JPH0755363Y2 - ピストン位置検知装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案はピストン位置検知装置に関し、一層詳細には、
シリンダ内を往復動するピストンが所定位置範囲内から
外れた場合に検知信号としてラッチ信号を出力するよう
構成したピストン位置検知装置に関する。

［考案の背景］ 一般に、流体圧シリンダを用いて精密な作業を達成しよ
うとする場合、例えば、流体圧シリンダを利用してワー
クを次の加工工程に搬送しようとする時、ピストンがシ
リンダ内の所定の位置まで到達しているか否かを確認す
ることが必要となる。このような場合の一例を次に説明
する。

第１図に簡略に示すシリンダ２はその内部にピストン４
を摺動自在に有しており、このピストン４によって区分
された二つの室には流体用の管路６および８が接続され
ている。なお、参照符号Ａ乃至Ｅはシリンダ２内の室を
区分した領域を示す。

そこで、当該シリンダ２を用いて物品の搬送を行い、所
定位置に搬送して位置決めした後、この物品にロボット
を介して加工作業をすることを想定する。この場合、作
業工程のある段階において、ピストン４が領域Ｃ内に位
置することが当該物品を前記所定位置に位置決めするた
めの最適動作範囲（以下、最適動作範囲Ｃという）とさ
れ、且つピストン４が領域ＢまたはＤに位置する場合で
あっても物品が許容される所定位置の範囲内に位置決め
できる許容動作範囲（以下、許容動作範囲ＢまたはＤと
いう）内にあるものとする。しかし、この加工作業工程
において、ピストン４が前記許容動作範囲外である領域
ＡまたはＥに位置する場合（以下、許容外動作範囲Ａま
たはＥという）は所期の加工作業を達成することが出来
ない。加工のための正確な位置が確保されていないから
である。

そこで、シリンダ外からピストン位置を好適に検知すべ
く本出願人は既に実願昭第62-82659号に示す技術を提案
している。この考案はピストンがシリンダ２内の最適動
作範囲Ｃにある場合と許容動作範囲Ｂ、Ｄ内にある場合
とで互いに異なる発光を行う発光素子とこれを付勢する
電気回路を設け、前記発光素子の発光色の相違によっ
て、ピストンが最適動作範囲Ｃにあるか、または許容動
作範囲Ｂ、Ｄにあるかを外部から容易に視認可能であ
り、現在、各種生産現場において広汎に採用されるに至
っている。

すなわち、従来技術に係るピストン位置検知装置におい
てはON状態またはOFF状態の２値出力を有する一組の磁
気センサをシリンダ上の長手方向に所定間隔離間して配
設し、当該磁気センサの出力側と３個の発光素子との間
に論理ゲートを組み込み、２個の磁気センサの出力が共
にON状態の場合には、一方の磁気センサがON状態である
場合に点灯する発光素子とは別に設けた発光素子を点灯
するよう構成している。

従って、このピストン位置検知装置においては、例え
ば、ピストンが、第１図中、左方許容外動作範囲Ａから
右方に移動し、許容動作範囲Ｂに達すれば、第１の発光
素子が点灯してピストンが左側許容領域Ｂ内に位置する
ことを表示し、さらに右方へ移動して最適動作範囲Ｃに
達すれば第１発光素子は消灯し、一方、第１発光素子と
発光色の異なる第２の発光素子が点灯し、さらに右方へ
移動して右側許容動作範囲Ｄに達すれば、第２発光素子
は消灯し、第１発光素子と同一の発光色である第３の発
光素子が点灯し、さらに右方へ移動して許容外動作範囲
Ｅに達すれば、前記第３発光素子も消灯するものであっ
てピストン位置を外部から容易に検知視認することが出
来る。

［考案の目的］ 本考案は前記の装置に関連してなされたものであって、
前記の最適動作範囲Ｃ、許容動作範囲Ｂ、Ｄおよび許容
外動作範囲Ａ、Ｅに対応して所定の検知信号を出力する
ことによりピストン位置の検知を可能とするのは勿論の
こと、シリンダの動作中にピストン位置がシリンダの載
置手段に対する振動等により変化し最適動作範囲Ｃから
外れた場合あるいはピストン位置を検知する装置が最適
動作範囲Ｃに対応する取付位置から外れた場合にその検
知信号の特定の遷移状態をラッチすることにより当該ラ
ッチ信号に対応する出力信号に基づき制御機械の自己診
断等を可能とするピストン位置検知装置を提供すること
を目的とする。

［目的を達成するための手段］ 前記の目的を達成するために、本考案は、例えば、図面
に示すように、ピストン４の位置に応じて許容外動作範
囲Ａ（Ｅ）、許容動作範囲Ｂ（Ｄ）および最適動作範囲
Ｃの順に区分されたシリンダ２と、 ピストン４に配され、磁界を発生する磁界発生手段10
と、 シリンダ２上の軸方向に離されて配され、閾値レベルＨ
_REFを超える磁界を検出したときに出力レベルがハイレ
ベルになる第１および第２の検出信号Ｅ₁、Ｅ₂を出力す
る第１および第２の磁気センサＳ₁、Ｓ₂と、 第１および第２の検出信号Ｅ₁、Ｅ₂がそれぞれ供給され
る論理積手段IC12および論理和手段IC14とを備え、 論理積手段IC12の出力信号Ｅ₃のハイレベルが最適動作
範囲Ｃに対応され、 論理積手段IC12と論理和手段IC14の出力信号Ｅ₃、Ｅ₄の
排他的論理和出力（第５図ｇで表される出力信号Ｅ₅参
照）のハイレベルが許容動作範囲Ｂ（Ｄ）に対応され、
ローレベルが許容外動作範囲Ａ（Ｅ）に対応されるピス
トン位置検知装置において、 論理積手段IC12と論理和手段IC14の出力信号Ｅ₃、Ｅ₄が
供給されるラッチ手段14を有し、 このラッチ手段14は、論理和手段IC14の出力信号Ｅ₄が
ハイレベルになった（例えば、時刻ｔ₁₀点）後、論理積
手段IC12の出力信号Ｅ₃がハイレベルになる（時刻ｔ₁₅
点）前に、論理和手段IC14の出力信号Ｅ₄がローレベル
になった時（時刻ｔ₁₁点）に、ハイレベルになる（時刻
ｔ₁₁点）ラッチ信号Ｅ₁₀を出力することを特徴とする。

［実施態様］ 次に、本考案に係るピストン位置検知装置について好適
な実施態様を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細
に説明する。なお、本実施例態様において前記第１図に
示す構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付
しその詳細な説明は省略する。

第２図において、参照符号２はシリンダを示し、当該シ
リンダ２の内部には図の水平方向に摺動するピストン４
が配設されている。前記シリンダ２の外周面部にはピス
トン４の摺動方向に沿って所定距離だけ離間して同様な
磁気感度を有する第１並びに第２の磁気センサＳ₁、Ｓ₂
が配設され、これらの第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂は
ピストン４に配設された磁石10から作用する磁界の大き
さが一定値を超えた時にハイレベルのON状態信号を出力
する。この第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂の出力信号Ｅ
₁、Ｅ₂はピストン位置検知ユニット12に導入される。な
お、前記シリンダ２は磁石10の磁力線を容易に透過する
非磁性材料、例えば、アルミニウム等により構成されて
いる。

次に、第３図に前記第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂を含
むピストン位置検知ユニット12の概略的な回路ブロック
図を示す。図において、第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂
の電源供給端子Ｖ_EEは電圧がＶ_CCである電源IC10の出力
端子に接続され、第１磁気センサＳ₁と第２磁気センサ
Ｓ₂のアース端子Ｇは接地される。当該第１と第２磁気
センサＳ₁とＳ₂の出力信号Ｅ₁、Ｅ₂は夫々論理手段であ
るアンドIC12、オアIC14の入力端子に導入される。アン
ドIC12の出力信号Ｅ₃はバッファIC16およびバッファIC1
8を介して出力端子Ｐ₁に導入される。なお、このように
アンドIC12、バッファIC16およびIC18の出力信号を全て
同一の参照符号Ｅ₃で表しているのは回路動作を理解す
る上で各素子の信号遅れ等の時間要素が無視出来、電圧
レベルのみを問題にすれば足りるからである。以下、そ
の他の電圧信号についても同様の考え方に基づき参照符
号を付し、特に区別することが必要な場合には、例え
ば、「バッファIC16の出力信号Ｅ₃」というように限定
して表現することとする。

そこで、前記バッファIC16の出力信号Ｅ₃は抵抗R2と緑
色に発光する発光素子である第２の発光ダイオードCR2
の直列回路に導入され、第２発光ダイオードCR2のカソ
ード端子は接地される。

一方、前記オアIC14の出力信号Ｅ₄はバッファIC20を介
して出力端子Ｐ₂に導入されると共にトライステートバ
ッファIC22の入力端子に導入される。当該バッファIC22
の制御入力端子には前記アンドIC12の出力信号Ｅ₃が導
入され、バッファIC22の出力信号Ｅ₅はバッファIC24を
介して出力端子Ｐ₄に導入されると共に、抵抗R4と赤色
に発光する発光素子である第１の発光ダイオードCR4の
直列回路に導入され、第１発光ダイオードCR4のカソー
ド端子は接地される。

なお、後に説明する第５図のタイムチャートを参照すれ
ば容易に分かるように、バッファIC22の出力信号Ｅ
₅は、アンドIC12とオアIC14の出力信号Ｅ₃、Ｅ₄の排他
的論理和出力になっている。

前記バッファIC16の出力信号Ｅ₃はインバータIC26を介
し出力信号Ｅ₆としてラッチ回路14を構成する第１およ
び第２のフリップフロップIC28、IC30のクリア入力端子
CLR₁、CLR₂に導入される。一方、当該ラッチ回路14を構
成する第１フリップフロップIC28のクロック入力端子CK
₁には前記オアIC14の出力信号Ｅ₄が導入されると共に、
第２フリップフロップIC30のクロック入力端子CK₂には
インバータIC32を介して出力信号Ｅ₇が導入される。こ
の場合、第１、第２フリップフロップIC28、IC30はエッ
チドトリガタイプであってポジティブゴーイング信号に
よってデータ入力端子Ｄ₁、Ｄ₂に導入されているデータ
が出力端子Ｑ₁、Ｑ₂に転送される。そして、第１フリッ
プフロップIC28のデータ入力端子Ｄ₁には抵抗R6を介し
て電源電圧Ｖ_CCが供給されハイレベルに設定されると共
に、第１フリップフロップIC28の出力端子Ｑ₁から発生
する出力信号Ｅ₈は第２フリップフロップIC30のデータ
入力端子Ｄ₂に導入され、第２フリップフロップIC30の
出力端子Ｑ₂から発生する後述する調整要求信号Ｅ₁₀は
バッファIC34を介して出力端子Ｐ₃に導入される。

なお、ピストン位置検知ユニット12の出力端子Ｐ₁乃至
Ｐ₄はシーケンサ16に接続され、シーケンサ16は図示し
ないNC工作機械等の運転を制御する。また、ピストン位
置検知ユニット12の入力端子Ｐ₅、Ｐ₆にはシーケンサ16
から直流電源が導入され、逆接続保護ダイオードCR6並
びに平滑コンデンサC2、C4および３端子レギュレータ等
で構成される電源IC10からなる電源回路に供給される。

本実施態様に係るピストン位置検知装置は基本的には以
上のように構成されるものであり、次にその作用並びに
効果について説明する。

第４図ａ乃至ｅはピストン４に設けられた磁石10とシリ
ンダ２の外周部に配設された第１、第２磁気センサ
Ｓ₁、Ｓ₂の位置関係を模式的に図示すると共に、磁石10
の位置、すなわち、ピストン４の位置と第１、第２発光
ダイオードCR4、CR2の発光状態を示し、網目処理を施し
た小円は点灯状態、白色の小円は消灯状態を示す。ま
た、図中、放物線状の線は当該放物線の頂点位置に磁石
10がある時の磁石10の磁界の強さの分布を表示したもの
である。また、一点鎖線は閾値レベルである基準磁界Ｈ
_REFを示し第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂に作用する磁
界Ｈ₁、Ｈ₂（第３図参照）がこの基準磁界Ｈ_REF以上の
磁界である時に第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂の出力信
号Ｅ₁、Ｅ₂がローレベルからハイレベルに遷移しON状態
となる。なお、第４図ａ乃至ｅ中、第１、第２発光ダイ
オードCR4、CR2表示の下側に円で囲繞した文字Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅは前記第１図に示す所定の領域を示すアルフ
ァベットに対応させて記述しており、また、第１磁気セ
ンサＳ₁および／または第２磁気センサＳ₂がON状態とな
る領域は、第１図中、Ｂ、Ｃ、Ｄの領域であり当該検知
領域は検知範囲Ｆと称する。

第５図は第３図に示すピストン位置検知装置の動作を説
明するためのタイムチャートであり、以下、第４図の動
作模式説明図、第５図のタイムチャートに沿って作用を
説明する。

そこで、先ず、第４図ａに示すように、磁石10が磁気セ
ンサＳ₁、Ｓ₂から比較的離れている場合（第５図のタイ
ムチャートにおいては時刻ｔ₁における場合）は磁石10
による磁界Ｈ₁、Ｈ₂は前記基準磁界Ｈ_REF以下であり、
第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂の出力信号Ｅ₁、Ｅ₂はロ
ーレベルであるので出力信号Ｅ₃乃至Ｅ₅はいずれもロー
レベルであり、第１、第２発光ダイオードCR4、CR2はい
ずれも消灯している。この場合、ピストン４が第１図並
びに第２図中、左方から右方（矢印Ｇ方向）に進むもの
とすれば、ピストン４は許容外動作範囲Ａに存在する。
なお、この場合、出力端子Ｐ₁乃至Ｐ₄に発生する出力信
号Ｅ₃、Ｅ₄、Ｅ₅およびＥ₁₀は全てローレベルのOFF状態
となっている。換言すれば、シーケンサ16はシリンダ２
内のピストン４の位置が許容外動作範囲Ａ（またはＥ）
にあることを示す検知信号を受信している状態となって
いる。

次に、時刻ｔ₂において、第４図ａに示す位置にあった
磁石10がピストン４の変位によってさらに矢印Ｇ方向に
移動し、第４図ｂに示す位置まで移動したとする。この
場合、磁界Ｈ₁は基準磁界Ｈ_REFを超え第１磁気センサＳ
₁の出力信号Ｅ₁のみがハイレベルとなると共に、オアIC
14の出力信号Ｅ₄（第５図ｄ参照）がハイレベルとな
り、さらに出力端子Ｐ₂もハイレベルとなる。この場
合、アンドIC12の出力信号Ｅ₃はローレベルであるので
トライステートであるバッファIC22は導通状態となり、
その入力信号Ｅ₄と出力信号Ｅ₅（第５図ｅ参照）の値は
等しくなるので赤色に発光する第１発光ダイオードCR4
が点灯する。すなわち、ピストン４は第１、第２磁気セ
ンサＳ₁、Ｓ₂の検知範囲Ｆ内の許容動作範囲Ｂに入って
きたことが諒解される。この場合、出力端子Ｐ₁乃至Ｐ₄
に発生する出力信号Ｅ₃乃至Ｅ₅およびＥ₁₀の中、出力信
号Ｅ₅がハイレベルのON状態になっていることからシー
ケンサ16はシリンダ２内のピストン４の位置が許容動作
範囲Ｂ（またはＤ）にあることを示す検知信号を受信し
ている状態となっている。

続いて、磁石10がピストン４の変位に伴いさらにＧ方向
に移動し、時刻ｔ₃において、第４図ｃに示すように、
第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂に作用する磁界Ｈ₁、Ｈ₂
が基準磁界Ｈ_REFよりも大なる位置に移動すると、第
１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂の出力信号Ｅ₁、Ｅ₂が共に
ハイレベルの信号となり、アンドIC12並びにオアIC14の
出力信号Ｅ₃、Ｅ₄は共にハイレベルの信号となる。この
場合、バッファIC22の制御入力がハイレベルとなってい
るので、バッファIC22は非導通となり、第１発光ダイオ
ードCR4は消灯し緑色に発光する第２発光ダイオードCR2
のみ点灯する。従って、ピストン４は検知範囲Ｆ内の最
適動作範囲Ｃにあることが諒解される。この場合、出力
端子Ｐ₁乃至Ｐ₄に発生する出力信号Ｅ₃乃至Ｅ₅およびＥ
₁₀の中、出力信号Ｅ₃のみがハイレベルのON状態になっ
ていることからシーケンサ16はシリンダ２内のピストン
４の位置が最適動作範囲Ｃにあることを示す検知信号を
受信している状態となっている。

次いで、時刻ｔ₄において、磁石10が第４図ｄに示す位
置に移動したとする。この場合においては、第２磁気セ
ンサＳ₂の出力信号Ｅ₂のみがハイレベルとなり、この時
のアンドIC12並びにオアIC14の出力信号Ｅ₃、Ｅ₄の状態
は前記時刻ｔ₂における値と全く同様の値となるので、
第１発光ダイオードCR4が点灯し第２発光ダイオードCR2
は消灯する。すなわち、検知範囲Ｆ内の許容動作範囲Ｄ
にピストン４が存在していることが諒解される。この場
合、出力端子Ｐ₁乃至Ｐ₄に発生する出力信号Ｅ₃乃至Ｅ₅
およびＥ₁₀の中、出力信号Ｅ₅がハイレベルのON状態に
なっていることからシーケンサ16はシリンダ２内のピス
トン４の位置が許容動作範囲Ｄ（またはＢ）にあること
を示す検知信号を受信している状態となっている。

次いで、時刻ｔ₅においては、第４図ｅに示すように、
第１、第２磁気センサＳ₁、Ｓ₂に作用する磁界Ｈ₁、Ｈ₂
は基準磁界Ｈ_REF以下となり、アンドIC12、オアIC14の
出力信号Ｅ₃、Ｅ₄は共にローレベルとなるので第１およ
び第２発光ダイオードCR4、CR2は共に消灯状態となり、
ピストン４が検知範囲Ｆ外、すなわち、許容外動作範囲
Ｅに移動してきたことが諒解される。この場合、出力端
子Ｐ₁乃至Ｐ₄に発生する出力信号Ｅ₃乃至Ｅ₅およびＥ₁₀
は全てローレベルのOFF状態になっていることからシー
ケンサ16はシリンダ２内のピストン４の位置が許容外動
作範囲Ｅ（またはＡ）にあることを示す検知信号を受信
している状態となっている。

そこで、次に、ピストン４が矢印Ｇと反対方向に復動作
を開始すると時刻ｔ₆において第２磁気センサＳ₂が反転
することになり、この領域は許容動作範囲Ｄであること
が諒解される。以下、時刻ｔ₇、ｔ₈、ｔ₉は夫々最適動
作範囲Ｃ、許容動作範囲Ｂ、許容外動作範囲Ａにピスト
ン４があることが諒解されよう。なお、時刻ｔ₉までに
は後述するようにラッチ信号としての調整要求信号Ｅ₁₀
は付勢されない。

次に、時刻ｔ₁₀乃至ｔ₁₅に示すような順序で電圧が発生
したとする。すなわち、第５図ｂに示すように、第１磁
気センサＳ₁の出力信号Ｅ₁がハイレベルとなり、次い
で、第２磁気センサＳ₂の出力信号Ｅ₂がハイレベルとな
ることなく（第５図ｃ参照）第１磁気センサＳ₁の出力
信号Ｅ₁がローレベルとなり、再びハイレベルとされる
ものとする。これはピストン４が許容外動作範囲Ａから
許容動作範囲Ｂに進入し最適動作範囲Ｃに入ることなく
再び許容外動作範囲Ａに戻る時の動作である。つまり、
ピストン４の動作範囲が、例えば、振動等により、第１
図中、左方に変位した状態と謂えよう。この場合、時刻
ｔ₁₁においてラッチ回路14を構成する第２フリップフロ
ップIC30の出力端子Ｑ₂から出力する調整要求信号Ｅ₁₀
が初めてハイレベルとなる（第５図ｇ参照）。すなわ
ち、シーケンサ16は調整要求信号Ｅ₁₀がハイレベルのON
状態に係る信号、換言すれば、検知信号としてラッチ信
号を受信している状態となる。

次に、調整要求信号Ｅ₁₀がこのハイレベルになる過程を
説明する。今、時刻ｔ₇においては、第１、第２フリッ
プフロップIC28、30はクリア入力端子CLR₁、CLR₂にロー
レベルの信号Ｅ₆（出力信号Ｅ₃の反転信号、第５図ｈ参
照）が導入されており、出力端子Ｑ₁（出力信号Ｅ₈）、
Ｑ₂（出力信号Ｅ₁₀）は共にローレベルとされ、クリア
入力端子CLR₁、CLR₂に導入される信号Ｅ₆が時刻ｔ₇、ｔ
₈間でハイレベルとなってもこの状態が保持されてい
る。そこで、時刻ｔ₁₀において、第１フリップフロップ
IC28のクロック入力端子CK₁に導入される出力信号Ｅ₄が
ローレベルからハイレベルに遷移するのでこのエッジ信
号により第１フリップフロップIC28のデータ入力端子Ｄ
₁のデータ（ハイレベル）が出力端子Ｑ₁に転送され（出
力信号Ｅ₈）、第２フリップフロップIC30のデータ入力
端子Ｄ₂はハイレベルとされる。続いて時刻ｔ₁₁におい
てはインバータIC32の出力信号Ｅ₇、すなわち、第２フ
リップフロップIC30のクロック信号がローレベルからハ
イレベルに遷移し、当該エッジ信号（第５図ｊ、矢印参
照）によってデータ入力端子Ｄ₂のハイレベルデータは
出力端子Ｑ₂に転送され、ラッチ信号としての調整要求
信号Ｅ₁₀（第５図ｇ参照）がハイレベルとされ、調整要
求信号出力端子Ｐ₃を通じてシーケンサ16に導入され
る。シーケンサ16は調整要求信号Ｅ₁₀がハイレベル状態
にある時はシーケンサ16の出力信号によりピストン４の
位置を自動的に最適動作範囲Ｃに入るように図示しない
制御機械を調整するように構成し、例えば、時刻ｔ₁₄、
ｔ₁₅間でピストン４が再び最適動作範囲Ｃに臨入するよ
うになれば、再び第２磁気センサＳ₂がON状態（第５図
ｃ、時刻ｔ₁₅参照）となり、バッファIC16の出力信号Ｅ
₃がハイレベルになれば、その反転信号Ｅ₆により第２フ
リップフロップIC30の出力端子Ｑ₂がローレベルとなり
正常状態に復帰する。なお、時刻ｔ₁₆、ｔ₁₇間はピスト
ン４が許容外動作範囲Ｅと許容動作範囲Ｄ間を往復して
いる時の動作でこの時にも調整要求信号Ｅ₁₀はハイレベ
ルとされる。

なお、上記の実施態様においては、調整要求信号が出力
された時に、シーケンサを利用してピストン位置を自動
的に調整することについて説明したが、ピストンがスラ
イダクランク機構等によって駆動されるように、その位
置が本質的に変化しない構成である場合には、ピストン
位置検知装置自体が所定取付位置から変位したものとし
て、オペレータはピストン位置検知装置自体を所定位置
に再取付すればよい。

この際、バッファIC34の出力端子と接地間に抵抗と発光
ダイオードからなる直列回路を挿入し、当該発光ダイオ
ードの点灯によりオペレータにピストン位置の変位を知
得させてもよいことは勿論である。また、上記の実施態
様においては、ピストン４がシリンダ２内の許容外動作
範囲Ａと許容動作範囲Ｂ間または許容外動作範囲Ｅと許
容動作範囲Ｄ間を移動するときにラッチ手段がラッチ信
号を発生するように構成しているが、これに限らず、例
えば、ピストン４が許容外動作範囲Ａから許容動作範囲
Ｂ、最適動作範囲Ｃおよび許容動作範囲Ｄと往動作し、
当該許容動作範囲Ｄから最適動作範囲Ｃ、許容動作範囲
Ｂおよび許容外動作範囲Ａと復動作した場合にラッチ信
号を発生し得るように構成出来ることは謂うまでもな
い。

［考案の効果］ 以上のように、本考案によれば、ピストンが許容動作範
囲と許容外動作範囲間を往復動作した場合にラッチ信号
を発生するよう構成している。このため、当該ラッチ信
号をシーケンサ等に接続することによりピストン位置が
振動等に起因して位置ずれを起こした場合等においても
その位置ずれが大きくなる前にいち早く自動的に調整す
ることが出来るという利点が得られる。

以上、本考案について好適な実施態様を挙げて説明した
が、本考案はこの実施態様に限定されるものではなく、
本考案の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並び
に設計の変更が可能なことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般的な流体圧シリンダにおけるピストンの最
適動作範囲、許容動作範囲等の概念説明図、 第２図は本考案に係るピストン位置検知装置が適用され
るシリンダと当該ピストン位置検知装置を構成する磁気
センサの関係説明図、 第３図は本考案に係るピストン位置検知装置の概略回路
ブロック図、 第４図ａ乃至ｅは本考案に係るピストン位置検知装置の
動作説明図、 第５図ａ乃至ｊは本考案に係るピストン位置検知装置の
作用を説明するタイムチャートである。 ２……シリンダ、４……ピストン 10……磁石 12……ピストン位置検知ユニット 14……ラッチ回路、16……シーケンサ IC22……トライステートバッファ Ｓ₁、Ｓ₂……磁気センサ、Ｈ_REF……基準磁界

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】ピストンの位置に応じて許容外動作範囲、
   許容動作範囲および最適動作範囲の順に区分されたシリ
   ンダと、 前記ピストンに配され、磁界を発生する磁界発生手段
   と、 前記シリンダ上の軸方向に離されて配され、閾値レベル
   を超える前記磁界を検出したときに出力レベルがハイレ
   ベルになる第１および第２の検出信号を出力する第１お
   よび第２の磁気センサと、 前記第１および第２の検出信号がそれぞれ供給される論
   理積手段および論理和手段とを備え、 前記論理積手段の出力信号のハイレベルが前記最適動作
   範囲に対応され、 前記論理積手段と前記論理和手段の出力信号の排他的論
   理和出力のハイレベルが前記許容動作範囲に対応され、
   ローレベルが前記許容外動作範囲に対応されるピストン
   位置検知装置において、 前記論理積手段と前記論理和手段の出力信号が供給され
   るラッチ手段を有し、 このラッチ手段は、前記論理和手段の出力信号がハイレ
   ベルになった後、前記論理積手段の出力信号がハイレベ
   ルになる前に、前記論理和手段の出力信号がローレベル
   になった時に、ハイレベルになるラッチ信号を出力する
   ことを特徴とするピストン位置検知装置。