JPH0752209B2 - The semiconductor device testing apparatus - Google Patents

The semiconductor device testing apparatus

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JPH0752209B2
JPH0752209B2 JP15326787A JP15326787A JPH0752209B2 JP H0752209 B2 JPH0752209 B2 JP H0752209B2 JP 15326787 A JP15326787 A JP 15326787A JP 15326787 A JP15326787 A JP 15326787A JP H0752209 B2 JPH0752209 B2 JP H0752209B2
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雅史 大久保
進 春日部
中 横野
稔 田中
豊 秋庭
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株式会社日立製作所
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子の特性を検査する装置に係り、特に高密度、超多ピンの半導体素子の高速電気特性を検査するのに好適な装置に関する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention [relates] relates to a device for checking the characteristics of a semiconductor element, suitable in particular high density, to inspect high-speed electric characteristics of the semiconductor device of the super multi-pin apparatus on.

〔従来の技術〕 [Prior art]

従来、半導体素子の検査には、第8図に示したようなウェハ1の個々のチップ状の半導体素子2の表面の縁に蒸着、スパッタあるいはめっき等により形成された電極3 Conventionally, inspection of semiconductor devices, deposition on the edge of the individual chip-like semiconductor element 2 of the surface of the wafer 1 as shown in FIG. 8, the electrode 3 formed by sputtering or plating, etc.
を使用して、第2図,第3図に示すようにプローブカード4からななめに出たタングステン針などのプローブ5 Use, FIG. 2, the probe 5, such as tungsten needles out of the probe card 4 obliquely as shown in FIG. 3
を該プローブ5のたわみを利用した接触圧により前記電極3にこすりつけて導通をとり、素子の電気特性を検査する方法が用いられていた。 The take-conductive rubbed to the electrode 3 by the contact pressure utilizing the deflection of the probe 5, a method for inspecting the electrical characteristics of the device has been used.

半導体素子の高密度化が進むに従い、第4図に示したようなはんだ溶融接続に供するはんだボール6をその電極上に有するチップ状の半導体素子2を、はんだ溶融によって第5図に示すようにセラミック多層基板などの配線基板7の表面の電極8と接続する方法が、高密度実装、 According density of semiconductor devices advances, the semiconductor element 2 chip-shaped having solder balls 6 to be subjected to solder melting connection as shown in FIG. 4 on the electrode, as shown in FIG. 5 by molten solder how to connect the electrode 8 of the surface of the wiring substrate 7 such as a ceramic multilayer substrate, high-density mounting,
歩留りの高い一括接続に適する点に注目され、その応用が拡大している。 It is noted that suitable for high-yield bulk connection, its application is growing.

このようなはんだ溶融接続に供するはんだボールをその電極上に有した半導体素子の特性検査を可能とする検査方法および検査装置として、廣田らによる特開昭58−73 The solder balls subjected to such solder melting connected as an inspection method and inspection apparatus to allow characteristic inspection of a semiconductor device having on its electrodes, JP by Hirota et al 58-73
129号の発明では、第6図,第7図に示すように、信号用導体配線9を、電源導体層10をレファレンス層とした一定の特性インピーダンスを持つラインとして形成した多層基板からなるプローブカード11の表面の上記半導体素子2の電極に対応する位置に、ニッケルめっきを施したタングステン等からなる突起電極12を形成し、上記プローブカード11をその突起電極12を有する面とは逆の面の熱源13から加熱し、上記突起電極12を上記はんだボール6に押しあて、はんだの溶融により導通をとり、信号の授受を行ない、半導体素子の検査を行なった後、再度上記プローブカード11を加熱し、はんだを溶かして突起電極12を引きはなすという半導体素子検査技術が提案されている。 In 129 issue of the invention, FIG. 6, as shown in FIG. 7, the probe card comprising a signal conductor line 9, a multilayer substrate formed as a line having a fixed characteristic impedance of the power supply conductor layer 10 was set to the reference layer 11 positions corresponding to the electrodes of the semiconductor element 2 of the surface of, forming a protruding electrode 12 made of tungsten or the like plated with nickel, the surface opposite to the said probe card 11 surface having the protrusion electrodes 12 heated from the heat source 13, addressed press the protruding electrode 12 to the solder balls 6, it takes the conduction by the melting of the solder performs exchange of signals, after performing a test of a semiconductor device, heating the probe card 11 again the semiconductor device inspection techniques that release pull the protruding electrode 12 by dissolving solder has been proposed.

〔発明が解決しようとする問題点〕 [Problems to be Solved by the Invention]

第2図,第3図に示した従来のプローブカードによる検査方法では、プローブ5の形状から、そこでの集中インダクタンスが大きく、高速信号での検査に限界がある。 Figure 2, in the inspection method according to a conventional probe card shown in FIG. 3, the shape of the probe 5, wherein concentration inductance at large, there is a limit to the inspection of a high speed signal.
すなわち、プローブカード上での信号線の特性インピーダンスをR、プローブの集中インダクタンスをLとすると、時定数L/Rは、R=50Ω、L=50nHの場合で1nsとなり、この程度の高速信号を扱うと、波形がなまり、正確な特性検査ができない。 That is, the characteristic impedance of the signal line on the probe card R, when the concentration inductance of the probe is L, the time constant L / R is, R = 50 [Omega, 1 ns next in the case of L = 50 nH, the high-speed signal of this level When the handle, waveform accent, can not be exact characteristics inspection. したがって、通常は直流的な特性検査に限られている。 Therefore, usually is limited to the direct current characteristics test. また、上記のプロービング方式では、プローブの空間的な配置に限界があり、半導体素子の電極の高密度化、総数の増大に対応できなくなっている。 Further, in the above probing method, there is a limit to the spatial arrangement of the probes, density of the electrodes of the semiconductor elements, no longer have corresponding to the total number of increase.

一方、第6図,第7図に示した、はんだ溶融により半導体素子電極と突起電極間の導通をとって、信号線を一定の特性インピーダンスを持つラインに形成した多層基板からなるプローブカードで検査する方法は、高速電気特性を検査することは可能であるが、半導体素子の電極上のはんだボールを溶融させる必要があるため、半導体素子に熱ストレスを与え、また作業性が悪く、検査時間が長くなるという欠点がある。 On the other hand, FIG. 6, shown in FIG. 7, taking conduction between the semiconductor element electrodes and the bump electrode by the solder melt, inspection with a probe card comprising a multi-layer substrate formed with the signal line to a line with a certain characteristic impedance how to do, it is possible to inspect the high-speed electric characteristics, it is necessary to melt the solder balls on the electrodes of the semiconductor element, applying heat stress to the semiconductor element, also poor workability, inspection time there is a disadvantage that becomes longer. また、半導体素子の冷却フィンや半導体素子を搭載した基板の電極パッドの補修布線などのプロービング時に障害物となるものが存在したり、プローブの被接触面に段差がある場合には、従来のプローブでは検査が困難である。 Also, or there is made an obstacle probing such cooling fins and repair wiring of mounting the electrode pads of the substrate a semiconductor element of the semiconductor device, when there is a step on the contact surface of the probe, the conventional the probe is difficult to test.

すなわち、半導体素子の検査には、短時間で、半導体素子にストレスを与えることが少なく、高密度で多数本の電極、段差のある電極あるいは複数な空間配置の電極にも対応でき、かつ高速電気特性の測定が可能な検査装置が必要となってきている。 That is, the inspection of semiconductor devices in a short time, less likely to stress the semiconductor element, also corresponding to the electrodes of the high density a large number of electrodes, the electrode or multiple spatial arrangement of the step, and high-speed electrical measurements capable inspection system characteristics has been required.

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、半導体素子を効率良く、高信頼度で検査できる装置を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, the semiconductor device efficiently, is to provide a device that can be inspected with high reliability.

〔問題点を解決するための手段〕 [Means for Solving the Problems]

上記目的は、検査対象である半導体素子の電極に接触して検査用信号の授受を行なう複数のプローブ用芯線と、 The above object is achieved by a plurality of probe core wire in contact with the electrode of the semiconductor element transmitting and receiving test signals to be tested,
該プローブ用芯線が一本ずつ可動に挿通された複数の絶縁材の管と、該絶縁材の管の両端がそれぞれ挿入固定されたスルーホールを有する一対の第1及び第2の固定基板と、該第1及び第2の固定基板間に固定された前記複数の絶縁材の管の周りを包み、共通接地された導電材と、前記絶縁材の管の検査対象とは反対側の端部から導出されたプローブ用芯線をそれぞれ絶縁材で被覆し、さらに該絶縁材の外周をシールド材で被覆して形成された複数の同軸ケーブルと、該同軸ケーブルが一本ずつ可動に挿通されたスルーホールを有する第3の固定基板と、 A tube of a plurality of insulating material for core the probe is inserted into the movable one by one, a pair of first and second fixed substrate having through holes at both ends of the tube of insulating material is inserted and fixed, respectively, wrapped around said plurality of insulation tubes secured between said first and second fixed substrate, and a common grounded conductive material, the end portion opposite to the inspected tubes of said insulating material derived a core probe covered with each an insulating material, further a plurality of coaxial cables to the outer periphery of the insulating material is formed by covering with a shield member, a through hole coaxial cable is inserted through the movable one by one a third fixed substrate having,
前記同軸ケーブルのそれぞれの末端に設けられたフランジと、該フランジと前記第3の固定基板との間でかつ前記同軸ケーブルの外周に設けたスプリングと、前記同軸ケーブルが可動性を有し、前記同軸ケーブルに接続された検査回路とを備えた構成とすることで達成される。 The includes a flange provided at each end of the coaxial cable, and a spring disposed between a and the outer circumference of the coaxial cable and the with the flange the third fixed substrate, the coaxial cable is a mobile, the It is achieved by a structure in which a test circuit connected to the coaxial cable.

〔作用〕 [Action]

本発明の半導体素子検査装置は、芯線を絶縁材で被覆し、さらにその外周をシールド材で被覆して特定の特性インピーダンスを持たせた同軸ケーブルの芯線をプローブとして用い、該プローブ用芯線の同軸ケーブルから露出した先の部分を1対の固定基板間に固定した複数の絶縁材の管に1本ずつ通して、該プローブ用芯線の先端部をそれぞれ検査対象物である半導体素子の電極に対応した位置に導き、前記1対の固定基板間に固定された絶縁材の管の周りは導電材で包み、これを共通接地することにより、プローブ用芯線を先端部付近までシールドしているので、プローブから検査回路までの全体のインピーダンスの整合がとれ、高速信号の波形の乱れを防止することができる。 The semiconductor device testing apparatus of the present invention is to coat the core with an insulating material, further using the outer periphery of the core wire of the coaxial cable coated with a shielding material to have a specific characteristic impedance as a probe, coaxial of the probe core the preceding portion exposed from the cable through one by one to the pipe of the plurality of insulating material is fixed between a pair of the fixed substrate, corresponding to the tip portion of the core wire for the probe to the electrode of the semiconductor element are each inspection object led to the position, the wrapped in a pair around the tube fixed insulation between the fixed substrate of the conductive material, by a common ground this, since the shield core probe to near the tip portion, matching the overall impedance of the probe to the inspection circuit is established, it is possible to prevent the disturbance of the waveform of high-speed signals.

また、プローブ用芯線と絶縁材の管との間および同軸ケーブルと第3の固定基板との間には適度のクリアランスを持たせてプローブ用芯線を可動としてあり、それぞれのプローブ用芯線はスプリングにより被接触対象の電極に向って個別に押圧されるので、ある程度の段差のある電極に対しても支障なく接触可能であり、プローブを構成する同軸ケーブルに適度の柔軟性を持たせることにより、冷却フィンなどの障害物のある複雑な空間配置の電極にも同軸ケーブルをわん曲させることで対応することができる。 Further, there as a movable probe for core wire to have a moderate clearance between and between the coaxial cable and the third fixed substrate of the probe for core and tubular insulation by each of the core probe is a spring because are pressed individually against the electrode of the contact object is accessible without hindrance to the electrodes with a certain level difference, by providing appropriate flexibility to the coaxial cable constituting the probe, cooling to the electrode of the complex spatial arrangement with obstacles such as the fin can be accommodated by causing curved coaxial cable.

以上の作用により、高密度、超多ピンの半導体素子の電気特性測定用の電極を被接触対象とした、高速信号による動作試験の可能なプロービングヘッドを実現でき、短時間で効率良く、高信頼性の検査が可能となる。 By the above action, high density, and a super multi-pin of the electrode to be contacted with for measuring electric characteristics of the semiconductor device can be realized capable of probing head operation test by high-speed signal, a short time efficiently, high sex of the inspection can be performed.

〔実施例〕 〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面にしたがって説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings.

第1図は本発明による半導体素子検査装置の主要構成部分の断面図、第9図はそのプロービングヘッド部の詳細断面図である。 Sectional view of the main components of FIG. 1 is a semiconductor device inspection apparatus according to the present invention, FIG. 9 is a detailed sectional view of the probing head. なお、第1図(a)は、半導体素子2を搭載した基板14の表面に形成された電極15をプロービングの被接触対象とする場合の実施例を、第1図(b)は半導体素子2の表面にはんだボール等により形成された電極16をプロービングの被接触対象とする場合の実施例を示す。 Incidentally, FIG. 1 (a) shows an embodiment in which the electrodes 15 formed on the surface of the substrate 14 mounted with the semiconductor element 2 and the contacted object probing, FIG. 1 (b) is a semiconductor element 2 It shows an embodiment in which the electrodes 16 formed by a ball or the like solder on the surface of the object to be contacted of the probing.

プローブ用芯線17には適度のたわみ性を持つタングステン線などを用い、該プローブ用芯線17の外径よりも若干大きな内径を有するテフロン等の絶縁材の管18の一方の端部を真鍮または銅などの導電材からなる固定基板19に設けたスルーホールの一つに挿入固定し、他方の端部を同様に真鍮または銅などの導電材からなる固定基板20を設けたスルーホールの一つに挿入固定する。 Using a tungsten wire having a moderate flexibility to the probe core wire 17, brass or copper one end portion of the insulating material of the tube 18 of Teflon or the like having a slightly larger inner diameter than the outer diameter of the probe core 17 one to fixedly inserted through holes provided in the fixed substrate 19 made of conductive material such as, the one through-hole in which a fixing substrate 20 composed of the other end portion of a conductive material such as likewise brass or copper inserted to fix. 固定基板19 Fixed substrate 19
のスルーホールは半導体素子の電気特性測定用の電極15 The through-hole electrodes 15 for measuring electric characteristics of the semiconductor element
または16とそれぞれ対応する位置に設けられ、固定基板 Or 16 and provided at positions corresponding to the fixed substrate
20のスルーホールは電極15または16より拡大したピッチで設けられており、絶縁材の管18を適宜の長さでわん曲させることにより、該絶縁材の管18を前記1対の固定基板19,20間に固定してある。 20 of the through hole is provided at a pitch enlarged from the electrode 15 or 16, by curved tube 18 of insulating material suitable length, the fixed substrate 19 of the tube 18 of insulating material said pair , it is fixed between 20. 固定基板19,20間に固定した絶縁材の管18の周りには、たとえばエポキシ樹脂に銀粉を混入した導電性塗料のような導電材21を充填し、導電材からなる1対の固定基板19,20を介して共通接地されたシールドとする。 Around the fixed substrate 19, 20 the tube 18 of the fixed insulating material between, for example filled with a conductive material 21 such as a conductive coating material obtained by mixing silver powder to an epoxy resin, a fixed substrate 19 of a pair consisting of a conductive material , a common grounded shield via a 20. また、導電材21を充填する代りに、 Further, instead of filling the conductive material 21,
絶縁材の管18の外周に導電材塗料を塗布したり、編組導体を被覆してシールドとしてもよい。 Or applying a conductive material coating on the outer periphery of the tube 18 of insulating material, it may be as a shield to cover the braided conductor. このシールドされた絶縁材の管18の中にプローブ用芯線17を1本ずつ可動に挿通し、絶縁材の管18の固定基板19側端部から導出された芯線17の先端部を針状に加工してプローブとし、固定基板20側端部から導出された芯線17の周りをテフロン等の絶縁材22で被覆し、さらにその外周をステンレスパイプ等のシールド材23で被覆して同軸ケーブル24を形成する。 The probe core 17 in the shielded insulation tube 18 is inserted into the movable one by one, the tip portion of the core wire 17 which is derived from the fixed substrate 19 side end portion of the tube 18 of insulating material acicular processed to the probe, around the core wire 17 which is derived from the fixed substrate 20 side end portion covered with an insulating material 22 such as Teflon, a coaxial cable 24 and further covering the outer periphery with a shielding material 23 of stainless steel pipes such as Form. 真鍮または銅などの導電材からなる第3の固定基板27には前記基板20のスルーホールとそれぞれ対応する位置に同軸ケーブル24の外径よりも若干大きな径の穴を設けてあり、この穴に同軸ケーブル24を1本ずつ可動に挿通し、同軸ケーブル24の末端に設けたフランジ25と前記固定基板27との間に同軸ケーブル24を取り巻くようにスプリング26を介装して、プローブ用芯線17を電極15または16と接触する方向に押圧させる。 The third of the fixed substrate 27 made of conductive material such as brass or copper is provided with a hole slightly larger than the outer diameter of the coaxial cable 24 at a position corresponding to the through hole of the substrate 20, in the hole the coaxial cable 24 is inserted into the movable one by one, by interposing a spring 26 so as to surround the coaxial cable 24 between the flange 25 provided at the end of the coaxial cable 24 and the fixed board 27, the probe core wire 17 the is pressed in a direction in contact with the electrode 15 or 16. 同軸ケーブル24は同軸コネクタ28に接続し、該コネクタを介して検査回路(図示せず)に接続される構成とする。 Coaxial cable 24 is connected to the coaxial connector 28 is configured to be connected to the test circuit (not shown) via the connector.

上記実施例は信号用プローブに適用した例であるが、信号用プローブのほかに電源用プローブやアース用プローブが混在している場合の実施例を第10図に示す。 The above embodiment is an example applied to the signal probe, it shows an embodiment in which in addition to the power supply probe and ground probe signal probes are mixed in FIG. 10. 本実施例では、第1図および第9図に示した導電材からなる固定基板27に代えて、セラミックまたはガラスのような絶縁材からなる固定基板29に、導体ペーストの厚膜印刷等の手段により、電源用プローブに対しては所定の電圧が印加できる電源用厚膜配線30を、また信号用プローブ In this embodiment, instead of the fixed substrate 27 made of conductive material shown in FIG. 1 and FIG. 9, the fixed substrate 29 made of an insulating material such as ceramic or glass, means of thick-film printing of conductor paste Accordingly, the power supply thick wire 30 a predetermined voltage can be applied to the power supply probe B, and the signal probe
のシールド材23およびアース用プローブに対しては、共通アースがとれるアース用厚膜配線31を形成したものを用いている。 For shielding member 23 and the earth probe C of A, and used after forming the ground thick film wiring 31 common ground can take. 電源用プローブは、信号用プローブと同様に1対の導電材からなる固定基板19,20間に固定した絶縁材の管18内にプローブ用芯線17を可動に挿通し、絶縁材の管18の固定基板20側端部から導出されたプローブ用芯線17の周りにステンレスパイプ等の導電材の管32をかぶせ、この導電材の管18の末端に設けたフランジ25に一端を接し、他端が固定基板29上の電源用厚膜配線30に接するように装着したスプリング26を介してプローブ用芯線17に電圧を印加する構成とすればよい。 Power probe B is inserted through the probe core 17 movably signal probe A as well as fixed insulation tube 18 between the fixed substrate 19, 20 made of a pair of conductive material, the tube of insulating material 18 a tube 32 of conductive material stainless steel pipe or the like around the stationary substrate 20 side end probes derived from the unit core 17 covered in, contact with one end flange 25 provided at the end of the tube 18 of the conductive material, other it may be configured to apply a voltage to the probe core 17 via a spring 26 having one end mounted so as to be in contact with the power supply thick lines 30 on the fixed substrate 29. また、アース用プローブは、絶縁材の管18の代わりにステンレスパイプ等の導電材の管32を用いて、その中にプローブ用芯線17を可動に挿通し、それ以外は電源用プローブと同様に構成すればよい。 Also, grounding the probe C, using a tube 32 of conductive material stainless steel pipe or the like instead of the insulating material of the tube 18, the probe core 17 is inserted into the movable therein, otherwise the power supply probe B Similarly it may be configured.

なお、電源電圧を安定化するためには、電源用厚膜配線 In order to stabilize the supply voltage, power supply thick lines
30とアース用厚膜配線31との間に、バイパスコンデンサまたはそれと等価な構造体34を接続しておけばよい。 Between 30 and ground thick film wiring 31, it is sufficient to connect a bypass capacitor or equivalent structure 34.

〔発明の効果〕 〔Effect of the invention〕

本発明によれば、特定の特性インピーダンスを有する同軸ケーブルの芯線をプローブとして用い、該プローブ用芯線の同軸ケーブルから露出した先の部分をシールドされた絶縁材の管に1本ずつ可動に挿通して被接触対象の電極と対応する位置に導き、スプリングによって該プローブ用芯線に電極との接触圧を与えているため、プローブから検出回路までのインピーダンスの整合がとれて、 According to the present invention, using a core wire of a coaxial cable having a particular characteristic impedance as a probe, the tip of the portion exposed from the coaxial cable core wire for the probe is inserted into the movable one on tubing shielded insulation led to a position corresponding to the electrode of the contacted Te, since giving the contact pressure between the electrode core for the probe by a spring, and is consistent impedance from the probe to the detection circuit,
半導体素子の高速電気特性の測定が可能であり、また被接触対象の電極に段差があったり、障害物がある場合にも、半導体素子を短時間に効率良く、高信頼度で検査できるという効果がある。 Is possible to measure the high-speed electric characteristics of a semiconductor element, also or have steps on the electrodes of the contacted, even if there are obstacles, efficiently in a short time the semiconductor element, an effect that can be inspected with high reliability there is.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図は本発明による半導体検査装置の主要構成部分の断面図、第2図は従来技術による検査用プローブの断面図、第3図は第2図の平面図、第4図ははんだボールを電極上に有する半導体素子の斜視図、第5図ははんだ溶融接続をした半導体素子の実装状態を示す斜視図、第6 Sectional view of the main components of FIG. 1 is a semiconductor inspection device according to the present invention, cross-sectional view of the test probe according to Figure 2 the prior art, Figure 3 is a plan view of FIG. 2, FIG. 4 is a solder ball perspective view of a semiconductor device having on the electrode, Figure 5 is a perspective view showing a mounting state of a semiconductor device in which the solder melting connection, sixth
図は突起電極と熱源を有する多層基板からなるプローブカードの使用状態図、第7図は突起電極と多層基板を有するプローブカードの断面図、第8図は半導体素子の電極配置の一例を示す斜視図、第9図は本発明によるプロービングヘッド部の一実施例を示す断面図、第10図は本発明によるプロービングヘッド部の他の実施例を示す断面図である。 Figure use state view of a probe card comprising a multilayer substrate having protruding electrodes and a heat source, Fig. 7 is a sectional view of a probe card having protruding electrodes and the multilayer substrate, perspective Fig. 8 is showing an example of an electrode arrangement of the semiconductor element Figure, FIG. 9 is a sectional view showing an embodiment of the probing head portion according to the present invention, FIG. 10 is a sectional view showing another embodiment of the probing head portion according to the present invention. 2…半導体素子、14…基板 15,16…電極、17…プローブ用芯線 18…絶縁材の管 19,20…導電材の固定基板 21…導電材、22…絶縁材 23…シールド材、24…同軸ケーブル 25…フランジ、26…スプリング 27…導電材の基板、28…同軸コネクタ 29…絶縁材の基板、30…電源用厚膜配線 31…アース用厚膜配線、32,33…導電材の管 34…バイパスコンデンサ 2 ... semiconductor device, 14 ... substrate 15 ... electrode, 17 ... fixed substrate 21 ... conductive material of the tube 19, 20 ... conductive material of the probe core wire 18 ... insulating material 22 ... insulating material 23 ... shielding member, 24 ... coaxial cable 25 ... flange, 26 ... spring 27 ... conductive material of the substrate, 28 ... coaxial connector 29 ... substrate insulation, 30 ... power supply for thick film wiring 31 ... ground thick wires, of 32, 33 ... conductive material tube 34 ... bypass capacitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 稔 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 横野 中 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−175273(JP,A) 特開 昭56−148071(JP,A) 特開 昭62−257066(JP,A) 実公 昭45−24076(JP,Y1) ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Minoru Tanaka, Kanagawa Prefecture, Totsuka-ku, Yokohama-shi Yoshida-cho, 292 address Co., Ltd. Hitachi, production technology in the Laboratory (72) inventor Yokono medium Kanagawa Prefecture, Totsuka-ku, Yokohama-shi Yoshida-cho address 292 Co., Ltd. Hitachi, production technology in the Laboratory (56) reference Patent Sho 58-175273 (JP, a) JP Akira 56-148071 (JP, a) JP Akira 62-257066 (JP, a) the actual public Akira 45-24076 (JP, Y1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】検査対象である半導体素子の電極に接触して検査用信号の授受を行なう複数のプローブ用芯線と、 該プローブ用芯線が一本ずつ可動に挿通された複数の絶縁材の管と、 該絶縁材の管の両端がそれぞれ挿入固定されたスルーホールを有する一対の第1及び第2の固定基板と、 該第1及び第2の固定基板間に固定された前記複数の絶縁材の管の周りを包み、共通接地された導電材と、 前記絶縁材の管の検査対象とは反対側の端部から導出されたプローブ用芯線をそれぞれ絶縁材で被覆し、さらに該絶縁材の外周をシールド材で被覆して形成された複数の同軸ケーブルと、 該同軸ケーブルが一本ずつ可動に挿通されたスルーホールを有する第3の固定基板と、 前記同軸ケーブルのそれぞれの末端に設けられたフランジと、 該フラン 1. A plurality of probe core for exchanging the electrode contact to inspection signal of the semiconductor element to be inspected, the tubes of a plurality of insulating material for core the probe is inserted into the movable one by one When the plurality of insulating material at both ends of the tube of insulating material is fixed a pair of first and second fixed substrate having through holes which are inserted and fixed respectively, between the first and second fixed substrate of wrapped around the tube, and a common grounded conductive material, the insulating material of the tube to be inspected and the probe core derived from the opposite end is coated with respective insulating material, further insulating material a plurality of coaxial cables with outer periphery formed by covering with a shield member, a third fixed substrate having a through hole coaxial cable is inserted through the movable one by one, are provided at each end of the coaxial cable and the flange, the franc ジと前記第3の固定基板との間でかつ前記同軸ケーブルの外周に設けたスプリングと、 前記同軸ケーブルが可動性を有し、前記同軸ケーブルに接続された検査回路とを具備したことを特徴とする半導体素子検査装置。 Wherein a spring is provided between a and the outer circumference of the coaxial cable between the third fixed substrate and di, said coaxial cable has a mobility was and a test circuit connected to said coaxial cable the semiconductor device testing apparatus according to.
JP15326787A 1987-06-22 1987-06-22 The semiconductor device testing apparatus Expired - Fee Related JPH0752209B2 (en)

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