JPH0756033A - 導波路型光デバイス及びその特性評価用基板 - Google Patents
導波路型光デバイス及びその特性評価用基板Info
- Publication number
- JPH0756033A JPH0756033A JP20062793A JP20062793A JPH0756033A JP H0756033 A JPH0756033 A JP H0756033A JP 20062793 A JP20062793 A JP 20062793A JP 20062793 A JP20062793 A JP 20062793A JP H0756033 A JPH0756033 A JP H0756033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical
- waveguide
- optical device
- waveguide type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は導波路型光デバイス及びその特性評価
用基板に関し、設計変更が容易な導波路型光デバイス及
び特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した特
性評価用基板の提供を目的とする。 【構成】特性評価用基板２にあっては、表面に溝部４を
有し、溝部４の縁と基板２の縁の間には少なくとも２つ
の光導波路６が形成され、光導波路６には光ファイバ８
が接続され、溝部４に被試験導波路型光デバイス１０を
着座させたときにその光導波路１２が基板２の光導波路
６に光結合される。
用基板に関し、設計変更が容易な導波路型光デバイス及
び特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した特
性評価用基板の提供を目的とする。 【構成】特性評価用基板２にあっては、表面に溝部４を
有し、溝部４の縁と基板２の縁の間には少なくとも２つ
の光導波路６が形成され、光導波路６には光ファイバ８
が接続され、溝部４に被試験導波路型光デバイス１０を
着座させたときにその光導波路１２が基板２の光導波路
６に光結合される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波路型光デバイス及
び導波路型光デバイスの特性評価用基板に関する。
び導波路型光デバイスの特性評価用基板に関する。
【０００２】光方向性結合器等の光デバイスの一形態と
して、光導波路型のものがある。導波路型光デバイス
は、構造上小型化が容易でプレーナ技術等を用いて量産
することができるという利点を有しており、その構造の
最適化が模索されている。また、導波路型光デバイスの
特性を評価するに際しての作業性の改善が求められてい
る。
して、光導波路型のものがある。導波路型光デバイス
は、構造上小型化が容易でプレーナ技術等を用いて量産
することができるという利点を有しており、その構造の
最適化が模索されている。また、導波路型光デバイスの
特性を評価するに際しての作業性の改善が求められてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来、比較的低屈折率なアンダークラッ
ド上に比較的高屈折率な所定形状のコアを形成し、この
コアを覆うようにアンダークラッド上にオーバークラッ
ドを形成してなる導波路型光デバイスが知られている。
ド上に比較的高屈折率な所定形状のコアを形成し、この
コアを覆うようにアンダークラッド上にオーバークラッ
ドを形成してなる導波路型光デバイスが知られている。
【０００４】この種の導波路型光デバイスの特性を評価
する場合には、光デバイス毎に光ファイバと光学的な接
続を行い、この光ファイバを介して供給された光に対す
る応答を測定する。
する場合には、光デバイス毎に光ファイバと光学的な接
続を行い、この光ファイバを介して供給された光に対す
る応答を測定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の導波路型光デバ
イスにあっては、設計された機能以外の機能は持ち得な
い。即ち、例えば光カプラの機能を有する機能部と光合
波器の機能を有する機能部とが一つの基板上に形成され
た導波路型光デバイスについて設計変更を行って、光カ
プラの機能のみを有する導波路型光デバイスを製造しよ
うとする場合には、コア形成に際してのフォトリソグラ
フィに用いるマスクを作り直さなければならないので、
設計変更が煩雑であるという問題があった。
イスにあっては、設計された機能以外の機能は持ち得な
い。即ち、例えば光カプラの機能を有する機能部と光合
波器の機能を有する機能部とが一つの基板上に形成され
た導波路型光デバイスについて設計変更を行って、光カ
プラの機能のみを有する導波路型光デバイスを製造しよ
うとする場合には、コア形成に際してのフォトリソグラ
フィに用いるマスクを作り直さなければならないので、
設計変更が煩雑であるという問題があった。
【０００６】一方、導波路型光デバイスの特性評価に関
しては、光デバイス毎に光ファイバと接続する必要があ
るので、測定の作業性が良くないという問題がある。よ
って、本発明の目的は、設計変更が容易な導波路型光デ
バイスを提供することにある。
しては、光デバイス毎に光ファイバと接続する必要があ
るので、測定の作業性が良くないという問題がある。よ
って、本発明の目的は、設計変更が容易な導波路型光デ
バイスを提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、導波路型光デバイス
の特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した特
性評価用基板を提供することにある。
の特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した特
性評価用基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によると、表面に
光導波路と該光導波路の端面が露出する溝部とを有する
光接続用基板と、上記溝部に着座したときに上記光導波
路に光結合される光機能部を有するエレメント基板とを
備え、上記エレメント基板を交換することで所望の機能
が得られるようにした導波路型光デバイスが提供され
る。
光導波路と該光導波路の端面が露出する溝部とを有する
光接続用基板と、上記溝部に着座したときに上記光導波
路に光結合される光機能部を有するエレメント基板とを
備え、上記エレメント基板を交換することで所望の機能
が得られるようにした導波路型光デバイスが提供され
る。
【０００９】また、本発明によると、表面に溝部を有す
る基板であって、該溝部の縁と該基板の縁の間には少な
くとも２つの光導波路が形成され、該光導波路の上記基
板の縁側の端部には光ファイバが接続され、上記溝部に
被試験導波路型光デバイスを着座させたときにその光導
波路が上記基板の光導波路に光結合される導波路型光デ
バイスの特性評価用基板が提供される。
る基板であって、該溝部の縁と該基板の縁の間には少な
くとも２つの光導波路が形成され、該光導波路の上記基
板の縁側の端部には光ファイバが接続され、上記溝部に
被試験導波路型光デバイスを着座させたときにその光導
波路が上記基板の光導波路に光結合される導波路型光デ
バイスの特性評価用基板が提供される。
【００１０】
【作用】本発明の導波路型光デバイスにあっては、エレ
メント基板を交換することで所望の機能が得られるよう
にしているので、予め種々の機能のエレメント基板を用
意しておくことで、設計変更に容易に対処することがで
きるようになる。
メント基板を交換することで所望の機能が得られるよう
にしているので、予め種々の機能のエレメント基板を用
意しておくことで、設計変更に容易に対処することがで
きるようになる。
【００１１】一方、本発明の導波路型光デバイスの特性
評価用基板にあっては、その光導波路に予め光ファイバ
を接続しているので、被試験導波路型光デバイスを基板
の溝部に着座させるだけで基板の光導波路と導波路型光
デバイスの光導波路とを光結合することができ、測定が
容易になる。
評価用基板にあっては、その光導波路に予め光ファイバ
を接続しているので、被試験導波路型光デバイスを基板
の溝部に着座させるだけで基板の光導波路と導波路型光
デバイスの光導波路とを光結合することができ、測定が
容易になる。
【００１２】尚、基板の溝部の縁と基板の縁の間に少な
くとも２つの光導波路が形成されているのは、被試験導
波路型光デバイスに光を供給するのに少なくとも１つの
光導波路が必要であり、その供給された光による応答を
測定するために少なくとも１つの光導波路が必要だから
である。
くとも２つの光導波路が形成されているのは、被試験導
波路型光デバイスに光を供給するのに少なくとも１つの
光導波路が必要であり、その供給された光による応答を
測定するために少なくとも１つの光導波路が必要だから
である。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明の特性評価用基板の実施例を示す斜視
図である。この基板２の表面には、被試験導波路型光デ
バイスの形状に対応した形状の溝部４が形成されてい
る。溝部４の縁と基板２の縁との間には少なくとも２つ
（この実施例では３つ）の光導波路６が形成されてい
る。
る。図１は本発明の特性評価用基板の実施例を示す斜視
図である。この基板２の表面には、被試験導波路型光デ
バイスの形状に対応した形状の溝部４が形成されてい
る。溝部４の縁と基板２の縁との間には少なくとも２つ
（この実施例では３つ）の光導波路６が形成されてい
る。
【００１４】また、光導波路６の基板２の縁側の端部に
は、光ファイバ８が光学的及び機械的に接続されてい
る。光ファイバ８と光導波路６の接続は、光ファイバ８
を光導波路６に対して位置調整した後光学接着剤等を用
いて行うことができる。
は、光ファイバ８が光学的及び機械的に接続されてい
る。光ファイバ８と光導波路６の接続は、光ファイバ８
を光導波路６に対して位置調整した後光学接着剤等を用
いて行うことができる。
【００１５】被試験導波路型光デバイス１０には光導波
路１２が形成されており、この光導波路１２はこの実施
例では光分岐回路の機能をなす。被試験導波路型光デバ
イス１０を裏返して基板２の溝部４に着座させると、被
試験導波路型光デバイス１０の光導波路１２の端部と基
板２の光導波路６の溝部４側の端部とが密着して対向
し、光導波路１２と光導波路６との間の光結合がなされ
る。
路１２が形成されており、この光導波路１２はこの実施
例では光分岐回路の機能をなす。被試験導波路型光デバ
イス１０を裏返して基板２の溝部４に着座させると、被
試験導波路型光デバイス１０の光導波路１２の端部と基
板２の光導波路６の溝部４側の端部とが密着して対向
し、光導波路１２と光導波路６との間の光結合がなされ
る。
【００１６】被試験導波路型光デバイス１０の外形形状
と、基板２の溝部４の形状と、光導波路６及び１２の形
成位置とについては製造に際して極めて高精度に設定す
ることができるので、被試験導波路型光デバイス１０の
光導波路１２と基板２の光導波路６との間の高い光結合
効率を得ることができる。
と、基板２の溝部４の形状と、光導波路６及び１２の形
成位置とについては製造に際して極めて高精度に設定す
ることができるので、被試験導波路型光デバイス１０の
光導波路１２と基板２の光導波路６との間の高い光結合
効率を得ることができる。
【００１７】このように本実施例によると、基板２につ
いてだけ１回光ファイバ８を接続しておけば、種々の被
試験導波路型光デバイスについて容易に特性評価を行う
ことができる。特性評価は、例えば、光ファイバ８を介
して被試験導波路型光デバイス１０に光を供給し、その
応答を得ることにより行うことができる。
いてだけ１回光ファイバ８を接続しておけば、種々の被
試験導波路型光デバイスについて容易に特性評価を行う
ことができる。特性評価は、例えば、光ファイバ８を介
して被試験導波路型光デバイス１０に光を供給し、その
応答を得ることにより行うことができる。
【００１８】図２は図１の特性評価用基板の製造プロセ
スの一例を説明するための図である。まず、（Ａ）に示
されるように、Ｓｉからなる基板１２上に火炎堆積法等
により厚みが約２０μｍのアンダークラッド１４を形成
し、さらにアンダークラッド１４上に厚みが約１０μｍ
のコア層１６を形成する。そして、フォトリソグラフィ
法等を用いてコア層１６を部分的に除去してコア１６Ａ
を形成する。
スの一例を説明するための図である。まず、（Ａ）に示
されるように、Ｓｉからなる基板１２上に火炎堆積法等
により厚みが約２０μｍのアンダークラッド１４を形成
し、さらにアンダークラッド１４上に厚みが約１０μｍ
のコア層１６を形成する。そして、フォトリソグラフィ
法等を用いてコア層１６を部分的に除去してコア１６Ａ
を形成する。
【００１９】続いて（Ｂ）に示されるように、コア１６
Ａを覆うようにアンダークラッド１４上に火炎堆積法等
によりオーバークラッド１８を形成する。そして（Ｃ）
に示されるように、多重露光法及びＲＩＥ法（リアクテ
ィブイオンエッチング法）等を用いて、オーバークラッ
ド１８及びコア１６Ａについてエッチングを行い、溝部
４を形成する。
Ａを覆うようにアンダークラッド１４上に火炎堆積法等
によりオーバークラッド１８を形成する。そして（Ｃ）
に示されるように、多重露光法及びＲＩＥ法（リアクテ
ィブイオンエッチング法）等を用いて、オーバークラッ
ド１８及びコア１６Ａについてエッチングを行い、溝部
４を形成する。
【００２０】そして最後に図示はしないがコア１６Ａに
対して光ファイバを光学的及び機械的に接続する。この
ような製造プロセスによると、コア１６Ａの位置や溝部
４の形状について極めて高精度な設定を行うことができ
るので、溝部４に被試験導波路型光デバイスを着座させ
たときに、十分な光結合効率を得ることができる。
対して光ファイバを光学的及び機械的に接続する。この
ような製造プロセスによると、コア１６Ａの位置や溝部
４の形状について極めて高精度な設定を行うことができ
るので、溝部４に被試験導波路型光デバイスを着座させ
たときに、十分な光結合効率を得ることができる。
【００２１】図３は本発明の導波路型光デバイスの実施
例を示す平面図である。この導波路型光デバイスは、
（Ａ）に示されるように、表面に溝部２２及び２４が形
成された基板２０を備えている。溝部２２には光機能部
２６Ａを有するエレメント基板２６が着座し、溝部２４
には光機能部２８Ａを有するエレメント基板２８が着座
している。
例を示す平面図である。この導波路型光デバイスは、
（Ａ）に示されるように、表面に溝部２２及び２４が形
成された基板２０を備えている。溝部２２には光機能部
２６Ａを有するエレメント基板２６が着座し、溝部２４
には光機能部２８Ａを有するエレメント基板２８が着座
している。
【００２２】また、基板２０は、エレメント基板２６及
び２８のそれぞれの光機能部２６Ａ及び２８Ａに光結合
される光導波路３０を備えている。この例では、エレメ
ント基板２８の光機能部２８Ａは３ｄＢ光カプラの機能
をなし、エレメント基板２６の光機能部２６Ａは波長選
択の機能をなす。
び２８のそれぞれの光機能部２６Ａ及び２８Ａに光結合
される光導波路３０を備えている。この例では、エレメ
ント基板２８の光機能部２８Ａは３ｄＢ光カプラの機能
をなし、エレメント基板２６の光機能部２６Ａは波長選
択の機能をなす。
【００２３】溝部２２及び２４等については例えば図２
の製造プロセスにより製造することができる。（Ａ）の
導波路型光デバイスは、例えば光加入者系に適用するこ
とができるが、この導波路型光デバイスが有する複数の
機能のうち３ｄＢ光カプラの機能のみが必要になること
がある。このような場合には、（Ｂ）に示されるよう
に、エレメント基板２６をエレメント基板３２に交換す
る。エレメント基板３２は光信号を単に通過させるだけ
の機能を有する光機能部３２Ａを有している。
の製造プロセスにより製造することができる。（Ａ）の
導波路型光デバイスは、例えば光加入者系に適用するこ
とができるが、この導波路型光デバイスが有する複数の
機能のうち３ｄＢ光カプラの機能のみが必要になること
がある。このような場合には、（Ｂ）に示されるよう
に、エレメント基板２６をエレメント基板３２に交換す
る。エレメント基板３２は光信号を単に通過させるだけ
の機能を有する光機能部３２Ａを有している。
【００２４】このように基板の溝部の形状とエレメント
基板の形状とを合わせておくとともに、エレメント基板
の光機能部が基板の光導波路に光結合するようにしてお
くことよって、エレメント基板を交換するだけで容易に
導波路型光デバイスの設計変更に対応することができる
ようになる。
基板の形状とを合わせておくとともに、エレメント基板
の光機能部が基板の光導波路に光結合するようにしてお
くことよって、エレメント基板を交換するだけで容易に
導波路型光デバイスの設計変更に対応することができる
ようになる。
【００２５】図３の実施例では基板２０の光導波路３０
の外部との光結合については考慮していないが、図４に
示されるように、エレメント基板３４がセットされた基
板３６の光導波路３８に対して、基板３６の縁部で光フ
ァイバ４０を予め光結合しておいても良い。
の外部との光結合については考慮していないが、図４に
示されるように、エレメント基板３４がセットされた基
板３６の光導波路３８に対して、基板３６の縁部で光フ
ァイバ４０を予め光結合しておいても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
設計変更が容易な導波路型光デバイスの提供が可能にな
るという効果が生じる。
設計変更が容易な導波路型光デバイスの提供が可能にな
るという効果が生じる。
【００２７】また、本発明によると、導波路型光デバイ
スの特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した
特性評価用基板の提供が可能になるという効果も生じ
る。
スの特性評価に際しての作業性を向上させるのに適した
特性評価用基板の提供が可能になるという効果も生じ
る。
【図１】本発明の特性評価用基板の実施例を示す斜視図
である。
である。
【図２】図１の特性評価用基板の製造プロセスの一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】本発明の導波路型光デバイスの実施例を示す平
面図である。
面図である。
【図４】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
２，２０，３６ 基板 ４，２２，２４ 溝部 ６，３０，３８ 光導波路 ８，４０ 光ファイバ １０ 被試験導波路型光デバイス
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に光導波路(30,38) と該光導波路の
端面が露出する溝部(22,24) とを有する光接続用基板(2
0,36) と、 上記溝部(22,24) に着座したときに上記光導波路(30,3
8) に光結合される光機能部(26A,28A,32A) を有するエ
レメント基板(26,28,32,34) とを備え、 上記エレメント基板を交換することで所望の機能が得ら
れるようにしたことを特徴とする導波路型光デバイス。 - 【請求項２】 上記光接続用基板が上記溝部を複数有し
ていることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光デ
バイス。 - 【請求項３】 表面に溝部(4) を有する基板(2) であっ
て、 該溝部(4) の縁と該基板(2) の縁の間には少なくとも２
つの光導波路(6) が形成され、 該光導波路(6) の上記基板（2)の縁側の端部には光ファ
イバ(8) が接続され、 上記溝部(4) に被試験導波路型光デバイス(10)を着座さ
せたときにその光導波路(12)が上記基板(2) の光導波路
(6) に光結合されることを特徴とする導波路型光デバイ
スの特性評価用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20062793A JPH0756033A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 導波路型光デバイス及びその特性評価用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20062793A JPH0756033A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 導波路型光デバイス及びその特性評価用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756033A true JPH0756033A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16427529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20062793A Withdrawn JPH0756033A (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 導波路型光デバイス及びその特性評価用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756033A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994143B2 (en) | 2006-05-03 | 2011-08-09 | Chimerix, Inc. | Metabolically stable alkoxyalkyl esters of antiviral or antiproliferative phosphonates, nucleoside phosphonates and nucleoside phosphates |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP20062793A patent/JPH0756033A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994143B2 (en) | 2006-05-03 | 2011-08-09 | Chimerix, Inc. | Metabolically stable alkoxyalkyl esters of antiviral or antiproliferative phosphonates, nucleoside phosphonates and nucleoside phosphates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6442311B1 (en) | Optical device having modified transmission characteristics by localized thermal treatment | |
| US5297228A (en) | Method of connecting an optical fiber to an optical waveguide | |
| US5218663A (en) | Optical waveguide device and method for connecting optical waveguide and optical fiber using the optical waveguide device | |
| US5471552A (en) | Fabrication of static-alignment fiber-guiding grooves for planar lightwave circuits | |
| GB2097550A (en) | Silicon substrate structures for fixing optical fibers and lenses | |
| US6744953B2 (en) | Planar optical waveguide with alignment structure | |
| JPH08179155A (ja) | レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法 | |
| JPH02280104A (ja) | 接続端子台 | |
| JP2949282B2 (ja) | Ｖ溝付光導波路基板の製造方法及びその製法により製造されたｖ溝付光導波路基板 | |
| JPH0756033A (ja) | 導波路型光デバイス及びその特性評価用基板 | |
| US12072529B2 (en) | Optical waveguides and methods for producing | |
| JPH06118256A (ja) | 石英系光導波路部品およびその製造方法 | |
| WO2002061479A1 (fr) | Reseau de fibres optiques et procede de connexion de circuits a l'aide d'un tel reseau de fibres optiques | |
| US6480642B1 (en) | Hybrid optical waveguide circuit chip, and method for predicting the characteristics thereof | |
| JPH0727888B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2628682B2 (ja) | 光導波路部品とその接続方法 | |
| JPH06167625A (ja) | 光導波路部品の製造方法 | |
| JPH11183750A (ja) | 光デバイス用光導波路モジュールおよび光デバイスの製造方法 | |
| Soper | Simulation, fabrication and assembly techniques for passive alignment of silicon photonic integrated circuits | |
| JPH0363608A (ja) | ファイバ加工型光デバイス | |
| JPS62200306A (ja) | 光フアイバ用アダプタの製造方法 | |
| JPS63282704A (ja) | 光回路の製造方法 | |
| KISHIOKA et al. | Extinction Ratio Adjustment for the Coupler-Type Wavelength Demultiplexer Made by K+-Ion Diffused Waveguides | |
| JPH087371Y2 (ja) | 方向性結合器デバイス | |
| JPH06258554A (ja) | 光機能デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |