JPH0746096A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH0746096A
JPH0746096A JP19106093A JP19106093A JPH0746096A JP H0746096 A JPH0746096 A JP H0746096A JP 19106093 A JP19106093 A JP 19106093A JP 19106093 A JP19106093 A JP 19106093A JP H0746096 A JPH0746096 A JP H0746096A
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JP
Japan
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clock
signal
circuit
inverter
potential
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Application number
JP19106093A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Furuki
勉 古木
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce higher harmonic components included in a line and further to miniaturize the current drive capacity of an inverter in a clock generation circuit by suppressing clock signals outputted to a clock line with a large load capacity by receiving oscillation output at a low amplitude level. CONSTITUTION:The oscillation output signals 101 of an oscillator 4 are outputted as sine wave signals and are inputted to the clock generation circuit 1 provided with the inverter 11 and resistors 12 and 13. The signals 101 are inverted and outputted by the inverter 11. At the time, the inverter 11 is biased to Vcc/2 by the resistors 12 and 13 and the current driving power of the inverter 11 is set so as to let an output level be at a low level lower than amplitude between a power supply voltage Vcc and a ground potential. In the meantime, since an internal circuit 3 which is the supply object of the clock signal is formed by a CMOS logic circuit, the potential of the low level is supplied to the internal circuit 3. In such a manner, a reference potential 103 from a reference potential generation circuit 5 is made identical to Vcc/2 imparted to the inverter 11 and is supplied to the circuit 3 as the clock signal 104.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特にクロック信号供給回路として用いられる半導体集積
回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
In particular, it relates to a semiconductor integrated circuit used as a clock signal supply circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の、この種の半導体集積回路におい
ては、水晶発振器等を含む発振器より出力される信号よ
り、クロック信号生成回路を介して所定のクロック信号
を生成し、他の諸回路に供給しているのが一般である。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor integrated circuit of this type, a predetermined clock signal is generated from a signal output from an oscillator including a crystal oscillator or the like via a clock signal generation circuit, and is supplied to other circuits. It is generally supplied.

【0003】図5は、従来のクロック信号を生成して出
力する半導体集積回路を示す回路図であり、図5に示さ
れるように、当該クロック信号の供給対象である内部回
路3に対応して、発振器4と、インバータ71、72お
よひ73を含むクロックドライバ回路7とを備えて構成
される。また、図6は、上記発振器4の発振出力信号1
01およびクロック信号106の信号波形を示すタイミ
ング図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit for generating and outputting a clock signal. As shown in FIG. 5, it corresponds to the internal circuit 3 to which the clock signal is supplied. The oscillator 4 and the clock driver circuit 7 including the inverters 71, 72 and 73 are configured. Further, FIG. 6 shows the oscillation output signal 1 of the oscillator 4.
10 is a timing chart showing signal waveforms of 01 and clock signal 106. FIG.

【0004】図5において、発振器4の発振出力信号1
01は、図6に示されるように正弦波信号として出力さ
れ、インバータ72、72および73を含むクロックド
ライバ回路7に入力される。クロックドライバ回路7に
おいては、発振出力信号101は、インバータ71およ
び72により方形波に波形整形された後、電流駆動能力
の大きいインバータ73により負荷容量の大きいクロッ
クラインに対し、図6に示されるようにクロック信号1
06として出力される。従って、クロック信号106
は、当該クロックラインを介して、常に振幅、周波数お
よびデューティ比が一定のパルス波として複数の内部回
路3に供給されている。
In FIG. 5, the oscillation output signal 1 of the oscillator 4 is shown.
01 is output as a sine wave signal as shown in FIG. 6, and is input to the clock driver circuit 7 including inverters 72, 72 and 73. In the clock driver circuit 7, the oscillating output signal 101 is shaped into a square wave by the inverters 71 and 72, and then the inverter 73 having a large current drive capability is used to generate a large load capacitance as shown in FIG. Clock signal 1
It is output as 06. Therefore, the clock signal 106
Is always supplied to the plurality of internal circuits 3 as a pulse wave having a constant amplitude, frequency and duty ratio via the clock line.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路においては、当該半導体集積回路より出力され
るクロック信号を、フーリェ解析により、時間領域にお
ける波形を周波数領域のスペクトラムにより表現する
と、図7に示されるように、クロック信号の周波数fの
正弦波と、その周波数fの奇数倍の周波数3f、5f、
7f、9f、……という高調波成分の和として表現され
る。なお、図7のスペクトラムにおいては、周波数が1
1f以上の高調波成分は省略されている。
In the above-described conventional semiconductor integrated circuit, when the clock signal output from the semiconductor integrated circuit is expressed by the Fourier analysis as the waveform in the time domain by the spectrum in the frequency domain, FIG. As shown in, the sine wave of the frequency f of the clock signal and the frequencies 3f, 5f that are odd multiples of the frequency f,
It is expressed as the sum of the harmonic components 7f, 9f, .... In the spectrum of FIG. 7, the frequency is 1
The harmonic components of 1f and above are omitted.

【0006】このように、振幅、周波数およびデューテ
ィ比が常に一定であるクロック信号の場合には、非常に
狭い帯域内にエネルギーが集中しており、また、負荷容
量の大きいクロックラインを電流駆動能力の大きいイン
バータを用いて駆動しているために、電磁輻射を含む雑
音が発生し易くなり、特に、近年クロック信号の動作周
波数が16MHz、32MHzと次第に高い周波数に移
行しており、その奇数倍の周波数は、在来のFM放送の
周波数帯およびテレビ放送の周波数帯等に重畳する状態
となり、これらの放送の音声または画像等に対して雑音
障害を生じるとともに、VTRおよびステレオ等に対し
誤動作を引起す要因になるという欠点がある。
As described above, in the case of a clock signal whose amplitude, frequency, and duty ratio are always constant, energy is concentrated in a very narrow band, and a clock line having a large load capacity is used for current driving capability. Since it is driven by using a large inverter, noise including electromagnetic radiation is likely to occur, and in particular, in recent years, the operating frequency of the clock signal has been gradually increasing to 16 MHz and 32 MHz, which is an odd multiple of that. The frequency is in a state of being superimposed on the frequency band of conventional FM broadcasting and the frequency band of television broadcasting, which causes noise interference to the audio or image of these broadcasts and causes malfunctions on VTRs and stereos. There is a drawback that it becomes a factor.

【0007】また、電流駆動能力と負荷容量が大きいイ
ンバータ73のスイッチング時においては、電源接地電
位に大きな過渡電流が流れ、電源接地電線に存在する寄
生抵抗により電圧降下が発生し、これにより他の諸回路
に対して悪影響を与えるという欠点がある。
When the inverter 73 having a large current drive capacity and a large load capacity is switching, a large transient current flows in the power supply ground potential, causing a voltage drop due to the parasitic resistance existing in the power supply ground wire, which causes other voltage drop. There is a drawback that it adversely affects various circuits.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体集積
回路は、所定の周波数の原信号を入力し、特定のバイア
ス電圧を付加され、且つ電源電圧レベルよりも低振幅レ
ベルの前記原信号の周波数に等しい周波数のクロック原
信号を出力するクロック生成回路と、前記バイアス電圧
と等電位の基準電位を出力する基準電位発生回路と、前
記クロック生成回路より出力されるクロック原信号と前
記基準電位とを入力して両電位レベルを比較し、これら
の電位差を増幅してクロック信号として出力するクロッ
ク整形回路と、を備えることを特徴としている。
A semiconductor integrated circuit according to a first aspect of the present invention inputs an original signal having a predetermined frequency, is applied with a specific bias voltage, and has an amplitude level lower than a power supply voltage level. , A clock generation circuit that outputs a clock original signal having a frequency equal to the frequency of the above, a reference potential generation circuit that outputs a reference potential equal to the bias voltage, a clock original signal output from the clock generation circuit, and the reference potential. And a voltage shaping circuit for inputting and comparing both potential levels and amplifying the potential difference between them to output as a clock signal.

【0009】また第2の発明の半導体集積回路は、所定
の周波数の原信号を入力し、特定のバイアス電圧を付加
され、且つ電源電圧レベルよりも低振幅レベルの前記原
信号の周波数に等しい周波数の第1のクロック原信号を
出力するクロック生成回路と、前記原信号を入力し、前
記特定のバイアス電圧と等しいバイアス電圧を付加さ
れ、且つ電源電圧レベルよりも低振幅レベルの前記原信
号の周波数に等しい周波数の第2のクロック原信号を出
力する第2クロック生成回路と、前記第1のクロック原
信号および前記第2のクロック原信号を入力して、両信
号の電位レベルを比較し、これらの電位差を増幅してク
ロック信号として出力するクロック整形回路と、を備え
ることを特徴としている。
In the semiconductor integrated circuit of the second invention, an original signal of a predetermined frequency is input, a specific bias voltage is added, and a frequency equal to the frequency of the original signal having an amplitude level lower than the power supply voltage level. A clock generating circuit for outputting the first clock original signal, and a frequency of the original signal which is inputted with the original signal, is applied with a bias voltage equal to the specific bias voltage, and has an amplitude level lower than a power supply voltage level. A second clock generating circuit that outputs a second clock original signal having a frequency equal to the input signal, and the first clock original signal and the second clock original signal are input to compare the potential levels of the two signals. And a clock shaping circuit that amplifies the potential difference of 1 and outputs as a clock signal.

【0010】[0010]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0011】図1は本発明の第1の実施例を示す回路図
である。図1に示されるように、本実施例は、クロック
信号の供給対象である複数の内部回路3に対応して、発
振器4と、インバータ11、抵抗12および13を含む
クロック生成回路1と、基準電位発生回路5と、それぞ
れ比較器21を1む含むクロック整形回路2とを備えて
構成される。また、図2は、上記発振器4の発振出力信
号101、クロック生成回路1の出力信号102、基準
電位発生回路5より出力される基準電位出力103およ
びクロック整形回路2より出力されるクロック信号10
4の信号波形を示すタイミング図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, an oscillator 4, a clock generation circuit 1 including an inverter 11 and resistors 12 and 13, and a reference corresponding to a plurality of internal circuits 3 to which a clock signal is supplied. The potential generating circuit 5 and the clock shaping circuit 2 including one comparator 21 are provided. 2 shows the oscillation output signal 101 of the oscillator 4, the output signal 102 of the clock generation circuit 1, the reference potential output 103 output from the reference potential generation circuit 5, and the clock signal 10 output from the clock shaping circuit 2.
4 is a timing chart showing a signal waveform of No. 4 of FIG.

【0012】図1において、発振器4の発振出力信号1
01は、図2に示されるように正弦波信号として出力さ
れ、インバータ11、抵抗12および13を含むクロッ
ク生成回路1に入力される。クロック生成回路1におい
ては、発振出力信号101は、インバータ11により反
転されて出力される。この場合、インバータ11は抵抗
12および13によりVCC/2にバイアスされており、
またインバータ11の電流駆動能力は、予め設計によ
り、出力レベルが電源電圧VCCと接地電位間の振幅以下
の低レベルとなるように設定される。これにより、クロ
ック生成回路1の出力信号102は、図2に示されるよ
うに、VCC/2の電位を中心とする低電位レベルの信号
であり、且つ高調波成分の少ない信号としてクロックラ
インに出力され、当該クロックラインを経由して、それ
ぞれ複数のクロック整形回路2を形成する比較器21の
正相側に入力される。
In FIG. 1, the oscillation output signal 1 of the oscillator 4
01 is output as a sine wave signal as shown in FIG. 2, and is input to the clock generation circuit 1 including the inverter 11 and the resistors 12 and 13. In the clock generation circuit 1, the oscillation output signal 101 is inverted and output by the inverter 11. In this case, inverter 11 is biased to V CC / 2 by resistors 12 and 13,
The current drive capability of the inverter 11 is set in advance by design so that the output level becomes a low level equal to or lower than the amplitude between the power supply voltage V CC and the ground potential. As a result, the output signal 102 of the clock generation circuit 1 is, as shown in FIG. 2, a signal at a low potential level centered on the potential of V CC / 2, and is output to the clock line as a signal with less harmonic components. It is output and input to the positive phase side of the comparators 21 forming the plurality of clock shaping circuits 2 via the clock line.

【0013】一方、クロック信号の供給対象である内部
回路3はCMOS論理回路により形成されており、従っ
て供給されるクロック信号の振幅としては、電源電圧V
CCと接地電位間の振幅と等しい電位レベルとして供給す
ることが必要となる。このために、基準電位発生回路5
より出力される基準電位103は、クロック生成回路1
において、抵抗12および13によりインバータ11に
付与されたバイアス電位と同一電位のVCC/2の電位に
て出力され、それぞれ複数のクロック整形回路2に含ま
れる比較器21の逆相側に入力される。それぞれのクロ
ック整形回路2の比較器21においては、クロック生成
回路1の出力信号102と基準電位103の両電位レベ
ルが比較されて、両信号の電位レベル差は電源電圧VCC
と接地電位間の振幅と等しい電位レベルまで増幅され、
図2に示されるように、クロック信号104として出力
されて内部回路3に供給される。図2を参照して明らか
なように、当該クロック信号104は、クロック生成回
路1の出力信号102の電位レベルが基準電位発生回路
5の基準電位103よりも高電位の時には、クロック整
形回路2より出力されるクロック信号104のレベルは
CCとなり、クロック生成回路1の出力信号102の電
位レベルが基準電位発生回路5の基準電位103よりも
低電位の時には、クロック整形回路2より出力されるク
ロック信号104のレベルは接地電位となるパルス信号
として形成されている。
On the other hand, the internal circuit 3 to which the clock signal is supplied is formed of a CMOS logic circuit. Therefore, the amplitude of the supplied clock signal is the power supply voltage V.
It must be supplied as a potential level equal to the amplitude between CC and ground potential. Therefore, the reference potential generating circuit 5
The reference potential 103 output from the clock generation circuit 1 is
At a potential of V CC / 2 that is the same as the bias potential applied to the inverter 11 by the resistors 12 and 13, and is input to the opposite phase side of the comparators 21 included in the plurality of clock shaping circuits 2. It In the comparator 21 of each clock shaping circuit 2, the output signal 102 of the clock generation circuit 1 and the reference potential 103 are compared in potential level, and the potential level difference between these signals is the power supply voltage V CC.
Is amplified to a potential level equal to the amplitude between the
As shown in FIG. 2, the clock signal 104 is output and supplied to the internal circuit 3. As is apparent from FIG. 2, when the potential level of the output signal 102 of the clock generation circuit 1 is higher than the reference potential 103 of the reference potential generation circuit 5, the clock signal 104 is output from the clock shaping circuit 2. The level of the output clock signal 104 becomes V CC , and when the potential level of the output signal 102 of the clock generation circuit 1 is lower than the reference potential 103 of the reference potential generation circuit 5, the clock output from the clock shaping circuit 2 The level of the signal 104 is formed as a pulse signal having a ground potential.

【0014】なお、本実施例においては、クロック生成
回路1の出力信号101の出力されるクロックライン
は、低レベルに設定されて雑音レベルの抑制が図られて
いるので、電源電圧・接地間に対応する信号配線の長さ
を極力短縮化するために、クロック生成回路1は発振器
4の近傍に配置し、クロック整形回路2は内部回路3の
近傍に配置することが望ましい。
In the present embodiment, the clock line from which the output signal 101 of the clock generation circuit 1 is output is set at a low level to suppress the noise level. In order to reduce the length of the corresponding signal wiring as much as possible, it is desirable that the clock generation circuit 1 be arranged near the oscillator 4 and the clock shaping circuit 2 be arranged near the internal circuit 3.

【0015】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図3は本発明の第2の実施例を示す回路図であ
る。図3に示されるように、本実施例は、クロック信号
の供給対象である複数の内部回路3に対応して、発振器
4と、インバータ11、抵抗12および13を含むクロ
ック生成回路1と、インバータ61および62、抵抗6
3および64を含む第2クロック生成回路6と、それぞ
れ比較器21を含む複数のクロック整形回路2とを備え
て構成される。本実施例は、前述の第1の実施例におけ
る基準電位発生回路5の代わりに、第2クロック生成回
路6が設けられている。また、図4は、上記発振器4の
発振出力信号101、クロック生成回路1の出力信号1
02、第2クロック生成回路6の出力信号105および
クロック整形回路2より出力されるクロック信号104
の信号波形を示すタイミング図である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in the present embodiment, an oscillator 4, an inverter 11, a clock generation circuit 1 including resistors 12 and 13, and an inverter are provided corresponding to a plurality of internal circuits 3 to which clock signals are supplied. 61 and 62, resistor 6
A second clock generation circuit 6 including 3 and 64, and a plurality of clock shaping circuits 2 each including a comparator 21 are provided. In this embodiment, a second clock generation circuit 6 is provided instead of the reference potential generation circuit 5 in the first embodiment described above. Further, FIG. 4 shows an oscillation output signal 101 of the oscillator 4 and an output signal 1 of the clock generation circuit 1.
02, the output signal 105 of the second clock generation circuit 6 and the clock signal 104 output from the clock shaping circuit 2.
3 is a timing diagram showing the signal waveform of FIG.

【0016】図3において、発振器4の発振出力信号1
01は、図4に示されるように正弦波信号として出力さ
れ、インバータ11、抵抗12および13を含むクロッ
ク生成回路1に入力される。クロック生成回路1におい
ては、第1の実施例の場合と同様に、発振出力信号10
1は、インバータ11により反転されて出力される。こ
の場合、インバータ11は抵抗12および13によりV
CC/2にバイアスされており、またインバータ11の電
流駆動能力は、予め設計により、出力レベルが電源電圧
CCと接地電位間の振幅以下の低レベルとなるように設
定される。これにより、クロック生成回路1の出力信号
102は、図4に示されるように、VCC/2の電位を中
心とする低電位レベルの信号であり、且つ高調波成分の
少ない信号としてクロックラインに出力され、当該クロ
ックラインを経由して、それぞれ複数のクロック整形回
路2を形成する比較器21の正相側に入力される。
In FIG. 3, the oscillation output signal 1 of the oscillator 4
01 is output as a sine wave signal as shown in FIG. 4, and is input to the clock generation circuit 1 including the inverter 11 and the resistors 12 and 13. In the clock generation circuit 1, as in the case of the first embodiment, the oscillation output signal 10
1 is inverted and output by the inverter 11. In this case, the inverter 11 is V
It is biased to CC / 2, and the current drivability of the inverter 11 is set in advance by design so that the output level becomes a low level equal to or lower than the amplitude between the power supply voltage V CC and the ground potential. As a result, the output signal 102 of the clock generation circuit 1 is, as shown in FIG. 4, a signal at a low potential level centered on the potential of V CC / 2, and is output to the clock line as a signal with less harmonic components. It is output and input to the positive phase side of the comparators 21 forming the plurality of clock shaping circuits 2 via the clock line.

【0017】他方において、第2クロック生成回路6に
おいては、発振出力信号101は、インバータ61およ
び62により正転されて出力される。この場合、インバ
ータ62は抵抗63および64によりVCC/2にバイア
スされており、またインバータ62の電流駆動能力は、
クロック生成回路1の場合と同様に、予め設計により、
出力レべルが電源電圧VCCと接地電位間の振幅以下の低
レベルとなるように設定される。これにより、第2クロ
ック生成回路6の出力信号105は、図4に示されるよ
うに、出力信号102とは逆位相のVCC/2の電位を中
心とする低電位レベルであり、且つ高調波成分の少ない
信号として出力され、クロックラインを経由して、それ
ぞれ複数のクロック整形回路2を形成する比較器21の
逆相側に入力される。
On the other hand, in the second clock generation circuit 6, the oscillation output signal 101 is output by being normally rotated by the inverters 61 and 62. In this case, inverter 62 is biased to V CC / 2 by resistors 63 and 64, and the current drive capability of inverter 62 is
As in the case of the clock generation circuit 1, by designing beforehand,
The output level is set to a low level equal to or lower than the amplitude between the power supply voltage V CC and the ground potential. As a result, the output signal 105 of the second clock generation circuit 6 is at a low potential level centered on the potential of V CC / 2 having a phase opposite to that of the output signal 102, as shown in FIG. The signal is output as a signal with few components, and is input to the opposite phase side of the comparators 21 forming the plurality of clock shaping circuits 2 via the clock lines.

【0018】一方、第1の実施例の場合と同様に、クロ
ック信号の供給対象である内部回路3はCMOS論理回
路により形成されており、従って供給されるクロック信
号の振幅としては、電源電圧VCCと接地電位間の振幅と
等しい電位レベルとして供給することが必要となる。こ
のために、クロック生成回路1の出力信号102および
第2クロック生成回路6の出力信号105は、それぞれ
クロック整形回路2を形成する比較器21においてレベ
ル比較され、出力信号102の電位が出力信号105の
電位よりも高電位である場合には、増幅されて電源電圧
CCとして出力され、また出力信号102の電位が出力
信号105の電位よりも低電位である場合には、増幅さ
れて接地電位として出力される。即ち、電源電圧VCC
接地電位間の振幅と等しい電位レベルまで増幅され、図
4に示されるように、クロック信号104として出力さ
れて内部回路3に供給される。
On the other hand, as in the case of the first embodiment, the internal circuit 3 to which the clock signal is supplied is formed of a CMOS logic circuit, and therefore the amplitude of the clock signal supplied is the power supply voltage V. It must be supplied as a potential level equal to the amplitude between CC and ground potential. Therefore, the output signal 102 of the clock generation circuit 1 and the output signal 105 of the second clock generation circuit 6 are level-compared by the comparator 21 forming the clock shaping circuit 2, and the potential of the output signal 102 is output. If the potential of the output signal 102 is higher than that of the output signal 105, the amplified signal is amplified and output as the power supply voltage V CC. If the potential of the output signal 102 is lower than the potential of the output signal 105, the amplified potential is amplified to the ground potential. Is output as. That is, it is amplified to a potential level equal to the amplitude between the power supply voltage V CC and the ground potential, and is output as the clock signal 104 and supplied to the internal circuit 3 as shown in FIG.

【0019】なお、前述の第1の実施例の場合には、基
準電圧発生回路5は、製造上の「ばらつき」およびノイ
ズ等の影響により基準電圧が変動すると、クロック整形
回路2より出力されるクロック信号104のデューティ
比が一定のパレス波にならない可能性があるが、本実施
例においては、クロック生成回路1の出力信号102
と、第2クロック生成回路6の出力信号105との位相
差は、源入力信号が共に発振器4の発振出力信号101
であるため、180度より変移することはなく、これに
より、クロック信号104が、クロック整形回路2よ
り、デューティ比が一定のパルス信号として出力される
という利点がある。
In the case of the above-described first embodiment, the reference voltage generating circuit 5 outputs from the clock shaping circuit 2 when the reference voltage fluctuates due to the influence of "variation" in manufacturing and noise. There is a possibility that the duty ratio of the clock signal 104 does not become a constant pallet wave, but in the present embodiment, the output signal 102 of the clock generation circuit 1 is generated.
And the phase difference between the output signal 105 of the second clock generation circuit 6 and the source input signal are both the oscillation output signal 101 of the oscillator 4.
Therefore, there is an advantage that the clock signal 104 is not changed from 180 degrees, and the clock signal 104 is output from the clock shaping circuit 2 as a pulse signal having a constant duty ratio.

【0020】なお、本発明において、負荷容量の大きい
クロックラインにおける電位レベルを低振幅に抑制する
ことにより、当該クロックラインに含まれる高調波成分
のレベルは、シミュレーションによると、90%以上削
減可能である。
According to the present invention, by suppressing the potential level of the clock line having a large load capacitance to a low amplitude, the level of the harmonic component contained in the clock line can be reduced by 90% or more according to the simulation. is there.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、発振出
力を受けて負荷容量の大きいクロックラインに出力され
るクロック信号を低振幅レベルに抑制することにより、
当該クロックラインに包含される高調波成分を著しく低
減させることができるとともに、当該クロックラインを
駆動するクロック生成回路に含まれるインバータの電流
駆動能力を小さく抑制することが可能となり、従来のよ
うに過渡電流のレベルも大幅に低減され、他の回路に対
する悪影響を排除することができるという効果がある。
As described above, the present invention suppresses the clock signal output to the clock line having a large load capacitance to a low amplitude level by receiving the oscillation output,
It is possible to significantly reduce the harmonic components included in the clock line, and to suppress the current driving capability of the inverter included in the clock generation circuit that drives the clock line to a small level, which is a conventional transient. The current level is also greatly reduced, and the adverse effect on other circuits can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施例における動作波形を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing operation waveforms in the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施例における動作波形を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing operation waveforms in the second embodiment.

【図5】従来例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図6】従来例における動作波形を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing operation waveforms in a conventional example.

【図7】従来のクロック信号のスペクトラムを示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a spectrum of a conventional clock signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 クロック生成回路 2 クロック整形回路 3 内部回路 4 発振器 5 基準電位発生回路 6 第2クロック生成回路 7 クロックドライバ回路 11、21、61、62、71〜73 インバータ 12、13、63、64 抵抗 1 Clock generation circuit 2 Clock shaping circuit 3 Internal circuit 4 Oscillator 5 Reference potential generation circuit 6 Second clock generation circuit 7 Clock driver circuit 11, 21, 61, 62, 71-73 Inverter 12, 13, 63, 64 Resistance

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の周波数の原信号を入力し、特定の
バイアス電圧を付加され、且つ電源電圧レベルよりも低
振幅レベルの前記原信号の周波数に等しい周波数のクロ
ック原信号を出力するクロック生成回路と、 前記バイアス電圧と等電位の基準電位を出力する基準電
位発生回路と、 前記クロック生成回路より出力されるクロック原信号と
前記基準電位とを入力して両電位レベルを比較し、これ
らの電位差を増幅してクロック信号として出力するクロ
ック整形回路と、 を備えることを特徴とする半導体集積回路。
1. A clock generator for inputting an original signal of a predetermined frequency, adding a specific bias voltage, and outputting a clock original signal having a frequency equal to the frequency of the original signal having an amplitude level lower than a power supply voltage level. A circuit, a reference potential generation circuit that outputs a reference potential equal to the bias voltage, a clock original signal output from the clock generation circuit, and the reference potential, and both potential levels are compared. A semiconductor integrated circuit, comprising: a clock shaping circuit that amplifies a potential difference and outputs it as a clock signal.
【請求項2】 所定の周波数の原信号を入力し、特定の
バイアス電圧を付加され、且つ電源電圧レベルよりも低
振幅レベルの前記原信号の周波数に等しい周波数の第1
のクロック原信号を出力するクロック生成回路と、 前記原信号を入力し、前記特定のバイアス電圧と等しい
バイアス電圧を付加され、且つ電源電圧レベルよりも低
振幅レベルの前記原信号の周波数に等しい周波数の第2
のクロック原信号を出力する第2クロック生成回路と、 前記第1のクロック原信号および前記第2のクロック原
信号を入力して、両信号の電位レベルを比較し、これら
の電位差を増幅してクロック信号として出力するクロッ
ク整形回路と、 を備えることを特徴とする半導体集積回路。
2. A first signal having a frequency equal to the frequency of the original signal input with a predetermined frequency, having a specific bias voltage added thereto, and having an amplitude level lower than the power supply voltage level.
And a frequency equal to the frequency of the original signal having a lower amplitude level than the power supply voltage level, to which the original signal is input, a bias voltage equal to the specific bias voltage is added. Second
Second clock generation circuit for outputting the clock original signal of, and the first clock original signal and the second clock original signal are input, the potential levels of both signals are compared, and the potential difference between them is amplified. A semiconductor integrated circuit, comprising: a clock shaping circuit that outputs a clock signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0821498A2 (en) * 1996-07-26 1998-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Clock supply system for electronic units

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0821498A2 (en) * 1996-07-26 1998-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Clock supply system for electronic units
EP0821498A3 (en) * 1996-07-26 2000-07-19 Siemens Aktiengesellschaft Clock supply system for electronic units

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