JPH0738312A - ミリ波装置の製造方法 - Google Patents
ミリ波装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0738312A JPH0738312A JP5197646A JP19764693A JPH0738312A JP H0738312 A JPH0738312 A JP H0738312A JP 5197646 A JP5197646 A JP 5197646A JP 19764693 A JP19764693 A JP 19764693A JP H0738312 A JPH0738312 A JP H0738312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mount
- millimeter wave
- wave device
- parallel plates
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ＮＲＤガイドを用いた際にも放熱に優れ、かつ
取扱いやすい半導体素子のマウント方法を提供する。 【構成】平行平板の間に誘電体ストリップを配した導波
路を含み、(ａ)前記平行平板の平板間隔以上の幅の搭載
面を有する熱伝導性のよいマウントであるパッケージ及
び保持治具20を用意し、(ｂ)前記搭載面上にガンダイオ
ード10からなる素子部を搭載し、(ｃ)前記平行平板の端
部に前記素子部が該平行平板のほぼ中心に位置するよう
に前記マウントを固定する。
取扱いやすい半導体素子のマウント方法を提供する。 【構成】平行平板の間に誘電体ストリップを配した導波
路を含み、(ａ)前記平行平板の平板間隔以上の幅の搭載
面を有する熱伝導性のよいマウントであるパッケージ及
び保持治具20を用意し、(ｂ)前記搭載面上にガンダイオ
ード10からなる素子部を搭載し、(ｃ)前記平行平板の端
部に前記素子部が該平行平板のほぼ中心に位置するよう
に前記マウントを固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＮＲＤガイド（非放射
性誘電体線路）とガンダイオードなどの半導体素子とを
組み合わせたミリ波装置の製造方法に関し、特には、ミ
リ波ガンダイオード発振器の製造方法に関する。
性誘電体線路）とガンダイオードなどの半導体素子とを
組み合わせたミリ波装置の製造方法に関し、特には、ミ
リ波ガンダイオード発振器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）
は、導電性の平行平板の間隔を使用周波数の１／２波長
以下の長さとし、その間に誘電体ストリップを挿入した
ものであり、電磁波はこの誘電体ストリップに沿って伝
搬する。ＮＲＤガイドは、非放射性のためマイクロスト
リップ回路に比べて伝搬損失が低く、また導波管と比較
して伝搬路の製作が容易であり、３０ＧＨｚ以上ミリ波
帯の伝送路として注目されている。
は、導電性の平行平板の間隔を使用周波数の１／２波長
以下の長さとし、その間に誘電体ストリップを挿入した
ものであり、電磁波はこの誘電体ストリップに沿って伝
搬する。ＮＲＤガイドは、非放射性のためマイクロスト
リップ回路に比べて伝搬損失が低く、また導波管と比較
して伝搬路の製作が容易であり、３０ＧＨｚ以上ミリ波
帯の伝送路として注目されている。
【０００３】このＮＲＤガイドとガンダイオードを組み
合わせたミリ波発振器が開発されている。図５に示すよ
うに、金属板からなる平行平板１の間に、ダイオード素
子２を搭載したマウント３が置かれており、ダイオード
素子２からの高周波出力は、金属ストリップ線路からな
る共振器４を介して誘電体ストリップ５に導出されてい
る。また、バイアスチョーク６を介してダイオード素子
２の駆動バイアス電流が印加される。
合わせたミリ波発振器が開発されている。図５に示すよ
うに、金属板からなる平行平板１の間に、ダイオード素
子２を搭載したマウント３が置かれており、ダイオード
素子２からの高周波出力は、金属ストリップ線路からな
る共振器４を介して誘電体ストリップ５に導出されてい
る。また、バイアスチョーク６を介してダイオード素子
２の駆動バイアス電流が印加される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなミリ波発振
器は、伝搬路における損失が低く、その作成も容易であ
るが、充分な高周波出力を得ることができない。すなわ
ち、ガンダイオードを平行平板間に収まるような小さな
マウントに装着しているため、その熱抵抗が大きく、充
分な駆動電流を流すことができない、もしくは、大きな
駆動電流を流した際には高温での動作により信頼性が著
しく劣化する。また、小さなマウントを取扱うため、ハ
ンドリングが難しく、組立てに熟練が要求される。
器は、伝搬路における損失が低く、その作成も容易であ
るが、充分な高周波出力を得ることができない。すなわ
ち、ガンダイオードを平行平板間に収まるような小さな
マウントに装着しているため、その熱抵抗が大きく、充
分な駆動電流を流すことができない、もしくは、大きな
駆動電流を流した際には高温での動作により信頼性が著
しく劣化する。また、小さなマウントを取扱うため、ハ
ンドリングが難しく、組立てに熟練が要求される。
【０００５】本発明の目的は、ＮＲＤガイドを用いた際
にも放熱に優れ、かつ取扱いやすい半導体素子のマウン
ト方法を提供するものである。
にも放熱に優れ、かつ取扱いやすい半導体素子のマウン
ト方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるミリ波装置
の製造方法は、平行平板の間に誘電体ストリップを配し
た導波路を含み、(ａ)前記平行平板の平板間隔以上の幅
の搭載面を有する熱伝導性のよいマウントを用意し、
(ｂ)前記搭載面上に半導体動作部分からなる素子部を搭
載し、(ｃ)前記平行平板の端部に前記素子部が該平行平
板のほぼ中心に位置するように前記マウントを固定する
ものである。加えて、前記半導体動作部分がガンダイオ
ードを構成することが望ましい。
の製造方法は、平行平板の間に誘電体ストリップを配し
た導波路を含み、(ａ)前記平行平板の平板間隔以上の幅
の搭載面を有する熱伝導性のよいマウントを用意し、
(ｂ)前記搭載面上に半導体動作部分からなる素子部を搭
載し、(ｃ)前記平行平板の端部に前記素子部が該平行平
板のほぼ中心に位置するように前記マウントを固定する
ものである。加えて、前記半導体動作部分がガンダイオ
ードを構成することが望ましい。
【０００７】
【作用及び効果】本発明によれは、熱伝導性がよいマウ
ントの広い幅の搭載面に素子部が搭載されているため放
熱性に優れ、同時に、平行平板の端部にマウントを固定
するために組立てが容易であり、また、素子部が平行平
板のほぼ中心に位置するため少ない損失での誘電体スト
リップへのミリ波信号の入出力が可能となる。したがっ
て、半導体動作部分からなる素子部の熱環境が改善され
るとともに、装置組立ての作業性が向上し、加えて、Ｎ
ＲＤガイドへの効率のよい伝送が可能となる。
ントの広い幅の搭載面に素子部が搭載されているため放
熱性に優れ、同時に、平行平板の端部にマウントを固定
するために組立てが容易であり、また、素子部が平行平
板のほぼ中心に位置するため少ない損失での誘電体スト
リップへのミリ波信号の入出力が可能となる。したがっ
て、半導体動作部分からなる素子部の熱環境が改善され
るとともに、装置組立ての作業性が向上し、加えて、Ｎ
ＲＤガイドへの効率のよい伝送が可能となる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例であるガンダイオード発振
器の製造工程を図１〜図３を用いて以下に説明する。
器の製造工程を図１〜図３を用いて以下に説明する。
【０００９】図１に示すように、ガンダイオード１０を
その一端に設けられたねじ１２により、外径４ｍｍ、長
さ１２ｍｍのパイプ状の保持治具２０の一端に固定す
る。ガンダイオード１０は、外径３ｍｍ、長さ４ｍｍの
ピル型パッケージに収められており、ねじ部１２の逆側
に凸状の電極部１１があり、その中に発振周波数約５０
ＧＨｚのＩｎＰ半導体からなるガンダイオード素子部が
収められている。ピル型パッケージおよび保持治具２０
は、銅製であり、表面に金めっきがなされている。熱伝
導性の良いマウントであるこのパッケージおよび保持治
具２０により、ガンダイオード１０は充分に放熱され、
また、取扱いも容易である。
その一端に設けられたねじ１２により、外径４ｍｍ、長
さ１２ｍｍのパイプ状の保持治具２０の一端に固定す
る。ガンダイオード１０は、外径３ｍｍ、長さ４ｍｍの
ピル型パッケージに収められており、ねじ部１２の逆側
に凸状の電極部１１があり、その中に発振周波数約５０
ＧＨｚのＩｎＰ半導体からなるガンダイオード素子部が
収められている。ピル型パッケージおよび保持治具２０
は、銅製であり、表面に金めっきがなされている。熱伝
導性の良いマウントであるこのパッケージおよび保持治
具２０により、ガンダイオード１０は充分に放熱され、
また、取扱いも容易である。
【００１０】図２、図３は、ガンダイオード１０の取付
け部付近の垂直断面図および水平断面図である。ＮＲＤ
ガイドの平行平板の下側を構成する下側金属板３０の端
部にはガンダイオード１０を取付けるための凸部３１が
設けられている。ガンダイオード１０を取り付けた保持
治具２０を凸部３１に設けられた開口部３２に装着す
る。保持治具２０の外周部と、開口部３２の内壁部はね
じにより噛み合う。ガンダイオード１０の凸状の電極部
１１は、開口部３２底の窓３３を通じて導波路内部に位
置している。
け部付近の垂直断面図および水平断面図である。ＮＲＤ
ガイドの平行平板の下側を構成する下側金属板３０の端
部にはガンダイオード１０を取付けるための凸部３１が
設けられている。ガンダイオード１０を取り付けた保持
治具２０を凸部３１に設けられた開口部３２に装着す
る。保持治具２０の外周部と、開口部３２の内壁部はね
じにより噛み合う。ガンダイオード１０の凸状の電極部
１１は、開口部３２底の窓３３を通じて導波路内部に位
置している。
【００１１】他方、ＮＲＤガイドの平行平板の上側を構
成する上側金属板４０は、下側金属板３０と２．２５ｍ
ｍ（または、２．５ｍｍ以下）の間隔をもって固定され
る。開口部３２底の窓３３は、この間隔の中心に位置い
る。窓３３が設けられた凸部３１の側壁３４は上側金属
板４０および下側金属板３０の内壁に垂直である。窓３
３に隣接した側壁３４上には、ガンダイオード１０に駆
動電流を供給するためのバイアスチョーク５１があり、
電極１１にリードで接続されている。また、ガンダイオ
ード１０の発振出力は、金属ストリップ共振器５２を介
して、誘電体ストリップ６０に導かれる。誘電体ストリ
ップ６０は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂からな
り、その高さは平行平板の間隔と同じであり、幅は２．
５ｍｍである。ガンダイオード１０の電極１１がＮＲＤ
ガイドの平行平板のほぼ中心に位置されているため、誘
電体ストリップ６０への導出が容易となり、低損失で発
振出力を取り出すことができる。
成する上側金属板４０は、下側金属板３０と２．２５ｍ
ｍ（または、２．５ｍｍ以下）の間隔をもって固定され
る。開口部３２底の窓３３は、この間隔の中心に位置い
る。窓３３が設けられた凸部３１の側壁３４は上側金属
板４０および下側金属板３０の内壁に垂直である。窓３
３に隣接した側壁３４上には、ガンダイオード１０に駆
動電流を供給するためのバイアスチョーク５１があり、
電極１１にリードで接続されている。また、ガンダイオ
ード１０の発振出力は、金属ストリップ共振器５２を介
して、誘電体ストリップ６０に導かれる。誘電体ストリ
ップ６０は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂からな
り、その高さは平行平板の間隔と同じであり、幅は２．
５ｍｍである。ガンダイオード１０の電極１１がＮＲＤ
ガイドの平行平板のほぼ中心に位置されているため、誘
電体ストリップ６０への導出が容易となり、低損失で発
振出力を取り出すことができる。
【００１２】以上の実施例では、マウントを円筒状（パ
イプ状）としているが、角柱状等でもよい。マウント部
分が、パッケージおよび保持治具２０に分割されている
ので種々のパッケージに対応できる利点があるが、分割
しない構造でもよく、充分広い搭載面にガンダイオード
を密着できればよい。他の実施例として図４に示すよう
に、ガンダイオード１０を保持治具２０の充分に大きな
保持面２１上に固定し、この保持面２１を平行平板を構
成する下側金属板３０および上側金属板４０をノックピ
ン２１を用いて固定してもよい。また、マウント部を平
行平板の端部に直接固定してもよい。バイアスチョー
ク、金属ストリップ共振器は適宜変更しうる。誘電体ス
トリップは、マウント搭載面からの影響を受けないため
に使用周波数の１波長程度離して配置することが望まし
い。
イプ状）としているが、角柱状等でもよい。マウント部
分が、パッケージおよび保持治具２０に分割されている
ので種々のパッケージに対応できる利点があるが、分割
しない構造でもよく、充分広い搭載面にガンダイオード
を密着できればよい。他の実施例として図４に示すよう
に、ガンダイオード１０を保持治具２０の充分に大きな
保持面２１上に固定し、この保持面２１を平行平板を構
成する下側金属板３０および上側金属板４０をノックピ
ン２１を用いて固定してもよい。また、マウント部を平
行平板の端部に直接固定してもよい。バイアスチョー
ク、金属ストリップ共振器は適宜変更しうる。誘電体ス
トリップは、マウント搭載面からの影響を受けないため
に使用周波数の１波長程度離して配置することが望まし
い。
【図１】本実施例によるガンダイオード発振器の製造工
程を説明するためガンダイオードおよび保持治具の断面
図である。
程を説明するためガンダイオードおよび保持治具の断面
図である。
【図２】本実施例によるガンダイオード発振器の製造工
程を説明するためガンダイオードの取付け部付近の垂直
断面図である。
程を説明するためガンダイオードの取付け部付近の垂直
断面図である。
【図３】本実施例によるガンダイオード発振器の製造工
程を説明するためガンダイオードの取付け部付近の水平
断面図である。
程を説明するためガンダイオードの取付け部付近の水平
断面図である。
【図４】他の実施例によるガンダイオード発振器の製造
工程を説明するための斜視概念図である。
工程を説明するための斜視概念図である。
【図５】従来技術によるＮＲＤガイドとガンダイオード
を組み合わせたミリ波発振器の構造を説明するための斜
視概念図である。
を組み合わせたミリ波発振器の構造を説明するための斜
視概念図である。
１０ ガンダイオード １１ 電極部 １２ ねじ部 ２０ 保持治具 ２１ ノックピン ３０ 下側金属板 ３１ 凸部 ３２ 開口部 ３３ 窓 ４０ 上側金属板 ５１ バイアスチョーク ５２ 金属ストリップ共振器 ６０ 誘電体ストリップ
Claims (2)
- 【請求項１】 平行平板の間に誘電体ストリップを配し
た導波路を含むミリ波装置の製造方法において、 (ａ)前記平行平板の平板間隔以上の幅の搭載面を有する
熱伝導性のよいマウントを用意し、 (ｂ)前記搭載面上に半導体動作部分からなる素子部を搭
載し、 (ｃ)前記平行平板の端部に前記素子部が該平行平板のほ
ぼ中心に位置するように前記マウントを固定することを
特徴とするミリ波装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体動作部分がガンダイオードを
構成することを特徴とする請求項１記載のミリ波装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197646A JPH0738312A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ミリ波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197646A JPH0738312A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ミリ波装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738312A true JPH0738312A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16377958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5197646A Pending JPH0738312A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ミリ波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007251A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Nrdtech Co. | A non-radiative dielectric waveguide circuit positioned between two metal plates which are multi-layered for different sizes of spacers |
| WO2002067366A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Nrdtech Co., Ltd | Coupling structure for sma connector-nrd guide |
| WO2002069439A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-06 | Nrdtech Co., Ltd. | Fm modulator for nrd guide circuit |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5197646A patent/JPH0738312A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007251A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Nrdtech Co. | A non-radiative dielectric waveguide circuit positioned between two metal plates which are multi-layered for different sizes of spacers |
| WO2002067366A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Nrdtech Co., Ltd | Coupling structure for sma connector-nrd guide |
| WO2002069439A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-06 | Nrdtech Co., Ltd. | Fm modulator for nrd guide circuit |
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