JPH0745476A - Lc filter and fabrication thereof - Google Patents

Lc filter and fabrication thereof

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JPH0745476A
JPH0745476A JP5204513A JP20451393A JPH0745476A JP H0745476 A JPH0745476 A JP H0745476A JP 5204513 A JP5204513 A JP 5204513A JP 20451393 A JP20451393 A JP 20451393A JP H0745476 A JPH0745476 A JP H0745476A
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JP
Japan
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substrate
filter
film
coil
magnetic
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Pending
Application number
JP5204513A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Waga
聡 和賀
Kazunari Takita
一成 瀧田
Kiyoshi Shinoi
潔 篠井
Yoshinobu Kakihara
良亘 柿原
Takehiro Takojima
武広 蛸島
Isao Nakamura
功 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a thin LC filter in which the cut-off frequency can be lowered. CONSTITUTION:A conductor film is formed by sputtering on the surface of a dielectric magnetic substrate 22 and then the the conductor film is etched to form a coil 23. The coil 23 is covered, except the terminal parts 24, 25 and the magnetic material connecting part 22a, with a dielectric film 26 and a conductor film 27 a part of which provides a terminal part 28. The conductor film 27 is covered with an interlayer insulating film 29 and a magnetic material film 30 bonded to the substrate 22 at the connecting part 22a. The terminal parts 24, 25 are connected, respectively, with the input side and the output side and the terminal part 28 is grounded in the digital circuit of the LC filter 21 in order to use the LC filter as a noise filter.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル回路のノイ
ズフィルタなどに使用されるLCフィルタに係り、薄型
に構成された分布定数型のフィルタとなり、さらにカッ
トオフ周波数を低くすることも可能なフィルタ、および
薄膜成形技術を使用できるLCフィルタの製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LC filter used as a noise filter of a digital circuit, which is a distributed constant type filter having a thin structure, and can further reduce the cutoff frequency. , And a method of manufacturing an LC filter that can use thin film forming technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は従来のピンタイプのLCフィルタ
を示す斜視図、図10は図9の分解斜視図、図11は従
来のチップタイプのLCフィルタを示す斜視図、図12
は図11の部分分解斜視図である。図9と図10に示す
LCフィルタは、第1のリード1と第3のリード3が両
端に接続された導電性箔4と、第2のリード2が一方の
端部に接続された導電性箔5と、絶縁性フィルム6,7
を有し、導電性箔4とフィルム6と導電性箔5と縁製フ
ィルム7とが交互に重ね合わされて、円柱状に巻回され
たものである。
9 is a perspective view showing a conventional pin type LC filter, FIG. 10 is an exploded perspective view of FIG. 9, FIG. 11 is a perspective view showing a conventional chip type LC filter, and FIG.
FIG. 12 is a partially exploded perspective view of FIG. 11. The LC filter shown in FIGS. 9 and 10 is a conductive foil 4 in which the first lead 1 and the third lead 3 are connected to both ends, and a conductive foil in which the second lead 2 is connected to one end. Foil 5 and insulating film 6,7
The conductive foil 4, the film 6, the conductive foil 5 and the edge film 7 are alternately laminated and wound into a cylindrical shape.

【0003】図11と図12に示すLCフィルタは、コ
字状の導電体11が形成された誘電体基板12と、ほぼ
コ字状の導電体13が形成された絶縁体基板14とを有
し、前記基板12と基板14とが重ね合わされ、前記導
電体11と導電体13が誘電体基板12を介して対向す
るように数段重ね合わされたものである。この種のLC
フィルタは、いわゆる分布定数型のLCフィルタであ
り、集中定数型のものに比べ、ノイズ減衰率に関して優
れた特性を有している。
The LC filters shown in FIGS. 11 and 12 have a dielectric substrate 12 on which a U-shaped conductor 11 is formed and an insulator substrate 14 on which a substantially U-shaped conductor 13 is formed. The substrate 12 and the substrate 14 are superposed, and the conductor 11 and the conductor 13 are superposed in several stages so as to face each other with the dielectric substrate 12 interposed therebetween. LC of this kind
The filter is a so-called distributed constant type LC filter, and has excellent characteristics in terms of noise attenuation rate as compared with the lumped constant type filter.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
図9,図10に示した従来のピンタイプのLCフィルタ
は、4枚の箔及びフィルムを巻回する構造であるため小
さな形状には形成しにくく、小型化に限界がある。ま
た、図11と図12に示すチップタイプのものは、2枚
の基板12,14を重ねる構造なので比較的小型化しや
すいが、その反面、基板12と基板14を多層積層する
構造のため製造工程が多く、複雑な構成になる。また、
カットオフ周波数も30MHzと比較的大きく、それ以
下の周波数を除去することができなかった。
However, since the conventional pin type LC filter shown in FIGS. 9 and 10 has a structure in which four foils and films are wound, it is formed in a small shape. It is difficult and there is a limit to miniaturization. Further, the chip type shown in FIGS. 11 and 12 is relatively small in size because it has a structure in which two substrates 12 and 14 are stacked, but on the other hand, a manufacturing process is performed because the substrate 12 and the substrate 14 are laminated in multiple layers. However, it has a complicated structure. Also,
The cut-off frequency was also relatively large at 30 MHz, and frequencies below it could not be removed.

【0005】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、薄型で且つカットオフ周波数を低周波
数領域に設定することも可能なLCフィルタおよびその
製造方法を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an LC filter which is thin and whose cutoff frequency can be set in a low frequency region, and a manufacturing method thereof. To do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によるLCフィル
タは、基板と、この基板上に絶縁されて平面状に巻き形
成されたコイル部材と、このコイル部材上に積層された
誘電体層と、前記コイル部材の複数箇所と前記誘電体層
とにそれぞれ電気的に導通可能な端子部とを有すること
を特徴とするものである。
An LC filter according to the present invention comprises a substrate, a coil member insulated from the substrate and wound in a flat shape, and a dielectric layer laminated on the coil member. It is characterized in that it has a plurality of terminals that are electrically conductive to the plurality of portions of the coil member and the dielectric layer, respectively.

【0007】また好ましくは、基板が磁性体により形成
され、且つ誘電体層の上に、端子部を除いて磁性体層が
設けられているものである。
Preferably, the substrate is made of a magnetic material, and the magnetic material layer is provided on the dielectric layer except for the terminals.

【0008】また本発明によるLCフィルタの製造方法
は、基板上にこの基板と絶縁された導電体層を形成する
工程と、この導電体層の不要部分を除去加工して平面形
状に巻かれたコイル部材を形成する工程と、コイル部材
上に端子部を残して誘電体層を積層する工程とを有する
ことを特徴とするものである。
The method of manufacturing an LC filter according to the present invention includes the steps of forming a conductor layer insulated from the substrate on a substrate, removing unnecessary portions of the conductor layer, and winding the conductor layer into a planar shape. The method is characterized by including a step of forming a coil member and a step of laminating a dielectric layer on the coil member while leaving a terminal portion.

【0009】[0009]

【作用】上記手段では、平面形状に巻き形成されたコイ
ル部材が誘電体層に覆われているため、薄型の分布定数
型のLCフィルタを得ることができる。
In the above means, since the coil member wound in a planar shape is covered with the dielectric layer, a thin distributed constant type LC filter can be obtained.

【0010】また磁性体の基板を使用し、さらに誘電体
層の上に磁性体を積層することによりインダクタンスを
大きくでき、カットオフ周波数を従来のものよりも低く
できる。
Further, by using a magnetic substrate and further laminating a magnetic substance on the dielectric layer, the inductance can be increased and the cutoff frequency can be made lower than the conventional one.

【0011】さらに前記LCフィルタの製造方法では、
薄膜積層技術を用いて、導電体による平面形状のコイル
部材および誘電体層などを形成できるため、安定した品
質のLCフィルタとなり、また、例えば4インチ角の大
型基板上に数千個単位で同一LCフィルタを形成でき大
量生産が可能になる。
Further, in the method for manufacturing the LC filter,
Since thin-film laminating technology can be used to form planar coil members and dielectric layers using conductors, LC filters of stable quality can be obtained, and thousands of units are identical on a large 4-inch square substrate, for example. An LC filter can be formed and mass production becomes possible.

【0012】[0012]

【実施例】図1は本発明のLCフィルタの実施例を示す
拡大断面図、図2は図1に示したLCフィルタの等価回
路図、図3ないし図7は図1に示したLCフィルタの製
造工程を順に示すものであり、図8は上記実施例のLC
フィルタと従来例との挿入損失を比較した線図である。
図1に示すLCフィルタ21は、磁性体で且つ少なくと
も表面絶縁性の基板22と、この基板22上に平面的に
スパイラル状に形成されたコイル23と、このコイル2
3の端子部24,25および前記基板22の磁性体接続
部分22aを除く部分に形成された誘電体膜26と、前
記磁性体接続部分22aと前記端子部25を除いた誘電
体膜26上に形成された導電体膜27と、前記磁性体接
続部分22aと前記端子部25、および導電体膜27に
形成された端子部28を除いた導電体膜27上に形成さ
れた層間絶縁膜29と、前記端子部25および端子部2
8を除く部分に設けられた磁性体膜30とから構成され
ている。この磁性体膜30は、前記磁性体接続部分22
aにて基板22と接続されている。
1 is an enlarged sectional view showing an embodiment of the LC filter of the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the LC filter shown in FIG. 1, and FIGS. 3 to 7 are views of the LC filter shown in FIG. The manufacturing steps are shown in sequence, and FIG. 8 shows the LC of the above embodiment.
It is a diagram which compared the insertion loss of a filter and a prior art example.
The LC filter 21 shown in FIG. 1 includes a substrate 22 made of a magnetic material and having at least surface insulation, a coil 23 formed on the substrate 22 in a planar spiral shape, and the coil 2
On the dielectric film 26 formed on the portions other than the terminal portions 24, 25 and the magnetic body connecting portion 22a of the substrate 22, and on the dielectric film 26 excluding the magnetic body connecting portion 22a and the terminal portion 25. A formed conductor film 27, an interlayer insulating film 29 formed on the conductor film 27 excluding the magnetic body connecting portion 22a, the terminal portion 25, and the terminal portion 28 formed on the conductor film 27. , The terminal portion 25 and the terminal portion 2
8 and a magnetic film 30 provided on a portion other than 8. The magnetic film 30 is formed on the magnetic film connecting portion 22.
It is connected to the substrate 22 at a.

【0013】図2に示すように、上記構成のLCフィル
タ21は、ディジタル回路内にて、例えば前記端子部2
4が入力側に接続され、端子部25が出力側に接続さ
れ、端子部28がグランド接続されて使用される。この
フィルタは磁性体で覆われた分布定数型となり、入力信
号のノイズを除去するためなどに使用される。次に、上
記構成のLCフィルタの製造方法について図3ないし図
7を参照して説明する。
As shown in FIG. 2, the LC filter 21 having the above-mentioned configuration is used, for example, in the terminal section 2 in a digital circuit.
4 is connected to the input side, the terminal part 25 is connected to the output side, and the terminal part 28 is grounded and used. This filter is a distributed constant type covered with a magnetic material, and is used for removing noise of an input signal. Next, a method of manufacturing the LC filter having the above structure will be described with reference to FIGS.

【0014】(基板)図3に基板22を示している。こ
の基板22は大基板の一部であり、大基板上に数千個単
位の多数のLCフィルタが同時に形成され、後に個々の
基板22に分離される。ただし図3以下では1個のLC
フィルタとして説明する。大基板は例えば4インチ角寸
法の磁性体で且つ絶縁性のNi−Znフェライト基板で
あり、体積抵抗率ρが104Ω・cm、飽和磁束密度Bsが
3000ガウス、保磁力Hcが0.5(Oe)である。
このフェライト基板を平均表面粗さRaが100オング
ストロームになるまで鏡面研磨し、この基板を有機溶剤
(アセトン、イソプロピルアルコール)を用いて洗浄す
る。
(Substrate) The substrate 22 is shown in FIG. This substrate 22 is a part of a large substrate, and a large number of thousands of LC filters are simultaneously formed on the large substrate, and then separated into individual substrates 22. However, in Figure 3 and below, one LC
Described as a filter. The large substrate is, for example, a 4-inch square magnetic material and an insulating Ni-Zn ferrite substrate, has a volume resistivity ρ of 10 4 Ω · cm, a saturation magnetic flux density Bs of 3000 gauss, and a coercive force Hc of 0.5. (Oe).
This ferrite substrate is mirror-polished until the average surface roughness Ra reaches 100 Å, and this substrate is washed with an organic solvent (acetone, isopropyl alcohol).

【0015】(コイルの形成)前記洗浄後の基板をスパ
ッタ装置に設置して、コイル材料となるCrを500オ
ングストローム、Cuを2000オングストロームの厚
さに連続成膜する。次に、回転塗布装置を用いて、上記
Cr/Cu金属膜上に厚さ11μmのフォトレジスト膜
を形成する。フォトレジストとしては、ヘキスト社製A
Z4620(商品名)を使用した。
(Formation of Coil) The cleaned substrate is placed in a sputtering apparatus, and a coil material of Cr is continuously formed to a thickness of 500 angstroms and Cu to a thickness of 2000 angstroms. Next, using a spin coater, a photoresist film having a thickness of 11 μm is formed on the Cr / Cu metal film. As a photoresist, A manufactured by Hoechst
Z4620 (trade name) was used.

【0016】これをクリーンオーブン内で90℃で30
分間プレベークした後、フォトマスクを使用して密着露
光を行う。フォトマスクは5インチ角の寸法であり、こ
のフォトマスクには、4インチ角の前記大基板内に配置
できる6000個のコイルパターンと、その後に使用さ
れる他のフォトマスクとの位置合わせを行うためのアラ
イメントマークが形成されたものであり、コイルパター
ンとアライメントマークの部分で光を透過し、それ以外
の部分で光を透過しないものである。また密着露光に
は、キャノン販売株式会社製のPLA-501(商品
名)を用いた。密着露光した後の基板を現像液で現像す
ると、露光されたコイル形状の部分およびアライメント
マーク部分のレジストが除去され、それ以外の部分でレ
ジストが残る。この基板をクリーンオーブン内で、12
0℃で30分間ポストベークする。
This is placed in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes.
After prebaking for a minute, contact exposure is performed using a photomask. The size of the photomask is 5 inches square, and 6000 coil patterns that can be arranged in the large substrate of 4 inches square are aligned with other photomasks to be used thereafter. Alignment marks are formed for this purpose, and light is transmitted through the coil pattern and alignment mark portions, and light is not transmitted through other portions. For contact exposure, PLA-501 (trade name) manufactured by Canon Sales Co., Ltd. was used. When the substrate after contact exposure is developed with a developing solution, the resist on the exposed coil-shaped portion and the alignment mark portion is removed, and the resist remains on the other portions. Place this substrate in a clean oven for 12
Post bake for 30 minutes at 0 ° C.

【0017】次に、この基板を硫化銅と硫酸の混合メッ
キ液中に入れ、レジストが除去された部分のCr/Cu
金属膜の表面に銅を10μmの厚さに電解メッキする。
そして、この基板をアセトンに浸し、同時に超音波を印
加して、金属膜上に残ったレジストを除去する。レジス
トを除去した後、硫酸第2セリウムアンモニウム+過塩
素酸の水溶液を用いて、レジストを除去した部分すなわ
ち銅メッキ以外の部分のCr/Cu金属膜をエッチング
除去する。この結果、コイルパターンおよびアライメン
トマーク部分にてCr/Cu金属膜が残り、図3に示す
コイル23の形成が完了する。図3に示すように、この
実施例でのコイル23のスパイラル形状の大きさは、外
形寸法(A×B)が700μm×1500μmで、導電
体幅(W)が50μm、コイル間スペース(δ)が50
μm、また巻数は2.5回である。
Next, this substrate is placed in a mixed plating solution of copper sulfide and sulfuric acid to remove Cr / Cu in the resist-removed portion.
Copper is electroplated on the surface of the metal film to a thickness of 10 μm.
Then, this substrate is immersed in acetone, and ultrasonic waves are simultaneously applied to remove the resist remaining on the metal film. After removing the resist, the Cr / Cu metal film in the portion where the resist has been removed, that is, the portion other than the copper plating, is removed by etching using an aqueous solution of ceric ammonium sulfate + perchloric acid. As a result, the Cr / Cu metal film remains on the coil pattern and the alignment mark portion, and the formation of the coil 23 shown in FIG. 3 is completed. As shown in FIG. 3, the spiral-shaped size of the coil 23 in this embodiment has an external dimension (A × B) of 700 μm × 1500 μm, a conductor width (W) of 50 μm, and a space between coils (δ). Is 50
μm, and the number of turns is 2.5.

【0018】(誘電体膜の形成)次に、前記と同様の方
法で、基板22の表面およびコイル23の表面にフォト
レジストを回転塗布し、プレベークした後にフォトマス
クを使用して密着露光する。この密着露光は図4に示す
ように誘電体膜26のスパッタ領域以外をレジストにて
覆うためのものである。すなわち、フォトマスクのパタ
ーンは、コイル23の端子部25と基板22の磁性体接
続部分22aを形成するための矩形領域、および端子部
24を含む外周領域にて光が透過せず、これ以外のコイ
ルを覆う領域で光が透過する形状である。そして、レジ
ストを現像し、光が透過した部分のレジストを除去する
と、基板上には誘電体膜26が形成される領域にてレジ
ストが無く、それ以外の領域にレジストが残る。この基
板をスパッタ装置に設置して、誘電体膜の材料であるT
25を700オングストロームの厚さにて成膜する。
その後、基板をアセトンに浸し超音波を印加して、基板
上に残ったレジストをその上に成膜されたTa25と共
に除去する。これにより図4に示すように、端子部25
および磁性体接続部分22aが開口し、且つ端子部24
を含む外周領域を除いた部分にてコイル23を覆う誘電
体膜(Ta25)26が形成される。なお、この誘電体
膜26の比誘電率εrは25であった。
(Formation of Dielectric Film) Next, a photoresist is spin-coated on the surface of the substrate 22 and the surface of the coil 23 by the same method as described above, prebaked, and then contact exposure is performed using a photomask. This contact exposure is for covering the dielectric film 26 except the sputter region with a resist as shown in FIG. That is, the pattern of the photomask is such that light does not pass through the rectangular area for forming the terminal portion 25 of the coil 23 and the magnetic material connecting portion 22a of the substrate 22 and the outer peripheral area including the terminal portion 24, and other than this. It is a shape that allows light to pass through in the region that covers the coil. Then, by developing the resist and removing the resist in the portion where the light is transmitted, there is no resist in the region where the dielectric film 26 is formed on the substrate, and the resist remains in the other regions. This substrate is placed in a sputtering apparatus and T, which is the material of the dielectric film,
a a 2 O 5 is formed at a thickness of 700 angstroms.
After that, the substrate is immersed in acetone and ultrasonic waves are applied to remove the resist remaining on the substrate together with the Ta 2 O 5 film formed thereon. As a result, as shown in FIG.
And the magnetic material connecting portion 22a is opened, and the terminal portion 24
A dielectric film (Ta 2 O 5 ) 26 that covers the coil 23 is formed in a portion excluding the outer peripheral region including. The relative permittivity εr of this dielectric film 26 was 25.

【0019】(導電体膜の形成)次に、この基板をスパ
ッタ装置に設置し、Crが500オングストロームの厚
さ、Cuが2000オングストロームの厚さとなるよう
に連続成膜する。その後、フォトレジストを回転塗布
し、プレベークした後に、フォトマスクを使用して密着
露光する。このときのフォトマスクは、図5に示す導電
体膜27の形成領域で光が透過し、それ以外の領域で光
が透過しないようなパターンを有するものを使用する。
これを現像すると導電体膜27の形成領域のレジストが
除去され、それ以外の領域にレジストが残る。これをポ
ストベークする。この基板を、コイル形成工程と同様に
硫化銅と硫酸の混合メッキ液中に入れ、レジストが除去
された部分のCr/Cu金属膜表面にCuを10μmの
厚さにメッキし、その後、アセトンに浸し、超音波を印
加して、残ったレジストを除去する。この基板をエッチ
ング液でエッチングして、銅メッキされていない部分の
Cu/Cr金属膜を除去する。これにより図5に示すよ
うに、誘電体膜26を覆う導電体膜27が形成される。
(Formation of Conductor Film) Next, this substrate is placed in a sputtering apparatus, and continuous film formation is performed so that Cr has a thickness of 500 Å and Cu has a thickness of 2000 Å. After that, a photoresist is spin-coated and prebaked, and then contact exposure is performed using a photomask. The photomask used at this time has a pattern in which light is transmitted in the region where the conductor film 27 shown in FIG. 5 is formed and light is not transmitted in other regions.
When this is developed, the resist in the region where the conductor film 27 is formed is removed, and the resist remains in the other regions. Post bake this. This substrate was placed in a mixed plating solution of copper sulfide and sulfuric acid in the same manner as in the coil forming step, and the surface of the Cr / Cu metal film where the resist was removed was plated with Cu to a thickness of 10 μm, and then with acetone. Immerse and apply ultrasonic waves to remove the remaining resist. This substrate is etched with an etching solution to remove the Cu / Cr metal film in the portion not plated with copper. As a result, as shown in FIG. 5, a conductor film 27 that covers the dielectric film 26 is formed.

【0020】(層間絶縁膜の形成)次に、この基板上に
感光性ポリイミドパイメル(旭化成工業株式会社の商品
名)を5μmの厚さに回転塗布した後、フォトマスクを
用いて密着露光する。このフォトマスクのパターンは、
図6に示す層間絶縁膜29の形成領域にて光が透過し、
それ以外の領域では光が透過しない形状である。なおこ
の層間絶縁膜29の形成領域は、磁性体接続部分22a
と端子部25の他にさらに端子部28の部分が矩形状に
抜けた領域となる。密着露光後に、プレベークして現像
すると前記形成領域以外の感光性ポリイミドパイメルが
除去される。これを450℃でポストベークすることに
より、図6に示す層間絶縁膜29が形成される。
(Formation of Interlayer Insulating Film) Next, a photosensitive polyimide pimmel (trade name of Asahi Kasei Co., Ltd.) was spin-coated on this substrate to a thickness of 5 μm, and contact exposure was carried out using a photomask. . The pattern of this photomask is
Light is transmitted through the formation region of the interlayer insulating film 29 shown in FIG.
Light is not transmitted in the other regions. The region where the interlayer insulating film 29 is formed is the magnetic body connecting portion 22a.
In addition to the terminal portion 25, a portion of the terminal portion 28 becomes a rectangular hollow region. After the contact exposure, pre-baking and development remove the photosensitive polyimide pimels outside the formation area. By post-baking this at 450 ° C., the interlayer insulating film 29 shown in FIG. 6 is formed.

【0021】(磁性体膜の形成)次に、この基板をスパ
ッタ装置に設置し、基板を水冷しながらFe78Ta10
12の組成のターゲットを用いて、5μmの厚さにて成膜
する。この後、前記と同様にフォトレジストを回転塗布
し、プレベークし、図7に示す磁性体膜30の形成領域
でパターンで光が透過せず、それ以外の領域で光が透過
するパターンを有するフォトマスクを用いて密着露光し
現像する。これにより磁性体膜30の形成領域以外のレ
ジストが除去される。そして、ポストベークを行なう。
この基板を、イオンエッチング装置に設置して、Fe78
Ta1012膜が露出した領域すなわち前記形成領域以外
の領域をエッチングする。その後、レジストを除去する
と、図7に示す形状の磁性体膜30が形成される。な
お、この磁性体膜30は前記磁性体接続部分22a内に
て基板22と接続されている(図1参照)。その後、こ
の基板を真空中で300(Oe)中の磁場の中で回転さ
せながら、450℃で60分間アニールする。これによ
りに、磁束密度Bsが16000ガウス、保磁力Hcが
0.1(Oe)の優れた磁気特性を有する磁性体膜30
が得られる。上記製造方法で形成されたLCフィルタ
は、図3に示す等価回路のように、分布定数型で且つ磁
性体で覆われたものとなる。
(Formation of Magnetic Film) Next, this substrate was placed in a sputtering apparatus, and Fe 78 Ta 10 C was added while cooling the substrate with water.
A target having a composition of 12 is used to form a film with a thickness of 5 μm. Thereafter, a photoresist is spin-coated and pre-baked in the same manner as described above, and a photo having a pattern in which light is not transmitted in a pattern in the formation region of the magnetic film 30 shown in FIG. 7 and light is transmitted in the other regions. Contact exposure is performed using a mask and development is performed. As a result, the resist other than the region where the magnetic film 30 is formed is removed. Then, post bake is performed.
This substrate was placed in an ion etching apparatus and Fe 78
The region where the Ta 10 C 12 film is exposed, that is, the region other than the formation region is etched. Then, when the resist is removed, the magnetic film 30 having the shape shown in FIG. 7 is formed. The magnetic film 30 is connected to the substrate 22 in the magnetic connecting portion 22a (see FIG. 1). Then, the substrate is annealed at 450 ° C. for 60 minutes while rotating in a magnetic field of 300 (Oe) in vacuum. As a result, the magnetic substance film 30 having excellent magnetic characteristics with a magnetic flux density Bs of 16000 gauss and a coercive force Hc of 0.1 (Oe).
Is obtained. The LC filter formed by the above manufacturing method is of a distributed constant type and covered with a magnetic material, as in the equivalent circuit shown in FIG.

【0022】次に上記構成のフィルタの特性を、図8に
示す線図により説明する。図8は、横軸を周波数(MH
z)、縦軸を挿入損失(dB)として、上記実施例のL
Cフィルタと図11に示した従来のLCフィルタとの特
性を比較したものである。図8に示すように、前記実施
例によるLCフィルタではカットオフ周波数(挿入損失
が3dBとなる周波数)が1MHzであり、また10M
Hzの周波数での挿入損失は24dBであった。一方従
来例では、カットオフ周波数が30MHz以上である。
このように上記実施例のLCフィルタでは、低域にてノ
イズ除去できる優れた特性のものであることが解る。
Next, the characteristics of the filter having the above structure will be described with reference to the diagram shown in FIG. In FIG. 8, the horizontal axis represents frequency (MH
z) and the insertion loss (dB) on the vertical axis, L of the above embodiment
12 is a comparison of the characteristics of the C filter and the conventional LC filter shown in FIG. 11. As shown in FIG. 8, in the LC filter according to the embodiment, the cutoff frequency (the frequency at which the insertion loss is 3 dB) is 1 MHz, and the cutoff frequency is 10 M.
The insertion loss at the frequency of Hz was 24 dB. On the other hand, in the conventional example, the cutoff frequency is 30 MHz or higher.
As described above, it is understood that the LC filter of the above-described embodiment has an excellent characteristic that noise can be removed in the low frequency range.

【0023】また、前記実施例では、基板22として磁
性体で且つ全体が絶縁性の材料を使用しているが、この
基板として絶縁性の無い磁性体を使用しその表面に絶縁
膜を形成したものを使用することもできる。または基板
22として非磁性体の表面に磁性体膜を形成し、この磁
性体膜の表面に絶縁膜を形成したものを使用することも
できる。例えば非磁性のセラミックであるデビトロンL
P−861(石塚硝子株式会社の商品名)を使用し、こ
の基板上に磁性体膜としてFe78Ta1012を5μmの
厚さ成膜し、さらにこのFe78Ta1012膜の上に絶縁
膜としてSiO2を1μmの厚さにて成膜した基板を使
用することが可能である。この基板を使用して前記のコ
イル、誘電体膜、導電体膜、層間絶縁膜、磁性体膜を成
膜して、前記実施例と同等のLCフィルタを形成するこ
とができる。また、前記実施例のように、このLCフィ
ルタは、4インチ角の大基板から6000個、また6イ
ンチ丸の大基板から12000個同時に製造することが
でき、大量生産によるコスト低減にも寄与することがで
きる。
In the above embodiment, the substrate 22 is made of a magnetic material and is entirely insulative. However, a non-insulating magnetic material is used as the substrate and an insulating film is formed on the surface thereof. One can also be used. Alternatively, as the substrate 22, a magnetic film formed on the surface of a non-magnetic material and an insulating film formed on the surface of the magnetic film may be used. For example, Devitron L, which is a non-magnetic ceramic
Using P-861 (trade name of Ishizuka Glass Co., Ltd.), Fe 78 Ta 10 C 12 is formed as a magnetic film on this substrate to a thickness of 5 μm, and further on this Fe 78 Ta 10 C 12 film. It is possible to use a substrate on which SiO 2 is deposited as an insulating film with a thickness of 1 μm. Using this substrate, the coil, the dielectric film, the conductor film, the interlayer insulating film, and the magnetic film can be formed to form an LC filter equivalent to that of the above embodiment. Further, as in the above-mentioned embodiment, this LC filter can simultaneously manufacture 6000 pieces from a large 4-inch square substrate and 12,000 pieces from a large 6-inch round substrate, which contributes to cost reduction by mass production. be able to.

【0024】[0024]

【発明の効果】請求項1記載の発明では、平面形状に巻
き形成されたコイル部材を誘電体層により覆うことによ
り、薄型の分布定数型のLCフィルタを得ることができ
る。
According to the first aspect of the invention, a thin distributed constant type LC filter can be obtained by covering the coil member wound in a planar shape with the dielectric layer.

【0025】請求項2記載の発明では、磁性体の基板を
使用し、さらに誘電体層の上に磁性体を積層することに
よりインダクタンスを大きくでき、カットオフ周波数を
従来のものよりも低くできる。
According to the second aspect of the present invention, the magnetic substrate is used, and the magnetic substance is laminated on the dielectric layer, whereby the inductance can be increased and the cutoff frequency can be made lower than the conventional one.

【0026】請求項3記載の発明では、薄膜積層技術を
用いて、導電体による平面形状のコイル部材および誘電
体層などを形成でき、安定した品質のLCフィルタを量
産できるようになる。
According to the third aspect of the present invention, a planar coil member and a dielectric layer made of an electric conductor can be formed by using the thin film laminating technique, and an LC filter of stable quality can be mass-produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のLCフィルタの実施例を示す拡大断面
図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing an embodiment of an LC filter of the present invention.

【図2】図1に示したLCフィルタの等価回路図であ
る。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the LC filter shown in FIG.

【図3】上記実施例のLCフィルタの製造工程を示すも
のであり、基板にコイルが形成された状態を示す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view showing a manufacturing process of the LC filter of the above embodiment, showing a state in which a coil is formed on the substrate.

【図4】コイルの上に誘電体膜が形成された状態を示す
斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a dielectric film is formed on a coil.

【図5】誘電体膜上に導電体膜が形成された状態を示す
斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which a conductor film is formed on a dielectric film.

【図6】層間絶縁膜が形成された状態を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a state in which an interlayer insulating film is formed.

【図7】磁性体膜が形成された状態を示す斜視図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which a magnetic film is formed.

【図8】上記実施例と従来例のLCフィルタの挿入損出
特性を示す線図である。
FIG. 8 is a diagram showing insertion loss characteristics of the LC filters of the above-described embodiment and the conventional example.

【図9】従来のピンタイプのLCフィルタを示す斜視図
である。
FIG. 9 is a perspective view showing a conventional pin type LC filter.

【図10】図9に示した従来のピンタイプのLCフィル
タの分解斜視図である。
10 is an exploded perspective view of the conventional pin type LC filter shown in FIG.

【図11】従来のチップタイプのLCフィルタを示す斜
視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing a conventional chip type LC filter.

【図12】図11に示した従来のチップタイプのLCフ
ィルタの部分分解斜視図である。
12 is a partially exploded perspective view of the conventional chip type LC filter shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 LCフィルタ 22 基板 22a 磁性体接続部分 23 コイル 24 端子部 25 端子部 26 誘電体膜 27 導電体膜 28 端子部 29 層間絶縁膜 30 磁性体膜 21 LC Filter 22 Substrate 22a Magnetic Material Connection Part 23 Coil 24 Terminal Part 25 Terminal Part 26 Dielectric Film 27 Conductor Film 28 Terminal Part 29 Interlayer Insulating Film 30 Magnetic Material Film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿原 良亘 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 蛸島 武広 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 中村 功 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ryokan Kakihara 1-7 Yukiya Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd. (72) Inventor Takehiro Takeshima 1-7 Yukiya Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd. (72) Inventor Isao Nakamura 1-7 Yukiya Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、この基板上に絶縁されて平面状
に巻き形成されたコイル部材と、このコイル部材上に積
層された誘電体層と、前記コイル部材の複数箇所と前記
誘電体層とにそれぞれ電気的に導通可能な端子部とを有
することを特徴とするLCフィルタ。
1. A substrate, a coil member which is insulated from the substrate and wound in a planar shape, a dielectric layer laminated on the coil member, a plurality of portions of the coil member and the dielectric layer. An LC filter, characterized in that it has a terminal portion which can be electrically conducted to and, respectively.
【請求項2】 基板は磁性体により形成され、且つ誘電
体層の上に、端子部を除いて磁性体層が設けられている
請求項1記載のLCフィルタ。
2. The LC filter according to claim 1, wherein the substrate is made of a magnetic material, and the magnetic material layer is provided on the dielectric layer except the terminal portion.
【請求項3】 基板上にこの基板と絶縁された導電体層
を形成する工程と、この導電体層の不要部分を除去加工
して平面形状に巻かれたコイル部材を形成する工程と、
コイル部材上に端子部を残して誘電体層を積層する工程
とを有することを特徴とするLCフィルタの製造方法。
3. A step of forming a conductor layer insulated from the substrate on the substrate, a step of removing an unnecessary portion of the conductor layer to form a coil member wound in a planar shape,
And a step of laminating a dielectric layer on the coil member while leaving the terminal portion, the manufacturing method of the LC filter.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034626A (en) * 2006-07-28 2008-02-14 Tdk Corp Electronic component and its manufacturing method
CN106409484A (en) * 2015-07-29 2017-02-15 三星电机株式会社 Coil component and method of manufacturing the same
JP2020529177A (en) * 2017-07-25 2020-10-01 ダブリュジェイエルピー カンパニー インコーポレイティド Inductive-capacitive filters and related systems and methods

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034626A (en) * 2006-07-28 2008-02-14 Tdk Corp Electronic component and its manufacturing method
CN106409484A (en) * 2015-07-29 2017-02-15 三星电机株式会社 Coil component and method of manufacturing the same
US10340073B2 (en) 2015-07-29 2019-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Coil component and method of manufacturing the same
US10490337B2 (en) 2015-07-29 2019-11-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Coil component and method of manufacturing the same
JP2020529177A (en) * 2017-07-25 2020-10-01 ダブリュジェイエルピー カンパニー インコーポレイティド Inductive-capacitive filters and related systems and methods

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