JPH0762691B2 - Electrical property measuring device - Google Patents
Electrical property measuring deviceInfo
- Publication number
- JPH0762691B2 JPH0762691B2 JP63153742A JP15374288A JPH0762691B2 JP H0762691 B2 JPH0762691 B2 JP H0762691B2 JP 63153742 A JP63153742 A JP 63153742A JP 15374288 A JP15374288 A JP 15374288A JP H0762691 B2 JPH0762691 B2 JP H0762691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- voltage
- electrode
- semiconductor wafer
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、電気特性測定装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electrical characteristic measuring apparatus.
（従来の技術） 例えば、多数個の半導体チップを形成した半導体ウエハ
は、検査工程で半導体チップの電気的特性の測定が行わ
れる。(Prior Art) For example, for a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are formed, the electrical characteristics of the semiconductor chips are measured in an inspection process.
このような電気特性測定装置として、従来、例えば第８
図に示すような半導体ウエハプローバが使用されてい
る。図中（１）は、被測定体の半導体ウエハである。半
導体ウエハ（１）には、多数個の半導体チップが規則正
しく形成されている。上記半導体ウエハ（１）は、載置
台（２）上に載置されている。載置台（２）は、セラミ
ック台（2a）上にアルミニウム台（2b）を積層した構造
になっている。載置台（２）の上方には、半導体ウエハ
（１）に対向するようにしてプローブカード（３）が配
置されている。プローブカード（３）には、プローブ針
（４）が突設されている。半導体チップの電気特性の測
定は、プローブ針（４）を所定の半導体チップのパッド
部（チップ内の電極）に当接して行う。すなわち、プロ
ーブ針（４）と半導体チップとを電気的に導通した状態
にする。次いで、テスタに接続されたプローブ針（４）
側から半導体チップ側に測定信号を供給し、半導体チッ
プからの検査信号を検出する。このときの検査信号と予
め定められた特性値と比較し電気的特性を調べる。この
場合、セラミック台（2a）の下面に取付けたシールド板
（５）によって、載置台（２）は外部ノイズから電気的
遮断されている。すなわち、シールド板（５）をケーブ
ル（６）を介して接地することにより、シールド板
（５）にシールド効果を発揮させている。シールド板
（５）は、導電性部材で形成されている。As such an electrical characteristic measuring device, conventionally, for example,
A semiconductor wafer prober as shown is used. In the figure, (1) is the semiconductor wafer of the device under test. A large number of semiconductor chips are regularly formed on the semiconductor wafer (1). The semiconductor wafer (1) is mounted on a mounting table (2). The mounting table (2) has a structure in which an aluminum table (2b) is laminated on a ceramic table (2a). A probe card (3) is arranged above the mounting table (2) so as to face the semiconductor wafer (1). The probe needle (4) is provided on the probe card (3) in a protruding manner. The electrical characteristics of the semiconductor chip are measured by bringing the probe needle (4) into contact with a predetermined pad portion (electrode within the chip) of the semiconductor chip. That is, the probe needle (4) and the semiconductor chip are electrically connected. Then the probe needle (4) connected to the tester
Side supplies a measurement signal to the semiconductor chip side to detect an inspection signal from the semiconductor chip. The electrical characteristics are examined by comparing the inspection signal at this time with a predetermined characteristic value. In this case, the mounting table (2) is electrically shielded from external noise by the shield plate (5) attached to the lower surface of the ceramic table (2a). That is, the shield plate (5) is grounded via the cable (6) to thereby cause the shield plate (5) to exhibit a shield effect. The shield plate (5) is made of a conductive material.
このようにして測定された測定結果に基づいて半導体チ
ップの良品と不良品を特定する。A good product and a defective product of the semiconductor chip are specified based on the measurement result thus measured.
また、被測定体を構成する半導体チップが例えばパワー
トランジスタである場合、載置台（２）は、次のように
構成されていた。即ち、第９図に示す如く、アルミニウ
ム台（2b）の表面には、例えばその中央部に金メッキ等
からなる円形の電圧測定電極（７）が形成されている。
電圧測定電極（７）の周囲には、例えば金メッキ等から
なる環状の電圧印加電極（８）が形成されている。電圧
測定電極（７）と電圧印加電極（８）の間には、所定の
間隔が設けられている。この間隔によって、電圧測定電
極（７）と電圧印加電極（８）は、電気的に絶縁されて
いる。Further, when the semiconductor chip constituting the device under test is a power transistor, for example, the mounting table (2) is configured as follows. That is, as shown in FIG. 9, a circular voltage measuring electrode (7) made of, for example, gold plating is formed on the surface of the aluminum base (2b) at the center thereof.
An annular voltage application electrode (8) made of, for example, gold plating is formed around the voltage measurement electrode (7). A predetermined space is provided between the voltage measuring electrode (7) and the voltage applying electrode (8). Due to this distance, the voltage measuring electrode (7) and the voltage applying electrode (8) are electrically insulated.
また、第10図に示す他の例のものでは、アルミニウム台
（2b）の表面に、例えば金メッキ等からなる半円形の電
圧測定電極（９）と電圧印加電極（10）とが所定の間隔
を設けて、互いに電気的に絶縁された状態で形成されて
いる。In another example shown in FIG. 10, a semicircular voltage measuring electrode (9) made of, for example, gold plating and the voltage applying electrode (10) are provided on the surface of the aluminum base (2b) at a predetermined interval. They are provided and are electrically insulated from each other.
このように構成された第９図，第10図の電気特性測定装
置では、次のようにして半導体ウエハの良否を判定す
る。The thus configured electric characteristic measuring apparatus of FIGS. 9 and 10 determines the quality of the semiconductor wafer as follows.
すなわち、パワートランジスタ等かなる半導体チップを
形成した半導体ウエハをアルミニウム台（2b）上に載置
する。次いで、電圧印加電極（８）（10）から半導体ウ
エハの裏面に形成されたコレクタ電極に所定の電圧を印
加する。次いで、半導体ウエハの表面に形成されたエミ
ッタ電極及びベース電極にプローブ針（４）を当接す
る。そして、電圧印加電極（８）（10）間に印加された
電圧を、電圧測定電極（７）（９）によって測定する。
この測定値に基づいて、各半導体チップの良否を調べ
る。この結果、半導体ウエハの良否を判定する。That is, a semiconductor wafer on which a semiconductor chip such as a power transistor is formed is placed on an aluminum table (2b). Next, a predetermined voltage is applied from the voltage application electrodes (8) and (10) to the collector electrode formed on the back surface of the semiconductor wafer. Next, the probe needle (4) is brought into contact with the emitter electrode and the base electrode formed on the surface of the semiconductor wafer. Then, the voltage applied between the voltage applying electrodes (8) and (10) is measured by the voltage measuring electrodes (7) and (9).
The quality of each semiconductor chip is checked based on this measured value. As a result, the quality of the semiconductor wafer is determined.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような第８図で示した電気特性
測定装置では、載置台（２）の一部がアルミニウム台
（2b）で形成されている。アルミニウムは、導電性の材
料である。このため、電気特性測定装置に附属されたモ
ータ等の附属計器からのノイズが、電磁誘導作用により
アルミニウム台（2b）内にうず電流を発生させる。この
うず電流の影響により、載置台（２）上の半導体ウエハ
（１）の裏面の電位が大きい。その結果、半導体チップ
の電気特性の測定に誤差が発生する問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the electric characteristic measuring apparatus shown in FIG. 8 as described above, a part of the mounting table (2) is formed of the aluminum table (2b). Aluminum is a conductive material. Therefore, noise from an auxiliary instrument such as a motor attached to the electric characteristic measuring device causes an eddy current in the aluminum base (2b) due to the electromagnetic induction effect. Due to the influence of this eddy current, the potential of the back surface of the semiconductor wafer (1) on the mounting table (2) is large. As a result, there is a problem that an error occurs in the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip.
又、第９図，第10図で示したような載置台の構成では、
半導体ウエハに形成された半導体チップの位置によっ
て、電圧印加電極（８）（10）及び電圧測定電極（７）
（９）に対する距離が異なる。一方、半導体ウエハの裏
面に形成されたコレクタ電極は、所定の電気抵抗を有し
ている。従って、各々の半導体チップと電圧印加電極
（８）（10）及び電圧測定電極（７）（９）に対する距
離の相違に起因する電圧降下が、各半導体チップの電気
特性測定時に生じている。その結果、半導体ウエハ上の
半導体チップの位置によって、測定結果に相違が生じる
問題があった。Moreover, in the configuration of the mounting table as shown in FIGS. 9 and 10,
Depending on the position of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer, voltage application electrodes (8) (10) and voltage measurement electrodes (7)
The distance to (9) is different. On the other hand, the collector electrode formed on the back surface of the semiconductor wafer has a predetermined electric resistance. Therefore, a voltage drop due to the difference in distance between each semiconductor chip and the voltage applying electrodes (8) and (10) and the voltage measuring electrodes (7) and (9) occurs at the time of measuring the electrical characteristics of each semiconductor chip. As a result, there is a problem in that the measurement result varies depending on the position of the semiconductor chip on the semiconductor wafer.
この発明は上記点に対処してなされたもので、載置台内
で発生するうず電流を防止し、被測定体の電気特性を極
めて正確に測定することができ、又、被測定体のどの位
置においても、電気特性を極めて正確に測定することが
できる電気特性測定装置を提供するものである。The present invention has been made in consideration of the above points, and it is possible to prevent eddy currents generated in the mounting table and to measure the electrical characteristics of the object to be measured extremely accurately, and at which position of the object to be measured. Also in the above, there is provided an electric characteristic measuring device capable of measuring electric characteristics extremely accurately.
（課題を解決するための手段） 本発明は、絶縁体からなる載置台の載置面に導電性薄板
を介して半導体ウエハを載置すると共に、前記載置台に
前記半導体ウエハに電圧を印加する電圧印加電極および
該電圧を測定するための電圧測定電極を備えた電気特性
測定装置において、前記電圧印加電極および電圧測定電
極を帯状に形成し、これらの電極が前記載置台の載置面
に間隔をあけて交互に位置し、かつ前記載置面の略中央
の回りに同心状に複数列配列されるように蛇行状に構成
すると共に、帯状の前記電圧印加電極および電圧測定電
極の間に筋状に蛇行した絶縁領域を設けたことを特徴と
する。(Means for Solving the Problem) According to the present invention, a semiconductor wafer is mounted on a mounting surface of a mounting table made of an insulating material via a conductive thin plate, and a voltage is applied to the semiconductor wafer on the mounting table. In an electrical characteristic measuring device equipped with a voltage applying electrode and a voltage measuring electrode for measuring the voltage, the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode are formed in a strip shape, and these electrodes are spaced apart from each other on the mounting surface of the mounting table. And alternately arranged, and configured in a meandering manner so as to be concentrically arranged in a plurality of rows around the substantially center of the mounting surface, and there is a stripe between the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode in a strip shape. It is characterized in that an insulating region which meanders in a circular shape is provided.
（作用） 本発明の電気特性測定装置では、載置台を絶縁体で形成
している。このため、測定時にノイズによる電磁誘導作
用によって、載置台内にうず電流が発生するのを防止す
ることができる。その結果、１フェムト・アンペア（１
×10-15アンペア）レベルの微小電流によって被測定体
の電気特性を極めて正確に測定することができる。(Operation) In the electrical characteristic measuring apparatus of the present invention, the mounting table is formed of an insulator. Therefore, it is possible to prevent an eddy current from being generated in the mounting table due to an electromagnetic induction effect due to noise during measurement. As a result, 1 femto amp (1
It is possible to measure the electrical characteristics of the object to be measured very accurately with a minute current of the level of × 10 -15 amps.
また、載置台の絶縁抵抗値が大きいので、大電流による
測定時に被測定体と載置台下部の接地部間で放電が起き
るのを防止することができる。その結果、従来の装置に
比べて約50倍以上の大電流による電気特性の測定を高い
精度で行うことができる。Moreover, since the insulation resistance value of the mounting table is large, it is possible to prevent discharge from occurring between the object to be measured and the grounding portion under the mounting table during measurement with a large current. As a result, it is possible to measure with high accuracy the electrical characteristics with a large current that is about 50 times or more that of the conventional device.
また、本発明の電気特性測定装置の導体部に、細い筋状
の絶縁領域によって分割された電圧印加電極と電圧測定
電極を形成しても良い。Further, the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode divided by the thin strip-shaped insulating region may be formed in the conductor portion of the electrical characteristic measuring device of the present invention.
このような構成により、被測定体の下部に必ず電圧印加
電極と電圧測定電極を配置することができる。その結
果、被測定体の下部側の電極部で起きる電圧降下によっ
て、測定値が変化するのを防止することができる。これ
により、被測定体の電気特性を極めて高い精度で測定す
ることができる。With such a configuration, the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode can be arranged under the object to be measured without fail. As a result, it is possible to prevent the measured value from changing due to the voltage drop occurring in the electrode portion on the lower side of the measured object. As a result, the electrical characteristics of the measured object can be measured with extremely high accuracy.
（実施例） 以下、本発明電気特性測定装置の一実施例を図面を参照
して説明する。(Embodiment) An embodiment of the electrical characteristic measuring apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例の電気特性測定装置の概略
構成を示す説明図である。図中（20）は、載置台であ
る。載置台（20）上には、半導体ウエハ（21）等の被測
定体が載置されるようになっている。載置台（20）に
は、上面のウエハ載置面から底部の裏面側に貫通する真
空口（22）が形成されている。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of an electrical characteristic measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, (20) is a mounting table. An object to be measured such as a semiconductor wafer (21) is placed on the placing table (20). The mounting table (20) is provided with a vacuum port (22) penetrating from the wafer mounting surface on the upper surface to the rear surface side of the bottom.
載置台（20）は、支持台（23）上に設置されている。真
空口（22）は、支持台（23）に形成された中空部（24）
に連通している。中空部（24）は、吸引管（24a）を介
して例えば真空ポンプ（図示せず）のような吸引器に接
続されている。載置台（20）上に載置される半導体ウエ
ハ（21）は、真空口（22）等で構成される吸引機構によ
って、載置台（20）上に吸着固定されるようになってい
る。The mounting table (20) is installed on the support table (23). The vacuum port (22) is a hollow part (24) formed in the support base (23).
Is in communication with. The hollow portion (24) is connected to a suction device such as a vacuum pump (not shown) via a suction pipe (24a). The semiconductor wafer (21) mounted on the mounting table (20) is sucked and fixed on the mounting table (20) by a suction mechanism including a vacuum port (22).
載置台（20）は、上部（20a）と下部（20b）の２層構造
になっている。上部（20a）は、例えば石英などからな
る絶縁体で構成されている。上部（20a）の表面は、ウ
エハ載置面になっている。ウエハ載置面は、接触抵抗値
が低い導電性薄板からなる導体部（25）で形成されてい
る。導体部（25）は、例えば金のメッキ，蒸着或いはス
パッタリングにより形成することができる。下部（20
b）は、例えばセラミックスのような絶縁体で構成され
ている。下部（20b）の裏面には、ガード電極（26）が
形成されている。ガード電極（26）は、載置台（20）に
電気的シールド効果を付与するものである。ガード電極
（26）は、例えば銀パラジウムで形成されている。The mounting table (20) has a two-layer structure of an upper part (20a) and a lower part (20b). The upper portion (20a) is made of an insulator such as quartz. The surface of the upper part (20a) is a wafer mounting surface. The wafer mounting surface is formed of a conductor portion (25) made of a conductive thin plate having a low contact resistance value. The conductor portion (25) can be formed by, for example, gold plating, vapor deposition, or sputtering. Bottom (20
b) is made of an insulator such as ceramics. A guard electrode (26) is formed on the back surface of the lower portion (20b). The guard electrode (26) imparts an electric shield effect to the mounting table (20). The guard electrode (26) is made of silver palladium, for example.
上部（20a）を下部（20b）に固定する方法は、例えば複
数個のボルトネジ（27）によって行われる。しかし、石
英からなる上部（20a）には、ネジ山を切ることができ
ない。このため、上部（20a）の周縁部の所定箇所（例
えば８か所）に垂直方向に沿って貫通穴（28）を開口す
る。これらの貫通穴（28）に対応する下部（20b）の位
置に金属製雌ネジブッシュ（29）を埋設する。この金属
製雌ネジブッシュ（29）に、例えばゴム製Ｏリング（3
0）等からなる弾性部材を介して、貫通穴（28）にボル
トネジ（27）を挿入する。ボルトネジ（27）を金属製雌
ネジブッシュ（29）に螺合し、上部（20a）と下部（20
b）を一体に固定した載置台（20）を得る。ゴム製Ｏリ
ング（30）等を使用するのは、ボルトネジ（27）を金属
製雌ネジブッシュ（29）に強く締め付けた際に、石英か
らなる上部（20a）が破損するのを防止するためであ
る。A method of fixing the upper portion (20a) to the lower portion (20b) is performed by using a plurality of bolt screws (27), for example. However, the upper part (20a) made of quartz cannot be threaded. For this reason, through holes (28) are opened at predetermined locations (for example, eight locations) in the peripheral portion of the upper portion (20a) along the vertical direction. A metallic female screw bush (29) is embedded at the position of the lower portion (20b) corresponding to these through holes (28). For example, a rubber O-ring (3
The bolt screw (27) is inserted into the through hole (28) through an elastic member such as 0). Screw the bolt screws (27) into the metal female thread bushes (29) so that the upper (20a) and lower (20a)
Obtain a mounting table (20) to which b) is fixed integrally. The rubber O-ring (30) is used to prevent the upper part (20a) made of quartz from being damaged when the bolt screw (27) is strongly tightened to the metallic female screw bush (29). is there.
支持台（23）は、例えばセラミックスで形成されてい
る。支持台（23）は、図示しない駆動モータによって、
上下（Ｚ），左右（Ｘ），前後（Ｙ）方向に自在に移動
可能になっている。The support base (23) is made of, for example, ceramics. The support base (23) is driven by a drive motor (not shown).
It can move freely in the up / down (Z), left / right (X), and front / rear (Y) directions.
支持台（23）の底面には、シールド部材（31）が貼着さ
れている。シールド部材（31）は、例えば金，銀パラジ
ウムのような導電性の高い材料で形成されている。シー
ルド部材（31）は、例えばケーブル（32）を介して装置
筐体（図示せず）に接続され接地されている。シールド
部材（31）を設けた理由は、駆動モータ等のノイズによ
って被測定体の半導体ウエハ（21）の電気特性の測定に
悪影響が起きるのを防止するためである。A shield member (31) is attached to the bottom surface of the support base (23). The shield member (31) is made of a highly conductive material such as gold or silver palladium. The shield member (31) is connected to the device casing (not shown) via the cable (32) and grounded, for example. The reason for providing the shield member (31) is to prevent the noise of the drive motor or the like from adversely affecting the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor wafer (21) of the device under test.
支持台（23）と載置台（20）は、例えば次のようにして
固定されている。すなわち、例えば、支持台（23）の周
縁部の所定箇所（例えば４箇所）に、垂直方向に沿って
貫通穴（33）を開口する。これらの貫通穴（33）に対応
する載置台（20）の部分に、ガード電極（26）を貫装し
て例えば金属製雌ネジブッシュ（34）を埋設する。貫通
穴（33）を介して金属製雌ネジブッシュ（34）に、下方
からボルトネジ（35）を螺合する。これによって、支持
台（23）と載置台（20）とを一体に固定する。The support table (23) and the mounting table (20) are fixed as follows, for example. That is, for example, through holes (33) are opened along the vertical direction at predetermined locations (for example, four locations) on the peripheral edge of the support table (23). A guard electrode (26) is penetrated into a portion of the mounting table (20) corresponding to these through holes (33), and a metallic female screw bush (34) is embedded, for example. A bolt screw (35) is screwed from below into the metallic female screw bush (34) through the through hole (33). As a result, the support base (23) and the mounting base (20) are integrally fixed.
載置台（20）の上方には、半導体ウエハ（21）に形成さ
れた半導体チップの電気的特性を測定するためのプロー
ブカード（36）が設けられれいる。プローブカード（3
6）には、半導体チップの所定のパッドに当接するプロ
ーブ針（37）が突設されている。A probe card (36) for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer (21) is provided above the mounting table (20). Probe card (3
A probe needle (37) that abuts a predetermined pad of the semiconductor chip is projectingly provided on 6).
このように構成された電気特性測定装置は、次のように
して例えば半導体ウエハ（21）に形成された半導体チッ
プの電気特性を測定する。The electrical characteristic measuring device configured as described above measures the electrical characteristic of, for example, a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer (21) as follows.
先ず、図示しない搬送機構の例えばハンドアームによ
り、半導体ウエハ（21）を載置台（20）上の所定位置に
搬送する。First, the semiconductor wafer (21) is transferred to a predetermined position on the mounting table (20) by, for example, a hand arm of a transfer mechanism (not shown).
次いで、測定しようとする特定の半導体チップが、プロ
ーブカード（36）のプロブ針（37）の直下に位置するよ
うに、載置台（20）を支持台（23）と一体にして、駆動
モータ（図示せず）により、所定距離だけ前後（Ｘ），
左右（Ｙ）方向に移動させる。測定しようとする半導体
チップをプローブ針（37）の直下に位置付けた状態で、
載置台（20）をプローブカード（36）に向けて上昇（Ｚ
方向）させる。この操作により、プローブ針（37）と半
導体チップの所定部分とを、電気的に接触させる。Then, the mounting table (20) is integrated with the support table (23) so that the specific semiconductor chip to be measured is located immediately below the probe needle (37) of the probe card (36), and the drive motor ( (Not shown), the front and rear (X) by a predetermined distance,
Move in the left / right (Y) direction. With the semiconductor chip to be measured positioned directly below the probe needle (37),
Raise the mounting table (20) toward the probe card (36) (Z
Direction). By this operation, the probe needle (37) and the predetermined portion of the semiconductor chip are brought into electrical contact with each other.
この接触状態から載置台（20）を更に例えば10〜200μ
ｍ上昇させてオーバードライブをかける。この状態で半
導体チップの電気特性の測定を行う。From this contact state, place the mounting table (20) further, for example, 10 to 200μ.
Increase m and apply overdrive. In this state, the electrical characteristics of the semiconductor chip are measured.
次いで、第２図に示す如く、半導体ウエハ（21）の裏面
と接触している導体部（25）に同軸ケーブル（38）の芯
線を接続する。同軸ケーブル（38）の他端側は、測定器
（39）に接続されている。同軸ケーブル（38）のシール
ド部は、ガード電極（26）に接続する。つまり、半導体
ウエハ（21）の裏面側は、導体部（25），同軸ケーブル
（38）を順次介して、測定器（39）のグランド部に接続
される。なお、支持台（23）は、シールド部材（31）を
介して装置筐体のグランド部に、前述したように接続さ
れている。Next, as shown in FIG. 2, the core wire of the coaxial cable (38) is connected to the conductor portion (25) in contact with the back surface of the semiconductor wafer (21). The other end of the coaxial cable (38) is connected to the measuring instrument (39). The shield part of the coaxial cable (38) is connected to the guard electrode (26). That is, the back surface side of the semiconductor wafer (21) is connected to the ground section of the measuring instrument (39) through the conductor section (25) and the coaxial cable (38) in this order. The support base (23) is connected to the ground portion of the device casing via the shield member (31) as described above.
この状態で、プローブ針（37）或いは導体部（25）から
測定用の微小電流を、半導体チップの所定部分に流す。
微小電流としては、例えば１フェムト・アンペア（１×
10-15アンペア）程度の電流を使用する。In this state, a minute current for measurement is made to flow from the probe needle (37) or the conductor portion (25) to a predetermined portion of the semiconductor chip.
As the minute current, for example, 1 femto ampere (1 x
Use a current of about 10 -15 amps.
この微小電流の変化状態から、半導体チップの電気的特
性を測定する。この場合、ガード電極（26）は、シール
ド部材（31）の影響を受けずに、２重に電気的にシール
ドされる。その理由は、ガード電極（26）が測定器（3
9）のグランド部に接続されており、かつ、シールド部
材（31）が接地された装置筐体に接続しているからであ
る。この２重シールドによって、１フェムト・アンペア
程度の微小電流を、ノイズ等の影響を受けずに電気特性
測定用の電流として使用することができる。The electrical characteristics of the semiconductor chip are measured from the change state of this minute current. In this case, the guard electrode (26) is doubly electrically shielded without being affected by the shield member (31). The reason is that the guard electrode (26) is
This is because the shield member (31) is connected to the ground portion of 9) and is connected to the grounded device casing. With this double shield, a minute current of about 1 femto amperes can be used as a current for measuring electrical characteristics without being affected by noise or the like.
また、測定器（39）と導体部（25）を介して行う半導体
ウエハ（21）との電気的接続は、第３図（Ａ）に示す如
く、測定器（39）の入力側の内部抵抗等の影響を少なく
した、グランデッド接続や、第３図（Ｂ）に示すような
フローティング接続のような所謂アース接続によって達
成できる。このような接続によって、測定器（39）と半
導体ウエハ（21）を接続することにより、測定誤差を小
さくすることができる。In addition, the electrical connection between the measuring device (39) and the semiconductor wafer (21) through the conductor portion (25) is performed by the internal resistance on the input side of the measuring device (39) as shown in FIG. 3 (A). This can be achieved by a so-called ground connection such as a grounded connection or a floating connection shown in FIG. By connecting the measuring device (39) and the semiconductor wafer (21) by such connection, the measurement error can be reduced.
このようにして半導体チップが所定の電気特性を備えて
いるか否かを微小電流の変化から測定する。１つの半導
体チップの電気的特性を測定した後、載置台（20）を支
持台（23）と一体に降下する。次いで、前述と同様に次
に測定する半導体チップがプローブ針（37）の直下に来
るように、載置台（20）と共に半導体ウエハ（21）を移
動させる。次いで、プローブ針（37）を次に測定する半
導体チップの所定部分に接触させる。そして、前述と同
様に微小電流の変化から、この半導体チップが所定の電
気的特性を備えているか否かを測定する。以下、同様の
操作を繰返し、半導体ウエハ（21）に形成された全ての
半導体チップの電気特性を測定する。これらの測定デー
タから半導体ウエハ（21）の良否を測定する。In this way, whether or not the semiconductor chip has the predetermined electrical characteristics is measured from the change in the minute current. After measuring the electrical characteristics of one semiconductor chip, the mounting table (20) is lowered together with the supporting table (23). Then, the semiconductor wafer (21) is moved together with the mounting table (20) so that the semiconductor chip to be measured next is located just below the probe needle (37) as in the above. Then, the probe needle (37) is brought into contact with a predetermined portion of the semiconductor chip to be measured next. Then, similarly to the above, from the change in the minute current, it is measured whether or not this semiconductor chip has predetermined electrical characteristics. Hereinafter, the same operation is repeated to measure the electric characteristics of all the semiconductor chips formed on the semiconductor wafer (21). The quality of the semiconductor wafer (21) is measured from these measurement data.
このような微小電流を用いた半導体チップの電気的特性
の測定においても、載置台（20）が石英からなる上部
（20a）とセラミックスからなる下部（20b）で構成さ
れ、大きな電気的絶縁抵抗を有しているので、載置台
（20）内部で周囲のモータや外部等からのノイズの影響
を防ぐことができる。その結果、ノイズに起因するうず
電流の発生を防止して、半導体チップの電気的特性の測
定精度を向上させることができる。Even when measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip using such a minute current, the mounting table (20) is composed of an upper part (20a) made of quartz and a lower part (20b) made of ceramics, and has a large electrical insulation resistance. Since it has, it is possible to prevent the influence of noise from surrounding motors or the outside inside the mounting table (20). As a result, it is possible to prevent the generation of an eddy current due to noise and improve the measurement accuracy of the electrical characteristics of the semiconductor chip.
また、大電流を用いて半導体チップの電気的特性を測定
する場合は、プローブ針（37）から半導体チップに例え
ば５アンペアの電流或いは例えば2500ボルトの電圧を印
加する。Further, when measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip using a large current, a current of, for example, 5 amps or a voltage of, for example, 2500 V is applied from the probe needle (37) to the semiconductor chip.
この場合も、上述と同様に載置台（20）が、大きな電気
的絶縁抵抗を備えた絶縁体を構成しているので、極めて
高い耐圧特性を示す。その結果、シールド部材（31）と
大電圧（2500V）を印加した半導体ウエハ（21）間の放
電を防止することができる。これにより、極めて高い精
度で半導体チップの電気的特性を測定することができ
る。In this case as well, since the mounting table (20) constitutes an insulator having a large electrical insulation resistance as described above, it exhibits extremely high withstand voltage characteristics. As a result, it is possible to prevent discharge between the shield member (31) and the semiconductor wafer (21) to which a large voltage (2500V) is applied. As a result, the electrical characteristics of the semiconductor chip can be measured with extremely high accuracy.
このように、載置台（20）を絶縁抵抗の大きいものとす
ることにより、ノイズの電磁誘導作用によるうず電流の
発生を防止できる。もって、半導体ウエハ（21）等の被
測定体の電気特性を、１フェムト・アンペア（１×10
-15）程度の微小電流で高精度に行うことができる。従
来の装置では、１ピコ・アンペア（１×10-12アンペ
ア）程度の微小電流しか使用できなかった。In this way, by setting the mounting table (20) to have a large insulation resistance, it is possible to prevent the generation of an eddy current due to the electromagnetic induction effect of noise. Therefore, the electrical characteristics of an object to be measured such as a semiconductor wafer (21) can be measured with 1 femto ampere (1 x 10
It can be performed with high accuracy with a small current of about -15 ). In the conventional device, only a minute current of about 1 pico ampere (1 × 10 −12 ampere) can be used.
また、載置台（20）の絶縁抵抗値が大きいので、測定時
に被測定体と載置台（20）下面の接地部間で、放電が起
きるのを防止できる。その結果、従来の装置に比べて、
50倍以上も大きな大電流による被測定体の電気的特性の
測定を、高い精度で行うことができる。Further, since the insulation resistance value of the mounting table (20) is large, it is possible to prevent discharge from occurring between the object to be measured and the grounding portion on the lower surface of the mounting table (20) during measurement. As a result, compared to conventional devices,
It is possible to measure the electrical characteristics of the device under test with a large current of 50 times or more with high accuracy.
なお、載置台（20）を例えば石英からなる１層構造のも
のとしても、上述のものとほぼ同様の効果を得ることが
できる。Even when the mounting table (20) has a one-layer structure made of, for example, quartz, it is possible to obtain substantially the same effects as those described above.
また、被測定体の半導体ウエハ（21）に例えばパワート
ランジスタ等からなる半導体チップが形成されている場
合に、導体部（25）を第４図に示すような構成にするこ
とにより、高い精度でかかる被測定体の電気的特性を測
定することができる。なお、導体部（25）以外の部分の
構成は、上述の第１図に示したものを採用することがで
きる。Further, when a semiconductor chip such as a power transistor is formed on the semiconductor wafer (21) of the device under test, the conductor portion (25) is configured as shown in FIG. It is possible to measure the electrical characteristics of the measured object. The structure shown in FIG. 1 can be adopted for the structure other than the conductor part (25).
この導体部（40）は、例えば金等の材料で形成されてい
る。この導体部（40）は、電圧測定電極（41）及び電圧
印加電極（42）とで構成されている。The conductor portion (40) is made of a material such as gold. The conductor portion (40) is composed of a voltage measuring electrode (41) and a voltage applying electrode (42).
電圧測定電極（41）は、載置台（20）のほぼ中心を通る
仮想の直線(L1)上の両端部に、２個の測定電極接続端子
（41a）を有している。The voltage measurement electrode (41) has two measurement electrode connection terminals (41a) at both ends on an imaginary straight line (L 1 ) that passes through substantially the center of the mounting table (20).
電圧印加電極（42）は、載置台（20）のほぼ中心を通る
仮想の直線(L2)であって、前述の直線(L1)と直交する直
線(L2)の両端部に、２個の印加電極接続端子（42a）を
有している。The voltage application electrode (42) is an imaginary straight line (L 2 ) that passes through substantially the center of the mounting table (20), and two lines are provided at both ends of the straight line (L 2 ) orthogonal to the above-mentioned straight line (L 1 ). It has individual application electrode connection terminals (42a).
電圧測定電極（41）と電圧印加電極（42）は、導体部
（40）の表面を細い筋状の蛇行した絶縁領域（43a）（4
3b）で分割することにより構成されている。すなわち、
まず、例えば上記仮想の直線(L2)で分割された半円形の
導体部（40）の部分に、上記他の仮想の直線(L1)を対象
軸にして、細い筋状の蛇行した絶縁領域（43a）を形成
する。この絶縁領域（43a）を境にして分けられた内側
の導体部（40）が、電圧測定電極（41）の半分を形成す
る。この絶縁領域（43a）を境にして分けられた外側の
導体部（40）が、電圧印加電極（42）の半分を構成す
る。更に、上記仮想の直線(L2)を対象軸にして、ほぼ同
様の絶縁領域（43b）を残る半円形の導体部（40）に形
成する。この絶縁領域（43b）の内側の導体部（40）
に、残る電圧測定電極（41）が形成される。この絶縁領
域（43b）の外側の導体部に、残る電圧印加電極（42）
が形成される。The voltage measuring electrode (41) and the voltage applying electrode (42) have thin striped meandering insulating regions (43a) (4a) on the surface of the conductor (40).
It is composed by dividing in 3b). That is,
First, for example, in the part of the semicircular conductor part (40) divided by the virtual straight line (L 2 ), with the other virtual straight line (L 1 ) as the target axis, thin striped meandering insulation A region (43a) is formed. The inner conductor portion (40) separated by the insulating region (43a) forms a half of the voltage measuring electrode (41). The outer conductor portion (40) separated by the insulating region (43a) constitutes half of the voltage applying electrode (42). Further, substantially the same insulating region (43b) is formed in the remaining semi-circular conductor portion (40) with the virtual straight line (L 2 ) as the axis of interest. Conductor part (40) inside this insulation area (43b)
The remaining voltage measuring electrode (41) is formed on the. The voltage application electrode (42) remaining on the conductor outside the insulating region (43b)
Is formed.
つまり、導体部（40）の全体について、例えば、一方の
測定電極端子（41a）側から、他方の測定電極端子（41
a）側に亘ってながめると、絶縁領域（43a）（43b）を
境にして、電圧測定電極（41）と電圧印加電極（42）
が、絶縁領域（43a）（43b）によって電気的に絶縁され
た状態で、交互に形成されていることになる。That is, for the entire conductor portion (40), for example, from one measurement electrode terminal (41a) side to the other measurement electrode terminal (41a).
When viewed from the side a), the voltage measuring electrode (41) and the voltage applying electrode (42) are separated from each other by the insulating regions (43a) and (43b).
Are alternately formed while being electrically insulated by the insulating regions (43a) and (43b).
なお、このような導体部（40）の場合、図示しないが、
第１図の真空口（22）に相当するものは、多数個の溝、
或は細孔の形の導体部（40）に設けられている。このよ
うに構成された導体部（40）上にパワートランジスタ等
からなる半導体チップを多数個形成した半導体ウエハ
（21）を固定する。In the case of such a conductor portion (40), although not shown,
The one corresponding to the vacuum port (22) in FIG. 1 is a large number of grooves,
Alternatively, it is provided in the conductor portion (40) in the form of pores. A semiconductor wafer (21) having a large number of semiconductor chips such as power transistors formed thereon is fixed on the conductor portion (40) configured in this manner.
次いで、電圧印加電極（42）から半導体ウエハ（21）の
裏面のコレクタ電極に所定の電圧を印加する。この電圧
を電圧測定電極（41）によって測定する。この場合、半
導体ウエハ（21）の表面側に形成された電極、例えばエ
ミッタ電極，ベース電極等には、プローブ針（37）が当
接されている。Next, a predetermined voltage is applied from the voltage application electrode (42) to the collector electrode on the back surface of the semiconductor wafer (21). This voltage is measured by the voltage measuring electrode (41). In this case, the probe needle (37) is in contact with the electrodes formed on the front surface side of the semiconductor wafer (21), such as the emitter electrode and the base electrode.
このようにして、半導体チップの電気的特性を測定す
る。この測定データに基づいて半導体ウエハの良否を判
定する。このようにして電気的特性を測定すると、絶縁
領域（43a）（43b）によって分離され、かつ、交互に配
置された電圧測定電極（41）及び電圧印加電極（42）
が、測定時に半導体ウエハ（20）の裏面に接触している
ことになる。In this way, the electrical characteristics of the semiconductor chip are measured. The quality of the semiconductor wafer is determined based on this measurement data. When the electrical characteristics are measured in this manner, the voltage measuring electrodes (41) and the voltage applying electrodes (42) separated by the insulating regions (43a) (43b) and alternately arranged.
However, it is in contact with the back surface of the semiconductor wafer (20) at the time of measurement.
この結果、半導体ウエハ（21）の裏面の電極の位置の違
いによって生じる電圧降下が、夫々の半導体チップの電
気的特性の測定の際に悪影響を及ぼすのを排除すること
ができる。As a result, it is possible to exclude that the voltage drop caused by the difference in the positions of the electrodes on the back surface of the semiconductor wafer (21) has an adverse effect on the measurement of the electrical characteristics of each semiconductor chip.
また、この例において、上記実施例の効果も併せて享有
できることは勿論である。In this example, it goes without saying that the effects of the above-described embodiment can also be enjoyed.
さらに、他の実施例について説明する。Further, another embodiment will be described.
まず、被測定体例えば半導体ウエハの電気特性の測定に
使用するウエハプローバについて第７図を参照して説明
する。First, a wafer prober used for measuring the electrical characteristics of an object to be measured, such as a semiconductor wafer, will be described with reference to FIG.
上記ウエハプローバ（45）は大別してウエハカセット
（46）からウエハ（47）を測定部（48）まで搬送するロ
ーダ部（49）と、上記ウエハ（47）にプローブ針（50）
を接触して、ウエハテスタ（51）と導通させて測定する
測定部（48）とから構成されている。上記測定部（48）
には、半導体ウエハ（47）を載置する載置台（52）が移
動可能に設けられている。この載置台（52）は、駆動部
（53）に係合して設けられている。この駆動部（53）に
より載置台（52）は、平面方向（XY軸方向）、上下方向
（Ｚ軸方向）及び周方向（θ方向）に移動できる。The wafer prober (45) is roughly classified into a loader section (49) for transporting the wafer (47) from the wafer cassette (46) to the measuring section (48), and a probe needle (50) for the wafer (47).
Of the wafer tester (51) and the measuring section (48) for conducting the measurement. Measuring unit above (48)
A mounting table (52) on which a semiconductor wafer (47) is mounted is movably provided in the. The mounting table (52) is provided in engagement with the drive section (53). The drive unit (53) allows the mounting table (52) to move in the plane direction (XY axis direction), the vertical direction (Z axis direction), and the circumferential direction (θ direction).
このような載置台（52）に、ウエハ（47）を搬送するた
めに、ローダ部（49）に回転アーム（54）が設けられて
いる。A rotary arm (54) is provided in the loader section (49) for transferring the wafer (47) to the mounting table (52).
又、載置台（52）の移動範囲内の所定の位置において、
その上方に対向するように、プローブカード（55）が設
置されている。このプローブカード（55）には、半導体
ウエハ（47）に形成されたICチップ（56）に配列された
電極パッド（57）に対応して、プローブ針（50）が取着
されている。In addition, at a predetermined position within the movement range of the mounting table (52),
A probe card (55) is installed so as to face above it. The probe needle (50) is attached to the probe card (55) corresponding to the electrode pad (57) arranged on the IC chip (56) formed on the semiconductor wafer (47).
尚、上記測定部（48）の上方にはスコープ（58）が設け
られている。このスコープ（58）はICチップ（56）の電
極パッド（57）とプローブ針（50）の先端の位置合わせ
を目視観察するものである。上記のようにウエハプロー
バ（45）が構成されている。A scope (58) is provided above the measuring section (48). The scope (58) is for visually observing the alignment between the electrode pad (57) of the IC chip (56) and the tip of the probe needle (50). The wafer prober (45) is configured as described above.
ここで、ウエハプローバ（45）には、駆動部やコントロ
ーラ部等が設けられているので、この駆動部等からノイ
ズが発生する。このノイズは、テスタ（51）からの測定
信号に悪影響を与える。即ち、測定信号は、高周波の微
小電流なので、上記ノイズが重畳すると、正確な測定が
できなくなる。この対策として、上記載置台（52）は、
次に示すように構成されている。Here, since the wafer prober (45) is provided with a drive unit, a controller unit, and the like, noise is generated from the drive unit and the like. This noise adversely affects the measurement signal from the tester (51). That is, since the measurement signal is a high-frequency minute current, if the above noise is superimposed, accurate measurement cannot be performed. As a measure against this, the mounting table (52) above is
It is configured as shown below.
第５図のように、導電性の材質例えばAl製の載置台（5
2）のウエハ載置面に、絶縁部（59）が形成されてい
る。これは、例えばシュー酸アルマイト処理により、Al
2O3を形成したものである。ここで、この絶縁部（59）
の厚さは例えば50〜150μｍであり、実験の結果、載置
台（52）が直径135mm×厚さ10mmの場合、適性値が60μ
ｍとわかった。又、載置台（52）と駆動部（53）との係
合において、係合位置に絶縁材質例えばセラミック製の
チャンバ（60）が設けられている。このことにより、載
置台（52）と駆動部（53）とが絶縁されている。又、載
置台（52）は、グランド線（61）により電気的に接地さ
れている。このグランド線（61）は、載置台（52）が移
動するので、このことに対応してスパイラル形状として
いる。As shown in Fig. 5, a mounting table (5
An insulating part (59) is formed on the wafer mounting surface of 2). This is due to Al
2 O 3 is formed. Where this insulation (59)
Is, for example, 50 to 150 μm, and as a result of the experiment, when the mounting table (52) has a diameter of 135 mm and a thickness of 10 mm, the aptitude value is 60 μm.
I knew it was m. Further, a chamber (60) made of an insulating material, for example, a ceramic, is provided at an engaging position when the mounting table (52) and the drive section (53) are engaged with each other. As a result, the mounting table (52) and the drive section (53) are insulated from each other. The mounting table (52) is electrically grounded by the ground wire (61). Since the mounting table (52) moves, the ground line (61) has a spiral shape corresponding to this.
上記のような載置台（52）に、ウエハ（47）を載置する
とウエハ（47）は絶縁部（59）により、電気的にフロー
ティング状態となる。When the wafer (47) is placed on the mounting table (52) as described above, the wafer (47) is brought into an electrically floating state by the insulating portion (59).
次に上記したウエハプローバ（45）による半導体ウエハ
（47）の電気特性の測定動作を説明する。Next, the operation of measuring the electrical characteristics of the semiconductor wafer (47) by the above-mentioned wafer prober (45) will be described.
まず、ウエハカセット（46）から所定のウエハ（47）を
ローダ部（49）から取出す。このウエハ（47）を、プリ
アライメント後、回転アーム（54）により載置台（52）
上に載置する。そして、図示しないアライメント部でア
ライメント後、載置台（52）を移動することにより、ウ
エハ（47）をプローブカード（55）下方向に設ける。こ
こで、第６図のように載置台（52）を上昇することによ
り、ICチップ（56）の電極パッド（57）にプローブ針
（50）を接触させる。この接触状態でテスタ（51）から
測定信号を印加する。即ち、ICチップ（56）の入力電極
（57）に測定信号を印加し、出力電極（57）に発生する
電気的信号をテスタ（51）で測定する。この測定は、上
記電極（57）間の電圧（Ｖ）及び電流（Ａ）を測定す
る。そして、この測定した値から、例えば容量値を算出
して、ICチップ（56）の良・否を判別する。First, a predetermined wafer (47) is taken out from the wafer cassette (46) from the loader section (49). This wafer (47) is pre-aligned and then mounted on the mounting table (52) by the rotating arm (54).
Place on top. Then, after the alignment is performed by an alignment section (not shown), the mounting table (52) is moved to provide the wafer (47) in the downward direction of the probe card (55). Here, as shown in FIG. 6, the probe needle (50) is brought into contact with the electrode pad (57) of the IC chip (56) by raising the mounting table (52). In this contact state, a measurement signal is applied from the tester (51). That is, a measurement signal is applied to the input electrode (57) of the IC chip (56), and the electrical signal generated at the output electrode (57) is measured by the tester (51). In this measurement, the voltage (V) and current (A) between the electrodes (57) are measured. Then, for example, a capacitance value is calculated from the measured value to determine whether the IC chip (56) is good or bad.
上述したような測定に際し、駆動部等から発生するノイ
ズや外部からのノイズは次のようにしてアースされてい
る。During the above-described measurement, noise generated from the drive unit and noise from the outside are grounded as follows.
発生したノイズは、載置台（52）の導電部に重畳する。
この重畳したノイズは、グランド線（61）によりアース
される。ここで、載置台（52）のウエハ載置面は、絶縁
部（59）で形成されている。載置されたウエハ（47）
は、電気的にフローティング状態となる。つまり、ウエ
ハ（47）には、載置台（52）の導電部に重畳したノイズ
が流れることはない。又、実験の結果、ICチップ（56）
に微小電流を流しても、リーク電流はほとんど検出され
ず正確な測定が行なえた。The generated noise is superimposed on the conductive portion of the mounting table (52).
The superimposed noise is grounded by the ground wire (61). Here, the wafer mounting surface of the mounting table (52) is formed of an insulating portion (59). Mounted wafer (47)
Is in an electrically floating state. That is, noise superimposed on the conductive portion of the mounting table (52) does not flow through the wafer (47). Moreover, as a result of the experiment, the IC chip (56)
Even if a minute current was passed through, leak current was hardly detected and accurate measurement was possible.
上記実施例では、表面即ち載置面をシュー酸アルマイト
処理した導電性載置台について説明したが、これに限定
するものではなく上記導電性載置台上面にセラミック部
材をプラズマ溶射して、平坦に固着したものでも良い。In the above-mentioned embodiment, the conductive mounting table whose surface, that is, the mounting surface is anodized with oxalic acid has been described. However, the present invention is not limited to this, and a ceramic member is plasma-sprayed on the upper surface of the conductive mounting table to be fixed flat. You can use what you have done.
上記セラミック部材をプラズマ溶射した導電性載置台に
あっては、同様に微小電流をウエハチップに流しても、
測定に影響することはなく、許容差内で測定が可能であ
る。In the case of the conductive mounting table in which the ceramic member is plasma sprayed, even if a minute current is applied to the wafer chip,
It does not affect the measurement and can be measured within the tolerance.
又、上記導電性載置台上面にテフロン（商品名）をコー
ディングした載置台にあっては、上述した微小電流に近
い状態の測定が可能である。Further, in the mounting table in which Teflon (trade name) is coded on the upper surface of the conductive mounting table, it is possible to measure in a state close to the minute current described above.
又、このテフロンコーティングされた導電性載置台を用
いると、誤ってテフロンコーティング表面に、マーキン
グ用のレーザを照射しても、テフロンは熱伝導率が高い
ので、照射された熱が早速に熱拡散する。このため従来
の金属例えばアルミ部材より耐久性に優れている。In addition, if this Teflon-coated conductive mounting table is used, even if the Teflon-coated surface is accidentally irradiated with the marking laser, the thermal conductivity of Teflon is high, so the applied heat diffuses quickly. To do. Therefore, it is more durable than the conventional metal such as an aluminum member.
以上説明したようにこの実施例によれば、導電性載置台
の被測定体の載置面に絶縁部を形成し、載置台の導電部
を電気的に接地したことにより、駆動部等から発生する
ノイズは被測定体に悪影響をおよぼすことなく、上記載
置台の導電部からグランドに落とされ、測定信号にノイ
ズが重畳することなく正確な測定が行なえる。As described above, according to this embodiment, the insulating portion is formed on the mounting surface of the object to be measured of the conductive mounting table, and the conductive portion of the mounting table is electrically grounded, so that it is generated from the driving unit or the like. The generated noise is dropped to the ground from the conductive portion of the mounting table without adversely affecting the object to be measured, and accurate measurement can be performed without noise being superimposed on the measurement signal.
〔発明の効果〕 本発明の電気特性測定装置は、載置台に電圧印加電極お
よび電圧測定電極を帯状に形成し、これらの電極が前記
載置台の載置面に間隔をあけて交互に配置し、かつ前記
載置面の略中央の回りに同心状に複数列配列されるよう
に蛇行状に構成すると共に、帯状の前記電圧印加電極お
よび電圧測定電極の間に筋状に蛇行した絶縁領域を設け
ている。したがって、蒸着等によって高精度の電圧印加
電極および電圧測定電極を容易に形成することができ、
半導体ウエハとの密着性に優れ、電気特性を正確に測定
できるという効果がある。また、被測定体の載置台を絶
縁体で形成している。このため、測定時にノイズによる
電磁誘導作用によって、載置台にうず電流が発生するの
を防止することができる。この結果、極めて微小な電流
によって被測定体の電気特性を高い精度で測定すること
ができる。(Effects of the Invention) The electrical characteristic measuring apparatus of the present invention forms voltage applying electrodes and voltage measuring electrodes in a strip shape on the mounting table, and these electrodes are alternately arranged at intervals on the mounting surface of the mounting table. , And a meandering configuration so as to be concentrically arranged in a plurality of rows around the substantially center of the mounting surface, and a striped insulating region between the voltage applying electrodes and the voltage measuring electrodes that meander in a stripe shape. It is provided. Therefore, it is possible to easily form a highly accurate voltage application electrode and voltage measurement electrode by vapor deposition or the like,
It has excellent adhesiveness with a semiconductor wafer and has an effect that electrical characteristics can be accurately measured. Further, the mounting table for the object to be measured is formed of an insulator. Therefore, it is possible to prevent an eddy current from being generated on the mounting table due to an electromagnetic induction effect due to noise during measurement. As a result, it is possible to measure the electrical characteristics of the object to be measured with high accuracy using an extremely small current.
また、載置台の絶縁抵抗値が大きいので、大電流による
測定時に、被測定体と接地部間で放電が起きるのを防止
することができる。この結果、従来の装置に比べて約50
倍以上の大電流による電気特性の測定を高い精度で行う
ことができるものである。Further, since the mounting table has a large insulation resistance value, it is possible to prevent discharge from occurring between the object to be measured and the grounded portion during measurement with a large current. As a result, about 50
The electric characteristics can be measured with high accuracy by a large current more than double.
第１図は本発明の一実施例の電気特性測定装置の概略構
成を示す説明図、第２図は第１図に示した装置に測定器
を接続した状態を示す説明図、第３図（Ａ）は第１図に
おいてグランデッド接続により、測定器と半導体ウエハ
を接続した状態を示す説明図、第３図（Ｂ）は第１図に
おいてフローティング接続により測定器と半導体ウエハ
を接続した状態を示す説明図、第４図は第１図装置の所
定形状の電圧測定電極と電圧印加電極で構成された導体
部を示す平面図、第５図は第１図の他の実施例を説明す
るための装置構成説明図、第６図は第５図の載置部構造
を説明するための説明図、第７図は第５図装置をウエハ
プローバに用いた例を説明するための図、第８図は従来
の電気特性測定装置の概略構成を示す説明図、第９図は
第８図の電気特性測定装置の載置台の一例の表面を示す
平面図、第10図は第９図の載置台の表面の他の例を示す
平面図である。 20……載置台、20a……上部 20b……下部、21……半導体ウエハ 36……プローブカード、37……プローブ針FIG. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of an electric characteristic measuring apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which a measuring instrument is connected to the apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 1A is an explanatory view showing a state in which the measuring device and the semiconductor wafer are connected by grounded connection in FIG. 1, and FIG. 3B is a state in which the measuring device and the semiconductor wafer are connected by floating connection in FIG. FIG. 4 is a plan view showing a conductor portion composed of a voltage measuring electrode and a voltage applying electrode having a predetermined shape of the apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 5 is for explaining another embodiment of FIG. FIG. 6 is an explanatory view for explaining the apparatus structure of FIG. 5, FIG. 6 is an explanatory view for explaining the mounting portion structure of FIG. 5, and FIG. 7 is a view for explaining an example in which the apparatus of FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a conventional electrical characteristic measuring device, and FIG. 9 is an electrical characteristic of FIG. Plan view showing an example surfaces of the mounting table of the constant device, FIG. 10 is a plan view showing another example of the surface of the mounting table of FIG. 9. 20: Mounting table, 20a: Upper part 20b: Lower part, 21: Semiconductor wafer 36: Probe card, 37: Probe needle
Claims (1)
板を介して半導体ウエハを載置すると共に、前記載置台
に前記半導体ウエハに電圧を印加する電圧印加電極およ
び該電圧を測定するための電圧測定電極を備えた電気特
性測定装置において、 前記電圧印加電極および電圧測定電極を帯状に形成し、
これらの電極が前記載置台の載置面に間隔をあけて交互
に位置し、かつ前記載置面の略中央の回りに同心状に複
数列配列されるように蛇行状に構成すると共に、帯状の
前記電圧印加電極および電圧測定電極の間に筋状に蛇行
した絶縁領域を設けたことを特徴とする電気特性測定装
置。1. A semiconductor wafer is mounted on a mounting surface of a mounting table made of an insulator via a conductive thin plate, and a voltage applying electrode for applying a voltage to the semiconductor wafer on the mounting table and the voltage are measured. In an electrical characteristic measuring device having a voltage measuring electrode for, forming the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode in a strip shape,
These electrodes are arranged alternately on the mounting surface of the mounting table with a space therebetween, and are arranged in a meandering manner so as to be arranged in a plurality of concentric lines around the substantially center of the mounting surface. 2. An electric characteristic measuring device, characterized in that a striped meandering insulating region is provided between the voltage applying electrode and the voltage measuring electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153742A JPH0762691B2 (en) | 1987-06-24 | 1988-06-22 | Electrical property measuring device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-157430 | 1987-06-24 | ||
| JP15743087 | 1987-06-24 | ||
| JP63153742A JPH0762691B2 (en) | 1987-06-24 | 1988-06-22 | Electrical property measuring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6472079A JPS6472079A (en) | 1989-03-16 |
| JPH0762691B2 true JPH0762691B2 (en) | 1995-07-05 |
Family
ID=26482276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153742A Expired - Fee Related JPH0762691B2 (en) | 1987-06-24 | 1988-06-22 | Electrical property measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762691B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014157120A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3813421B2 (en) * | 1999-08-23 | 2006-08-23 | イビデン株式会社 | Wafer prober equipment |
| TWI223084B (en) * | 2002-04-25 | 2004-11-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic component characteristic measuring device |
| JP4992863B2 (en) * | 2008-08-19 | 2012-08-08 | 株式会社デンソー | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device inspection apparatus used therefor |
| JP4685953B2 (en) * | 2009-07-17 | 2011-05-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | EPITAXIAL SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICES WITH VERTICAL DIRECTION OF CURRENT CONDUCTION |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58220438A (en) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | Measuring placing stand for semiconductor wafer |
| JPS61147544A (en) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | Electric property measuring stage |
| JPS62291937A (en) * | 1986-06-12 | 1987-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Prober |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153742A patent/JPH0762691B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014157120A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
| JP2014192285A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Tokyo Electron Ltd | Probe device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6472079A (en) | 1989-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6917195B2 (en) | Wafer probe station | |
| JP2940815B2 (en) | Method and apparatus for inspecting conductive circuit board | |
| US4884026A (en) | Electrical characteristic measuring apparatus | |
| US6911834B2 (en) | Multiple contact vertical probe solution enabling Kelvin connection benefits for conductive bump probing | |
| US20020149386A1 (en) | Blade-like connecting needle | |
| US5801386A (en) | Apparatus for measuring plasma characteristics within a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating and using same | |
| JP2539453B2 (en) | Semiconductor element inspection equipment | |
| US20020009904A1 (en) | Probe card | |
| JPH0762691B2 (en) | Electrical property measuring device | |
| JP6365953B1 (en) | Prober | |
| US3287637A (en) | High frequency current means including capacitive probe members for determining the electrical resistance of a semiconductor layer | |
| JP4290316B2 (en) | Inspection method and inspection device for wiring short-circuited portion | |
| JP4124622B2 (en) | Probe mechanism of prober | |
| EP2980840B1 (en) | Probe device | |
| JPS6156981A (en) | Semiconductor inspecting device | |
| JPS63138745A (en) | Structure of base plate for prober | |
| KR960010066B1 (en) | Electrical characteristic measuring apparatus | |
| JPH0784003A (en) | Electric circuit measuring apparatus | |
| JP3033118B2 (en) | Electric resistivity measurement method and 4-terminal probe | |
| JP2847309B2 (en) | Probe device | |
| JP2008292372A (en) | Circuit inspection device equipped with inspection support system, and inspection support method therefor | |
| JP2657315B2 (en) | Probe card | |
| JP2901781B2 (en) | Inspection method for semiconductor device | |
| US6864676B2 (en) | Substrate-holding device for testing circuit arrangements on substrates | |
| JPH08111438A (en) | Probe for integrated circuit element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |