JPH0756036A - Optical waveguide device and its production - Google Patents

Optical waveguide device and its production

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Publication number
JPH0756036A
JPH0756036A JP5201705A JP20170593A JPH0756036A JP H0756036 A JPH0756036 A JP H0756036A JP 5201705 A JP5201705 A JP 5201705A JP 20170593 A JP20170593 A JP 20170593A JP H0756036 A JPH0756036 A JP H0756036A
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JP
Japan
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optical waveguide
waveguide
substrate
optical
chip
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5201705A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junko Watanabe
順子 渡邉
Takashi Yamane
隆志 山根
Yasuhiro Omori
康弘 大森
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the optical waveguide device which lessens the influence of cutting from a substrate at the time of device production so as to omit a polishing stage and to lessen thermal damage at the time of fixing by forming a metallic film and metallic plate on the rear surface of the substrate. CONSTITUTION:The metallic film 16 is formed on the rear surface of the waveguide substrate 12 and further, the metallic plate 17 is formed thereon. The metallic plate 16 releases the stress at the time of production and releases the thermal strain by the thermal expansion, etc., of a signal electrode 14a and a grounding 14b. The metallic plate 17 lessens the damage on the waveguide substrate 12 by heat in the case of welding of the optical waveguide device 11 to a module body. Further, blocks 18a, 18b protect the end faces of the guides 13c of the respective waveguides 13a and prevent the generation of cracking and chipping in the case of separating by cutting the waveguide substrate 12 to a chip shape. The polishing stage after cutting is saved by the blocks 18a, 18b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、チップ上に光導波路が
形成された光導波路デバイスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device having an optical waveguide formed on a chip.

【0002】近年、情報化社会の進展に伴って大容量デ
ータを伝送する必要が高まり、光通信、情報処理の分野
で光集積回路及び光導波路デバイスが使用されてきてい
る。
In recent years, with the progress of information-oriented society, there is an increasing need to transmit large amounts of data, and optical integrated circuits and optical waveguide devices have been used in the fields of optical communication and information processing.

【0003】そして、光集積回路の小型、集積化に伴
い、より高信頼度の光導波路デバイスが要求されてい
る。そのため、デバイス製造時における切断工程による
影響及び固定時の熱による影響を軽減させる必要があ
る。
With the miniaturization and integration of optical integrated circuits, more reliable optical waveguide devices are required. Therefore, it is necessary to reduce the influence of the cutting process during device manufacturing and the influence of heat during fixing.

【0004】[0004]

【従来の技術】従来における光導波路デバイスは、Li
b 3 (リチウムナイオベート)等の基板に拡散等に
より光導波路が所定チップ単位で形成され、形成後切断
によりチップ化される。このチップは、UV(紫外線)
硬化樹脂等の接着剤によりステンレス等の金属性モジュ
ール筐体に固定されて形成されるのが一般的である。
2. Description of the Related Art A conventional optical waveguide device has L i
N b O 3 optical waveguide by diffusion or the like on a substrate (lithium niobate) or the like is formed at a predetermined chip unit is a chip by forming after cutting. This chip is UV (ultraviolet)
It is generally formed by being fixed to a metallic module housing such as stainless steel with an adhesive such as a cured resin.

【0005】ところで、接着剤による固定方法は、樹脂
特有の温度に依存した不規則な動きを生じることとな
り、また金属性モジュール筐体と導波路基板との間にお
ける熱膨張係数やヤング率の違いによる熱歪みが発生し
て光軸ずれを生じたり、さらにチップに加えられる応力
により光学特性を変化させてしまうことになる。
By the way, the fixing method using an adhesive causes irregular movement depending on the temperature, which is peculiar to the resin, and the difference in thermal expansion coefficient and Young's modulus between the metallic module housing and the waveguide substrate. Due to the heat distortion, the optical axis shifts, and the stress applied to the chip changes the optical characteristics.

【0006】そこで、チップ裏面に金属膜を形成し、金
属性モジュール筐体に、溶接により固定することが知ら
れている(例えば、特開昭4−436923号公報)。
すなわち、光導波路を形成した基板の裏面に金属膜を形
成し、チップ単位で切断した後、光導波路の切断面を研
磨して各チップを金属性モジュール筐体に溶接により固
定するものである。
Therefore, it is known to form a metal film on the back surface of the chip and fix it to the metallic module housing by welding (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-436923).
That is, a metal film is formed on the back surface of the substrate on which the optical waveguide is formed, and after cutting in chip units, the cut surface of the optical waveguide is polished and each chip is fixed to the metallic module housing by welding.

【0007】一方、石英等の光導波路デバイスの場合、
チップ単位で拡散等により光導波路を形成した後、ダイ
シングソー等によりメカニカル的に切り出す。そして、
切り出し面の少くとも光導波路の端面を研磨するもの
で、固定方法は前述と同様である。
On the other hand, in the case of an optical waveguide device such as quartz,
After forming an optical waveguide by diffusion etc. in chip units, it is mechanically cut out by a dicing saw or the like. And
At least the end face of the optical waveguide of the cut surface is polished, and the fixing method is the same as described above.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の公報記
載の固定方法では、溶接する際の熱により導波路基板に
ダメージを与えることになる。また、チップが切断後に
光導波路面を一面ごとに研磨することは極めて長時間を
要することから、研磨工程を省略すると、切断で生じた
光導波路面でのクラックやチッピングにより光学特性が
変化することになる。このクラックやチッピングは、上
述のように基板裏面に金属膜を形成する場合に目視で認
識することができず、歩留りが低下するという問題があ
る。
However, in the fixing method described in the above publication, the waveguide substrate is damaged by heat during welding. Further, since it takes an extremely long time to polish the optical waveguide surfaces one by one after the chip is cut, if the polishing process is omitted, the optical characteristics may change due to cracks or chipping on the optical waveguide surface caused by cutting. become. This crack or chipping cannot be visually recognized when the metal film is formed on the back surface of the substrate as described above, and there is a problem that the yield is reduced.

【0009】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、デバイス製造時における基板からの切断による
影響を軽減して研磨工程を省くと共に、固定時の熱ダメ
ージを軽減する光導波路デバイスを提供することを目的
とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and provides an optical waveguide device that reduces the influence of cutting from the substrate during device manufacturing, omits the polishing step, and reduces thermal damage during fixing. The purpose is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題は、一方面に光
導波路が形成されるチップ状の導波路基板と、該導波路
基板の他方面に形成される所定の金属膜と、該金属膜面
に形成される所定の金属板と、を有する構成とすること
により解決される。そして、適宜前記導波路基板の光導
波路基板の光導波路上であって、チップ化による該光導
波路端面の位置に保護部材が形成される。あるいは、光
導波路端部がエッチングにより溝を形成することにより
平滑化される構成とする。
Means for Solving the Problems The above-mentioned problems are solved by a chip-shaped waveguide substrate having an optical waveguide formed on one surface, a predetermined metal film formed on the other surface of the waveguide substrate, and the metal film. This is solved by adopting a configuration having a predetermined metal plate formed on the surface. Then, a protective member is appropriately formed on the optical waveguide of the optical waveguide substrate of the waveguide substrate at the position of the end face of the optical waveguide by chip formation. Alternatively, the end portion of the optical waveguide is smoothed by forming a groove by etching.

【0011】[0011]

【作用】上述のように、本発明の光導波路デバイスは、
導波路基板の、光導波路が形成された面の裏面に金属膜
が形成され、さらに金属膜上に所定の金属板が形成され
る。すなわち、この光導波路デバイスがモジュール本体
に固着される場合、上述の金属膜及び金属板により、モ
ジュール本体と導波路基板間に発生する熱膨張等による
熱歪みが相殺されることになる。これにより、固定時の
熱ダメージを軽減することが可能となる。
As described above, the optical waveguide device of the present invention is
A metal film is formed on the back surface of the surface of the waveguide substrate on which the optical waveguide is formed, and a predetermined metal plate is formed on the metal film. That is, when the optical waveguide device is fixed to the module main body, the above-mentioned metal film and metal plate cancel out thermal strain due to thermal expansion or the like generated between the module main body and the waveguide substrate. This makes it possible to reduce heat damage during fixing.

【0012】また、光導波路上の光導波路端面の位置に
保護部材を形成することにより、導波路基板へのチップ
化のための切断による影響を軽減して、該端面の研磨工
程を省くことが可能となる。あるいは、光導波路端面の
位置をエッチングにより溝を形成することで平滑化され
ることにより、該端面の研磨工程を省くことが可能とな
る。
Further, by forming the protective member at the position of the end face of the optical waveguide on the optical waveguide, it is possible to reduce the influence of cutting into chips on the waveguide substrate and to omit the polishing process of the end face. It will be possible. Alternatively, the position of the end face of the optical waveguide is smoothed by forming a groove by etching, so that the step of polishing the end face can be omitted.

【0013】[0013]

【実施例】図1に、本発明の第1実施例の構成図であ
る。図1(A)は概略側面図、図1(B)は概略平面
図、図1(C)は基板裏面の概略図である。
FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention. 1A is a schematic side view, FIG. 1B is a schematic plan view, and FIG. 1C is a schematic view of the back surface of the substrate.

【0014】図1(A)〜(C)に示す光導波路デバイ
ス11は、マッハツェンダ型光変調器であり、Li b
3 (リチウムナイオベート)等の電気光学効果結晶又
はSi(シリコン)からなる導波路基板12は、図1
(B)に示すように、入力(出力)導波路13a、各分
岐導波路13b1 ,13b2 、出力(入力)導波13c
が所定数形成され、各分岐導波路13b1 ,13b2
に、それぞれ信号電極14a、接地電極14bが形成さ
れたものである。
The optical waveguide device 11 shown in FIGS. 1A to 1C is a Mach-Zehnder type optical modulator, and has L i N b.
The waveguide substrate 12 made of an electro-optic effect crystal such as O 3 (lithium niobate) or Si (silicon) is shown in FIG.
As shown in (B), input (output) waveguide 13a, branch waveguides 13b 1 and 13b 2 , output (input) waveguide 13c
Is formed in a predetermined number, and the signal electrode 14a and the ground electrode 14b are formed on the respective branch waveguides 13b 1 and 13b 2 .

【0015】信号電極14aは進行波型に形成されてい
る。すなわち、電極分布定数回路の構成要素としたとき
に、信号電極14aを伝播する例えばマイクロ波領域の
駆動電位信号の伝播方向と分岐導波路13b1 の伝播光
の方向とが一致するように形成したものである。
The signal electrode 14a is formed in a traveling wave type. That is, when it is used as a constituent element of the electrode distributed constant circuit, it is formed so that the propagation direction of the drive potential signal, for example, in the microwave region propagating through the signal electrode 14a and the direction of the propagating light in the branch waveguide 13b 1 coincide with each other. It is a thing.

【0016】また、導波路基板12の裏面には、図1
(C)に示すように、直線状の判定用導波路15が所定
数形成される。この導波路基板12の裏面には、金等の
金属膜16が形成され、さらに該金属膜16上に導波路
基板(Li b 3 )12と熱膨張係数の近いステンレ
ス(SUS304)等の溶接可能な金属板17が形成さ
れる。
Also, on the back surface of the waveguide substrate 12, as shown in FIG.
As shown in (C), a predetermined number of linear determination waveguides 15 are formed. A metal film 16 of gold or the like is formed on the back surface of the waveguide substrate 12, and the waveguide substrate (L i N b O 3 ) 12 and stainless steel (SUS304) having a thermal expansion coefficient close to that of the waveguide substrate (L i N b O 3 ) 12 are formed on the metal film 16. The weldable metal plate 17 is formed.

【0017】そして、導波路基板12の光導波路13a
〜13c形成面上であって、該光導波路13a〜13c
の端面の位置に保護部材であるブロック18a,18b
が形成される。
Then, the optical waveguide 13a of the waveguide substrate 12
.About.13c on the formation surface, and the optical waveguides 13a to 13c.
Blocks 18a, 18b which are protective members at the positions of the end faces of the
Is formed.

【0018】このようなマンツェンダ型光変調器の光導
波路デバイス11は、入力導波路13aに入力した光信
号が分岐導波路13b1 ,13b2 に分岐されて進む。
そこで、信号電極14aに電界が印加されると、その電
界の強さに応じて基板12が屈曲して分岐導波路13b
1 内を進む光信号の屈折率を変化させる。
In the optical waveguide device 11 of such a Manzender type optical modulator, the optical signal input to the input waveguide 13a is branched into the branch waveguides 13b 1 and 13b 2 and proceeds.
Therefore, when an electric field is applied to the signal electrode 14a, the substrate 12 bends in accordance with the strength of the electric field and the branch waveguide 13b.
The refractive index of the optical signal traveling in 1 is changed.

【0019】すなわち、分岐導波路13b1 内を進む光
信号が分岐導波路13b2 内を進む光信号に対して位相
が変化する。そして、分岐導波路13b1 内を進む位相
が変化した光信号と、分岐導波路13b2 内を進む光信
号とが出力導波路13cで合波され、入力光信号に対し
て光強度が変化した光信号として出力させるものであ
る。
That is, the phase of the optical signal traveling in the branch waveguide 13b 1 changes with respect to the optical signal traveling in the branch waveguide 13b 2 . Then, the optical signal having the phase changed in the branch waveguide 13b 1 and the optical signal propagating in the branch waveguide 13b 2 are combined by the output waveguide 13c, and the optical intensity is changed with respect to the input optical signal. It is output as an optical signal.

【0020】この場合、金属膜16は、作製時の応力を
緩和すると共に、信号電極14a及び接地電極14bの
熱膨張等による熱歪みを緩和する役割をする。また、金
属板17は、該光導波路デバイス11をモジュール本体
(ステンレス製)に溶着する場合に、熱による導波路基
板12へのダメージを軽減させる役割をなす。さらに、
ブロック18a,18bは、導波路基板12をチップ状
(各導波路ごと)に切断して分離する場合の、それぞれ
の導波路13a〜13cの端面の保護をしてクラックや
チッピングの発生を防止するもので、このブロック18
a,18bにより、切断後の研磨工程を省略することが
できるものである。
In this case, the metal film 16 serves to relieve the stress at the time of manufacturing and to relieve the thermal strain due to the thermal expansion of the signal electrode 14a and the ground electrode 14b. Further, the metal plate 17 plays a role of reducing damage to the waveguide substrate 12 due to heat when the optical waveguide device 11 is welded to the module body (made of stainless steel). further,
The blocks 18a and 18b protect the end faces of the respective waveguides 13a to 13c and prevent the occurrence of cracks and chippings when the waveguide substrate 12 is cut into chips (for each waveguide) and separated. In this block 18
With a and 18b, the polishing step after cutting can be omitted.

【0021】そこで、図2及び図3に、図1の製造工程
図を示す。図2は光導波路デバイス群を製造する場合の
工程図であり、図3はチップ化してモジュール本体に固
着する場合の工程図である。
Therefore, FIGS. 2 and 3 show the manufacturing process chart of FIG. FIG. 2 is a process diagram in the case of manufacturing the optical waveguide device group, and FIG. 3 is a process diagram in the case of being made into chips and fixed to the module body.

【0022】図2において、まず前提として、Li b
3 で形成される導波路基板12の上面及び裏面に図1
(B),(C)に示すような導波路13a〜13b及び
判定用導波路15がTi (チタン)等の金属を選択的に
拡散されて形成される。
In FIG. 2, first, as a premise, L i N b
As shown in FIG. 1 on the upper surface and the back surface of the waveguide substrate 12 formed of O 3 .
The waveguides 13a and 13b and the determination waveguide 15 as shown in FIGS. 9B and 9C are formed by selectively diffusing a metal such as T i (titanium).

【0023】この導波路基板12の上面(導波路13a
〜13cが形成されている面)上に、バッファ層として
例えば5000ÅのSi 2 膜(絶縁膜)21が形成さ
れる(図2(A))。同様に、導波路基板12の裏面
(判定用導波路15が形成されている面)にバッファ層
として例えば5000ÅのSi 2 膜22が形成される
(図2(B))。
The upper surface of the waveguide substrate 12 (waveguide 13a
~13c on the face) which is formed, S i O 2 film, for example, 5000Å as a buffer layer (insulating film) 21 is formed (FIG. 2 (A)). Similarly, S i O 2 film 22 on the back surface as a buffer layer (a surface determination waveguide 15 is formed) e.g. 5000Å of the waveguide substrate 12 is formed (FIG. 2 (B)).

【0024】Si 2 膜21上には、図1(B)に示す
ような信号電極14a及び接地電極14bが例えば金及
び金メッキ(10μm)を蒸着して形成されると共に、
i2 膜22上には図1(A)に示すような金属膜1
6が例えば金及び金メッキ(10μm)を蒸着して形成
される(図2(C))。この状態のものを原デバイス1
1aと称す。
[0024] On S i O 2 film 21, together are formed by depositing the signal electrodes 14a and ground electrodes 14b, as shown in FIG. 1 (B) such as gold and gold plated (10 [mu] m),
S i O 2 film 22 on FIG. 1 metal as shown in (A) layer 1
6 is formed by evaporating gold and gold plating (10 μm), for example (FIG. 2C). Original device 1 in this state
It is called 1a.

【0025】そして、この原デバイス11aに、例えば
AuSn(金スズ)のペースト23によりステンレス
(SUS304)の金属板17がロー付けされる(図2
(D))。
Then, a stainless steel (SUS304) metal plate 17 is brazed to the original device 11a with, for example, a paste 23 of AuSn (gold tin) (FIG. 2).
(D)).

【0026】また、図3(A)は、図2(D)に示す原
デバイス11aにペースト23を介して金属板17をロ
ー付けした場合を示している。そして、原デバイス11
a上の導波路13a〜13cの端面に位置する部分にブ
ロック18a,18bが接着剤等により取り付けられ、
当該部分がブレード等により切断されてチップ状に分離
される(図3(B))。これにより、チップ状の光導波
路デバイス(チップ)11が作製される。
Further, FIG. 3A shows a case where the metal plate 17 is brazed to the original device 11a shown in FIG. 2D via the paste 23. And the original device 11
Blocks 18a and 18b are attached to the portions located on the end faces of the waveguides 13a to 13c on a by an adhesive or the like,
The portion is cut by a blade or the like and separated into chips (FIG. 3 (B)). As a result, a chip-shaped optical waveguide device (chip) 11 is manufactured.

【0027】このとき、切断後にチップ裏面の判定用導
波路15に光を結合させて結合損失を測定することによ
り、導波路基板12と金属膜16との間に発生したクラ
ックやチッピングの進行性を測定することができる。例
えば、判定用導波路15の結合損失が10dB以上であ
れば、裏面に亀裂を生じているものと判定される。
At this time, light is coupled to the determination waveguide 15 on the back surface of the chip after cutting and the coupling loss is measured, whereby the progress of cracks and chippings generated between the waveguide substrate 12 and the metal film 16 is advanced. Can be measured. For example, if the coupling loss of the determination waveguide 15 is 10 dB or more, it is determined that the back surface is cracked.

【0028】そして、形成されたチップ状の光導波路デ
バイス11が、溶接によりステンレス製のモジュール本
体24に固定される(図3(C))。
Then, the formed chip-shaped optical waveguide device 11 is fixed to the module body 24 made of stainless steel by welding (FIG. 3C).

【0029】これにより、より信頼度の高い光導波路デ
バイスが構成され、製造における切断による影響を軽減
して研磨工程を省くことができ、製造時間の大幅な短縮
を図ることができる。また、金属板17により、モジュ
ール本体24への固定時に導波路基板12への熱ダメー
ジを軽減することができるものである。
As a result, a more reliable optical waveguide device is constructed, the influence of cutting in manufacturing can be reduced, the polishing step can be omitted, and the manufacturing time can be greatly shortened. Further, the metal plate 17 can reduce heat damage to the waveguide substrate 12 when it is fixed to the module body 24.

【0030】次に、図4に、本発明の第2実施例の製造
工程図を示す。本発明の第2実施例では、Si (シリコ
ン)のウエハ上に光導波路を形成し、これをチップ状に
切断、分離する場合を示している。
Next, FIG. 4 shows a manufacturing process diagram of the second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention shows a case where an optical waveguide is formed on a wafer of S i (silicon), cut into chip-like, it separated.

【0031】図4において、まず、ウエハ31上の複数
個のチップ化する領域32に、それぞれ所定パターンの
光導波路33が拡散等により形成される。(図4
(A))。この光導波路33が形成された全面にSi
34を蒸着により形成する(図4(B))。そして、多
重露光等によりカット部分の分離ライン35を表出する
ようにエッチングを行う(図4(C))。
In FIG. 4, first, optical waveguides 33 having a predetermined pattern are formed in a plurality of regions 32 on the wafer 31 to be made into chips by diffusion or the like. (Fig. 4
(A)). The optical waveguide 33 is formed by depositing a S i layer 34 is formed over the entire surface (FIG. 4 (B)). Then, etching is performed by multiple exposure or the like so as to expose the separation line 35 of the cut portion (FIG. 4C).

【0032】続いて、図示しないが、表出した分離ライ
ン35をRIE(反応性イオンエッチング)等により、
チップ領域32の光導波路33の端面が出る深さの溝を
形成する。この場合、RIE法はドライエッチングであ
るが、フッ酸によるウェットエッチングを行ってもよ
い。
Subsequently, although not shown, the exposed separation line 35 is subjected to RIE (reactive ion etching) or the like.
A groove is formed in the chip region 32 at a depth where the end face of the optical waveguide 33 is exposed. In this case, the RIE method is dry etching, but wet etching with hydrofluoric acid may be performed.

【0033】そして、分離ライン35の溝に沿って、ブ
レードにより切断を行う。すなわち、ブレードによる切
断は、光導波路33の端面に影響を与えない幅のものが
使用されることにより、従来の切断後の研磨工程を省略
することができるものである。
Then, the blade is cut along the groove of the separation line 35. That is, the cutting with the blade can be omitted from the conventional polishing step after cutting by using a blade having a width that does not affect the end face of the optical waveguide 33.

【0034】ここで、図5に、図4により製造される光
導波路デバイスの説明図を示す。図4に示す工程で、図
5(A)に示すようにウエハ31上に光導波路33が形
成されたチップ領域32が複数個形成され、分離による
チップ化後の状態が図5(B),(C)に示される。
FIG. 5 shows an explanatory view of the optical waveguide device manufactured by FIG. In the step shown in FIG. 4, a plurality of chip regions 32 having optical waveguides 33 are formed on the wafer 31 as shown in FIG. 5A, and the state after chip formation by separation is shown in FIG. It is shown in (C).

【0035】すなわち、ウエハ31上に形成される光導
波路33は、その形成時(拡散時)、図5(C)に示す
ようにSi 2 の2層の領域に分かれて、Si 2 領域
32a内に光導波路33が形成されたコア領域となる。
そして、上述の分離ライン35のエッチングによる溝形
成がこのSi 2 領域32aの深さまで行われ、下層の
i 2 領域32bをブレードにより切断するものであ
る。
[0035] That is, the optical waveguide 33 formed on the wafer 31, at the time of its formation (when diffusion), is divided into areas of two layers of S i O 2, as shown in FIG. 5 (C), S i O It becomes a core region in which the optical waveguide 33 is formed in the two regions 32a.
Then, in which grooves formed by etching the above-described separation line 35 is carried out to a depth of the S i O 2 region 32a, is cut by a blade of the underlying S i O 2 region 32b.

【0036】一般に、ドライエッチングとウェットエッ
チングは、ブレードによるダイシングよりも面精度を向
上させることができ、例えば光通信系等で使用される波
長λの1/4以下に面精度を抑えることができる。すな
わち、λ/4以下であれば、光の拡散を抑えることがで
きるものである。従って、エッチングにより光導波路3
3の端面を形成しておけば、ブレードによる切断後に研
磨を行う必要がなくなのものである。
Generally, dry etching and wet etching can improve the surface accuracy more than dicing with a blade, and can suppress the surface accuracy to, for example, 1/4 or less of the wavelength λ used in optical communication systems. . That is, if it is λ / 4 or less, the diffusion of light can be suppressed. Therefore, by etching, the optical waveguide 3
If the end face 3 is formed, it is not necessary to perform polishing after cutting with a blade.

【0037】次に、特に図示しないが本発明の第3実施
例について説明する。この第3実施例は、図5を用いて
説明すると、従来と同様にウエハ31上に所定のパター
ンの光導波路(33)を形成し、分割ライン(35)に
沿ってチップ領域(32)をダイシングソー(ブレー
ド)により機械的に切断して分離する。そして、分離さ
れたチップ(32)をSi 2 エッチャント液に浸漬し
て光導波路の端面を平滑化するものである。
Next, although not particularly shown, a third embodiment of the present invention will be described. This third embodiment will be described with reference to FIG. 5. As in the conventional case, an optical waveguide (33) having a predetermined pattern is formed on a wafer 31, and a chip area (32) is formed along a dividing line (35). It is mechanically cut and separated by a dicing saw (blade). The separated chip (32) is immersed in S i O 2 etchant solution is to smooth the end face of the optical waveguide.

【0038】この方法によれば、エッチャント液に浸漬
するだけで平滑化を行うことができ、研磨工程を省略し
て製造時間の大幅な短縮を図ることができるものであ
る。
According to this method, the surface can be smoothed just by immersing it in the etchant solution, and the polishing step can be omitted to greatly reduce the manufacturing time.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、導波路基
板の光導波路が形成された面の裏面に金属膜を形成し、
この金属膜上に金属板を形成すると共に、光導波路の端
面上の位置に保護部材を形成することにより、デバイス
製造における基板からの切断による影響を軽減して研磨
工程を省くことができ、固定時の熱ダメージを軽減する
ことができるものである。
As described above, according to the present invention, a metal film is formed on the back surface of the surface of the waveguide substrate on which the optical waveguide is formed,
By forming a metal plate on this metal film and forming a protective member at a position on the end face of the optical waveguide, it is possible to reduce the influence of cutting from the substrate in device manufacturing and to omit the polishing step, and to fix it. The heat damage at the time can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の製造工程図(1)である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram (1) of FIG.

【図3】図1の製造工程図(2)である。FIG. 3 is a manufacturing process diagram (2) of FIG. 1.

【図4】本発明の第2実施例の製造工程図である。FIG. 4 is a manufacturing process drawing of the second embodiment of the present invention.

【図5】図4により製造される光導波路デバイスの説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory view of the optical waveguide device manufactured by FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 光導波路デバイス 12 導波路基板 13a 入力導波路 13b1 ,13b2 分岐導波路 13c 出力導波路 14a 信号電極 14b 接地電極 15 判定用導波路 16 金属膜 17 金属板 18a,18b ブロック 21,22 Si 2 膜 23 ペースト 24 モジュール本体 31 ウエハ 32 チップ領域 33 光導波路 34 Si 膜 35 分離ライン11 Optical Waveguide Device 12 Waveguide Substrate 13a Input Waveguide 13b 1 and 13b 2 Branch Waveguide 13c Output Waveguide 14a Signal Electrode 14b Grounding Electrode 15 Judgment Waveguide 16 Metal Film 17 Metal Plate 18a, 18b Block 21, 22 S i O 2 film 23 Paste 24 Module body 31 Wafer 32 Chip area 33 Optical waveguide 34 Si film 35 Separation line

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方面に光導波路(13a〜13c)が
形成されるチップ状の導波路基板(12)と、 該導波路基板(12)の他方面に形成される所定の金属
膜(16)と、 該金属膜(16)面に形成される所定の金属板(17)
と、 を有することを特徴とする光導波路デバイス。
1. A chip-shaped waveguide substrate (12) having optical waveguides (13a to 13c) formed on one surface, and a predetermined metal film (16) formed on the other surface of the waveguide substrate (12). ) And a predetermined metal plate (17) formed on the surface of the metal film (16)
An optical waveguide device comprising:
【請求項2】 前記導波路基板(12)の光導波路(1
3a〜13c)上であって、チップ化による該光導波路
(13a〜13c)端面の位置に保護部材(18a,1
8b)が形成されることを特徴とする請求項1記載の光
導波路デバイス。
2. The optical waveguide (1) of the waveguide substrate (12)
3a to 13c) and at positions of the end faces of the optical waveguides (13a to 13c) formed into chips, the protective member (18a, 1a).
8b) is formed, the optical waveguide device according to claim 1.
【請求項3】 前記導波路基板(12)の前記金属膜
(16)形成面に光導波路(15)が形成されることを
特徴とする請求項1又は2記載の光導波路デバイス。
3. The optical waveguide device according to claim 1, wherein an optical waveguide (15) is formed on a surface of the waveguide substrate (12) on which the metal film (16) is formed.
【請求項4】 光導波路(13a〜13c)が形成され
るチップ状の導波路基板(12)をモジュール本体(2
4)に固着する光導波路デバイスの製造方法において、 前記導波路基板(12)の一方面に前記光導波路(13
a〜13c)及び所定の電極を形成する工程と、 該導波路基板(12)の他方面に該電極と熱特性が同等
又は近似する所定の金属膜(16)を形成する工程と、 該金属膜(16)面に、所定の金属板(17)を所定の
接着部材(23)により形成する工程と、 該導波路基板(2)をチップ状に分離する工程と、 該チップ状の導波路基板(12)の該金属板(17)面
を前記モジュール本体(24)に固着する工程と、 を含むことを特徴とする光導波デバイスの製造方法。
4. A chip-shaped waveguide substrate (12) on which optical waveguides (13a to 13c) are formed is attached to a module body (2).
4) In the method for manufacturing an optical waveguide device fixed to the optical waveguide device, the optical waveguide (13) is provided on one surface of the waveguide substrate (12).
a to 13c) and a step of forming a predetermined electrode, a step of forming a predetermined metal film (16) having the same or similar thermal characteristics as the electrode on the other surface of the waveguide substrate (12), A step of forming a predetermined metal plate (17) on the surface of the film (16) with a predetermined adhesive member (23); a step of separating the waveguide substrate (2) into chips; A step of fixing the surface of the metal plate (17) of the substrate (12) to the module main body (24), and a method for manufacturing an optical waveguide device.
【請求項5】 前記チップ分離前に、前記光導波路(1
3a〜13c)上であって、チップ化による該光導波路
(13a〜13c)端面の位置に保護部材(18a,1
8b)を形成することを特徴とする請求項4記載の光導
波路デバイスの製造方法。
5. The optical waveguide (1) before the chip separation.
3a to 13c) and at positions of the end faces of the optical waveguides (13a to 13c) formed into chips, the protective member (18a, 1a).
8b) is formed, The manufacturing method of the optical waveguide device of Claim 4 characterized by the above-mentioned.
【請求項6】 ウエハ(31)上の複数個のチップ化す
る領域(32)にそれぞれ所定パターンの光導波路(3
3)を形成する工程と、 該光導波路(33)上に所定部材(33)を塗布し、該
チップ化する分離ライン(35)のみを表出させる工程
と、 該表出した分離ライン(35)を、エッチングにより、
少くとも該光導波路(33)の端面部分の深さまで溝を
形成する工程と、 該ウエハ(31)に形成された該溝に沿って、機械的に
切断して該光導波路(33)が形成されたチップを分離
する工程と、 を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
6. An optical waveguide (3) having a predetermined pattern is formed in each of a plurality of regions (32) to be made into chips on a wafer (31).
3), a step of applying a predetermined member (33) on the optical waveguide (33) to expose only the separation line (35) for chip formation, and the exposed separation line (35) ) By etching
Forming a groove at least to the depth of the end face portion of the optical waveguide (33), and mechanically cutting the groove along the groove formed in the wafer (31) to form the optical waveguide (33) And a step of separating the formed chips, and a method for manufacturing an optical waveguide device, comprising:
【請求項7】 ウエハ(31)の上の複数個のチップ化
する領域にそれぞれ所定パターンの光導波路(33)を
形成する工程と、 分離ライン(35)に沿って該光導波路が形成されたチ
ップ領域を機械的に切断して分離する工程と、 該チップを所定のエッチング液に浸漬して、該光導波路
(33)の端面を平滑化する工程と、 を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
7. A step of forming an optical waveguide (33) having a predetermined pattern in each of a plurality of regions to be made into chips on a wafer (31), and the optical waveguide is formed along a separation line (35). An optical waveguide comprising: a step of mechanically cutting the chip region to separate it; and a step of immersing the chip in a predetermined etching solution to smooth the end face of the optical waveguide (33). Device manufacturing method.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353264B1 (en) * 2000-07-18 2002-03-05 Trw Inc. Pseudomonolithic wafer scale module
WO2004092792A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-28 Fujitsu Limited Optical waveguide device
WO2021131273A1 (en) * 2019-12-26 2021-07-01 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator
WO2021131272A1 (en) * 2019-12-26 2021-07-01 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353264B1 (en) * 2000-07-18 2002-03-05 Trw Inc. Pseudomonolithic wafer scale module
WO2004092792A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-28 Fujitsu Limited Optical waveguide device
US7386198B2 (en) 2003-04-16 2008-06-10 Fujitsu Limited Optical waveguide device
US7787717B2 (en) 2003-04-16 2010-08-31 Fujitsu Limited Optical waveguide device
WO2021131273A1 (en) * 2019-12-26 2021-07-01 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator
WO2021131272A1 (en) * 2019-12-26 2021-07-01 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator
JP2021105650A (en) * 2019-12-26 2021-07-26 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator
JP2021105649A (en) * 2019-12-26 2021-07-26 住友大阪セメント株式会社 Optical waveguide element and optical modulator

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