ては、一般的な化学エッチング等が好適に用いられる。
また、メッキ方法としては、無電解メッキ,無電解メッ
キと電気メッキの併用等が好適に用いられる。
Here, as the ceramics which can be easily etched, those having a multi-phase crystal phase such as barium titanate are preferably used. Further, as the etching method, general chemical etching or the like is preferably used.
As the plating method, electroless plating, a combination of electroless plating and electroplating, or the like is preferably used.

【0010】[0010]

【作用】この構成によって、セラミック基体がエッチン
グによって表面に凹凸を形成することが難しいセラミッ
クスでできている場合であっても、このセラミック基体
上に、エッチングによる凹凸の形成が容易なセラミック
スよりなるセラミック皮膜を形成し、このセラミック皮
膜をエッチング処理して、このセラミック皮膜上にメッ
キによって電極を形成することによって、電極層がこの
セラミック皮膜上の凹凸部にアンカー状に噛み込むとと
もに、セラミック基体とセラミック皮膜とが化学的に結
合しているために、電極層がセラミック皮膜を介してセ
ラミック基体に強固に密着して、セラミック基体の材質
に関わらず強固な電極を形成することができる。また、
電極をメッキで形成することによって、電極厚みのバラ
ツキを容易になくすことができ、歩留りを向上させるこ
とができる。また、このセラミック基体の焼結完了前
に、セラミック基体上にエッチングが容易なセラミック
スよりなるセラミック皮膜を形成し、このセラミック皮
膜をエッチングにより完全に除去して、ここで露出した
セラミック基体の表面にメッキによって電極を形成する
ことによって、セラミック基体上にセラミック皮膜を形
成した際に、これらの結合部では2つのセラミック界面
がセラミックスの結晶粒レベルで化学的に相互にかみ合
い、セラミック皮膜を除去した時に、セラミック基体表
面に結晶粒サイズまたはそれ以下の凹凸部が形成され
て、ここに電極層がアンカー状に噛み込むために、セラ
ミック基体上に直接電極を形成することができ、セラミ
ック電子部品の特性を劣化させることなくセラミック基
体上に電極を強固に形成することができる。
With this configuration, even if the ceramic substrate is made of ceramics that are difficult to form irregularities on the surface by etching, the ceramics that is easy to form irregularities on the ceramic substrate by etching By forming a film, etching the ceramic film, and forming an electrode on the ceramic film by plating, the electrode layer bites into the irregularities on the ceramic film in an anchor-like manner, and the ceramic base and the ceramic Since the film and the film are chemically bonded, the electrode layer is firmly adhered to the ceramic substrate through the ceramic film, and a strong electrode can be formed regardless of the material of the ceramic substrate. Also,
By forming the electrodes by plating, it is possible to easily eliminate variations in the electrode thickness and improve the yield. Before the completion of the sintering of the ceramic substrate, a ceramic film made of ceramics that can be easily etched is formed on the ceramic substrate, and the ceramic film is completely removed by etching, and the exposed surface of the ceramic substrate is exposed. When a ceramic coating is formed on a ceramic substrate by forming electrodes by plating, two ceramic interfaces at these joints chemically interlock with each other at the crystal grain level of the ceramic, and when the ceramic coating is removed. , An uneven portion having a crystal grain size or smaller is formed on the surface of the ceramic substrate, and the electrode layer is bitten in an anchor shape there, so that the electrode can be directly formed on the ceramic substrate, and the characteristics of the ceramic electronic component can be improved. It is possible to firmly form an electrode on a ceramic substrate without degrading Kill.

【0011】[0011]

【実施例】(実施例1)以下本発明の第1の実施例にお
けるセラミック電子部品の電極形成方法について、図面
を参照しながら説明する。図1(a)は本発明の第1の
実施例におけるセラミック電子部品の電極形成方法の説
明に用いたエッチングによる凹凸の形成が容易なセラミ
ックスのエッチング表面の要部断面図であり、図1
(b)は本発明の第1の実施例におけるセラミック電子
部品の電極形成方法の説明に用いたエッチングによる凹
凸の形成が困難なセラミックスのエッチング表面の要部
断面図である。1a,1bはセラミックスの結晶粒、2
a,2bは結晶粒1a,1bの境界を示す結晶粒界、3
aはセラミックスの表面に開口している開いた結晶粒
界、A,Bはエッチング処理された面を示すエッチング
表面である。
EXAMPLE 1 A method for forming an electrode of a ceramic electronic component according to a first example of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a cross-sectional view of a main part of an etching surface of ceramics, which is used for explaining an electrode forming method of a ceramic electronic component according to the first embodiment of the present invention and in which unevenness can be easily formed by etching.
FIG. 3B is a cross-sectional view of a main part of an etching surface of ceramics, which is difficult to form unevenness by etching, which is used for explaining the electrode forming method of the ceramic electronic component in the first embodiment of the present invention. 1a and 1b are ceramic crystal grains, 2
a and 2b are crystal grain boundaries indicating the boundaries between the crystal grains 1a and 1b, 3
Reference symbol a is an open crystal grain boundary that is open on the surface of the ceramics, and reference symbols A and B are etching surfaces indicating the etched surfaces.

【0012】図1(a)に示すように、多晶系の結晶相
をもつセラミックス等にエッチング処理を行うと、結晶
粒界2a部分のみが選択的にエッチングされて、開いた
結晶粒界3aが形成される。このエッチング表面Aにメ
ッキを行うと、エッチング表面A付近の結晶粒を包みこ
むようにメッキが形成されて、電極(図示せず)の密着
強度が向上する。ところが、図1(b)に示すように、
単一結晶相からなるセラミックス等にエッチング処理を
行うと、結晶粒1bと結晶粒界2bとが均等にエッチン
グされてしまい、開いた結晶粒晶(図示せず)が形成さ
れないために、メッキを行ってもメッキがセラミックス
内部に噛み込むことができず、電極(図示せず)の密着
強度が低下していた。そこで、図1(b)に示すような
セラミックスからなるセラミック基体(図示せず)上に
予め図1(a)に示すようなセラミックスからなるセラ
ミック皮膜(図示せず)を形成し、これをエッチング処
理・メッキ処理することによって、セラミック基体(図
示せず)上にセラミック皮膜(図示せず)を介して電極
(図示せず)を形成する。
As shown in FIG. 1A, when ceramics having a polycrystalline crystal phase or the like is subjected to an etching treatment, only the crystal grain boundaries 2a are selectively etched to open crystal grain boundaries 3a. Is formed. When the etching surface A is plated, the plating is formed so as to enclose the crystal grains near the etching surface A, and the adhesion strength of the electrode (not shown) is improved. However, as shown in FIG.
When ceramics or the like composed of a single crystal phase is subjected to an etching treatment, the crystal grains 1b and the crystal grain boundaries 2b are evenly etched and an open crystal grain crystal (not shown) is not formed. Even if it was done, the plating could not be caught inside the ceramic, and the adhesion strength of the electrode (not shown) was lowered. Therefore, a ceramic film (not shown) made of ceramics as shown in FIG. 1A is previously formed on a ceramic substrate (not shown) made of ceramics as shown in FIG. 1B, and this is etched. An electrode (not shown) is formed on the ceramic substrate (not shown) through a ceramic film (not shown) by the treatment / plating treatment.

【0013】以上のように構成された本発明の第1の実
施例におけるセラミック電子部品の電極形成方法を用い
たセラミック電子部品について、以下その製造方法につ
いて説明する。初めに、Ti−Zr−Sn−O系セラミ
ック原料をボールミルで粉砕・乾燥後、800Kg/cm2
で成形し、1100℃〜 1200℃の炉中で仮焼して
成形体を作製する。一方、予め1200℃で仮焼成した
Ba−Ti−O系のセラミック原料粉末をボールミルで
アルコール溶媒と共に粉砕して、スラリーを作製する。
次に、成形体の表面に、このスラリーを塗布する。ここ
で、スラリーの塗布量はあまり多くせず、成形体の表面
全体を覆うことができる程度に抑える。これは、塗布量
が多すぎると、セラミック基体となる成形体そのものと
スラリーが深く反応し、セラミック基体そのものの特性
を変えてしまう恐れがあるためである。次に、スラリー
を塗布した成形体を1350℃の炉中で焼成して、セラ
ミック皮膜を有するセラミック基体を作製する。次に、
このセラミック基体を酸性フッ化アンモン溶液及び硝酸
溶液でエッチングする。次に、センシタイジング・アク
チベーティングの前処理後、無電解銅メッキ処理し、更
に電気銅メッキ処理して、電極を形成し、セラミック電
子部品を完成させる。ここで、電極厚みは5μm〜8μ
mとする。
A method of manufacturing a ceramic electronic component using the electrode forming method of the ceramic electronic component according to the first embodiment of the present invention constructed as above will be described below. First, Ti-Zr-Sn-O ceramic raw material is crushed and dried by a ball mill, and then 800 kg / cm 2
And then calcining in a furnace at 1100 ° C to 1200 ° C to produce a molded body. On the other hand, a Ba—Ti—O-based ceramic raw material powder preliminarily calcined at 1200 ° C. is crushed with an alcohol solvent in a ball mill to prepare a slurry.
Next, this slurry is applied to the surface of the molded body. Here, the coating amount of the slurry is not increased so much that the entire surface of the molded body can be covered. This is because if the coating amount is too large, there is a risk that the compact itself, which will become the ceramic substrate, and the slurry will deeply react, changing the characteristics of the ceramic substrate itself. Next, the formed body coated with the slurry is fired in a furnace at 1350 ° C. to produce a ceramic substrate having a ceramic coating. next,
The ceramic substrate is etched with an acidic ammonium fluoride solution and a nitric acid solution. Next, after pretreatment for sensitizing and activating, electroless copper plating is performed, and then electrolytic copper plating is performed to form electrodes to complete the ceramic electronic component. Here, the electrode thickness is 5 μm to 8 μm.
m.

【0014】以上のように製造される本発明の第1の実
施例におけるセラミック電子部品の電極形成方法を用い
たセラミック電子部品と、従来のセラミック電子部品の
電極形成方法を用いたセラミック電子部品について性能
比較試験を行った。以下その結果について説明する。
The ceramic electronic component manufactured by the above-described method according to the first embodiment of the present invention, which uses the electrode forming method of the ceramic electronic component, and the conventional ceramic electronic component, which uses the electrode forming method of the ceramic electronic component, A performance comparison test was conducted. The results will be described below.

【0015】(実験例1)本発明の第1の実施例におけ
るセラミック電子部品の電極形成方法を用いたセラミッ
ク電子部品を作製し、その電極の3mm平方の面を引っ張
った時の電極密着強度を測定した。その結果を(表1)
に示す。
(Experimental Example 1) A ceramic electronic component was manufactured using the method for forming an electrode of a ceramic electronic component according to the first embodiment of the present invention, and the electrode adhesion strength was measured when the 3 mm square surface of the electrode was pulled. It was measured. The results (Table 1)
Shown in.

【0016】[0016]

【表1】 [Table 1]

【0017】(比較例1)成形体にスラリーを塗布せず
に焼成した他は、実験例1と同様にしてセラミック電子
部品を作製し、電極密着強度を測定した。その結果を
(表1)に示す。
(Comparative Example 1) A ceramic electronic component was prepared in the same manner as in Experimental Example 1 except that the compact was fired without applying the slurry, and the electrode adhesion strength was measured. The results are shown in (Table 1).

【0018】(比較例2)成形体をBa−Ti−O系セ
ラミック原料を用いて作製した他は、比較例1と同様に
してセラミック電子部品を作製し、電極密着強度を測定
した。その結果を(表1)に示す。
(Comparative Example 2) A ceramic electronic component was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that a molded body was prepared using Ba-Ti-O ceramic raw material, and the electrode adhesion strength was measured. The results are shown in (Table 1).

【0019】(比較例3)成形体にTi−Zr−Sn−
O系セラミック原料からなるスラリーを塗布して焼成し
た他は、比較例2と同様にしてセラミック電子品を製造
し、電極密着強度を測定した。その結果を(表1)に示
す。
(Comparative Example 3) Ti-Zr-Sn-
A ceramic electronic product was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2 except that the slurry containing the O-based ceramic raw material was applied and fired, and the electrode adhesion strength was measured. The results are shown in (Table 1).

【0020】(表1)から明らかなように、比較例1に
示すようにTi−Zr−Sn−O系セラミックス単独で
は電極密着強度が弱いのに対して、実験例1はBa−T
i−O系セラミックス単独と同等以上の電極密着強度を
有することがわかる。
As is clear from Table 1, as shown in Comparative Example 1, the Ti-Zr-Sn-O ceramics alone have a weak electrode adhesion strength, while Experimental Example 1 has Ba-T.
It can be seen that the electrode adhesion strength is equal to or higher than that of the i-O ceramics alone.

【0021】以上のように本実施例によれば、セラミッ
ク基体表面にセラミック皮膜を形成し、このセラミック
皮膜をエッチングして、メッキを行うことによって、エ
ッチングによって凹凸を形成するのが難しいセラミック
スからなるセラミック基体上に、強固に電極を形成する
ことができる。
As described above, according to this embodiment, a ceramic coating is formed on the surface of the ceramic substrate, and the ceramic coating is etched and plated to make it difficult to form irregularities by etching. The electrodes can be firmly formed on the ceramic substrate.

【0022】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
おけるセラミック電子部品の電極形成方法について説明
する。電極をセラミック皮膜を介してセラミック基体上
に形成すると、このセラミック皮膜の影響によってセラ
ミック電子部品の特性が劣化することがある。そこで、
セラミック基体の焼結前にセラミック皮膜を形成し、こ
のセラミック皮膜をエッチングによって完全に除去し、
セラミック皮膜形成時に凹凸状になっているセラミック
基体の表面を露出させ、この上にメッキによって電極を
形成することで、電極を直接セラミック基体に密着させ
て、セラミック電子部品の特性を向上させる。
(Embodiment 2) A method for forming electrodes of a ceramic electronic component according to a second embodiment of the present invention will be described below. When the electrode is formed on the ceramic substrate via the ceramic coating, the characteristics of the ceramic electronic component may deteriorate due to the influence of the ceramic coating. Therefore,
A ceramic coating is formed before sintering the ceramic substrate, and the ceramic coating is completely removed by etching,
By exposing the surface of the ceramic base which is uneven during the formation of the ceramic film and forming the electrode by plating on the surface, the electrode is directly adhered to the ceramic base and the characteristics of the ceramic electronic component are improved.

【0023】以上のように構成された本発明の第2の実
施例におけるセラミック電子部品の電極形成方法を用い
たセラミック電子部品について、以下その製造方法を説
明する。初めに、Ba−Ti−O系セラミック原料をボ
ールミルで粉砕・乾燥後、幅5mm,内径1mm,高さ6mm
の同軸型成型体を作成し、1350℃の炉中で焼成し
て、焼成体を作製する。一方、予め1200℃で仮焼成
したBa−Ti−Nd−O系セラミック原料粉末を、ほ
う素系ガラス粉末を添加したアルコール溶媒と共にボー
ルミルで粉砕してスラリーを作製する。次に、焼成体の
表面にこのスラリーを塗布し、950℃〜1200℃の
炉中で再焼成する。次に、この再焼成体を酸性フッ化ア
ンモンと硝酸の5〜30%溶液により、セラミック皮膜
がなくなるまで1時間〜2時間エッチング放置する。次
に、センシタイジング・アクチベーティングの前処理
後、無電解銅メッキ処理し、更に電気銅メッキ処理し
て、電極を形成する。次に、電極を所定形状に加工し
て、セラミック電子部品の一つであるマイクロ波共振器
を作製する。
A method of manufacturing a ceramic electronic component using the electrode forming method of the ceramic electronic component according to the second embodiment of the present invention configured as described above will be described below. First, after crushing and drying the Ba-Ti-O ceramic raw material with a ball mill, the width is 5 mm, the inner diameter is 1 mm, and the height is 6 mm.
The coaxial molded body of 1 is prepared and fired in a furnace at 1350 ° C. to prepare a fired body. On the other hand, Ba-Ti-Nd-O based ceramic raw material powder preliminarily calcined at 1200 ° C is pulverized with a ball mill together with an alcohol solvent to which a boron based glass powder is added to prepare a slurry. Next, the slurry is applied to the surface of the fired body and refired in a furnace at 950 ° C to 1200 ° C. Next, this re-fired body is left to etch with a 5-30% solution of acidic ammonium fluoride and nitric acid for 1 to 2 hours until the ceramic film disappears. Next, after pretreatment for sensitizing and activating, electroless copper plating is performed, and then electrolytic copper plating is performed to form an electrode. Next, the electrodes are processed into a predetermined shape to produce a microwave resonator, which is one of the ceramic electronic components.

【0024】以上のように作製される本発明の第2の実
施例におけるセラミック電子部品の電極形成方法を用い
たセラミック電子部品と、従来のセラミック電子部品の
電極形成方法を用いたセラミック電子部品について性能
比較試験を行った。以下その結果について説明する。
A ceramic electronic component manufactured by the above-described method according to the second embodiment of the present invention, which uses the electrode forming method for the ceramic electronic component, and a ceramic electronic component, which uses the conventional electrode forming method for the ceramic electronic component, A performance comparison test was conducted. The results will be described below.

【0025】(実験例2)本発明の第2の実施例におけ
るセラミック電子部品の電極形成方法を用いたセラミッ
ク電子部品を作製し、その電極の3mm平方の面を引っ張
った時の電極密着強度と、マイクロ波における無負荷Q
値を測定した。その結果を(表2)に示す。
(Experimental Example 2) A ceramic electronic component was manufactured by using the method for forming an electrode of a ceramic electronic component according to the second embodiment of the present invention, and the electrode adhesion strength when the 3 mm square surface of the electrode was pulled , Unloaded Q in microwave
The value was measured. The results are shown in (Table 2).

【0026】[0026]

【表2】 [Table 2]

【0027】(比較例4)エッチング時間を30分間と
し、セラミック皮膜を一部残して、その上に電極を形成
した他は、実施例2と同様にしてセラミック電子部品を
製造し、電極密着強度及び無負荷Q値を測定した。その
結果を(表2)に示す。
(Comparative Example 4) A ceramic electronic component was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the etching time was 30 minutes, a part of the ceramic film was left and an electrode was formed on the ceramic film, and the electrode adhesion strength was measured. And the unloaded Q value was measured. The results are shown in (Table 2).

【0028】(比較例5)1350℃での焼成後、スラ
リーの塗布及び再焼成を行わずに直接エッチングをした
他は、実験例2と同様にしてセラミック電子部品を製造
し、電極密着強度及び無負荷Q値を測定した。その結果
を(表2)に示す。
(Comparative Example 5) A ceramic electronic component was manufactured in the same manner as in Experimental Example 2 except that after the baking at 1350 ° C, the slurry was not applied and the baking was not performed again, the ceramic electronic component was manufactured and the electrode adhesion strength and The unloaded Q value was measured. The results are shown in (Table 2).

【0029】(表2)から明らかなように、実験例2
は、セラミック皮膜を一部残した比較例4に対して、無
負荷Qが著しく向上していることがわかる。また、直接
エッチングをして電極を形成した比較例5に対して、電
極密着強度が向上していることがわかる。ここで、比較
例4と比較例5はエッチング条件が異なり、面粗さが異
なるために、密着強度が大きく異なっている。
As is clear from (Table 2), Experimental Example 2
Shows that the unloaded Q is remarkably improved as compared with Comparative Example 4 in which the ceramic coating is partially left. Further, it can be seen that the electrode adhesion strength is improved as compared with Comparative Example 5 in which the electrodes are formed by direct etching. Here, Comparative Example 4 and Comparative Example 5 have different etching conditions and different surface roughness, so that the adhesion strength is greatly different.

【0030】以上のように本実施例によれば、セラミッ
ク基体上にセラミック皮膜を形成し、このセラミック皮
膜をエッチングによって除去して、セラミック皮膜形成
時に凹凸形状となったセラミック基体表面を露出させ、
ここにメッキ処理で電極を形成することによって、セラ
ミック電子部品の特性を向上させることができる。
As described above, according to this embodiment, a ceramic film is formed on a ceramic substrate, and the ceramic film is removed by etching to expose the surface of the ceramic substrate having an irregular shape when the ceramic film is formed.
By forming an electrode here by plating, the characteristics of the ceramic electronic component can be improved.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明は、セラミック基体
がエッチングによって表面に凹凸を形成することが難し
いセラミックスでできている場合であっても、このセラ
ミック基体上に、エッチングによる凹凸の形成が容易な
セラミックスよりなるセラミック皮膜を形成し、このセ
ラミック皮膜をエッチング処理して、このセラミック皮
膜上にメッキによって電極を形成することによって、電
極層がこのセラミック皮膜上の凹凸部にアンカー状に噛
み込むとともに、セラミック基体とセラミック皮膜とが
化学的に結合しているために、電極層がセラミック皮膜
を介してセラミック基体に強固に密着して、セラミック
基体の材質に関わらず強固な電極を形成することができ
汎用性に優れ、電極をメッキにより形成することによっ
て、電極厚みのバラツキを容易になくすことができ、歩
留りを向上させることができ生産性に優れ、このセラミ
ック基体の焼結完了前に、セラミック基体上にエッチン
グが容易なセラミックスよりなるセラミック皮膜を形成
し、このセラミック皮膜をエッチングにより完全に除去
して、ここで露出したセラミック基体の表面にメッキに
よって電極を形成することによって、セラミック基体上
にセラミック皮膜を形成した際に、これらの結合部では
2つのセラミック界面がセラミックスの結晶粒レベルで
化学的に相互にかみ合い、セラミック皮膜を除去した時
にセラミック基体表面に結晶粒サイズまたはそれ以下の
凹凸部が形成されて、ここに電極層がアンカー状に噛み
込むために、セラミック基体上に直接電極を形成するこ
とができ、セラミック電子部品の特性を劣化させること
なくセラミック基体上に電極を強固に形成することがで
きる信頼性に優れたセラミック電子部品の電極形成方法
を実現できるものである。
As described above, according to the present invention, even when the ceramic substrate is made of ceramics which are difficult to form irregularities on the surface by etching, the irregularities can be formed on the ceramic substrate by etching. By forming a ceramic film made of easy ceramics, etching this ceramic film, and forming electrodes by plating on this ceramic film, the electrode layer bites into the irregularities on this ceramic film in an anchor-like manner. At the same time, since the ceramic base and the ceramic coating are chemically bonded, the electrode layer firmly adheres to the ceramic base through the ceramic coating to form a strong electrode regardless of the material of the ceramic base. It has excellent versatility and the electrode thickness can be controlled by forming the electrode by plating. It is possible to easily remove scratches, improve yield, and have excellent productivity. Before completion of sintering of this ceramic substrate, a ceramic film made of ceramics that is easy to etch is formed on the ceramic substrate. When the ceramic coating is formed on the ceramic substrate by completely removing the coating by etching and forming an electrode on the surface of the ceramic substrate exposed here by plating, two ceramic interfaces are formed at these joints. Chemically mesh with each other at the crystal grain level of ceramics, and when the ceramic coating is removed, irregularities of crystal grain size or smaller are formed on the surface of the ceramic substrate, and the electrode layer is bitten in an anchor shape there, Electrodes can be formed directly on the ceramic substrate, and the characteristics of ceramic electronic components can be improved. Excellent electrode forming method of a ceramic electronic component reliability electrodes on the ceramic substrate can be firmly formed without degrading in which can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明の第1の実施例におけるセラミ
ック電子部品の電極形成方法の説明に用いたエッチング
による凹凸の形成が容易なセラミックスのエッチング表
面の要部断面図 (b)は本発明の第1の実施例におけるセラミック電子
部品の電極形成方法の説明に用いたエッチングによる凹
凸の形成が困難なセラミックスのエッチング表面の要部
断面図
FIG. 1 (a) is a cross-sectional view of a main part of an etching surface of ceramics, which is used for explaining an electrode forming method of a ceramic electronic component in the first embodiment of the present invention and in which unevenness can be easily formed by etching. A cross-sectional view of an essential part of an etching surface of a ceramic, which is difficult to form irregularities by etching, which is used for explaining the electrode forming method of the ceramic electronic component in the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b 結晶粒 2a,2b 結晶粒界 3a 開いた結晶粒界 A,B エッチング表面 1a, 1b crystal grain 2a, 2b crystal grain boundary 3a open crystal grain boundary A, B etching surface

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般的なセラミックスよりなるセラミック
基体にエッチングが容易なセラミックスよりなるセラミ
ック皮膜を形成する工程と、前記工程で形成された前記
セラミック皮膜をエッチング処理する工程と、前記工程
でエッチング処理された前記セラミック皮膜上に電極を
メッキによって形成する工程と、を備えたことを特徴と
するセラミック電子部品の電極形成方法。
1. A step of forming a ceramic coating made of ceramics which is easy to etch on a ceramic substrate made of general ceramics, a step of etching the ceramic coating formed in the step, and an etching treatment in the step. And a step of forming an electrode on the formed ceramic film by plating, the method for forming an electrode of a ceramic electronic component.
【請求項2】一般的なセラミックスよりなるセラミック
基体の焼結完了前に前記セラミック基体の表面にエッチ
ングが容易なセラミックスよりなるセラミック皮膜を形
成する工程と、前記工程で形成された前記セラミック皮
膜をエッチングにより除去する工程と、前記工程で露出
した前記セラミック基体の表面に電極をメッキによって
形成する工程と、を備えたことを特徴とするセラミック
電子部品の電極形成方法。
2. A step of forming a ceramic coating made of ceramics which can be easily etched on the surface of the ceramic base before the completion of sintering of the ceramic base made of general ceramics, and the ceramic coating formed in the step. A method of forming an electrode of a ceramic electronic component, comprising: a step of removing by etching; and a step of forming an electrode on the surface of the ceramic substrate exposed in the step by plating.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220997A (en) * 2006-02-17 2007-08-30 Tdk Corp Ceramic electronic component and method of manufacturing same

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