JPH0764490A - Light emitting display element - Google Patents

Light emitting display element

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JPH0764490A
JPH0764490A JP5216530A JP21653093A JPH0764490A JP H0764490 A JPH0764490 A JP H0764490A JP 5216530 A JP5216530 A JP 5216530A JP 21653093 A JP21653093 A JP 21653093A JP H0764490 A JPH0764490 A JP H0764490A
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JP
Japan
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electrode layer
layer
cell
upper electrode
voltage
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JP5216530A
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Japanese (ja)
Inventor
Uei Uei
ウェイ ウェイ
Hiroshi Maruyama
博 丸山
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To drive a light emission display element by relatively low voltage and improve its accuracy as a coloring or display element by providing a light emitting element for emitting light by means of electrons discharged from a strong dielectric by impressing alternating voltage. CONSTITUTION:A lower electrode layer 3, a strong dielectric layer 4, and an upper electrode layer 5 are laminated on the surface of the base plate 2 in a cell 1. A phospher layer 7 is formed inside the glass cell 6 opposite to the upper electrode layer 5 in the cell 1. When alternating pulse voltage is impressed on the lower electrode layer 3 from an electric power supply 8, remaneuce of the strong dielectric is inverted in the strong dielectric layer 4, and a strong electric field is generated accompanying this. When the strong electric field is impressed on the strong dielectric, electrons in the strong dielectric are drawn out by the upper electrode layer 5 following to a tunnel effect, and discharged outward. The phospher emits a light by radiating the electrons discharged from the upper electrode layer 5 to the phospher.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体薄膜を用いた
新規な発光表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel light emitting display device using a ferroelectric thin film.

【0002】[0002]

【従来技術】従来より、発光表示素子として、例えば、
封入ガスの放電により発生する紫外線で蛍光体を励起
し、放出された3原色を光源としてなるプラズマディス
プレー、加熱されたフィラメント表面から出た熱電子を
加速制御し、蛍光体に照射させ発光させる蛍光表示管、
発光中心物質をドープされた半導体母体に高電場を印加
する半導体の高電場発光を利用するEL(エレクトロル
ミネッセンス)ディスプレー等が挙げられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a light emitting display element, for example,
Fluorescence that excites the phosphor by ultraviolet rays generated by the discharge of the enclosed gas, plasma display that uses the emitted three primary colors as a light source, and accelerates and controls the thermoelectrons emitted from the heated filament surface to irradiate the phosphor to emit light. Display tube,
An EL (electroluminescence) display utilizing high electric field light emission of a semiconductor in which a high electric field is applied to a semiconductor base material doped with an emission center substance can be cited.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、従来
から知られる上記発光表示素子は発光輝度、寿命、カラ
ー化、大面積などの実用特性において、それぞれの長短
がある。即ち、プラズマディスプレーは、カラー化が可
能であるが、250V以上の高い駆動電力を必要とし、
蛍光表示管は、150V以下の低い電力で駆動されるも
のの、精細化が難しく、ELディスプレーも250V以
下の低電圧で駆動されるものの、カラー化や表示素子の
大面積化が困難であるなどの問題がある。
However, the above-described conventionally known light emitting display elements have respective merits and demerits in practical characteristics such as light emission luminance, life, colorization, and large area. That is, the plasma display can be colored, but requires high driving power of 250 V or more,
The fluorescent display tube is driven by a low electric power of 150 V or less, but it is difficult to make it fine, and the EL display is also driven by a low voltage of 250 V or less, but it is difficult to colorize and increase the area of the display element. There's a problem.

【0004】本発明は、比較的低電圧で駆動可能であ
り、カラー化や表示素子として精細化が可能な新規発光
表示素子を提供することを目的とするものである。
It is an object of the present invention to provide a novel light emitting display device which can be driven at a relatively low voltage and which can be made into a color display or a fine display device.

【0005】[0005]

【問題点を解決するための手段】本発明者らは、表示素
子に使用される発光素子について検討を重ねた結果、強
誘電体に対して交番電圧を印加すると、強誘電体の残留
分極が反転し強電界が生じ、これにより電界電子の放出
が生じる現象に着目し、強誘電体と、該強誘電体に交番
電圧を印加するための電極と、該交番電圧の印加により
前記強誘電体より放出された電子により発光する蛍光体
とを具備したセルを複数個配列させたものを発光表示素
子として使用することにより、上記目的が達成されるこ
とを見出した。
As a result of repeated studies of light emitting elements used for display elements, the present inventors have found that when an alternating voltage is applied to the ferroelectric substance, the remanent polarization of the ferroelectric substance is reduced. Focusing on the phenomenon that a strong electric field is generated due to the reversal and the emission of electric field electrons is observed, a ferroelectric substance, an electrode for applying an alternating voltage to the ferroelectric substance, and the ferroelectric substance by applying the alternating voltage It has been found that the above object can be achieved by using, as a light emitting display element, an array of a plurality of cells each including a phosphor that emits light by the emitted electrons.

【0006】以下、本発明の発光表示素子の構造を図面
を参照しながら説明する。本発明の発光表示素子は、複
数のセルの集合体により構成されるものであるが、その
単セルの代表的な構造を図1に示した。セル1内におい
て、基板2の表面には、下部電極層3と強誘電体層4と
上部電極層5が順次積層されている。また、セル1内の
上部電極層5の対向するガラスセル6の内側には蛍光体
層7が形成されている。さらに、下部電極層3は電源8
に接続され、上部電極層5はアース(接地)に接続さ
れ、さらに好適には蛍光体層7の背面にはバイアス電極
9が形成されている。セル内は約10-2torr以下の
真空下に保持されている。また、この例では上部電極層
5は、編み目状(グリッド)電極から構成される。
The structure of the light emitting display device of the present invention will be described below with reference to the drawings. The light emitting display device of the present invention is composed of an assembly of a plurality of cells, and a typical structure of the single cell is shown in FIG. In the cell 1, the lower electrode layer 3, the ferroelectric layer 4, and the upper electrode layer 5 are sequentially laminated on the surface of the substrate 2. Further, a phosphor layer 7 is formed inside the glass cell 6 facing the upper electrode layer 5 in the cell 1. Further, the lower electrode layer 3 is a power source 8
The upper electrode layer 5 is connected to the ground (ground), and more preferably, the bias electrode 9 is formed on the back surface of the phosphor layer 7. The inside of the cell is kept under a vacuum of about 10 -2 torr or less. Further, in this example, the upper electrode layer 5 is composed of a mesh-shaped (grid) electrode.

【0007】かかる構成のセルにおいて、下部電極層3
に電源8により約50V以上の交番パルス電圧を印加す
ると、強誘電体層4内で強誘電体の残留分極が反転さ
れ、それに伴って強電界が生じる。強誘電体に対して1
7 V/cm以上の強電界を印加すると、トンネル効果
によって強誘電体中の電子が上部電極層5によって引き
出され、外界に放出される。これはいわゆる電界電子放
出現象である。そして上部電極層5から放出された電子
を蛍光体に照射することにより蛍光体を発光させること
ができる。
In the cell having the above structure, the lower electrode layer 3
When an alternating pulse voltage of about 50 V or more is applied to the power source 8, the remanent polarization of the ferroelectric substance is inverted in the ferroelectric layer 4, and a strong electric field is generated accordingly. 1 for ferroelectric
When a strong electric field of 0 7 V / cm or more is applied, the electrons in the ferroelectric substance are extracted by the upper electrode layer 5 by the tunnel effect and are emitted to the outside. This is a so-called field electron emission phenomenon. Then, the phosphor can be made to emit light by irradiating the phosphor with electrons emitted from the upper electrode layer 5.

【0008】また、上記構成において、バイアス電極9
には、10V以上の正のバイアス電圧が印加され、上部
電極層9より放出された電子を加速して蛍光体層7に到
達させることによって蛍光体層7の発光はさらに増大さ
れる。
In the above structure, the bias electrode 9
Is applied with a positive bias voltage of 10 V or more, and electrons emitted from the upper electrode layer 9 are accelerated to reach the phosphor layer 7, whereby the light emission of the phosphor layer 7 is further increased.

【0009】本発明によれば、蛍光体層7は、前記発光
のメカニズムに基づき、上部電極層5の強誘電体層4と
は反対側に形成されていることが必要であり、また、バ
イアス電極9を具備する場合には、蛍光体層7は、上部
電極層5とバイアス電極9間に配置させればよく、従っ
て、蛍光体層7は、前記のようにガラスセルの内面でな
くても、上部電極層5の上に直に形成されていてもよ
い。
According to the present invention, the phosphor layer 7 is required to be formed on the opposite side of the upper electrode layer 5 from the ferroelectric layer 4 based on the above-mentioned mechanism of light emission, and the bias is applied. When the electrode 9 is provided, the phosphor layer 7 may be disposed between the upper electrode layer 5 and the bias electrode 9, and therefore the phosphor layer 7 is not the inner surface of the glass cell as described above. Alternatively, it may be formed directly on the upper electrode layer 5.

【0010】本発明において、強誘電体層4は、具体的
には、Pb(ZrTi)O3 、(PbLa)(ZrT
i)O3 や、これらにNbなどのドーパンドを添加した
ものからなる複合酸化物により構成される。この強誘電
体層4は、厚みが5μm以下であることが低電圧で電界
電子放出させるうえで望ましい。また、これら下部電極
層3、上部電極層5およびバイアス電極9は白金(P
t)やAu,Alにより構成される。さらに、蛍光体層
7は、周知の蛍光体により構成よればよく、蛍光体の種
類を変えることにより任意の色に発光させることができ
る。例えば、蛍光体としてY2 SiO5 :Tb蛍光体を
用いることにより緑(G)、Y2 2 S:Eu蛍光体を
用いることにより赤(R)、ZnS:Clを用いること
により青(B)に発光させることができる。
In the present invention, the ferroelectric layer 4 is specifically made of Pb (ZrTi) O 3 , (PbLa) (ZrT).
i) It is composed of O 3 or a composite oxide composed of a compound obtained by adding a dopant such as Nb. It is desirable that the ferroelectric layer 4 has a thickness of 5 μm or less in order to cause field electron emission at a low voltage. The lower electrode layer 3, the upper electrode layer 5 and the bias electrode 9 are made of platinum (P
t), Au, Al. Further, the phosphor layer 7 may be made of a well-known phosphor, and can emit light of any color by changing the type of phosphor. For example, Y 2 SiO 5 : Tb phosphor is used as a phosphor for green (G), Y 2 O 2 S: Eu phosphor is used for red (R), and ZnS: Cl is used for blue (B). ) Can emit light.

【0011】本発明によれば、図1に示した単セルを図
2に示すように複数個マトリッス状に平面的に配列し
て、例えば、各セルの下部電極層3への交番電圧の印加
を制御手段10により、バイアス電極9への正電圧印加
を制御手段11により制御することにより、マトリック
ス内の任意の単セルを発光させることができる。即ち、
図4に示すようにバイアス電極の印加電圧により強誘電
体からの電界電子密度が異なるために、下部電極層3お
よびバイアス電圧に所定の電圧を同時に印加した時のみ
発光するように設定し、バイアス電極への印加電圧や強
誘電体への交番電圧の印加のON−OFF制御すれば所
定の単セルのみを発光させることができるのである。
According to the present invention, as shown in FIG. 2, the single cells shown in FIG. 1 are arranged in a matrix in a matrix form, and, for example, an alternating voltage is applied to the lower electrode layer 3 of each cell. The control means 10 controls the positive voltage application to the bias electrode 9 by the control means 11 so that any single cell in the matrix can emit light. That is,
As shown in FIG. 4, since the electric field electron density from the ferroelectric substance varies depending on the applied voltage to the bias electrode, the lower electrode layer 3 and the bias voltage are set to emit light only when a predetermined voltage is applied at the same time. By controlling ON-OFF of the voltage applied to the electrodes and the application of the alternating voltage to the ferroelectric, only a predetermined single cell can emit light.

【0012】また、本発明によれば、単セル1の蛍光体
層7を前述したように発光波長の異なる蛍光体に置き換
え、図3に示すように、赤(R)、緑(G)、青(B)
に発光する3つの単セルの集合体を単セグメント12と
し、その単セグメント12を複数配列することにより平
面型のカラー発光表示素子を作製することができる。
According to the present invention, the phosphor layer 7 of the single cell 1 is replaced with a phosphor having a different emission wavelength as described above, and as shown in FIG. 3, red (R), green (G), Blue (B)
A flat color light emitting display element can be manufactured by arranging a plurality of the single segments 12 by arranging a group of three single cells that emit light in a single segment 12.

【0013】[0013]

【作用】本発明の構成によれば、単セル中に強誘電体と
電極とを積層し、この電極に50V以上の比較的低電圧
の交番パルス電圧を印加することにより、強誘電体の電
界電子放出現象により、1.0A/cm2 程度の高い電
界電子密度で電子が放出される。この放出された電子に
より蛍光体を発光させる。さらに、本発明によれば、セ
ル内にバイアス電極を形成し、このバイアス電極に正の
電圧を印加することにより放出された電子を加速させ、
蛍光体の発光輝度を制御することができ、バイアス電圧
の印加電圧と強誘電体への印加電圧とを制御することに
より複数のセルのマトリックスからなる表示素子におい
て、任意の単セルの発光を制御することができる。
According to the structure of the present invention, a ferroelectric substance and an electrode are laminated in a single cell, and an alternating pulse voltage of a relatively low voltage of 50 V or more is applied to the electrode, whereby the electric field of the ferroelectric substance is increased. Due to the electron emission phenomenon, electrons are emitted at a high field electron density of about 1.0 A / cm 2 . The emitted electrons cause the phosphor to emit light. Further, according to the present invention, a bias electrode is formed in the cell, and a positive voltage is applied to the bias electrode to accelerate the emitted electrons,
The emission brightness of the phosphor can be controlled, and the emission of any single cell can be controlled in the display device including a matrix of a plurality of cells by controlling the applied voltage of the bias voltage and the applied voltage to the ferroelectric. can do.

【0014】なお、単セルを構成する前述したような層
構成は、いずれも薄膜法などにより形成することができ
るために、積層構造体の薄膜化とともにセルの小型化が
できるために、表示素子の精細化とともに平面で薄型の
表示素子を作製することができる。また、蛍光体層の種
類を変えることにより、容易にカラー化でき、各種の表
示素子として多用化することができる。
In addition, since the above-mentioned layer structure constituting the single cell can be formed by a thin film method or the like, the laminated structure can be thinned and the cell can be miniaturized. It is possible to manufacture a flat and thin display element as well as the definition. In addition, by changing the type of the phosphor layer, it is possible to easily color the phosphor layer, and it can be widely used as various display elements.

【0015】[0015]

【実施例】【Example】

実施例1 PbZrTiO3 (PZT)の強誘電体を用いて具体的
に説明する。まず、絶縁体基板2の表面にスパッタ法に
より、Ptからなる下部電極層3を0.3μmの厚みで
形成した。そして、Pt下部電極層3上にスピンコーテ
ィング法を用いてPZTのゾルゲル液を塗布し、乾燥し
た後に700℃、2時間で結晶化させ、目標の膜厚にな
るまで上述の成膜プロセスを数回繰り返し、3μmの膜
厚のPZT(Zr/Tiモル比=65/35)固溶体か
らなる強誘電体層4を形成した。この強誘電体層4は、
20μm/cm2 以上の残留分極と100kv/cm以
下の抗電界の強誘電特性を有するものであった。そし
て、この強誘電体層4の上に、スパッタ法を用いてPt
の上部電極層5を形成した。さらに、図1に示したよう
に、ガラスセル6の内面にスパッタ蒸着によりITO透
明電極(バイアス電極)9を0.5μmの厚みで形成
し、さらに透明電極9上にスクリーン印刷によりY2
iO5 :Tb蛍光体層7を厚さ5μmに形成した。な
お、セル内は10-4torrの真空状態とし、図1のよ
うに電気的接続を行った。
Example 1 A specific explanation will be given using a ferroelectric substance of PbZrTiO 3 (PZT). First, the lower electrode layer 3 made of Pt was formed to a thickness of 0.3 μm on the surface of the insulating substrate 2 by the sputtering method. Then, a PZT sol-gel solution is applied onto the Pt lower electrode layer 3 by a spin coating method, dried and then crystallized at 700 ° C. for 2 hours, and the above-described film forming process is repeated until a target film thickness is obtained. Repeated times, a ferroelectric layer 4 made of PZT (Zr / Ti molar ratio = 65/35) solid solution having a film thickness of 3 μm was formed. This ferroelectric layer 4 is
It had a remanent polarization of 20 μm / cm 2 or more and a ferroelectric property of a coercive electric field of 100 kv / cm or less. Then, Pt is deposited on the ferroelectric layer 4 by the sputtering method.
The upper electrode layer 5 was formed. Further, as shown in FIG. 1, an ITO transparent electrode (bias electrode) 9 having a thickness of 0.5 μm is formed on the inner surface of the glass cell 6 by sputter deposition, and Y 2 S is formed on the transparent electrode 9 by screen printing.
The iO 5 : Tb phosphor layer 7 was formed to a thickness of 5 μm. The inside of the cell was set to a vacuum state of 10 −4 torr and electrically connected as shown in FIG.

【0016】このように作製した素子の下部電極層3に
交番パルス電圧2kHzを印加したところ、セルは安定
な緑色発光を示した。また、これに加え、透明電極層9
に30Vおよび100Vのバイアス電圧を印加し、その
時の発光輝度を測定し、発光輝度の交番パルス電圧及び
バイアス電圧依存性を図4に示した。図4によれば、バ
イアス電圧が高いほど、低交番パルス電圧で高い発光輝
度が観察され、交番パルス電圧が300V以上の範囲で
発光輝度はほぼ飽和することがわかった。
When an alternating pulse voltage of 2 kHz was applied to the lower electrode layer 3 of the device thus manufactured, the cell exhibited stable green light emission. In addition to this, the transparent electrode layer 9
A bias voltage of 30 V and 100 V was applied to the device and the emission brightness at that time was measured. The dependency of the emission brightness on the alternating pulse voltage and the bias voltage is shown in FIG. According to FIG. 4, it was found that the higher the bias voltage, the higher the emission luminance at the low alternating pulse voltage, and the emission luminance was almost saturated in the range of the alternating pulse voltage of 300 V or higher.

【0017】実施例2 実施例1のY2 SiO5 :Tb蛍光体の代わりにY2
2 S:Eu蛍光体をITO透明電極層9の上に同様にし
て形成し、下部電極層3に交番パルス電圧2kHzを印
加したところ、安定な赤色発光を示した。さらに、Zn
S:Cl蛍光体を形成したところ、セルは青色発光を示
した。このようなことから、蛍光体を変えることにより
容易にカラー化ができることがわかる。
Example 2 Instead of the Y 2 SiO 5 : Tb phosphor of Example 1, Y 2 O was used.
When a 2 S: Eu phosphor was similarly formed on the ITO transparent electrode layer 9 and an alternating pulse voltage of 2 kHz was applied to the lower electrode layer 3, stable red light emission was exhibited. Furthermore, Zn
When an S: Cl phosphor was formed, the cell emitted blue light. From this, it is understood that color can be easily obtained by changing the phosphor.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、比較的低電圧で発光させることができるととも
に、積層構造体の薄膜化及びセルの小型化ができるため
に、表示素子の精細化とともに平面で薄型の表示素子を
作製することができる。また、蛍光体層の種類を変える
ことにより、容易にカラー化でき、各種の表示素子とし
て多用化することができる。
As described above, according to the structure of the present invention, light can be emitted at a relatively low voltage, and the laminated structure can be thinned and the cell can be miniaturized. It is possible to manufacture a flat and thin display element along with refinement. In addition, by changing the type of the phosphor layer, it is possible to easily color the phosphor layer, and it can be widely used as various display elements.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における単セルの代表的な構造を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a typical structure of a single cell according to the present invention.

【図2】本発明の発光表示素子の構造の一例を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a structure of a light emitting display element of the present invention.

【図3】本発明の発光カラー表示素子の構造の一例を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a structure of a light emitting color display element of the present invention.

【図4】本発明におけるセルの発光輝度の交番パルス電
圧及びバイアス電圧との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the emission luminance of a cell and the alternating pulse voltage and bias voltage in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 単セル 2 基板 3 下部電極層 4 強誘電体層 5 上部電極層 6 ガラスセル 7 蛍光体層 8 電源 9 バイアス電極 1 Single Cell 2 Substrate 3 Lower Electrode Layer 4 Ferroelectric Layer 5 Upper Electrode Layer 6 Glass Cell 7 Phosphor Layer 8 Power Supply 9 Bias Electrode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】強誘電体と、該強誘電体に交番電圧を印加
するための電極と、該交番パルス電圧の印加による該強
誘電体の残留分極を反転させて強電界を生じせしめ、こ
れにより放出される電界電子により発光する蛍光体とを
具備した単セルを複数個配列させてなることを特徴とす
る発光表示素子。
1. A ferroelectric substance, an electrode for applying an alternating voltage to the ferroelectric substance, and a remanent polarization of the ferroelectric substance by the application of the alternating pulse voltage is inverted to generate a strong electric field. 2. A light emitting display device comprising a plurality of single cells arranged with a phosphor that emits light by field electrons emitted by.
【請求項2】前記単セルが、前記強誘電体より放出され
た電子を加速するための電極を具備することを特徴とす
る請求項1記載の発光表示素子。
2. The light emitting display device according to claim 1, wherein the single cell comprises an electrode for accelerating electrons emitted from the ferroelectric substance.
JP5216530A 1993-08-31 1993-08-31 Light emitting display element Pending JPH0764490A (en)

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JP (1) JPH0764490A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474060B2 (en) 2003-08-22 2009-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Light source
US7830077B2 (en) 2005-04-07 2010-11-09 Panasonic Corporation Light-emitting device configured to emit light by a creeping discharge of an emitter

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US7474060B2 (en) 2003-08-22 2009-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Light source
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