JPH075066U - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
- Publication number
- JPH075066U JPH075066U JP3494593U JP3494593U JPH075066U JP H075066 U JPH075066 U JP H075066U JP 3494593 U JP3494593 U JP 3494593U JP 3494593 U JP3494593 U JP 3494593U JP H075066 U JPH075066 U JP H075066U
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- Japan
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- substrate
- circuit element
- strain gauge
- acceleration sensor
- element arrangement
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製品ごとの出力特性がばらつく事態を簡単な
構成にて防止すること。 【構成】 基板1は、回路素子配置面の裏側面に、これ
を横断した状態の溝部2を形成することによって、加速
度に応じて振動する変位部3と回路素子配置部4とを備
えた構成となっている。基板1は、回路素子配置部4の
裏面側が支持部材5の台部5a上に接着により固定さ
れ、以て変位部3の自由振動を許容した状態で支持され
る。基板1における回路素子配置部4上には、感度調整
抵抗8及びオフセット調整抵抗9を含む信号処理回路1
0が配置される。基板1の上面における変位部3と回路
素子配置部4との境界位置(溝部2と対応した位置)に
は、厚膜抵抗11a〜11dより成る歪みゲージ11が
設けられる。厚膜抵抗11a〜11dは、感度調整抵抗
8及びオフセット調整抵抗9と同一の材料より成る抵抗
ペーストを印刷焼成することにより形成される。
構成にて防止すること。 【構成】 基板1は、回路素子配置面の裏側面に、これ
を横断した状態の溝部2を形成することによって、加速
度に応じて振動する変位部3と回路素子配置部4とを備
えた構成となっている。基板1は、回路素子配置部4の
裏面側が支持部材5の台部5a上に接着により固定さ
れ、以て変位部3の自由振動を許容した状態で支持され
る。基板1における回路素子配置部4上には、感度調整
抵抗8及びオフセット調整抵抗9を含む信号処理回路1
0が配置される。基板1の上面における変位部3と回路
素子配置部4との境界位置(溝部2と対応した位置)に
は、厚膜抵抗11a〜11dより成る歪みゲージ11が
設けられる。厚膜抵抗11a〜11dは、感度調整抵抗
8及びオフセット調整抵抗9と同一の材料より成る抵抗
ペーストを印刷焼成することにより形成される。
Description
【0001】
本考案は、例えば車両用のエアバッグに利用されるものであって、加速度に応 じて振動する変位部と、その変位部の変位に応じて動作する歪みゲージとを備え た加速度センサ、特には、上記変位部を、信号処理回路を配置するための基板を 利用して形成するようにした加速度センサに関する。
【0002】
この種の加速度センサとしては、従来より、例えば実開平4−66581号公 報に記載されたものが知られている。即ち、この公報に記載された加速度センサ は、ステムに支持したセラミック基板上に、加速度センサ部と信号処理回路部と を設けた構成となっており、上記加速度センサ部は、セラミック基板の一部を利 用して形成した変位部としてのカンチレバーと、このカンチレバーの基部に対応 するように配置された歪みゲージとによって構成されている。尚、前記ステムに おけるカンチレバーと対応した部位には、凹部を形成することにより、当該カン チレバーが自由振動するように構成されている。
【0003】 この場合、上記カンチレバーは、先端部分を前記セラミック基板と同じ厚みに 形成することにより、この部分を感度を向上させるための重錘部として機能させ ると共に、この重錘部を片持ち状に支持した部分をセラミック基板の厚みより薄 く形成し、この薄肉部分を加速度に応じて変位する振動部として機能させる構成 としている。
【0004】
上記のような構成では、ステム上にセラミック基板を接着手段により支持する ことになるが、セラミック基板のステムに対する接着位置にばらつきがあった場 合には、カンチレバーの基部とステム側の凹部との間の相対位置がずれることに なるため、カンチレバーの応力分布が製品ごとにばらつくことになり、結果的に 、製品ごとの出力特性が不安定になるという問題点があった。
【0005】 本考案は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、製品ごとの出力 特性がばらつく事態を簡単な構成にて効果的に防止できるようになる加速度セン サを提供することにある。
【0006】
本考案は上記目的を達成するために、回路素子配置面の裏側面にこれを横断し た状態の溝部を形成することによって加速度に応じて振動する変位部が設けられ た基板と、この基板の回路素子配置面における前記溝部と対応した位置に厚膜抵 抗を形成することにより設けられた歪みゲージと、前記回路素子配置面上に前記 歪みゲージの検出信号を処理するために配置された信号処理回路と、前記基板を 前記回路素子配置面の裏側面において前記変位部の自由振動を許容した状態で支 持する支持部材とを備えた構成としたものである(請求項1)。
【0007】 この場合、前記基板の回路素子配置面上に、前記歪みゲージからの検出信号の 補正を行うオフセット調整抵抗を設けると共に、そのオフセット調整抵抗を歪み ゲージの厚膜抵抗と同一材料により形成する構成としても良いものである(請求 項2)。
【0008】 さらに、前記基板を前記支持部材に対して支持する際に、柔軟性がある接着剤 を利用する構成とすることもできる(請求項3)。
【0009】
請求項1に記載の加速度センサによれば、支持部材に加速度が作用したときに は、これに支持された基板と一体に形成された状態の変位部が自由振動するよう になるが、上記変位部の根元部分には、上記基板を横断した状態の溝部が形成さ れているから、基板における上記溝部と対応した部位に振動に伴う応力が集中す るようになり、このような応力変化が、溝部と対応した位置に設けられた歪みゲ ージにより検出されると共に、その検出信号が信号処理回路により処理されるよ うになる。この場合、上記のように変位部の振動に伴う応力が、基板における溝 部と対応した部位に集中するようになるから、基板の支持部材に対する支持位置 が多少ずれた場合でも、応力分布が大きく変化することがなくなり、従来のよう に製品ごとの出力特性がばらつく虞がなくものである。
【0010】 請求項2に記載の加速度センサによれば、歪みゲージを構成する厚膜抵抗と、 歪みゲージからの検出信号の補正を行うオフセット調整抵抗とが同一材料により 形成されているから、オフセット調整抵抗により一旦補正した検出信号に対し、 周囲温度の変化に起因した誤差変動が入り込む虞が小さくなり、結果的に出力特 性の向上を図り得るようになる。また、歪みゲージ及びオフセット調整抵抗を同 一の工程で製造できるようになるから、製造コストの低減も実現できるようにな る。
【0011】 請求項3に記載の加速度センサによれば、基板が支持部材に対して柔軟性があ る接着剤を介して支持されていることから、落下時の衝撃のように周波数成分が 高い過大加速度を、上記接着剤部分によりダンピング吸収できるようになり、結 果的に基板の破損耐力が向上するようになる。
【0012】
以下、本考案の第1実施例について図1〜図3を参照しながら説明する。 図1及び図2において、アルミナなどのセラミック板より成る矩形状の基板1 は、ハイブリッドICを構成するためのもので、その回路素子配置面(上面)の 裏側面(下面)に、これを横断した状態の溝部2を形成することによって、加速 度に応じて振動する変位部3と、回路素子配置部4とに区分した形態となってい る。
【0013】 金属製支持部材5には、前記基板1における回路素子配置部4の外形と同様の 外形を有する台部5aが突出形成されており、この台部5a上に上記回路素子配 置部4の裏側面を接着により固定している。これにより、基板1は、支持部材5 上に、前記変位部3の自由振動が許容された状態で支持されている。
【0014】 基板1における回路素子配置部4上には、オペアンプのようなIC実装部品6 、コンデンサ7、感度調整抵抗8、オフセット調整抵抗9などより成る信号処理 回路10が設けられており、この信号処理回路10は、支持部材5側に設けられ たターミナル5b群に対しワイヤボンディング手法により接続されている。この 場合、上記感度調整抵抗8及びオフセット調整抵抗9は、例えば酸化ルテニウム (RuO2 )系の抵抗ペーストを印刷焼成した厚膜抵抗として形成されており、 その抵抗値の設定は、例えばレーザトリミングにより行うようになっている。
【0015】 基板1の上面における変位部3と回路素子配置部4との境界位置、つまり溝部 2と対応した位置には、4個の厚膜抵抗11a〜11dより成る歪みゲージ11 が設けられている。この場合、上記厚膜抵抗11a〜11dは、前記感度調整抵 抗8及びオフセット調整抵抗9と同一の材料である酸化ルテニウム系抵抗ペース トを印刷焼成することにより形成されるもので、その形成は、感度調整抵抗8及 びオフセット調整抵抗9と同一の工程において行うようになっている。
【0016】 また、上記歪みゲージ11は、図3に示すように各厚膜抵抗11a〜11dを ブリッジ接続することにより構成されるものであるが、一方の対辺を構成する厚 膜抵抗11a及び11dは、溝部2と直交した方向へ長尺な矩形状に形成され、 他方の対辺を構成する厚膜抵抗11b及び11cは、溝部2と直交した方向へ長 尺な矩形状に形成されるものである。
【0017】 一方、基板1における変位部3上には、例えば銅片より成る重錘12が半田付 により固定されている。この場合、重錘12の半田付けは、前記信号処理回路1 0を構成する回路素子の半田付け時において、半田リフローにより同時に行われ るものである。
【0018】 電気的構成の概略を示す図3において、歪みゲージ11及びオフセット調整抵 抗9は、電源端子+Vccとグランド端子との間に図示のごとく接続されるもので あり、歪みゲージ11からの検出信号は、信号処理回路10内の増幅器10aを 介して出力されるようになっている。尚、感度調整抵抗8は、この増幅器10a のゲインを調整するように接続されている。
【0019】 上記した本実施例の構成によれば、支持部材5に加速度が作用したときには、 基板1と一体に形成され且つ重錘12が固定された状態の変位部3が自由振動す るようになる。このとき、上記変位部3の根元部分には、基板1を横断した状態 の溝部2が形成されているから、基板1における上記溝部2と対応した部位に振 動に伴う応力が集中するようになり、このような応力変化が、溝部2と対応した 位置に設けられた歪みゲージ11により検出されると共に、その検出信号が信号 処理回路10により処理されるようになる。このように変位部3の振動に伴う応 力が、基板1における溝部と対応した部位に集中するようになるから、基板1の 支持部材5に対する支持位置が多少ずれた場合でも、応力分布が大きく変化する ことがなくなり、従来のように製品ごとの出力特性がばらつく虞がなくなるもの である。
【0020】 また、歪みゲージ11を構成する厚膜抵抗11a〜11d、歪みゲージ11か らの検出信号の補正を行うオフセット調整抵抗9、並びに増幅器10aのゲイン 調整用の感度調整抵抗8が同一材料により形成されているから、オフセット調整 抵抗9により一旦補正した検出信号に対し、周囲温度の変化に起因した誤差変動 が入り込む虞が小さくなると共に、増幅器10aのゲイン調整が周囲温度により 狂う虞がなくなり、結果的に出力特性の向上を図り得るようになる。また、歪み ゲージ11、オフセット調整抵抗9及び感度調整抵抗8を同一の工程で製造する と共に、重錘12の半田付けによる固定作業並びに信号処理回路10を構成する 回路素子の半田付け作業も同一の工程により行っているから、製造コストの低減 も実現できるようになる。
【0021】 尚、本考案の第2実施例を示す図4のように、基板1を支持部材5の台部5a 上に支持する際に、シリコン樹脂系などの柔軟性がある接着剤13を利用する構 成としても良いものである。
【0022】 このような構成とした場合には、落下時の衝撃のように周波数成分が高い過大 加速度が、上記接着剤13部分によりダンピング吸収されることになり、結果的 に基板1の破損耐力が向上するという効果が得れられる。
【0023】
以上の説明によって明らかなように、請求項1に記載の加速度センサによれば 、基板における回路素子配置面の裏側面にこれを横断した状態の溝部を形成する ことによって、加速度に応じて振動する変位部を当該基板と一体に設けると共に 、上記溝部と対応した位置に厚膜抵抗を形成することによって歪みゲージを設け る構成としたので、変位部の振動に伴う応力が、基板における上記溝部と対応し た部位、つまり歪みゲージの配置部位に集中するようになり、結果的に、製品ご との出力特性がばらつく事態を、溝部を設けるだけの簡単な構成にて効果的に防 止できるようになるという優れた効果を奏するものである。
【0024】 また、請求項2に記載の加速度センサによれば、歪みゲージを構成する厚膜抵 抗と、歪みゲージからの検出信号の補正を行うオフセット調整抵抗とを同一材料 により形成する構成としたから、周囲温度の変化に起因して検出出力が変動する 事態を抑制できて出力特性の向上を図り得ると共に、歪みゲージ及びオフセット 調整抵抗を同一の工程で製造できるようになって製造コストを低減できるように なるという有益な効果を奏するものである。
【0025】 さらに、請求項3に記載の加速度センサによれば、基板を支持部材に対して柔 軟性がある接着剤を介して支持させる構成としたから、過大加速度を上記接着剤 部分によりダンピング吸収できるようになり、結果的に破損耐力が向上するよう になる。
【図1】本考案の第1実施例を示す全体の縦断側面図
【図2】全体の斜視図
【図3】概略的な回路構成図
【図4】本考案の第2実施例を示す図1相当図
図面中、1は基板、2は溝部、3は変位部、4は回路素
子配置部、5は支持部材、8は感度調整抵抗、9はオフ
セット調整抵抗、10は信号処理回路、11は歪みゲー
ジ、11a〜11dは厚膜抵抗、12は重錘、13は接
着剤を示す。
子配置部、5は支持部材、8は感度調整抵抗、9はオフ
セット調整抵抗、10は信号処理回路、11は歪みゲー
ジ、11a〜11dは厚膜抵抗、12は重錘、13は接
着剤を示す。
Claims (3)
- 【請求項1】 回路素子配置面の裏側面にこれを横断し
た状態の溝部を形成することによって加速度に応じて振
動する変位部が設けられた基板と、 この基板の回路素子配置面における前記溝部と対応した
位置に厚膜抵抗を形成することにより設けられた歪みゲ
ージと、 前記回路素子配置面上に前記歪みゲージの検出信号を処
理するために配置された信号処理回路と、 前記基板を前記回路素子配置面の裏側面において前記変
位部の自由振動を許容した状態で支持する支持部材とを
備えたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項2】 前記基板の回路素子配置面上に、前記歪
みゲージからの検出信号の補正を行うオフセット調整抵
抗を設けて成り、このオフセット調整抵抗は、歪みゲー
ジを構成する厚膜抵抗と同一材料により形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。 - 【請求項3】 前記基板を前記支持部材に対して柔軟性
がある接着剤を介して支持したことを特徴とする請求項
1記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3494593U JPH075066U (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3494593U JPH075066U (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH075066U true JPH075066U (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=12428314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3494593U Pending JPH075066U (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH075066U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP3494593U patent/JPH075066U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
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