JPH0750173B2 - 磁気デイスクの突起検出方法 - Google Patents
磁気デイスクの突起検出方法Info
- Publication number
- JPH0750173B2 JPH0750173B2 JP61217194A JP21719486A JPH0750173B2 JP H0750173 B2 JPH0750173 B2 JP H0750173B2 JP 61217194 A JP61217194 A JP 61217194A JP 21719486 A JP21719486 A JP 21719486A JP H0750173 B2 JPH0750173 B2 JP H0750173B2
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- JP
- Japan
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- magnetic disk
- reference level
- piezoelectric element
- disk
- protrusion
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気デイスク上の微少突起を高精度で検出す
るための方法に関する。
るための方法に関する。
磁気デイスク上の突起を検出するための従来技術とし
て、例えば、特開昭55−28526号公報等に記載された技
術がある。この従来技術は、回転する磁気デイスク上の
微少突起部と磁気ヘツドとの接触により発生する超音波
を検出する超音波検出素子を磁気ヘツドに設け、この検
出素子の出力をアナログ比較器に入力し基準値を変えて
比較することにより、前記突起の数とその大きさを検出
するものであり、磁気デイスク装置の障害防止に役立つ
ものである。
て、例えば、特開昭55−28526号公報等に記載された技
術がある。この従来技術は、回転する磁気デイスク上の
微少突起部と磁気ヘツドとの接触により発生する超音波
を検出する超音波検出素子を磁気ヘツドに設け、この検
出素子の出力をアナログ比較器に入力し基準値を変えて
比較することにより、前記突起の数とその大きさを検出
するものであり、磁気デイスク装置の障害防止に役立つ
ものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕 一般に、圧電素子を設けたヘツドを浮上させて磁気デイ
スクの突起を検出する場合、圧電素子は、ヘツドが突起
に接触したときに発生する電圧出力以外に、ヘツドが突
起に接触していないときにも微少の電圧出力を発生す
る。このヘツドが突起に接触していないときの圧電素子
からの電圧出力（以下、ベース出力という）は、磁気デ
イスクの回転時のフラツタおよび微少なうねり等によ
り、ヘツドに振動が加えられることにより発生するもの
であり、デイスクの周速の相異により内周部に比較して
外周部で大きくなることが知られている。
スクの突起を検出する場合、圧電素子は、ヘツドが突起
に接触したときに発生する電圧出力以外に、ヘツドが突
起に接触していないときにも微少の電圧出力を発生す
る。このヘツドが突起に接触していないときの圧電素子
からの電圧出力（以下、ベース出力という）は、磁気デ
イスクの回転時のフラツタおよび微少なうねり等によ
り、ヘツドに振動が加えられることにより発生するもの
であり、デイスクの周速の相異により内周部に比較して
外周部で大きくなることが知られている。
前述の従来技術では、既知の大きさの突起をヘツドに接
触させ、このときの圧電素子のピーク電圧出力をもと
に、比較のための基準レベルを設定しており、前述した
ベース出力が、デイスクの内周と外周とで異なる。すな
わち、デイスク上のヘツド位置に応じて変化する点に関
する配慮が何らなされていない。このため、前述の従来
技術は、ベース出力の小さい部分において基準レベルを
設定すると、ベース出力が大きい部分では基準レベルが
ベース出力より小さくなつてしまい、また、ベース出力
の大きい部分で基準レベルを設定すると、ベース出力の
小さい部分では、ヘツドと突起が接触したときの検出出
力が基準レベルより小さくなつてしまうという問題点が
あつた。すなわち、前述の従来技術は、圧電素子のベー
ス出力に対する配慮がなされていなかつたため、ベース
出力をデイスクの突起として検出したり、突起を検出で
きない場合が生じたりして、デイスクの突起を正確に検
出できないという問題点があつた。
触させ、このときの圧電素子のピーク電圧出力をもと
に、比較のための基準レベルを設定しており、前述した
ベース出力が、デイスクの内周と外周とで異なる。すな
わち、デイスク上のヘツド位置に応じて変化する点に関
する配慮が何らなされていない。このため、前述の従来
技術は、ベース出力の小さい部分において基準レベルを
設定すると、ベース出力が大きい部分では基準レベルが
ベース出力より小さくなつてしまい、また、ベース出力
の大きい部分で基準レベルを設定すると、ベース出力の
小さい部分では、ヘツドと突起が接触したときの検出出
力が基準レベルより小さくなつてしまうという問題点が
あつた。すなわち、前述の従来技術は、圧電素子のベー
ス出力に対する配慮がなされていなかつたため、ベース
出力をデイスクの突起として検出したり、突起を検出で
きない場合が生じたりして、デイスクの突起を正確に検
出できないという問題点があつた。
本発明の目的は、前述のような従来技術の問題点を解決
し、ベース出力の大きさの変化にかかわらず、高精度に
デイスクの突起を検出することのできるデイスクの突起
検出方法を提供することにある。
し、ベース出力の大きさの変化にかかわらず、高精度に
デイスクの突起を検出することのできるデイスクの突起
検出方法を提供することにある。
本発明によれば、前記目的は、圧電素子のベース出力を
測定し、そのベース出力値に対して一定の関係にある基
準レベルを設定し、この基準レベルを超えた圧電素子の
出力があつたとき、これをデイスク上の突起として検出
することにより達成される。
測定し、そのベース出力値に対して一定の関係にある基
準レベルを設定し、この基準レベルを超えた圧電素子の
出力があつたとき、これをデイスク上の突起として検出
することにより達成される。
圧電素子を設けたヘツドをデイスク面上に浮上させ、デ
イスクが所定の回転数になつた後、圧電素子からのベー
ス出力を測定し、このベース出力に対して一定の関係を
持つた基準レベルを設定する。その後、この基準レベル
と圧電素子の出力とを比較し、基準レベルを越えた圧電
素子の出力を突起として判定する。次にヘツドを次のト
ラツクにシークさせ、前述と同様にして基準レベルの設
定と突起の検出を行う。このような動作を繰返し行うこ
とにより、デイスクの全トラツクについての突起検出
を、ベース出力の大きさが変化した場合にも高い精度で
行うことができる。
イスクが所定の回転数になつた後、圧電素子からのベー
ス出力を測定し、このベース出力に対して一定の関係を
持つた基準レベルを設定する。その後、この基準レベル
と圧電素子の出力とを比較し、基準レベルを越えた圧電
素子の出力を突起として判定する。次にヘツドを次のト
ラツクにシークさせ、前述と同様にして基準レベルの設
定と突起の検出を行う。このような動作を繰返し行うこ
とにより、デイスクの全トラツクについての突起検出
を、ベース出力の大きさが変化した場合にも高い精度で
行うことができる。
〔実施例〕 以下、本発明による磁気デイスクの突起検出方法の一実
施例を図面により詳細に説明する。
施例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための突起検出装置の
構成例、第２図（Ａ），（Ｂ）は本発明により測定した
圧電素子の出力の例であり、夫々デイスクの内周部およ
び外周部の例である。第１図において、１はデイスク、
２はヘツド、３は圧電素子、４は信号処理部、５はアン
プ、６はフイルター、７はベース出力測定回路、８は基
準レベル設定回路、９は比較回路、10はカウンタであ
る。
構成例、第２図（Ａ），（Ｂ）は本発明により測定した
圧電素子の出力の例であり、夫々デイスクの内周部およ
び外周部の例である。第１図において、１はデイスク、
２はヘツド、３は圧電素子、４は信号処理部、５はアン
プ、６はフイルター、７はベース出力測定回路、８は基
準レベル設定回路、９は比較回路、10はカウンタであ
る。
本発明の方法を実施する突起検出装置は、第１図に示す
ように、圧電素子３を有し、デイスク１上に浮上するヘ
ツド２と、圧電素子３からの出力信号を処理する信号処
理部４により構成される。また、信号処理部４は、圧電
素子３からの出力信号を増幅するアンプ５、アンプ５の
出力を受け所定の周波数帯域の信号成分を取出すフイル
ター６、該フイルター６の出力を受けベース出力を検出
するベース出力測定回路７、該測定回路からのベース出
力に基いて基準レベルを設定する基準レベル設定回路
８、フイルター６の出力信号と基準レベル設定回路８か
らの基準レベル信号とを比較しデイスク１の突起を判定
する比較回路９および該比較回路９の出力を計数するこ
とによりデイスク１の突起の数を計数するカウンタ10に
より構成される。
ように、圧電素子３を有し、デイスク１上に浮上するヘ
ツド２と、圧電素子３からの出力信号を処理する信号処
理部４により構成される。また、信号処理部４は、圧電
素子３からの出力信号を増幅するアンプ５、アンプ５の
出力を受け所定の周波数帯域の信号成分を取出すフイル
ター６、該フイルター６の出力を受けベース出力を検出
するベース出力測定回路７、該測定回路からのベース出
力に基いて基準レベルを設定する基準レベル設定回路
８、フイルター６の出力信号と基準レベル設定回路８か
らの基準レベル信号とを比較しデイスク１の突起を判定
する比較回路９および該比較回路９の出力を計数するこ
とによりデイスク１の突起の数を計数するカウンタ10に
より構成される。
前記ベース出力測定回路７は、アンプ５、フイルター６
を介して入力される圧電素子３の出力信号を処理し、ベ
ース出力信号の実効値、平均値またはピーク値を測定
し、その値を基準レベル設定回路８に与えるが、本発明
の実施例においては、ベース出力信号の平均値を測定す
ることとした。また、基準レベル設定回路８は、ベース
出力測定回路７より与えられる測定値を一定の関係の係
数で補正し、その値を基準レベルとして設定するが、本
発明の実施例においては、基準レベル設定のための係数
を２倍とし、ベースレベル測定回路７から得られるベー
ス出力信号の平均値の２倍を基準レベルとした。
を介して入力される圧電素子３の出力信号を処理し、ベ
ース出力信号の実効値、平均値またはピーク値を測定
し、その値を基準レベル設定回路８に与えるが、本発明
の実施例においては、ベース出力信号の平均値を測定す
ることとした。また、基準レベル設定回路８は、ベース
出力測定回路７より与えられる測定値を一定の関係の係
数で補正し、その値を基準レベルとして設定するが、本
発明の実施例においては、基準レベル設定のための係数
を２倍とし、ベースレベル測定回路７から得られるベー
ス出力信号の平均値の２倍を基準レベルとした。
このような構成の本発明の方法を実施する第１図に示す
突起検出装置の動作を以下詳述する。
突起検出装置の動作を以下詳述する。
まず、圧電素子３を有するヘツド２をデイスク１の面上
に浮上させ、デイスク１を所定の回転数で回転させ、ヘ
ツド２をデイスク１の最内周トラツクへシークさせる。
この状態で、ベース出力測定回路７は、アンプ５、フイ
ルター６を介してヘツド２に設けた圧電素子３の出力信
号を受け、そのベース出力信号の平均値を測定し、この
平均値を基準レベル設定回路８に印加する。基準レベル
設定回路８は、この平均値の２倍を基準レベルとして設
定し、比較回路９に与える。比較回路９は、基準レベル
設定回路８から与えられる基準レベルと、アンプ５、フ
イルタ６を介して与えられる圧電素子３の出力信号とを
比較し、この圧電素子３の出力信号が基準レベルを越え
たとき出力信号を発する。この出力信号は、ヘツド２が
デイスク１の突起と接触したことの検出信号となる。カ
ウンタ10は、比較回路９の出力を計数することにより、
デイスク１の突起を計数する。トラツク一周分の突起の
検出を終了すると、ヘツド２は、次のトラツクにシーク
され、信号処理部４は、前述と同様に、ベース出力信号
の平均値の測定、基準レベルの設定、デイスク１の突起
の計数を行う。本発明の方法を実施する第１図に示す装
置は、このような動作を繰返すことにより、デイスク１
の全面にわたり突起の検出と計数を行う。
に浮上させ、デイスク１を所定の回転数で回転させ、ヘ
ツド２をデイスク１の最内周トラツクへシークさせる。
この状態で、ベース出力測定回路７は、アンプ５、フイ
ルター６を介してヘツド２に設けた圧電素子３の出力信
号を受け、そのベース出力信号の平均値を測定し、この
平均値を基準レベル設定回路８に印加する。基準レベル
設定回路８は、この平均値の２倍を基準レベルとして設
定し、比較回路９に与える。比較回路９は、基準レベル
設定回路８から与えられる基準レベルと、アンプ５、フ
イルタ６を介して与えられる圧電素子３の出力信号とを
比較し、この圧電素子３の出力信号が基準レベルを越え
たとき出力信号を発する。この出力信号は、ヘツド２が
デイスク１の突起と接触したことの検出信号となる。カ
ウンタ10は、比較回路９の出力を計数することにより、
デイスク１の突起を計数する。トラツク一周分の突起の
検出を終了すると、ヘツド２は、次のトラツクにシーク
され、信号処理部４は、前述と同様に、ベース出力信号
の平均値の測定、基準レベルの設定、デイスク１の突起
の計数を行う。本発明の方法を実施する第１図に示す装
置は、このような動作を繰返すことにより、デイスク１
の全面にわたり突起の検出と計数を行う。
第２図（Ａ）は、本発明による方法を実施する第１図の
装置を用いた場合、デイスク１の最内周トラツクにおい
て、アンプ５、フイルター６を介して得られた圧電素子
３の出力信号波形を示すものであり、そのベース出力信
号の平均値は、20mVであつた。従つて、この場合、基準
レベルは40mVに設定した。また、第２図（Ｂ）は、デイ
スク１の最外周トラツクにおいて、アンプ５、フイルタ
ー６を介して得られた圧電素子３の出力信号波形を示す
ものであり、そのベース出力信号の平均値は、40mVであ
つた。従つて、この場合、基準レベルは80mVに設定し
た。
装置を用いた場合、デイスク１の最内周トラツクにおい
て、アンプ５、フイルター６を介して得られた圧電素子
３の出力信号波形を示すものであり、そのベース出力信
号の平均値は、20mVであつた。従つて、この場合、基準
レベルは40mVに設定した。また、第２図（Ｂ）は、デイ
スク１の最外周トラツクにおいて、アンプ５、フイルタ
ー６を介して得られた圧電素子３の出力信号波形を示す
ものであり、そのベース出力信号の平均値は、40mVであ
つた。従つて、この場合、基準レベルは80mVに設定し
た。
前述した本発明の実施例は、デイスク１のトラツクピツ
チをヘツドの浮上面のスライダ幅と同一寸法とした。ま
た、実施例の説明において、基準レベルの設定は、トラ
ツク毎に行うこととしたが、デイスク１上のトラツクを
複数群に分け、各群毎に行つてもよい。
チをヘツドの浮上面のスライダ幅と同一寸法とした。ま
た、実施例の説明において、基準レベルの設定は、トラ
ツク毎に行うこととしたが、デイスク１上のトラツクを
複数群に分け、各群毎に行つてもよい。
前述した本発明の実施例によれば、従来技術の欠点を除
去し、より正確にデイスクの突起を検出し、計数するこ
とができる。例えば、従来技術においては、基準レベル
を80mVに設定すると、内周部において、ヘツドとデイス
クの突起とが接触した場合にも、内周部におけるデイス
クの周速が外周部より遅いため、圧電素子の出力が低下
し、突起として検出することができない場合を生じる
が、本発明の実施例では、ベース出力信号の変化に対応
した基準レベルを設定しているので、常に安定的に正確
なデイスクの突起を検出することが可能である。
去し、より正確にデイスクの突起を検出し、計数するこ
とができる。例えば、従来技術においては、基準レベル
を80mVに設定すると、内周部において、ヘツドとデイス
クの突起とが接触した場合にも、内周部におけるデイス
クの周速が外周部より遅いため、圧電素子の出力が低下
し、突起として検出することができない場合を生じる
が、本発明の実施例では、ベース出力信号の変化に対応
した基準レベルを設定しているので、常に安定的に正確
なデイスクの突起を検出することが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、圧電素子を設け
たヘツドを用いたデイスクの突起検出方法において、圧
電素子のベース出力信号の変化に影響されることなく、
高精度にデイスクの突起を検出することができる。
たヘツドを用いたデイスクの突起検出方法において、圧
電素子のベース出力信号の変化に影響されることなく、
高精度にデイスクの突起を検出することができる。
第１図は本発明の方法を実施するための突起検出装置の
構成例、第２図（Ａ），（Ｂ）は本発明の方法における
圧電素子の出力信号波形である。 １……磁気デイスク、２……ヘツド、３……圧電素子、
４……信号処理部、５……アンプ、６……フイルター、
７……ベース出力測定回路、８……基準レベル設定回
路、９……比較回路、10……カウンタ。
構成例、第２図（Ａ），（Ｂ）は本発明の方法における
圧電素子の出力信号波形である。 １……磁気デイスク、２……ヘツド、３……圧電素子、
４……信号処理部、５……アンプ、６……フイルター、
７……ベース出力測定回路、８……基準レベル設定回
路、９……比較回路、10……カウンタ。
Claims (2)
- 【請求項１】回転している磁気ディスク面上に圧電素子
を設けたヘッドを浮上させて磁気ディスクの半径方向に
移動させ、該ヘッドと磁気ディスクの突起との接触によ
り圧電素子が発する出力信号によって磁気ディスクの突
起を検出する方法において、前記ヘッドと磁気ディスク
の突起とが接触していないときに、前記磁気ディスクの
半径方向位置に対して変化する圧電素子の出力信号の大
きさに対応した基準レベルを設定し、この基準レベル
と、前記ヘッドの圧電素子の出力信号とを比較すること
により、磁気ディスクの突起を検出することを特徴とす
る磁気ディスクの突起検出方法。 - 【請求項２】前記基準レベルの設定は、磁気ディスクの
トラック毎に行うことを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載の磁気ディスクの突起検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217194A JPH0750173B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 磁気デイスクの突起検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217194A JPH0750173B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 磁気デイスクの突起検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373180A JPS6373180A (ja) | 1988-04-02 |
| JPH0750173B2 true JPH0750173B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16700330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217194A Expired - Lifetime JPH0750173B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 磁気デイスクの突起検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750173B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942609A (en) * | 1989-03-15 | 1990-07-17 | Magnetic Peripherals Inc. | Electronic flying integrity tester for disk drives |
| USD921367S1 (en) | 2018-12-14 | 2021-06-08 | The Sherwin-Williams Company | Mini roller |
| USD935786S1 (en) | 2018-12-14 | 2021-11-16 | The Sherwin-Williams Company | Roller end cap |
| USD953749S1 (en) | 2020-03-20 | 2022-06-07 | Swimc Llc | Bent frame paint roller assembly |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943446U (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-22 | 株式会社東芝 | ダブルフイ−ド検出装置 |
| US4513613A (en) * | 1983-06-07 | 1985-04-30 | International Business Machines Corporation | Particle detection system |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61217194A patent/JPH0750173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373180A (ja) | 1988-04-02 |
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