JPH0748667Y2 - Substrate rotation mechanism of film forming equipment - Google Patents

Substrate rotation mechanism of film forming equipment

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JPH0748667Y2
JPH0748667Y2 JP1989063497U JP6349789U JPH0748667Y2 JP H0748667 Y2 JPH0748667 Y2 JP H0748667Y2 JP 1989063497 U JP1989063497 U JP 1989063497U JP 6349789 U JP6349789 U JP 6349789U JP H0748667 Y2 JPH0748667 Y2 JP H0748667Y2
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substrate
holder
rotation
film forming
rotating
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富佐雄 中村
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Shimadzu Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、成膜室内において、成膜すべき基板を回転
させつつ成膜を行うための基板回転機構に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a substrate rotating mechanism for rotating a substrate to be formed in a film forming chamber while performing film formation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

以下、成膜装置としてスパッタリング装置を例にとり説
明する。一般にスパッタリング装置は、真空容器内に基
板とターゲットとが対向して配置されている。そして、
真空容器内に所定のガスを封入し、基板や真空容器とタ
ーゲットとの間に、高周波電圧を印加してグロー放電を
起こさせる。このグロー放電によって生じたガスイオン
を、ターゲットに衝突させ、これにより生じたスパッタ
リング粒子を基板表面に付着させて膜形成を行う。
Hereinafter, a sputtering apparatus will be described as an example of the film forming apparatus. Generally, in a sputtering apparatus, a substrate and a target are arranged to face each other in a vacuum container. And
A predetermined gas is sealed in the vacuum container, and a high frequency voltage is applied between the substrate and the vacuum container and the target to cause glow discharge. Gas ions generated by this glow discharge are made to collide with a target, and the sputtered particles generated thereby are attached to the substrate surface to form a film.

このようなスパッタリング装置を用いて複数の基板に成
膜処理を行う場合、基板ホルダに多数の基板を装着する
とともに、この基板ホルダをターゲットに対して回転さ
せることにより、前記各基板上にターゲットからのスパ
ッタリング粒子を付着させて膜形成を行うようにしてい
る。
When performing film formation processing on a plurality of substrates using such a sputtering apparatus, by mounting a large number of substrates on the substrate holder and rotating the substrate holder with respect to the target, the target on each substrate is The sputtered particles are attached to form a film.

〔考案が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the device]

前記従来の装置では、特にターゲットと基板とがずれた
位置にある場合、単に基板ホルダを回転させるだけで
は、形成される薄膜はターゲットとの対向面に多く堆積
することになる。したがって、従来装置では基板上に十
分に均一な薄膜を形成することができないという問題が
生じる。
In the conventional apparatus described above, particularly when the target and the substrate are displaced from each other, simply rotating the substrate holder causes a large amount of the formed thin film to be deposited on the surface facing the target. Therefore, the conventional apparatus has a problem that a sufficiently uniform thin film cannot be formed on the substrate.

この考案の目的は、基板上の膜厚分布を均一にするため
に基板ホルダへの回転伝導を良好に行ない、かつ基板の
係脱を良好にして基板の搬送動作への移行を円滑に行な
うことを可能とする成膜装置の基板回転機構を提供する
ことにある。
The object of the present invention is to perform good rotation conduction to the substrate holder in order to make the film thickness distribution on the substrate uniform, and to make the engagement and disengagement of the substrate good so that the transfer operation of the substrate is smoothly performed. Another object of the present invention is to provide a substrate rotating mechanism of a film forming apparatus that enables the above.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この考案に係る成膜装置の基板回転機構は、成膜装置内
において、成膜すべき基板を回転させつつ成膜を行うた
めのものであり、基板ホルダと、基板公転機構と、基板
自転機構と、オルダム継手機構とを備えている。基板ホ
ルダは、中心軸の回りに回転可能であるとともに、基板
を保持し、中心軸と偏心した位置で回転可能な複数の基
板サブホルダを有している。基板公転機構は、基板ホル
ダの中心軸に係合して基板ホルダを回転駆動する。基板
自転機構は、各基板サブホルダの回転中心に対応する位
置で、基板公転機構と同期して回転する回転軸を有して
いる。オルダム継手機構は、基板公転機構が基板ホルダ
の中心軸に係合する時、基板自転機構の回転軸と基板サ
ブホルダの回転中心とを連結する。
A substrate rotating mechanism of a film forming apparatus according to the present invention is for performing film formation while rotating a substrate to be formed in a film forming apparatus, and includes a substrate holder, a substrate revolution mechanism, and a substrate rotation mechanism. And an Oldham coupling mechanism. The substrate holder has a plurality of substrate sub-holders that are rotatable about a central axis, hold the substrate, and are rotatable at positions eccentric to the central axis. The substrate revolution mechanism is engaged with the central axis of the substrate holder to drive the substrate holder to rotate. The substrate rotation mechanism has a rotation shaft that rotates in synchronization with the substrate revolution mechanism at a position corresponding to the rotation center of each substrate sub-holder. The Oldham coupling mechanism connects the rotation axis of the substrate rotation mechanism and the rotation center of the substrate sub-holder when the substrate revolution mechanism is engaged with the center axis of the substrate holder.

〔作用〕[Action]

本考案に係る成膜装置の基板回転機構では、基板公転機
構が基板ホルダの中心軸に係合して基板ホルダを中心軸
の回りに回転させる。このとき、基板サブホルダに保持
されている基板も、基板ホルダの中心軸の回りに公転す
ることとなる。基板自転機構の回転軸と基板サブホルダ
の回転中心とは、基板公転機構が基板ホルダの中心軸に
係合する時に、オルダム継手機構により連結される。従
って、基板自転機構の回転軸は、基板公転機構に同期し
て回転することとなる。これより、基板サブホルダに保
持されている基板は、基板ホルダの中心軸の回りに公転
するとともに、基板自転機構により自転することとな
る。このことから、成膜装置内において、膜材料が基板
上に均一に付着されることとなる。
In the substrate rotating mechanism of the film forming apparatus according to the present invention, the substrate revolving mechanism engages with the central axis of the substrate holder to rotate the substrate holder around the central axis. At this time, the substrate held by the substrate sub-holder also revolves around the central axis of the substrate holder. The rotation axis of the substrate rotation mechanism and the rotation center of the substrate sub-holder are connected by the Oldham coupling mechanism when the substrate revolution mechanism is engaged with the center axis of the substrate holder. Therefore, the rotation axis of the substrate rotation mechanism rotates in synchronization with the substrate revolution mechanism. As a result, the substrate held by the substrate sub-holder revolves around the central axis of the substrate holder and also rotates by the substrate rotation mechanism. As a result, the film material is uniformly deposited on the substrate in the film forming apparatus.

また、基板サブホルダの回転中心と基板自転機構の回転
軸とは、オルダム継手機構によって係脱自在となってい
る。このため、基板公転機構が基板ホルダの中心軸に係
合する際に、基板自転機構の回転軸と基板サブホルダの
回転中心との間に多少のずれがあってもこれを吸収して
確実に係合し、回転を確実に伝達することができる。ま
た、このオルダム継手機構により、基板サブホルダの回
転中心と基板自転機構の回転軸との係脱が円滑であるた
め、基板の搬送動作への移行も円滑に行なうことが可能
となる。
Further, the rotation center of the substrate sub-holder and the rotation axis of the substrate rotation mechanism can be engaged and disengaged by the Oldham coupling mechanism. Therefore, when the substrate revolving mechanism engages with the central axis of the substrate holder, even if there is a slight deviation between the rotation axis of the substrate rotating mechanism and the rotational center of the substrate sub-holder, this is absorbed to ensure engagement. Therefore, the rotation can be reliably transmitted. In addition, the Oldham coupling mechanism facilitates smooth engagement and disengagement of the rotation center of the substrate sub-holder and the rotation axis of the substrate rotation mechanism, so that the transfer operation of the substrate can be smoothly performed.

〔実施例〕〔Example〕

本考案の一実施例による成膜装置としてのスパッタリン
グ装置を第1A図に示す。ここでは、2つの成膜室1,2が
連続して配置されているものを例にとる。
FIG. 1A shows a sputtering apparatus as a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. Here, the case where the two film forming chambers 1 and 2 are continuously arranged is taken as an example.

図において、成膜室1の入口部(図示左側)には、入口
弁3が設けられ、成膜室2の出口部(図示右側)には、
出口弁4が設けられている。また各室の間には、仕切り
弁5が設けられている。成膜室1,2には、各室を所定の
真空圧にするための真空排気系6,7が接続されており、
また、アルゴンガス等の所定のガスを導入するためのガ
ス導入系8,9が接続されている。成膜室1,2内の下方に
は、ターゲット10,11が配置されている。ターゲット10,
11には、それぞれ高周波電源12,13が接続されている。
In the figure, an inlet valve 3 is provided at an inlet portion (left side in the drawing) of the film forming chamber 1, and an outlet valve (right side in the drawing) of the film forming chamber 2 is provided.
An outlet valve 4 is provided. A sluice valve 5 is provided between the chambers. The film forming chambers 1 and 2 are connected to vacuum exhaust systems 6 and 7 for making each chamber a predetermined vacuum pressure,
Further, gas introduction systems 8 and 9 for introducing a predetermined gas such as argon gas are connected. Targets 10 and 11 are arranged below the interiors of the film forming chambers 1 and 2. Target 10,
High frequency power supplies 12 and 13 are connected to 11, respectively.

また、成膜室1,2内には、図示しないローラ等で構成さ
れる搬送機構が設けられている。成膜室1,2内の上方に
は、搬入された基板を保持するための回転可能な基板保
持機構30が設けられている。ここで、この基板保持機構
30が、基板を基板ホルダの中心軸回りに公転させる基板
公転機構として機能している。基板保持機構30の中心部
には、基板ホルダ21を基板保持機構30に対してセンタリ
ングするためのボス45が設けられている。また、基板保
持機構30には、ボス45を挟んで相対向する位置に、基板
ホルダ21の回転角度位置を位置決めするための軸44が設
けられている。なお、軸44の先端は、位置決めが容易な
ように円錐状に形成されている。各成膜室1,2の下方に
は、基板保持機構30に対向して、基板搬送機構と基板保
持機構30との間で基板の着脱を行う基板着脱機構60が設
けられている。この基板着脱機構60は昇降可能となって
いる。
Further, in the film forming chambers 1 and 2, there is provided a transfer mechanism including rollers (not shown). Above the inside of the film forming chambers 1 and 2, a rotatable substrate holding mechanism 30 for holding the loaded substrate is provided. Where this substrate holding mechanism
Reference numeral 30 functions as a substrate revolving mechanism that revolves the substrate around the central axis of the substrate holder. A boss 45 for centering the substrate holder 21 with respect to the substrate holding mechanism 30 is provided at the center of the substrate holding mechanism 30. Further, the substrate holding mechanism 30 is provided with shafts 44 for positioning the rotation angle position of the substrate holder 21 at positions facing each other with the boss 45 interposed therebetween. The tip of the shaft 44 is formed in a conical shape for easy positioning. Below each of the film forming chambers 1 and 2, a substrate attaching / detaching mechanism 60 is provided facing the substrate holding mechanism 30 to attach / detach the substrate between the substrate transfer mechanism and the substrate holding mechanism 30. The board attaching / detaching mechanism 60 can be moved up and down.

一方、第1A図及び第1A図の一部平面図である第1B図に示
すように、基板ホルダ21には、回転自在に複数(この実
施例では4枚)の基板サブホルダ26が装着されている。
基板ホルダ21には、基板保持機構30と基板ホルダ21との
位置決めのためのボス23が設けられている。このボス23
は、対向する位置に2か所設けられている。また基板ホ
ルダ21の中心部分には、先端が円錐状に形成された軸24
が設けられている。基板ホルダ21は、基板カート22に装
着された状態で成膜室1内に搬入されるようになってい
る。
On the other hand, as shown in FIG. 1A and FIG. 1B which is a partial plan view of FIG. 1A, a plurality of (four in this embodiment) substrate sub-holders 26 are rotatably mounted on the substrate holder 21. There is.
The substrate holder 21 is provided with a boss 23 for positioning the substrate holding mechanism 30 and the substrate holder 21. This boss 23
Are provided at two opposite positions. In addition, in the central portion of the substrate holder 21, a shaft 24 having a conical tip is formed.
Is provided. The substrate holder 21 is loaded into the film forming chamber 1 while being attached to the substrate cart 22.

基板自転機構の詳細を第2A図を用いて説明する。図で
は、基板保持機構30に基板ホルダ21が保持されている状
態を示している。
Details of the substrate rotation mechanism will be described with reference to FIG. 2A. The figure shows a state in which the substrate holder 21 is held by the substrate holding mechanism 30.

基板保持機構30は、その中心部に外部から回転駆動され
る回転フランジ31を有しており、この回転フランジ31の
下端には、円形プレート32が固定されている。円形プレ
ート32の中心部下面には、カップリング33が装着されて
おり、このカップリング33は基板ホルダ21の軸24と係合
するようになっている。円形プレート32の半径方向中央
部には、基板ホルダ21に装着された基板サブホルダ26の
位置及び個数に対応して、孔が4か所形成されている。
そしてこの孔に、それぞれ筒状のフランジ34が固定され
ている。フランジ34の内部には、軸受を介して回転自在
に筒体35が装着されている。筒体35はキャップ状に形成
され、その上端面には、ギヤ36が固定されている。この
ギヤ36は、上部蓋板70の下端面に固定された固定ギヤ71
に噛み合っている。固定ギヤ71には孔71aが形成され、
この孔71aに前記回転フランジ31が挿通している。筒体3
5内部には、軸37が下方に向けて固定されている。軸37
には、スライドキー38を介して、軸方向に移動自在に回
転体39が装着されている。回転体39は、筒体35内に装着
されたばね40により、常時下方に付勢されている。回転
体39の外周面には、水平方向に突出するピン41,42が概
ね180°間隔で固定されている。
The substrate holding mechanism 30 has a rotary flange 31 which is rotationally driven from the outside at the center thereof, and a circular plate 32 is fixed to the lower end of the rotary flange 31. A coupling 33 is mounted on the lower surface of the central portion of the circular plate 32, and the coupling 33 engages with the shaft 24 of the substrate holder 21. Four holes are formed in the central portion of the circular plate 32 in the radial direction corresponding to the positions and the number of the substrate sub-holders 26 mounted on the substrate holder 21.
A tubular flange 34 is fixed in each of the holes. Inside the flange 34, a tubular body 35 is rotatably mounted via a bearing. The tubular body 35 is formed in a cap shape, and a gear 36 is fixed to the upper end surface thereof. This gear 36 is a fixed gear 71 fixed to the lower end surface of the upper cover plate 70.
Meshes with. A hole 71a is formed in the fixed gear 71,
The rotary flange 31 is inserted through the hole 71a. Cylinder 3
5 Inside, a shaft 37 is fixed downward. Axis 37
A rotary body 39 is mounted on the shaft via a slide key 38 so as to be movable in the axial direction. The rotating body 39 is constantly urged downward by a spring 40 mounted inside the tubular body 35. Pins 41 and 42 protruding in the horizontal direction are fixed to the outer peripheral surface of the rotating body 39 at intervals of approximately 180 °.

円形プレート32の周縁部3ヵ所には、基板把持部50が設
けられている。基板把持部50は、円形プレート32に固定
されたベースブロック51と、ベースブロック51に固定さ
れた筒体52と、筒体52内に摺動自在に設けられたピスト
ンロッド53と、ベースブロック51の下面に固定された固
定板54と、一端が固定板54に回動自在に装着された爪55
とを有している。筒体52内には、ばね58が装着されてお
り、このばね58によりピストンロッド53は常時上方に付
勢されている。爪55には、第2B図に示すように、長孔55
aが形成されており、この長孔55aにピストンロッド53の
先端が挿通している。ピストンロッド53先端部には、爪
55を挟んでピン56,57が設けられている。このピン56,57
は、爪55の長孔55aに係止して、爪55を回動させるため
のものである。
Substrate grips 50 are provided at three peripheral portions of the circular plate 32. The substrate grip 50 includes a base block 51 fixed to the circular plate 32, a cylinder 52 fixed to the base block 51, a piston rod 53 slidably provided in the cylinder 52, and a base block 51. A fixed plate 54 fixed to the lower surface of the and a claw 55 whose one end is rotatably attached to the fixed plate 54.
And have. A spring 58 is mounted inside the cylindrical body 52, and the piston rod 53 is always urged upward by the spring 58. As shown in FIG. 2B, the claw 55 has an elongated hole 55.
a is formed, and the tip of the piston rod 53 is inserted through the elongated hole 55a. The tip of the piston rod 53 has a claw
Pins 56 and 57 are provided on both sides of 55. This pin 56,57
Is for rotating the claw 55 by engaging with the long hole 55a of the claw 55.

一方、基板ホルダ21上には孔21aが4か所に形成されて
いる。この孔21aに、基板サブホルダ26が、ボール27を
介して回転自在に装着されている。基板サブホルダ26の
裏面には、基板20がねじ25により固定されている。基板
サブホルダ26の中心部には、概ね180°間隔でピン28,29
が上方に突出して固定されている。このピン28,29が、
前記基板保持機構30側の回転体39に設けられたピン41,4
2に係止可能となっている。
On the other hand, holes 21a are formed in four places on the substrate holder 21. A substrate sub-holder 26 is rotatably mounted in the hole 21a via a ball 27. The substrate 20 is fixed to the back surface of the substrate sub-holder 26 with screws 25. Pins 28, 29 are provided at the center of the substrate sub-holder 26 at intervals of approximately 180 °.
Is projected and fixed upward. These pins 28 and 29 are
Pins 41, 4 provided on the rotating body 39 on the substrate holding mechanism 30 side
It can be locked to 2.

このようにして、ギヤ71,ギヤ36,回転体39,ピン41,42,
ピン28,29等により各基板20をそれぞれの中心軸回りに
自転させるための基板自転機構が構成されている。
In this way, the gear 71, the gear 36, the rotating body 39, the pins 41, 42,
The pins 28, 29, etc. constitute a substrate rotation mechanism for rotating each substrate 20 about each central axis.

次に動作について説明する。Next, the operation will be described.

入口弁3を開き、搬送機構により、成膜室1内部に基板
ホルダ21が装着された基板カート22が搬入され、所定の
位置に位置決めされる。そして、基板着脱機構60を上昇
させ、基板着脱機構60上に基板ホルダ21を載置する。な
お、基板把持部50において、ピストンロッド53は突出し
ており、ピン56により爪55は下方に回動して開いた状態
となっている。この状態でさらに基板着脱機構60を上昇
させ、基板ホルダ21上の軸24を基板保持機構30のボス45
に係合させるとともに、基板ホルダ21上の位置決め用ボ
ス23を基板保持機構30の軸44に係合させる。このように
して、基板保持機構30に対する基板ホルダ21のセンタリ
ングと回転角度位置の設定を行う。このとき、基板保持
機構30は、予め所定の回転角度位置に設定されている。
The inlet valve 3 is opened, and the substrate cart 22 having the substrate holder 21 mounted therein is carried into the film forming chamber 1 by the transfer mechanism and positioned at a predetermined position. Then, the substrate attaching / detaching mechanism 60 is raised, and the substrate holder 21 is placed on the substrate attaching / detaching mechanism 60. In the substrate grip 50, the piston rod 53 projects, and the pin 56 causes the pawl 55 to rotate downward and open. In this state, the substrate attaching / detaching mechanism 60 is further raised, and the shaft 24 on the substrate holder 21 is attached to the boss 45 of the substrate holding mechanism 30.
And the positioning boss 23 on the substrate holder 21 is engaged with the shaft 44 of the substrate holding mechanism 30. In this way, the centering of the substrate holder 21 with respect to the substrate holding mechanism 30 and the setting of the rotation angle position are performed. At this time, the substrate holding mechanism 30 is set at a predetermined rotation angle position in advance.

この位置決めと同時に、基板保持機構30側の回転体39と
基板ホルダ21側の基板サブホルダ26との連結が行われ
る。すなわち、基板着脱機構60の上昇とともに、基板サ
ブホルダ26に固定されたピン28,29が、回転体39のピン4
1,42間に位置することとなる。このとき、回転体39と筒
体35との間には、ばね40が装着されているので、ピン2
8,29がピン41,42に衝突した場合でも、この衝撃を吸収
して各ピンを噛み合わせることができる。
Simultaneously with this positioning, the rotating body 39 on the substrate holding mechanism 30 side and the substrate sub-holder 26 on the substrate holder 21 side are connected. That is, as the board attachment / detachment mechanism 60 rises, the pins 28 and 29 fixed to the board sub-holder 26 become the pins 4 of the rotating body 39.
It will be located between 1,42. At this time, since the spring 40 is mounted between the rotating body 39 and the cylindrical body 35, the pin 2
Even when the pins 8 and 29 collide with the pins 41 and 42, the impact can be absorbed and the pins can be engaged with each other.

次に、ピストンロッド53を上方に作動させる。すると、
ピン57により爪55は上方に回動し、これにより爪55の先
端部が基板ホルダ21の外周下面を把持して、基板ホルダ
21の基板保持機構30への装着が行われる。
Next, the piston rod 53 is operated upward. Then,
The claw 55 is rotated upward by the pin 57, whereby the tip portion of the claw 55 grips the outer peripheral lower surface of the substrate holder 21 and
21 is attached to the substrate holding mechanism 30.

この後、基板着脱機構60を下降させるとともに、基板カ
ート22を成膜の妨げにならない位置に移動させる。
After that, the substrate attaching / detaching mechanism 60 is lowered, and the substrate cart 22 is moved to a position where it does not interfere with film formation.

次に、外部モータを駆動して、回転フランジ31を回転さ
せる。なお、このとき、成膜室1内は、真空排気系6に
より真空排気されるとともに、ガス導入系8よりアルゴ
ンガスが導入されて、所定のガス圧になっている。回転
フランジ31の回転につれて、その先端に固定された円形
プレート32が回転する。円形プレート32の回転により、
この円形プレート32に固定されたフランジ34及び基板把
持部50も回転する。また、基板保持機構30と基板ホルダ
21とは、軸44及びボス23により連結されているため、基
板保持機構30、すなわち円形プレート32が回転すること
により基板ホルダ21も回転する。これにより、各基板20
は、基板ホルダ21の中心軸回りに公転することとなる。
Next, the external motor is driven to rotate the rotary flange 31. At this time, the film forming chamber 1 is evacuated by the vacuum evacuation system 6 and the argon gas is introduced by the gas introduction system 8 to a predetermined gas pressure. As the rotary flange 31 rotates, the circular plate 32 fixed to the tip of the rotary flange 31 rotates. By rotating the circular plate 32,
The flange 34 fixed to the circular plate 32 and the substrate grip 50 also rotate. In addition, the substrate holding mechanism 30 and the substrate holder
Since 21 is connected to the shaft 44 and the boss 23, the substrate holder 21 is also rotated by rotating the substrate holding mechanism 30, that is, the circular plate 32. This allows each board 20
Will revolve around the central axis of the substrate holder 21.

一方、円形プレート32のフランジ34内には、筒体35,ギ
ヤ36,回転体39及び軸37が一体的に装着されているた
め、これらもフランジ34とともに回転する。このとき、
ギヤ36は、固定ギヤ71に噛み合っているので、ギヤ36が
固定ギヤ71の回りを回転すると、ギヤ36自体が回転す
る。ギヤ36の回転につれて、筒体35,軸37,及び回転体39
も回転する。回転体39のピン41,42は、基板ホルダ21の
ピン28,29に係合しているので、回転体39の回転力は、
ピン28,29が固定された基板サブホルダ26に伝達され、
基板サブホルダ26も回転する。これにより、各基板20
は、それぞれの中心軸回りに自転することとなる。この
状態で、基板20とターゲット10との間に高周波電圧を印
加して成膜処理を行う。
On the other hand, since the cylindrical body 35, the gear 36, the rotating body 39 and the shaft 37 are integrally mounted in the flange 34 of the circular plate 32, these also rotate together with the flange 34. At this time,
Since the gear 36 meshes with the fixed gear 71, when the gear 36 rotates around the fixed gear 71, the gear 36 itself rotates. As the gear 36 rotates, the cylindrical body 35, the shaft 37, and the rotating body 39.
Also rotates. Since the pins 41 and 42 of the rotating body 39 are engaged with the pins 28 and 29 of the substrate holder 21, the rotational force of the rotating body 39 is
Pins 28 and 29 are transmitted to the fixed board sub-holder 26,
The substrate sub-holder 26 also rotates. This allows each board 20
Will rotate about their respective central axes. In this state, a high frequency voltage is applied between the substrate 20 and the target 10 to perform the film forming process.

成膜終了後は、前記と全く逆の動作で基板ホルダ21を基
板保持機構30から取り外し、搬送機構により成膜室2内
に搬入する。この成膜室2内の動作は、前記成膜室1内
における動作と全く同様である。
After the film formation is completed, the substrate holder 21 is detached from the substrate holding mechanism 30 and carried into the film formation chamber 2 by the transfer mechanism in a completely reverse operation. The operation inside the film forming chamber 2 is exactly the same as the operation inside the film forming chamber 1.

このような本実施例では、基板20が基板ホルダ21の中心
軸回りに公転するとともに、基板20自身が自転するの
で、基板20に形成される膜圧の分布を均一にすることが
できる。
In this embodiment, since the substrate 20 revolves around the central axis of the substrate holder 21 and the substrate 20 itself rotates, the film pressure distribution formed on the substrate 20 can be made uniform.

また、基板20を自転するための構成は、基板保持機構30
側と基板サブホルダ26側とをピン41,42とピン28,29とよ
り構成されるいわゆるオルダム継手機構により連結して
いるため、両者に若干の(0.5〜1.0mm程度)位置ずれが
あっても、これを吸収してスムーズに回転を伝達するこ
とができる。
Further, the structure for rotating the substrate 20 is the substrate holding mechanism 30.
Since the side and the substrate sub-holder 26 side are connected by the so-called Oldham joint mechanism composed of the pins 41, 42 and the pins 28, 29, even if there is a slight (0.5 to 1.0 mm) misalignment between them. , It is possible to absorb this and transmit the rotation smoothly.

〔他の実施例〕[Other Examples]

(a)前記実施例では、本考案をスパッタリング装置に
適用した場合について説明したが、他の成膜装置にも適
用することができる。
(A) In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the sputtering apparatus has been described, but the present invention can also be applied to other film forming apparatuses.

(b)前記実施例では、基板自転機構が、基板公転機構
と連動しているものを示したが、これらはそれぞれ独立
した駆動系により駆動されるようにしてもよい。
(B) In the above embodiment, the substrate rotating mechanism is shown to be interlocked with the substrate revolving mechanism, but these may be driven by independent drive systems.

(c)前記実施例では、基板ホルダ21に複数の基板が装
着された場合を示したが、基板が1枚の場合でも、基板
が基板ホルダに偏芯して取り付けられている場合には、
本考案を同様に適用することができる。
(C) In the above embodiment, the case where a plurality of substrates are mounted on the substrate holder 21 is shown. However, even when there is only one substrate, when the substrates are eccentrically attached to the substrate holder,
The present invention can be similarly applied.

〔考案の効果〕[Effect of device]

本考案に係る成膜装置の基板回転機構では、基板自転機
構の回転軸と基板サブホルダの回転中心とを係脱自在に
連結するオルダム継手機構を設けているため、基板自転
機構の回転軸は、基板公転機構に同期して回転し、基板
サブホルダに保持されている基板は、基板ホルダの中心
軸の回りに公転するとともに、基板自転機構により自転
することとなる。このことから、成膜装置内において、
膜材料が基板上に均一に付着されることとなる。
The substrate rotating mechanism of the film forming apparatus according to the present invention is provided with the Oldham coupling mechanism that detachably connects the rotating shaft of the substrate rotating mechanism and the rotating center of the substrate sub-holder. The substrate held by the substrate sub-holder rotates in synchronization with the substrate revolution mechanism, revolves around the central axis of the substrate holder, and rotates by the substrate rotation mechanism. From this, in the film forming apparatus,
The film material will be evenly deposited on the substrate.

また、基板自転機構の回転軸と基板サブホルダの回転中
心との間に多少のずれがあっても、オルダム継手機構で
連結することによりこれを吸収して確実に係合し、回転
を確実に伝達することができる。また、このオルダム継
手機構により、基板サブホルダの回転中心と基板自転機
構の回転軸との係脱が円滑であるため、基板の搬送動作
への移行も円滑に行なうことが可能となる。
In addition, even if there is some deviation between the rotation axis of the substrate rotation mechanism and the rotation center of the substrate sub-holder, the Oldham joint mechanism can be used to absorb it and engage it securely to ensure rotation transmission. can do. In addition, the Oldham coupling mechanism facilitates smooth engagement and disengagement of the rotation center of the substrate sub-holder and the rotation axis of the substrate rotation mechanism, so that the transfer operation of the substrate can be smoothly performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1A図は本考案の一実施例によるスパッタリング装置の
概略構成図、第1B図はその一部平面図、第2A図は第1A図
の一部拡大断面図、第2B図はその一部底面図である。 1,2……成膜室、20……基板、21……基板ホルダ、23…
…位置決め用ボス、26……基板サブホルダ、27……ボー
ル、28,29,41,42……ピン、30……基板保持機構、36…
…ギヤ、37……軸、39……回転体、44……軸、71……ギ
ヤ。
FIG. 1A is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a partial plan view thereof, FIG. 2A is a partially enlarged sectional view of FIG. 1A, and FIG. It is a figure. 1,2 …… Deposition chamber, 20 …… Substrate, 21 …… Substrate holder, 23…
… Positioning boss, 26 …… Substrate sub-holder, 27 …… Ball, 28,29,41,42 …… Pin, 30 …… Substrate holding mechanism, 36…
… Gear, 37 …… axis, 39 …… rotating body, 44 …… axis, 71 …… gear.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】成膜装置内において、成膜すべき基板を回
転させつつ成膜を行なうための基板回転機構であって、 中心軸の回りに回転可能であるとともに、基板を保持
し、前記中心軸と偏心した位置で回転可能な複数の基板
サブホルダを有する基板ホルダと、 前記基板ホルダの中心軸に係合して前記基板ホルダを回
転駆動する基板公転機構と、 前記各基板サブホルダの回転中心に対応する位置で、前
記基板公転機構と同期して回転する回転軸を有する基板
自転機構と、 前記基板公転機構が前記基板ホルダの中心軸に係合する
時、前記基板自転機構の回転軸と前記基板サブホルダの
回転中心とを連結するオルダム継手機構と、 を備える成膜装置の基板回転機構。
1. A substrate rotating mechanism for performing film formation while rotating a substrate to be formed in a film forming apparatus, which is rotatable about a central axis and holds the substrate, A substrate holder having a plurality of substrate sub-holders that can rotate at positions eccentric to the central axis, a substrate revolving mechanism that engages with the central axis of the substrate holder and drives the substrate holder to rotate, and a rotation center of each substrate sub-holder A substrate rotation mechanism having a rotation shaft that rotates in synchronism with the substrate rotation mechanism at a position corresponding to, and a rotation shaft of the substrate rotation mechanism when the substrate rotation mechanism is engaged with the central axis of the substrate holder. An Oldham coupling mechanism that connects the rotation center of the substrate sub-holder to the substrate rotation mechanism of the film forming apparatus.
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