JPH0745572B2 - 全芳香族ポリエステルアミド - Google Patents
全芳香族ポリエステルアミドInfo
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- JPH0745572B2 JPH0745572B2 JP61308167A JP30816786A JPH0745572B2 JP H0745572 B2 JPH0745572 B2 JP H0745572B2 JP 61308167 A JP61308167 A JP 61308167A JP 30816786 A JP30816786 A JP 30816786A JP H0745572 B2 JPH0745572 B2 JP H0745572B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は全芳香族ポリエステルアミドに関するものであ
る。詳しくは耐熱性及び成形性の優れた新規な全芳香族
ポリエステルアミドに関するものである。
る。詳しくは耐熱性及び成形性の優れた新規な全芳香族
ポリエステルアミドに関するものである。
（従来の技術） 従来、3,3′−ビフェニルジカルボン酸残基を含むポリ
エステルは既に報告されている［例えば、Izvest.Akad.
Nauk.,S.S.S.R,Otdel、Khim.Nauk,737〜745（1957）］
が、この残基を含有するポリエステルアミドに関しては
全く報告されていない。
エステルは既に報告されている［例えば、Izvest.Akad.
Nauk.,S.S.S.R,Otdel、Khim.Nauk,737〜745（1957）］
が、この残基を含有するポリエステルアミドに関しては
全く報告されていない。
（発明の目的） 本発明は耐熱性が良好で、成形加工性の優れた全芳香族
ポリエステルアミド、即ちポリエステルアミドを構成す
る原料モノマー残基が全て芳香族成分からなるポリエス
テルアミドを得ることを目的として検討の結果達成され
たものである。
ポリエステルアミド、即ちポリエステルアミドを構成す
る原料モノマー残基が全て芳香族成分からなるポリエス
テルアミドを得ることを目的として検討の結果達成され
たものである。
以下に本発明を詳細に説明する。
（発明の構成） 本発明の全芳香族ポリエステルアミドにおいては、その
構成成分として、前記（イ）の3,3′−ビフェニルジカ
ルボン酸残基を含有することが必須の要件であり、その
含有比率は、前記（イ）〜（ト）からなる全芳香族成分
残基の合計を100当量％として、２〜50当量％の範囲で
あり、この範囲外では成形加工性が低下し好ましくな
い。（イ）の好ましい含有量は５当量％以上、とくに好
ましい含有量は８当量％以上である。
構成成分として、前記（イ）の3,3′−ビフェニルジカ
ルボン酸残基を含有することが必須の要件であり、その
含有比率は、前記（イ）〜（ト）からなる全芳香族成分
残基の合計を100当量％として、２〜50当量％の範囲で
あり、この範囲外では成形加工性が低下し好ましくな
い。（イ）の好ましい含有量は５当量％以上、とくに好
ましい含有量は８当量％以上である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分
として、前記（ロ）の［２］式で示される芳香族ジカル
ボン酸残基を含有することができる。［２］式における
２価の芳香族炭化水素基R1、R11及びR12としては、ベン
ゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が上げら
れ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、アル
コキシ基又はフェノキシ基等で置換されていてもよい。
として、前記（ロ）の［２］式で示される芳香族ジカル
ボン酸残基を含有することができる。［２］式における
２価の芳香族炭化水素基R1、R11及びR12としては、ベン
ゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が上げら
れ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、アル
コキシ基又はフェノキシ基等で置換されていてもよい。
［２］式で示される芳香族ジカルボン酸残基の具体例と
しては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタ
リン−2,6−ジカルボン酸、ナフタリン−1,5−ジカルボ
ン酸、ジフェニル−4,4′−ジカルボン酸、メチルテレ
フタル酸、メチルイソフタル酸、ジフェニルエーテル−
4,4′−ジカルボン酸、ジフェニルチオエーテル−4,4′
−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−4,4′−ジカル
ボン酸、ジフェニルケトン−4,4′−ジカルボン酸、2,2
−ジフェニルプロパン−4,4′−ジカルボン酸等の残基
が挙げられるが、必ずしもこれ等に限定されるものでは
ない。またこれ等の２種以上を含有していてもよい。
しては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタ
リン−2,6−ジカルボン酸、ナフタリン−1,5−ジカルボ
ン酸、ジフェニル−4,4′−ジカルボン酸、メチルテレ
フタル酸、メチルイソフタル酸、ジフェニルエーテル−
4,4′−ジカルボン酸、ジフェニルチオエーテル−4,4′
−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−4,4′−ジカル
ボン酸、ジフェニルケトン−4,4′−ジカルボン酸、2,2
−ジフェニルプロパン−4,4′−ジカルボン酸等の残基
が挙げられるが、必ずしもこれ等に限定されるものでは
ない。またこれ等の２種以上を含有していてもよい。
（ロ）の成分の含有比率は、全芳香族成分の合計を100
当量％として、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは
０〜40当量％、特に好ましくは10〜40当量％である。
当量％として、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは
０〜40当量％、特に好ましくは10〜40当量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分
として、前記（ハ）の［３］式で示される芳香族ジオキ
シ化合物の残基を含有することができる。
として、前記（ハ）の［３］式で示される芳香族ジオキ
シ化合物の残基を含有することができる。
［３］式における２価の芳香族炭化水素基R2、R11及びR
12としては、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニ
ル残基等が挙げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換さ
れていてもよい。
12としては、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニ
ル残基等が挙げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換さ
れていてもよい。
［３］式で示される芳香族ジオキシ化合物の残基の具体
例としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、メ
チルハイドロキノン、ｔ−ブチルハイドロキノン、2,5
−ジｔ−ブチルハイドロキノン、メチルハイドロキノン
ジアセテート、ｔ−ブチルハイドロキノンジアセテー
ト、1,3,4−トリメチルレゾルシン、クロロハライドロ
キノン、アセチルハイドロキノン、アセトキシハイドロ
キノン、ニトロハイドロキノン、ジメチルアミノハイド
ロキノン、1,4−ジヒドロキシナフトール、1,5−ジヒド
ロキシナフトール、1,6−ジヒドロキシナフトール、2,6
−ジヒドロキシナフトール、2,7−ジヒドロキシナフト
ール、2,2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、2,2′−ビス（４−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル）プロパン、2,2′−ビス（４−ヒドロキシ−3,5−
ジクロロフェニル）プロパン、2,2′−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、2,2′−ビス
（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−
ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル）メタン、ビス
（４−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル）メタン、
1,1−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ−3,5−
ジメチルフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ−3,
5−ジクロロフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルフイド、ビス（４−ヒドロキシ−３−ク
ロロフェニル）スルフイド、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシ−3,5−ジクロ
ロフェニル）エーテル等の残基が挙げられるが、これ等
に限定されるものではない。またこれ等の２種以上を含
有していてもよい。
例としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、メ
チルハイドロキノン、ｔ−ブチルハイドロキノン、2,5
−ジｔ−ブチルハイドロキノン、メチルハイドロキノン
ジアセテート、ｔ−ブチルハイドロキノンジアセテー
ト、1,3,4−トリメチルレゾルシン、クロロハライドロ
キノン、アセチルハイドロキノン、アセトキシハイドロ
キノン、ニトロハイドロキノン、ジメチルアミノハイド
ロキノン、1,4−ジヒドロキシナフトール、1,5−ジヒド
ロキシナフトール、1,6−ジヒドロキシナフトール、2,6
−ジヒドロキシナフトール、2,7−ジヒドロキシナフト
ール、2,2′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、2,2′−ビス（４−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル）プロパン、2,2′−ビス（４−ヒドロキシ−3,5−
ジクロロフェニル）プロパン、2,2′−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、2,2′−ビス
（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−
ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル）メタン、ビス
（４−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル）メタン、
1,1−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ−3,5−
ジメチルフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ−3,
5−ジクロロフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルフイド、ビス（４−ヒドロキシ−３−ク
ロロフェニル）スルフイド、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシ−3,5−ジクロ
ロフェニル）エーテル等の残基が挙げられるが、これ等
に限定されるものではない。またこれ等の２種以上を含
有していてもよい。
（ハ）の含有比率は、全芳香族成分合計を100当量％と
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％、特に好ましくは10〜40当量％である。
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％、特に好ましくは10〜40当量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドはまた、その構成
成分として、前記（ニ）の［４］式で示される芳香族オ
キシカルボン酸残基を含有することができる。［４］式
における２価の芳香族炭化水素基R3、R11及びR12として
は、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等
が挙げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換されていて
もよい。
成分として、前記（ニ）の［４］式で示される芳香族オ
キシカルボン酸残基を含有することができる。［４］式
における２価の芳香族炭化水素基R3、R11及びR12として
は、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等
が挙げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換されていて
もよい。
［４］式で示される芳香族オキシカルボン酸残基の具体
例としては、例えば、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒ
ドロキシ安息香酸、シュリンガー酸、バニリン酸、４−
ヒドロキシ−４′−カルボキシジフェニルエーテル、４
−ヒドロキシ−４′−カルボキシビフェニル、2,6−ジ
クロロ−ｐ−ヒドロキシ安息香酸、２−クロロ−ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸、2,6−ジフルオロ−ｐ−ヒドロキシ
安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、２−ヒド
ロキシ−３−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−４−ナフト
エ酸、ｐ−アセトキシ安息香酸等の残基が挙げられ、こ
れ等の２種以上を含有していてもよい。
例としては、例えば、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｍ−ヒ
ドロキシ安息香酸、シュリンガー酸、バニリン酸、４−
ヒドロキシ−４′−カルボキシジフェニルエーテル、４
−ヒドロキシ−４′−カルボキシビフェニル、2,6−ジ
クロロ−ｐ−ヒドロキシ安息香酸、２−クロロ−ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸、2,6−ジフルオロ−ｐ−ヒドロキシ
安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、２−ヒド
ロキシ−３−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−４−ナフト
エ酸、ｐ−アセトキシ安息香酸等の残基が挙げられ、こ
れ等の２種以上を含有していてもよい。
（ニ）の含有比率は、全芳香族成分合計を100当量％と
して、０〜80当量％の範囲であり、80当量％を超えると
成形性が悪くなる。好ましくは０〜60当量％である。
して、０〜80当量％の範囲であり、80当量％を超えると
成形性が悪くなる。好ましくは０〜60当量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分
として、前記（ホ）の［５］式で示される芳香族ジアミ
ノ残基を含有することができる。［５］式における２価
の芳香族炭化水素基R4、R11及びR12としては、ベンゼン
残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が挙げられ、
これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基又はフエノキシ基等で置換されていてもよい。また
R5及びR6は夫々水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族
炭化水素基を示す。
として、前記（ホ）の［５］式で示される芳香族ジアミ
ノ残基を含有することができる。［５］式における２価
の芳香族炭化水素基R4、R11及びR12としては、ベンゼン
残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が挙げられ、
これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基又はフエノキシ基等で置換されていてもよい。また
R5及びR6は夫々水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族
炭化水素基を示す。
［５］式で示される芳香族ジアミノ残基の具体例として
は例えば、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジ
アミン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、4,4′
−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジ
フェニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジア
ミノジフェニルケトン、1,5−ジアミノナフタリン、3,
3′−ジメチルベンジジン、2,6−ジアミノナフタリン等
の残基が挙げられ、これ等の２種以上を含有していても
よい。
は例えば、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジ
アミン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、4,4′
−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジ
フェニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジア
ミノジフェニルケトン、1,5−ジアミノナフタリン、3,
3′−ジメチルベンジジン、2,6−ジアミノナフタリン等
の残基が挙げられ、これ等の２種以上を含有していても
よい。
（ホ）の含有比率は、全芳香族成分合計を100当量％と
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、その構成成分
として、前記（ヘ）の［６］式で示される芳香族アミノ
カルボン酸残基を含有することができる。
として、前記（ヘ）の［６］式で示される芳香族アミノ
カルボン酸残基を含有することができる。
［６］式における２価の芳香族炭化水素基R7、R11及びR
12としては、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニ
ル残基等が挙げられ、これ等の芳香族環はハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置
換されていてもよい。またR8は水素原子、脂肪族炭化水
素基又は芳香族炭化水素基を示す。
12としては、ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニ
ル残基等が挙げられ、これ等の芳香族環はハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基又はフェノキシ基等で置
換されていてもよい。またR8は水素原子、脂肪族炭化水
素基又は芳香族炭化水素基を示す。
［６］式で示される芳香族アミノカルボン酸残基の具体
例としては例えば、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安
息香酸、ｐ−アセトアミノ安息香酸、ｐ−（４−アミノ
フェニル）安息香酸、ｐ−（４−アミノベンジル）安息
香酸等の残基が挙げられ、これ等の２種以上を含有して
いてもよい。
例としては例えば、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安
息香酸、ｐ−アセトアミノ安息香酸、ｐ−（４−アミノ
フェニル）安息香酸、ｐ−（４−アミノベンジル）安息
香酸等の残基が挙げられ、これ等の２種以上を含有して
いてもよい。
（ヘ）の含有比率は、全芳香族成分合計を100当量％と
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、更にその構成
成分として、前記（ト）の［７］式で示される芳香族ア
ミノオキシ残基を含有することができる。［７］式にお
ける２価の芳香族炭化水素基R9、R11及びR12としては、
ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が挙
げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換されていてもよ
い。またR10は水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族
炭化水素基を示す。
成分として、前記（ト）の［７］式で示される芳香族ア
ミノオキシ残基を含有することができる。［７］式にお
ける２価の芳香族炭化水素基R9、R11及びR12としては、
ベンゼン残基、ナフタリン残基、ジフェニル残基等が挙
げられ、これ等の芳香環はハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基又はフェノキシ基等で置換されていてもよ
い。またR10は水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族
炭化水素基を示す。
［７］式で示される芳香族アミノオキシ残基の具体例と
しては例えば、４−アミノフェノール、Ｎ−メチル−４
−アミノフェノール、４−アミノ−４′−ヒドロキシジ
フェニル、３−アミノフェノール、Ｎ−フェニル−３−
アミノフェノール、O,N−ジアセチル−ｐ−アミノフェ
ノール、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−
ジフェニル、3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−
アミノ−ジフェニル、３−メチル−４−ヒドロキシ−
３′−メチル−４′−アミノ−ジフェニル、3,5−ジメ
チル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニルエー
テル、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニルエーテル、４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニルエーテル、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′
−アミノ−ジフェニルサルファイド、３−メチル−４−
ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニルメタン、3,5−
ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニル
メタン、2,2−（４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフ
ェニル）−プロパン、2,2−（３−メチル−４−ヒドロ
キシ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2−
（3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニル）−プロパン、2,2−（3,5−ジメチル−４−ヒ
ドロキシ−３′−メチル−４′−アミノ−ジフェニル）
−プロパン、2,2−（３−イソプロピル−４−ヒドロキ
シ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2−
（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニル）−プロパン、2,2−（３−クロロ−４−ヒド
ロキシ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2
−（３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフ
ェニル）−ブタン、2,2−（３−メチル−４−ヒドロキ
シ−４′−アミノ−ジフェニル）−ペンタン、1,1−
（３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェ
ニル）−シクロヘキサン等の残基が挙げられ、これ等の
２種以上を含有していてもよい。
しては例えば、４−アミノフェノール、Ｎ−メチル−４
−アミノフェノール、４−アミノ−４′−ヒドロキシジ
フェニル、３−アミノフェノール、Ｎ−フェニル−３−
アミノフェノール、O,N−ジアセチル−ｐ−アミノフェ
ノール、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−
ジフェニル、3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−
アミノ−ジフェニル、３−メチル−４−ヒドロキシ−
３′−メチル−４′−アミノ−ジフェニル、3,5−ジメ
チル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニルエー
テル、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニルエーテル、４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニルエーテル、３−メチル−４−ヒドロキシ−４′
−アミノ−ジフェニルサルファイド、３−メチル−４−
ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニルメタン、3,5−
ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェニル
メタン、2,2−（４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフ
ェニル）−プロパン、2,2−（３−メチル−４−ヒドロ
キシ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2−
（3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニル）−プロパン、2,2−（3,5−ジメチル−４−ヒ
ドロキシ−３′−メチル−４′−アミノ−ジフェニル）
−プロパン、2,2−（３−イソプロピル−４−ヒドロキ
シ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2−
（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジ
フェニル）−プロパン、2,2−（３−クロロ−４−ヒド
ロキシ−４′−アミノ−ジフェニル）−プロパン、2,2
−（３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフ
ェニル）−ブタン、2,2−（３−メチル−４−ヒドロキ
シ−４′−アミノ−ジフェニル）−ペンタン、1,1−
（３−メチル−４−ヒドロキシ−４′−アミノ−ジフェ
ニル）−シクロヘキサン等の残基が挙げられ、これ等の
２種以上を含有していてもよい。
（ト）の含有比率は、全芳香族成分合計を100当量％と
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
して、０〜50当量％の範囲であり、好ましくは０〜40当
量％である。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドを構成する、前述
の成分（イ）、（ロ）、（ハ）、（ニ）、（ホ）、
（ヘ）及び（ト）の含有比率を要約すると次の通りであ
る。
の成分（イ）、（ロ）、（ハ）、（ニ）、（ホ）、
（ヘ）及び（ト）の含有比率を要約すると次の通りであ
る。
２≦（イ）≦50当量％、０≦（ロ）≦50当量％、 ０≦（ハ）≦50当量％、０≦（ニ）≦80当量％、 ０≦（ホ）≦50当量％、０≦（ヘ）≦50当量％、 ０≦（ト）≦50当量％、 （イ）＋（ロ）＋（ハ）＋（ニ）＋（ホ） ＋（へ）及び（ト）＝100重量％ 但し、（ハ）、（ニ）及び（ト）がともに０であること
は無く、また（ヘ）及び（ト）がともに０であることは
無い。
は無く、また（ヘ）及び（ト）がともに０であることは
無い。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドを製造するには、
所定比率の（イ）の3,3′−ビフェニルジカルボン酸、
（ロ）の残基を含む芳香族ジカルボン酸、（ハ）の残基
を含む芳香族ジヒドロキシ化合物、（ニ）の残基を含む
芳香族ヒドロキシカルボン酸、（ホ）の残基を含む芳香
族ジアミン、（ヘ）の残基を含む芳香族アミノカルボン
酸及び（ト）の残基を含む芳香族アミノヒドロキシ化合
物、あるいはこれ等の誘導体を原料として、周知の重合
方法、例えば、溶融重合法、溶液重合法または界面重合
法等に従って処理すればよい。とくに溶融重合法は、重
合反応後の後処理が不要であるため工業的生産上有利で
あり、また、溶液重合法及び界面重合法は、重合反応が
比較的低温で実施し得る利点がある。
所定比率の（イ）の3,3′−ビフェニルジカルボン酸、
（ロ）の残基を含む芳香族ジカルボン酸、（ハ）の残基
を含む芳香族ジヒドロキシ化合物、（ニ）の残基を含む
芳香族ヒドロキシカルボン酸、（ホ）の残基を含む芳香
族ジアミン、（ヘ）の残基を含む芳香族アミノカルボン
酸及び（ト）の残基を含む芳香族アミノヒドロキシ化合
物、あるいはこれ等の誘導体を原料として、周知の重合
方法、例えば、溶融重合法、溶液重合法または界面重合
法等に従って処理すればよい。とくに溶融重合法は、重
合反応後の後処理が不要であるため工業的生産上有利で
あり、また、溶液重合法及び界面重合法は、重合反応が
比較的低温で実施し得る利点がある。
溶融重合法の場合は、前記の原料成分の全部又は一部
を、アシル化物又はアリールエステルとして使用し200
〜400℃の温度で重合する方法、あるいは前記原料成分
にアシル化剤を加えて重合する方法が採られる。
を、アシル化物又はアリールエステルとして使用し200
〜400℃の温度で重合する方法、あるいは前記原料成分
にアシル化剤を加えて重合する方法が採られる。
また、溶液重合法または界面重合法では、カルボン酸残
基に対応する原料モノマーとして、一般に酸ハライドと
くに酸クロライドが用いられ、界面重合法では原料のオ
キシ残基は塩にしておく要がある。
基に対応する原料モノマーとして、一般に酸ハライドと
くに酸クロライドが用いられ、界面重合法では原料のオ
キシ残基は塩にしておく要がある。
本発明の全芳香族ポリエステルアミドの275℃、100sec
-1での溶融粘度が50ポイズ以上であることが必須であ
り、50ポイズ未満では充分な強度が得られない。275
℃、100sce-1での溶融粘度は50〜50000ポイズが成形性
の点で好適であり、より好ましい溶融粘度は100〜10000
ポイズ、更に好ましい溶融粘度は100〜5000ポイズであ
る。
-1での溶融粘度が50ポイズ以上であることが必須であ
り、50ポイズ未満では充分な強度が得られない。275
℃、100sce-1での溶融粘度は50〜50000ポイズが成形性
の点で好適であり、より好ましい溶融粘度は100〜10000
ポイズ、更に好ましい溶融粘度は100〜5000ポイズであ
る。
（発明の効果） 本発明の全芳香族ポリエステルアミドは優れた耐熱性を
有し、ガラス転移温度（Tg）としては100℃以上を示
し、原料モノマーの種類及び組成比率によってはTgは15
0℃以上を示す。
有し、ガラス転移温度（Tg）としては100℃以上を示
し、原料モノマーの種類及び組成比率によってはTgは15
0℃以上を示す。
また、本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、成形性
が優れ、330℃以下の温度で充分成形が可能である。
が優れ、330℃以下の温度で充分成形が可能である。
以上の性状に基づいて、本発明の全芳香族ポリエステル
アミドは、射出成形体、フィルム、繊維等の用途に利用
される。
アミドは、射出成形体、フィルム、繊維等の用途に利用
される。
また、本発明の全芳香族ポリエステルアミドは、330℃
以下の温度で溶融状態を示すことから、溶融重合法によ
り製造した場合、反応後、加圧することにより、あるい
は自重により、生成ポリマーを反応容器から容易に取り
出すことができる操作上の利点も有する。
以下の温度で溶融状態を示すことから、溶融重合法によ
り製造した場合、反応後、加圧することにより、あるい
は自重により、生成ポリマーを反応容器から容易に取り
出すことができる操作上の利点も有する。
更に、本発明のポリエステルアミドは、原料モノマーの
種類、組成比率を適切に選ぶことにより、200〜330℃程
度の温度で光学異方性（液晶性）を示すこと（直交偏光
子を利用した慣用の偏光法により確認し得る）もあり、
その場合、その温度域で成形すれば、高弾性率の成形
体、フィルム、繊維等を得ることが可能である。
種類、組成比率を適切に選ぶことにより、200〜330℃程
度の温度で光学異方性（液晶性）を示すこと（直交偏光
子を利用した慣用の偏光法により確認し得る）もあり、
その場合、その温度域で成形すれば、高弾性率の成形
体、フィルム、繊維等を得ることが可能である。
（実施例） 次に本発明を実施例について更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
なお、実施例中の溶融粘度の測定には、インテスコレオ
メーター（レオメトリック社製）を用い、温度275℃、
剪断速度（γ）100sec-1、シリンダーノズルの長さ／直
径＝30を使用した。また、走査熱量計（DSC）はデュポ
ン社製9900型を用い、20℃／分で昇温してガラス転移点
（Tg）を求めた。
メーター（レオメトリック社製）を用い、温度275℃、
剪断速度（γ）100sec-1、シリンダーノズルの長さ／直
径＝30を使用した。また、走査熱量計（DSC）はデュポ
ン社製9900型を用い、20℃／分で昇温してガラス転移点
（Tg）を求めた。
実施例１ 撹拌翼、減圧口を備えた重合管に、3,3′−ビフェニル
ジカルボン酸0.024モル、ｔ−ブチルハイドロキノンジ
アセテート0.024モル、ｐ−アセトアミノ安息香酸0.012
モル及び酢酸亜鉛二水和物（触媒）３×10-5モルを仕込
み、減圧下窒素置換した後、窒素シールした。
ジカルボン酸0.024モル、ｔ−ブチルハイドロキノンジ
アセテート0.024モル、ｐ−アセトアミノ安息香酸0.012
モル及び酢酸亜鉛二水和物（触媒）３×10-5モルを仕込
み、減圧下窒素置換した後、窒素シールした。
重合管を240℃の油浴に浸漬して１時間反応させた後275
℃に昇温し、この温度で40分間反応を続行した。次いで
30分間を要して圧力0.3mmHgまで減圧すると共に290℃に
昇温し、同温度で更に1.5時間加熱して重合反応を終了
させた。
℃に昇温し、この温度で40分間反応を続行した。次いで
30分間を要して圧力0.3mmHgまで減圧すると共に290℃に
昇温し、同温度で更に1.5時間加熱して重合反応を終了
させた。
こうして得られた全芳香族ポリエステルアミドのIR吸収
スペクトル（ヘキサフルオロイソプロパノール 溶媒キ
ャスト）を第１図に示す。また1H−NMRスペクトル（ト
リフルオロ酢酸 溶媒キャスト）を第２図に示す。
スペクトル（ヘキサフルオロイソプロパノール 溶媒キ
ャスト）を第１図に示す。また1H−NMRスペクトル（ト
リフルオロ酢酸 溶媒キャスト）を第２図に示す。
このポリエステルアミドのTgは149℃であり、275℃、γ
＝100sec-1の条件で測定した溶融粘度は950ポイズであ
った。また、250℃以上の温度で光学異方性を示した。
＝100sec-1の条件で測定した溶融粘度は950ポイズであ
った。また、250℃以上の温度で光学異方性を示した。
実施例２ 実施例１と同一の重合器に、原料モノマーとして、3,
3′−ビフェニルジカルボン酸0.015モル、テレフタル酸
0.015モル、ｔ−ブチルハイドロキノンジアセテート0.0
18モル及びO,N−ジアセチル−ｐ−アミノフェノール0.0
12モルを用いて、実施例１と同様の方法で重合反応を行
なった。
3′−ビフェニルジカルボン酸0.015モル、テレフタル酸
0.015モル、ｔ−ブチルハイドロキノンジアセテート0.0
18モル及びO,N−ジアセチル−ｐ−アミノフェノール0.0
12モルを用いて、実施例１と同様の方法で重合反応を行
なった。
こうして得られた全芳香族ポリエステルアミドのTgは17
2℃であり、275℃、γ＝100sec-1の条件で測定した溶融
粘度は1100ポイズであった。また、250℃以上の温度で
光学異方性を示した。
2℃であり、275℃、γ＝100sec-1の条件で測定した溶融
粘度は1100ポイズであった。また、250℃以上の温度で
光学異方性を示した。
第１図及び第２図は、夫々実施例１の全芳香族ポリエス
テルアミドのIR吸収スペクトル及び1H−NMRスペクトル
を示す。
テルアミドのIR吸収スペクトル及び1H−NMRスペクトル
を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】（イ）次式［１］で表わされる3,3′−ビ
フェニルジカルボン酸残基、 （ロ）次式［２］で表わされる芳香族ジカルボン酸残
基、 OC−R1−CO ……［２］ （ハ）次式［３］で表わされる芳香族ジオキシ化合物残
基、 Ｏ−R2−Ｏ ……［３］ （ニ）次式［４］で表わされる芳香族オキシカルボン酸
残基、 Ｏ−R3−CO ……［４］ （ホ）次式［５］で表わされる芳香族ジアミノ残基、 （ヘ）次式［６］で表わされる芳香族アミノカルボン酸
残基、 （ト）次式［７］で表わされる芳香族アミノオキシ残
基、 ［［２］〜［７］式におけるR1、R2、R3、R4、R7及びR9
は、夫々２価の芳香族炭化水素基または式R11−Ｘ−R12
（R11及びR12は２価の芳香族炭化水素基であり、Ｘは酸
素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、アル
キレン基、エステル残基又は直接結合を示す）で示され
る基を示す。但しR1が3,3′−ビフェニル基であること
はない。また、R5、R6、R8及びR10は夫々水素原子、脂
肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を示す。］ から構成される全芳香族ポリエステルアミドであって、
かつ該全芳香族ポリエステルアミド中における前記
（イ）、（ロ）、（ハ）、（ニ）、（ホ）、（ヘ）及び
（ト）残基の割合が、 ２≦（イ）≦50当量％、０≦（ロ）≦50当量％、 ０≦（ハ）≦50当量％、０≦（ニ）≦80当量％、 ０≦（ホ）≦50当量％、０≦（ヘ）≦50当量％、 ０≦（ト）≦50当量％、 （イ）＋（ロ）＋（ハ）＋（ニ）＋（ホ） ＋（ヘ）及び（ト）＝100当量％ 但し、（ハ）、（ニ）及び（ト）がともに０であること
はなく、また（ヘ）及び（ト）がともに０であることは
無い。 であり、また275℃、100sec-1における溶融粘度が50ポ
イズ以上であることを特徴とする全芳香族ポリエステル
アミド。 - 【請求項２】溶融相において、光学的に異方性であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の全芳香族ポ
リエステルアミド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308167A JPH0745572B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 全芳香族ポリエステルアミド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308167A JPH0745572B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 全芳香族ポリエステルアミド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162722A JPS63162722A (ja) | 1988-07-06 |
| JPH0745572B2 true JPH0745572B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=17977704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308167A Expired - Fee Related JPH0745572B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 全芳香族ポリエステルアミド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745572B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025082A (en) * | 1988-08-24 | 1991-06-18 | Mitsubishi Kasei Corporation | Aromatic polyester, aromatic polyester-amide and processes for producing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49109494A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308167A patent/JPH0745572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63162722A (ja) | 1988-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |