JPH0747891Y2 - Solid-state laser device - Google Patents

Solid-state laser device

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JPH0747891Y2
JPH0747891Y2 JP1987087040U JP8704087U JPH0747891Y2 JP H0747891 Y2 JPH0747891 Y2 JP H0747891Y2 JP 1987087040 U JP1987087040 U JP 1987087040U JP 8704087 U JP8704087 U JP 8704087U JP H0747891 Y2 JPH0747891 Y2 JP H0747891Y2
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JP
Japan
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light
beam splitter
solid
laser
state laser
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JPS63195764U (en
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鈴木  誠
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Brother Industries Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、計測等の光源に利用するための光励起固体レ
ーザであって、レーザ発振の励起光源に半導体レーザま
たは直線偏光を持つ平行光を用いる固体レーザ装置に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to an optically pumped solid-state laser for use as a light source for measurement, etc., in which a semiconductor laser or parallel light having linearly polarized light is used as an excitation light source for laser oscillation. The present invention relates to a solid-state laser device used.

[従来の技術] 従来、発振出力が容易に得られ、かつ、装置の構造が簡
単であり、あるいは、スペクトルの単色性に優れて温度
による波長シフトが少ないレーザ光源として固体レーザ
装置が知られている。かかる固体レーザ装置では、活性
イオンがドープされたYAG結晶またはガラスなどから成
るレーザロッド、キセノンランプなどの光源およびレー
ザロッドの外周を覆い、かつ、その光源から放射された
励起光を反射することによりレーザロッドに集中的に照
射するための精度の良い楕円筒状の集光器、過熱を防止
する冷却機構などが用いられている。
[Prior Art] Conventionally, a solid-state laser device has been known as a laser light source that can easily obtain an oscillation output, has a simple device structure, or has excellent spectrum monochromaticity and a small wavelength shift due to temperature. There is. In such a solid-state laser device, a laser rod made of YAG crystal or glass doped with active ions, a light source such as a xenon lamp, and the outer circumference of the laser rod are covered, and the excitation light emitted from the light source is reflected. A highly accurate elliptic cylindrical condenser for intensively irradiating the laser rod, a cooling mechanism for preventing overheating, and the like are used.

また、光共振器内において増幅されたレーザ光を、前記
レーザロッドの両端面から長手方向に入射させることに
よって、集光器や冷却機構を省略できる、いわゆる半導
体レーザ励起固体レーザも案出されている。
Further, a so-called semiconductor laser pumped solid-state laser in which a condenser and a cooling mechanism can be omitted by making laser light amplified in an optical resonator enter in the longitudinal direction from both end faces of the laser rod has been devised. There is.

[考案が解決しようとする問題点] しかしながら、キセノンランプ等により励起する固体レ
ーザでは、集光器、過熱を防止する冷却機構が必要とな
るため、装置が大型になる。また、レーザロッドの長手
方向に励起光を入射する半導体レーザ励起固体レーザで
は、レーザロッドに励起光を効率良く導くことのできる
配置に制限があるため、励起光量を増すことができず、
出射するレーザ光が弱かった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in a solid-state laser excited by a xenon lamp or the like, a condenser and a cooling mechanism for preventing overheating are required, so that the device becomes large. Further, in a semiconductor laser pumped solid-state laser in which pumping light is incident in the longitudinal direction of the laser rod, there is a limit to the arrangement that can efficiently guide the pumping light to the laser rod, so the pumping light amount cannot be increased,
The emitted laser light was weak.

[考案の目的] 本考案は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、レーザロッドの双方向から励起光を入射する
固体レーザ装置に偏光ビームスピリッタを組み合わせる
ことにより、比較的簡単な構成で、かつ、小型で出力の
大きい固体レーザを提供することを目的としている。
[Object of the Invention] The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and is achieved by combining a polarization beam splitter with a solid-state laser device that emits excitation light from both directions of a laser rod. It is an object of the present invention to provide a solid-state laser having a simple structure, a small size, and a large output.

[問題点を解決するための手段] この目的を達成するために本考案の固体レーザ装置は、
レーザロッドと、このレーザロッドを長手方向に双方向
から励起する光共振器と、それぞれ偏光面が直角に交差
した1組のレーザ光を1つのビームに合成する偏光ビー
ムスプリッタとを備えている。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve this object, the solid-state laser device of the present invention is
It includes a laser rod, an optical resonator that bidirectionally excites the laser rod in the longitudinal direction, and a polarization beam splitter that synthesizes a set of laser beams whose polarization planes intersect at right angles into a single beam.

[作用] 上記の構成を有する本考案において、レーザロッドは特
定の波長の励起光が入射すると、レーザロッドに含まれ
る元素特有の蛍光を発する。半導体レーザまたは直線偏
光の平行光はレーザロッドの励起光として利用するが、
偏光ビームスプリッタによって1組のお互いに偏光方向
が直交した光を1本に合成する。光共振器はこの蛍光を
増幅し、位相のそろったレーザ光として出射する。
[Operation] In the present invention having the above configuration, the laser rod emits fluorescence peculiar to the element contained in the laser rod when the excitation light of a specific wavelength enters. A semiconductor laser or linearly polarized parallel light is used as excitation light for the laser rod,
A pair of lights whose polarization directions are orthogonal to each other are combined into one by a polarization beam splitter. The optical resonator amplifies this fluorescence and emits it as laser light having a uniform phase.

[実施例] 以下、本考案を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は偏光ビームスプリッタ(以下PBSと称す)20の
説明図である。PBS20は周知のように2個の直角プリズ
ムを光学的にはりあわせた形状で、例えば、紙面に垂直
方向に偏光した光10aがPBS20に入射すると、はりあわせ
面で反射し、紙面に平行な光10が入射すると透過する。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a polarization beam splitter (hereinafter referred to as PBS) 20. As is well known, PBS20 has a shape in which two right-angle prisms are optically laminated. For example, when light 10a polarized in the direction perpendicular to the paper surface is incident on PBS20, it is reflected by the bonding surface and is parallel to the paper surface. Transmits when 10 is incident.

第2図は固体レーザ装置の一例を示している。FIG. 2 shows an example of a solid-state laser device.

図に示された実施例おいては、ファイバ形状のレーザロ
ッドを使用する。このファイバ100には、例えば、通常
のガラスファイバにネオジウムをドープしたものか、あ
るいは、ネオジウムをドープしたYAG結晶をコア径が4
〜6μm程度のファイバ状に加工したものが好適に利用
できる。フアイバ100の一端には、波長810nmの光を透過
し、波長1064nmの光を100%反射する共振ミラー130が密
着して取付けられている。もう一方の共振ミラー330
は、ファイバ100の他端との間に凸レンズ320とハーフミ
ラー310とを介して配置され、この共振ミラー330は、81
0nmの光を100%反射し、1064nmの光を90%反射する。ハ
ーフミラー310は、810nmの光を透過し、1064nmの光を10
0%反射する。4個の半導体レーザ200a、200b、200c、2
00dの発振波長は、810nmであり、また、うち2個の半導
体レーザ200b、200cの偏光方向がPBS230、300のはりあ
わせ面と平行であり、他の2個の半導体レーザ200a、20
0dの偏光方向がこれと直交するように配置されている。
この半導体レーザ200a、200b、200c、200dとPBS230、30
0の間には、レーザ光を平行光に整形する4個のコリメ
ータレンズ210a、210b、210c、210dがそれぞれ配置さ
れ、さらに、PBS230と共振ミラー130の間には凸レンズ2
20が配置されている。
In the illustrated embodiment, a fiber shaped laser rod is used. This fiber 100 is, for example, a normal glass fiber doped with neodymium or a YAG crystal doped with neodymium with a core diameter of 4
Those processed into a fiber shape of about 6 μm can be suitably used. A resonant mirror 130 that transmits light having a wavelength of 810 nm and reflects 100% of light having a wavelength of 1064 nm is closely attached to one end of the fiber 100. The other resonant mirror 330
Is arranged between the other end of the fiber 100 and a convex lens 320 and a half mirror 310.
It reflects 100% of 0 nm light and 90% of 1064 nm light. The half mirror 310 transmits 810 nm light and transmits 1064 nm light to 10
0% reflection. 4 semiconductor lasers 200a, 200b, 200c, 2
The oscillation wavelength of 00d is 810 nm, and the polarization directions of the two semiconductor lasers 200b and 200c are parallel to the bonding planes of the PBS 230 and 300, and the other two semiconductor lasers 200a and 200c.
It is arranged so that the polarization direction of 0d is orthogonal to this.
This semiconductor laser 200a, 200b, 200c, 200d and PBS 230, 30
Between 0, four collimator lenses 210a, 210b, 210c and 210d for shaping the laser light into parallel light are respectively arranged, and between the PBS 230 and the resonance mirror 130, a convex lens 2 is provided.
20 are arranged.

以上のように構成されたものにおいて、半導体レーザ20
0a、200b、200c、200dより発光された光は、コリメータ
レンズ210a、210b、210c、210dで平行化された後、PBS2
30、300にそれぞれ入射する。偏光方向がPBS230、300の
はりあわせ面と平行な半導体レーザ200b、200cからの光
はPBS230、300それぞれで反射され、偏光方向がこれと
垂直な半導体レーザ200a、200dからの光はPBS230、300
を透過する。従って、2個の半導体レーザ200a、200bか
らの光は、PBS230で合成され、また、2個の半導体レー
ザ200c、200dからの光は、PBS300で合成される。このよ
うにして合成された光は、一方のPBS230からの光は凸レ
ンズ220で収束された後、共振ミラー130を透過してファ
イバ100に入射する。他方のPBS300からの光は、ハーフ
ミラー310を透過した後、凸レンズ320でファイバ100に
入射する。この半導体レーザ光によってファイバ100中
のネオジウムが光励起され、約1064nmの蛍光を発する。
この蛍光は二枚の共振ミラー130、330で増幅されて、そ
の一部が一方の共振ミラー330から出射される。この
時、レーザ出力は、励起光量がレーザ発振のしきい値を
越えると、励起光量の増加と出力の増加は比例するた
め、以上の構成により励起光量を増すことによってレー
ザ出力増すことができる。
In the configuration as described above, the semiconductor laser 20
The light emitted from 0a, 200b, 200c, and 200d is collimated by collimator lenses 210a, 210b, 210c, and 210d, and then PBS2.
It is incident on 30 and 300 respectively. Light from the semiconductor lasers 200b and 200c whose polarization directions are parallel to the bonding planes of the PBS230 and 300 is reflected by the PBS230 and 300, respectively, and light from the semiconductor lasers 200a and 200d whose polarization direction is perpendicular to this is PBS230 and 300.
Through. Therefore, the lights from the two semiconductor lasers 200a and 200b are combined by the PBS 230, and the lights from the two semiconductor lasers 200c and 200d are combined by the PBS 300. The light combined in this way is that the light from one PBS 230 is converged by the convex lens 220, then passes through the resonance mirror 130 and enters the fiber 100. The light from the other PBS 300 passes through the half mirror 310 and then enters the fiber 100 by the convex lens 320. Neodymium in the fiber 100 is photoexcited by this semiconductor laser light, and fluorescence of about 1064 nm is emitted.
This fluorescence is amplified by the two resonance mirrors 130 and 330, and a part thereof is emitted from one resonance mirror 330. At this time, the laser output can be increased by increasing the amount of pumping light by the above configuration, because when the amount of pumping light exceeds the threshold value of laser oscillation, the increase in amount of pumping light is proportional to the increase in output.

[考案の効果] 以上詳述したことから明らかなように、本考案によれ
ば、偏光ビームスプリッタを用いることにより、1組の
励起光源からの偏光方向が互いに直交する光を一本の光
に合成することができるため、入射される光の全てを損
失なく用いることが可能となり、簡易な構成にて励起光
量を増加させることができる。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the present invention, by using the polarization beam splitter, the light beams whose polarization directions are orthogonal to each other from one set of excitation light sources are converted into one light beam. Since they can be combined, all of the incident light can be used without loss, and the amount of excitation light can be increased with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図から第2図までは本考案を具体化した実施例を示
すもので、第1図は偏光ビームスプリッタの説明図であ
り、第2図は、本考案の固体レーザ装置を示す斜視図で
ある。 20(230、300)は偏光ビームスプリッタ、100はファイ
バ、130、330は共振ミラー、200a、200b、200c、200dは
半導体レーザである。
1 to 2 show an embodiment embodying the present invention, FIG. 1 is an explanatory view of a polarization beam splitter, and FIG. 2 is a perspective view showing a solid-state laser device of the present invention. Is. 20 (230, 300) is a polarization beam splitter, 100 is a fiber, 130 and 330 are resonant mirrors, and 200a, 200b, 200c and 200d are semiconductor lasers.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】レーザ発振の励起光源として、複数の半導
体レーザ、または直線偏光を持つ平行光を用いる固体レ
ーザ装置において、 2個の直角プリズムをはりあわせてなる偏光ビームスプ
リッタを有し、その偏光ビームスプリッタに対して、互
いの光の偏光方向が直交する1組の励起光源を、その一
方から出された光が前記偏光ビームスプリッタを透過
し、他方から出された光が前記偏光ビームスプリッタで
反射するように配置して、各励起光源から出された偏光
方向が互いに直交する光を前記偏光ビームスプリッタで
一本の光に合成し得るよう構成したことを特徴とする固
体レーザ装置。
1. A solid-state laser device using a plurality of semiconductor lasers or parallel light having linearly polarized light as an excitation light source for laser oscillation, comprising a polarizing beam splitter formed by laminating two right-angled prisms, and With respect to the beam splitter, a pair of excitation light sources in which the polarization directions of the lights are orthogonal to each other, the light emitted from one of the excitation light sources passes through the polarization beam splitter, and the light emitted from the other is transmitted by the polarization beam splitter. A solid-state laser device, which is arranged so as to be reflected so that lights emitted from respective pumping light sources and having polarization directions orthogonal to each other can be combined into one light by the polarization beam splitter.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180191A (en) * 1981-04-28 1982-11-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Laser for wide range of wavelength
JPS5918878A (en) * 1982-07-22 1984-01-31 神鋼アルフレツシユ株式会社 Method and apparatus for removing existing window frame
JPS6153709A (en) * 1984-08-24 1986-03-17 Hitachi Ltd Transformer core

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