JPH0753300A - ニオブ酸リチウムおよびその製法 - Google Patents
ニオブ酸リチウムおよびその製法Info
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- JPH0753300A JPH0753300A JP19952493A JP19952493A JPH0753300A JP H0753300 A JPH0753300 A JP H0753300A JP 19952493 A JP19952493 A JP 19952493A JP 19952493 A JP19952493 A JP 19952493A JP H0753300 A JPH0753300 A JP H0753300A
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- lithium niobate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム単結
晶膜の育成において、均一で且つ結晶性の向上したエピ
タキシャル膜を得ること。 【構成】 コングルエント組成ニオブ酸リチウム単結晶
基板上に、基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム単結
晶膜を、原料融液としてＬｉ2 ＯとＮｂ2 Ｏ5 を所望組
成の液相線に対応する比率で混合、調製し、さらにＬＮ
x ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦ｘ＜１．０）に相当する量
（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以下）のＬｉ2ＣＯ3 、Ｂ2
Ｏ3 をフラックスとして加え、膜厚を育成温度で調整し
て（図１）温水平ディッピング法により液相エピタキシ
ャル成長させる。この育成により従来得られなかった上
記成分のニオブ酸リチウムが得られる。 【効果】 所望の膜厚で結晶性のの向上したニオブ酸リ
チウム単結晶膜を、廉価に量産することが可能となっ
た。
晶膜の育成において、均一で且つ結晶性の向上したエピ
タキシャル膜を得ること。 【構成】 コングルエント組成ニオブ酸リチウム単結晶
基板上に、基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム単結
晶膜を、原料融液としてＬｉ2 ＯとＮｂ2 Ｏ5 を所望組
成の液相線に対応する比率で混合、調製し、さらにＬＮ
x ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦ｘ＜１．０）に相当する量
（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以下）のＬｉ2ＣＯ3 、Ｂ2
Ｏ3 をフラックスとして加え、膜厚を育成温度で調整し
て（図１）温水平ディッピング法により液相エピタキシ
ャル成長させる。この育成により従来得られなかった上
記成分のニオブ酸リチウムが得られる。 【効果】 所望の膜厚で結晶性のの向上したニオブ酸リ
チウム単結晶膜を、廉価に量産することが可能となっ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路型光素子に用いら
れるニオブ酸リチウム単結晶の構造およびその製造方法
に関し、特に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）による
製造方法およびそれによって得られるニオブ酸リチウム
単結晶に関するものである。
れるニオブ酸リチウム単結晶の構造およびその製造方法
に関し、特に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）による
製造方法およびそれによって得られるニオブ酸リチウム
単結晶に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光回路の構成要素として導波路型光素子
は小型化、集積化が可能となるので研究開発が活発に行
われている。ニオブ酸リチウムはその基板として用いら
れ、主としてチョクラルスキー法（ＣＺ法）によって得
られてきた。しかし、ＣＺ法によって得られる結晶はコ
ングルエント組成（Ｌｉ：Ｎｂ＝０．４８６：０．５１
４）であり、Ｌｉがやや不足している。これが、導波路
を作製した際の光損傷や、ＤＣドリフトの一因と考えら
れ、ストイキオメトリ組成（Ｌｉ：Ｎｂ＝１：１）の結
晶材料による特性の改善が期待されている。
は小型化、集積化が可能となるので研究開発が活発に行
われている。ニオブ酸リチウムはその基板として用いら
れ、主としてチョクラルスキー法（ＣＺ法）によって得
られてきた。しかし、ＣＺ法によって得られる結晶はコ
ングルエント組成（Ｌｉ：Ｎｂ＝０．４８６：０．５１
４）であり、Ｌｉがやや不足している。これが、導波路
を作製した際の光損傷や、ＤＣドリフトの一因と考えら
れ、ストイキオメトリ組成（Ｌｉ：Ｎｂ＝１：１）の結
晶材料による特性の改善が期待されている。
【０００３】ＬＰＥ法は低コストである上結晶組成の制
御が容易であるため、ストイキオメトリ組成の結晶材料
を得る方法として近年活発に研究が行われている。ＬＰ
Ｅ法により非一致溶融組成のニオブ酸リチウム（ＬＮ）
単結晶を得るために、従来融液にＬｉ2 Ｏを所望組成に
対し過剰に加えたセルフフラックス法が用いられてきた
が、成長速度が速いために、成長面を反映した凸状の部
分が育成面上に現れ所望の方位に均一に膜が成長しにく
い上、膜厚や成長速度を制御することが困難であるとい
う問題があった。一方、成長速度や膜厚の制御を容易に
するためにＢ2Ｏ3 等のフラックス中にＬＮ原料を２０
ｍｏｌ％加えた融液系（ＬＮ：Ｂ2 Ｏ3＝２０：８０）
からコングルエント組成基板上に非一致溶融組成のニオ
ブ酸リチウム単結晶を育成する方法も行われている。し
かし、得られた膜には１０ｐｐｍ程度のＢが混入してい
るために、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は１３〜１５
ｓｅｃと、ＣＺ法により得られるコングルエント組成の
ＬＮ（半値幅１０ｓｅｃ）に比し結晶性が悪く、ウエハ
ー面内での屈折率にばらつきを生じるという問題があ
り、このことが素子の設計を困難にしている。
御が容易であるため、ストイキオメトリ組成の結晶材料
を得る方法として近年活発に研究が行われている。ＬＰ
Ｅ法により非一致溶融組成のニオブ酸リチウム（ＬＮ）
単結晶を得るために、従来融液にＬｉ2 Ｏを所望組成に
対し過剰に加えたセルフフラックス法が用いられてきた
が、成長速度が速いために、成長面を反映した凸状の部
分が育成面上に現れ所望の方位に均一に膜が成長しにく
い上、膜厚や成長速度を制御することが困難であるとい
う問題があった。一方、成長速度や膜厚の制御を容易に
するためにＢ2Ｏ3 等のフラックス中にＬＮ原料を２０
ｍｏｌ％加えた融液系（ＬＮ：Ｂ2 Ｏ3＝２０：８０）
からコングルエント組成基板上に非一致溶融組成のニオ
ブ酸リチウム単結晶を育成する方法も行われている。し
かし、得られた膜には１０ｐｐｍ程度のＢが混入してい
るために、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は１３〜１５
ｓｅｃと、ＣＺ法により得られるコングルエント組成の
ＬＮ（半値幅１０ｓｅｃ）に比し結晶性が悪く、ウエハ
ー面内での屈折率にばらつきを生じるという問題があ
り、このことが素子の設計を困難にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決しようとする課題は、液相エピタキシャル法による
基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム単結晶膜の育成
において、膜厚を制御しつつ所望育成方位以外の成長面
が発生しないような均一なエピタキシャル膜を得ること
と、Ｂの育成膜中への混入を低減して育成膜の結晶性を
向上させることにある。
解決しようとする課題は、液相エピタキシャル法による
基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム単結晶膜の育成
において、膜厚を制御しつつ所望育成方位以外の成長面
が発生しないような均一なエピタキシャル膜を得ること
と、Ｂの育成膜中への混入を低減して育成膜の結晶性を
向上させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、コング
ルエント組成ニオブ酸リチウム単結晶基板上に、所望組
成の液相線に対応する比率のＬｉ2 Ｏ及びとＮｂ2 Ｏ5
と、さらに、フラックスとしてのＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)
（０．５≦ｘ＜１．０）に相当する量（ＬｉＢＯ2 ５０
ｍｏｌ％以下）のＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 とを混合して
液相エピタキシャル成長して成るニオブ酸リチウムが得
られる。
ルエント組成ニオブ酸リチウム単結晶基板上に、所望組
成の液相線に対応する比率のＬｉ2 Ｏ及びとＮｂ2 Ｏ5
と、さらに、フラックスとしてのＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)
（０．５≦ｘ＜１．０）に相当する量（ＬｉＢＯ2 ５０
ｍｏｌ％以下）のＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 とを混合して
液相エピタキシャル成長して成るニオブ酸リチウムが得
られる。
【０００６】また本発明によれば、コングルエント組成
ニオブ酸リチウム単結晶基板上に、基板とは組成の異な
るニオブ酸リチウム単結晶膜をＬＰＥ成長させるニオブ
酸リチウム単結晶の製法において、原料融液としてＬｉ
2 ＯとＮｂ2 Ｏ5 を所望組成の液相線に対応する比率で
混合、調製し、さらにＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦
ｘ＜１．０）に相当する量（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以
下）のＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 をフラックスとして加え
たものを用いて、等温水平ディッピング法で膜厚を育成
温度で調整してＬＰＥ成長させることを特徴とするニオ
ブ酸リチウムの製法が得られる。
ニオブ酸リチウム単結晶基板上に、基板とは組成の異な
るニオブ酸リチウム単結晶膜をＬＰＥ成長させるニオブ
酸リチウム単結晶の製法において、原料融液としてＬｉ
2 ＯとＮｂ2 Ｏ5 を所望組成の液相線に対応する比率で
混合、調製し、さらにＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦
ｘ＜１．０）に相当する量（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以
下）のＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 をフラックスとして加え
たものを用いて、等温水平ディッピング法で膜厚を育成
温度で調整してＬＰＥ成長させることを特徴とするニオ
ブ酸リチウムの製法が得られる。
【０００７】
【作用】この方法によると膜厚の成長速度は育成温度と
直線関係になるので、育成温度により膜厚を制御するこ
とも可能となり、育成膜は膜厚が均一で育成方位以外の
成長面が発生しない。またＢに混入が低減出来るので、
結晶性もＣＺ法のものとほぼ同等になる。
直線関係になるので、育成温度により膜厚を制御するこ
とも可能となり、育成膜は膜厚が均一で育成方位以外の
成長面が発生しない。またＢに混入が低減出来るので、
結晶性もＣＺ法のものとほぼ同等になる。
【０００８】
【実施例】実施例１ 図３は本発明のニオブ酸リチウム単結晶を製造するため
の等温水平ディッピング法の装置の一例を示した図であ
る。石英管１を主体とする育成炉内には、白金るつぼ２
に保持された結晶原料融液３及び結晶基板４を挿入した
断面である。基板結晶４は結晶ホルダ５に保持されてお
り、結晶ホルダ５は支持棒６を介し結晶回転機構７によ
り回転される。８は結晶原料溶液３及び結晶基板４の温
度を決める抵抗加熱体であ利、９は結晶基板４を上下し
て結晶原料融液３との間の間隔を調整するための基板昇
降装置である。
の等温水平ディッピング法の装置の一例を示した図であ
る。石英管１を主体とする育成炉内には、白金るつぼ２
に保持された結晶原料融液３及び結晶基板４を挿入した
断面である。基板結晶４は結晶ホルダ５に保持されてお
り、結晶ホルダ５は支持棒６を介し結晶回転機構７によ
り回転される。８は結晶原料溶液３及び結晶基板４の温
度を決める抵抗加熱体であ利、９は結晶基板４を上下し
て結晶原料融液３との間の間隔を調整するための基板昇
降装置である。
【０００９】融液にＬｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ：Ｂ2 Ｏ3 ＝
５３．１２：２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2
Ｏ5 ＝５６：４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の
組成に調製し１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用
い、２φコングルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上
に１０３５℃で図２のような等温水平ディッピング法に
てストイキオメトリ組成のＬＮ膜を１００μｍ育成した
ところ、得られた膜は膜厚が均一で突起等の他の成長面
が全く現れていないものであった。
５３．１２：２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2
Ｏ5 ＝５６：４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の
組成に調製し１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用
い、２φコングルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上
に１０３５℃で図２のような等温水平ディッピング法に
てストイキオメトリ組成のＬＮ膜を１００μｍ育成した
ところ、得られた膜は膜厚が均一で突起等の他の成長面
が全く現れていないものであった。
【００１０】実施例２ 融液にＬｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ：Ｂ2 Ｏ3 ＝５３．１２：
２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：
４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の組成に調製し
１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用いて、２φコン
グルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上に１０２０℃
〜１０４０℃で５℃おきに図２に示すような等温水平デ
ィッピング法にて、育成温度の異なる５種類のストイキ
オメトリ組成のＬＮ膜を育成した。その結果膜の成長速
度は図１のように育成温度と直線関係で変化することが
わかり、育成温度により成長速度を制御することが可能
となった。
２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：
４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の組成に調製し
１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用いて、２φコン
グルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上に１０２０℃
〜１０４０℃で５℃おきに図２に示すような等温水平デ
ィッピング法にて、育成温度の異なる５種類のストイキ
オメトリ組成のＬＮ膜を育成した。その結果膜の成長速
度は図１のように育成温度と直線関係で変化することが
わかり、育成温度により成長速度を制御することが可能
となった。
【００１１】実施例３ 融液にＬｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ：Ｂ2 Ｏ3 ＝５３．１２：
２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：
４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の組成に調製し
１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用いて、２φコン
グルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上に１０３５℃
で図２のような等温水平ディッピング法にて、ストイキ
オメトリ組成のＬＮ膜を１００μｍ育成した。得られた
結晶膜のＸ線ロッキングカーブを測定したところ半値幅
は１０ｓｅｃ程度であり、ＣＺ法とほぼ同等の結晶性の
ものが得られていることが解った。
２２．９４：２３．９（Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：
４４、ＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝７０：３０）の組成に調製し
１３ｈｒ攪拌し均一組成にしたものを用いて、２φコン
グルエント組成ＬＮ基板の（００１）面上に１０３５℃
で図２のような等温水平ディッピング法にて、ストイキ
オメトリ組成のＬＮ膜を１００μｍ育成した。得られた
結晶膜のＸ線ロッキングカーブを測定したところ半値幅
は１０ｓｅｃ程度であり、ＣＺ法とほぼ同等の結晶性の
ものが得られていることが解った。
【００１２】比較例１ 基板に２φコングルエント組成のＬＮ（Ｚ板）を用い、
Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5＝５６：４４の組成からなる融液
を用いて上記基板上に１２２０℃で等温水平ディッピン
グ法にてストイキオメトリ組成のＬＮ膜を育成したとこ
ろ、育成膜には（１００）（０Ｔ０）（Ｔ１０）面に対
応する三角錐状の突起が現れ膜厚も均一ではなかった。
Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5＝５６：４４の組成からなる融液
を用いて上記基板上に１２２０℃で等温水平ディッピン
グ法にてストイキオメトリ組成のＬＮ膜を育成したとこ
ろ、育成膜には（１００）（０Ｔ０）（Ｔ１０）面に対
応する三角錐状の突起が現れ膜厚も均一ではなかった。
【００１３】比較例２ 基板に２φコングルエント組成のＬＮ（Ｚ板）を用い、
Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5＝５６：４４の組成からなる融液
を用いて上記基板上に１２２０℃〜１２２５℃で１℃お
きに等温水平ディッピング法にてストイキオメトリ組成
のＬＮ膜を育成したところ、図２に示すように育成膜の
膜厚は育成温度に依存せず、また、突起が生じる場合や
膜厚分布が凹状になる場合があり均一なエピタキシャル
膜にはならなかった。
Ｌｉ2 Ｏ：Ｎｂ2 Ｏ5＝５６：４４の組成からなる融液
を用いて上記基板上に１２２０℃〜１２２５℃で１℃お
きに等温水平ディッピング法にてストイキオメトリ組成
のＬＮ膜を育成したところ、図２に示すように育成膜の
膜厚は育成温度に依存せず、また、突起が生じる場合や
膜厚分布が凹状になる場合があり均一なエピタキシャル
膜にはならなかった。
【００１４】比較例３ 原料融液にＬＮ：ＬｉＢＯ2 ＝２０：８０（Ｌｉ2 Ｏ：
Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：４４）の組成を用いて２φコングル
エント組成のＬＮ基板の（００１）面上に８５０℃で等
温水平ディッピング法にてストイキオメトリ組成のＬＮ
膜を１００μｍ育成した。得られた結晶膜のＸ線ロッキ
ングカーブを測定したところ半値幅は１３ｓｅｃ程度で
あり、ＣＺ法に比し結晶性が劣っていることが判明し
た。
Ｎｂ2 Ｏ5 ＝５６：４４）の組成を用いて２φコングル
エント組成のＬＮ基板の（００１）面上に８５０℃で等
温水平ディッピング法にてストイキオメトリ組成のＬＮ
膜を１００μｍ育成した。得られた結晶膜のＸ線ロッキ
ングカーブを測定したところ半値幅は１３ｓｅｃ程度で
あり、ＣＺ法に比し結晶性が劣っていることが判明し
た。
【００１５】
【発明の効果】原料融液にＬｉ2 ＯとＮｂ2 Ｏ5 の他に
ｘＬｉＮｂＯ3 ・(1-x) ＬｉＢＯ2 （０．５≦ｘ＜１．
０）に対応する量のＬｉ2 ＣＯ3 とＢ2 Ｏ3 をフラック
スとして加え、量産性に富むＬＰＥ法で成長させること
により、光導波路基板に必要な所望組成のニオブ酸リチ
ウム膜を、所望の厚さで、育成方位以外の成長面を発生
させないで、しかも結晶性を向上させて、廉価に量産す
ることが可能となり、波及効果は大である。
ｘＬｉＮｂＯ3 ・(1-x) ＬｉＢＯ2 （０．５≦ｘ＜１．
０）に対応する量のＬｉ2 ＣＯ3 とＢ2 Ｏ3 をフラック
スとして加え、量産性に富むＬＰＥ法で成長させること
により、光導波路基板に必要な所望組成のニオブ酸リチ
ウム膜を、所望の厚さで、育成方位以外の成長面を発生
させないで、しかも結晶性を向上させて、廉価に量産す
ることが可能となり、波及効果は大である。
【図１】本発明による実施例において得られる、ＬｉＢ
Ｏ2 フラックスを加えた場合の育成温度と結晶成長速度
の関係を示す図である。
Ｏ2 フラックスを加えた場合の育成温度と結晶成長速度
の関係を示す図である。
【図２】従来の比較例において得られる、ＬｉＢＯ2 フ
ラックスを加えた場合の育成温度と結晶成長速度の関係
を示す図である。
ラックスを加えた場合の育成温度と結晶成長速度の関係
を示す図である。
【図３】本発明による実施例で使用した等温水平ディッ
ピング法による育成炉の断面の一例を示す図である。
ピング法による育成炉の断面の一例を示す図である。
１ 石英管 ２ 白金るつぼ ３ 結晶原料融液 ４ 結晶基板 ５ 結晶ホルダ ６ 支持棒 ７ 結晶回転機構 ８ 抵抗加熱体 ９ 基板昇降装置
Claims (2)
- 【請求項１】 コングルエント組成ニオブ酸リチウム単
結晶基板上に、所望組成の液相線に対応する比率のＬｉ
2 Ｏ及びとＮｂ2 Ｏ5 と、さらに、フラックスとしての
ＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦ｘ＜１．０）に相当す
る量（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以下）のＬｉ2 ＣＯ3 、
Ｂ2 Ｏ3 とを混合して液相エピタキシャル成長して成る
ニオブ酸リチウム。 - 【請求項２】 コングルエント組成ニオブ酸リチウム単
結晶基板上に、基板とは組成の異なるニオブ酸リチウム
単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるニオブ酸リチ
ウム単結晶の製法において、原料融液としてＬｉ2 Ｏと
Ｎｂ2 Ｏ5 を所望組成の液相線に対応する比率で混合、
調製し、さらにＬＮx ＬｉＢＯ2(1-x)（０．５≦ｘ＜
１．０）に相当する量（ＬｉＢＯ2 ５０ｍｏｌ％以下）
のＬｉ2ＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 をフラックスとして加えたも
のを用いて、等温水平ディッピング法で膜厚を育成温度
で制御して液相エピタキシァル成長させることを特徴と
するニオブ酸リチウムの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19952493A JPH0753300A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ニオブ酸リチウムおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19952493A JPH0753300A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ニオブ酸リチウムおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0753300A true JPH0753300A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16409266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19952493A Withdrawn JPH0753300A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ニオブ酸リチウムおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0753300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017107608A1 (zh) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锂晶体及制备方法和用途 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19952493A patent/JPH0753300A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017107608A1 (zh) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锂晶体及制备方法和用途 |
| US10604863B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-03-31 | Xinjiang Technical Institute Of Physics & Chemistry, Chinese Academy Of Sciences | Lithium metaborate crystal, preparation method and use thereof |
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