JPH0738016A - 保護膜材料溶液 - Google Patents
保護膜材料溶液Info
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- JPH0738016A JPH0738016A JP20010993A JP20010993A JPH0738016A JP H0738016 A JPH0738016 A JP H0738016A JP 20010993 A JP20010993 A JP 20010993A JP 20010993 A JP20010993 A JP 20010993A JP H0738016 A JPH0738016 A JP H0738016A
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- Japan
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- protective film
- material solution
- film material
- solvent
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大口径化された基板に対する塗布性に優れる
保護膜材料溶液を提供する。 【構成】 半導体基板の一方の面に集積回路を形成後、
その集積回路を形成した面に保護膜材料溶液を塗布し、
乾燥させて保護膜を形成し、他方の面をエッチングまた
は研磨する工程を有する集積回路の製造方法に使用する
保護膜材料溶液において、前記保護膜材料溶液がノボラ
ック樹脂と溶剤とを主成分とし、かつ該溶剤が炭素数７
または８のケトン類、プロピレングリコールアルキルエ
ーテル類およびアルコキシプロピオン酸エステル類より
なる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するこ
とを特徴とする保護膜材料溶液。
保護膜材料溶液を提供する。 【構成】 半導体基板の一方の面に集積回路を形成後、
その集積回路を形成した面に保護膜材料溶液を塗布し、
乾燥させて保護膜を形成し、他方の面をエッチングまた
は研磨する工程を有する集積回路の製造方法に使用する
保護膜材料溶液において、前記保護膜材料溶液がノボラ
ック樹脂と溶剤とを主成分とし、かつ該溶剤が炭素数７
または８のケトン類、プロピレングリコールアルキルエ
ーテル類およびアルコキシプロピオン酸エステル類より
なる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するこ
とを特徴とする保護膜材料溶液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は保護膜材料溶液に関し、
特に回路形成後に半導体基板の裏面をエッチングまたは
研磨する際に回路形成面の保護に用いる改良された保護
膜材料溶液に関する。
特に回路形成後に半導体基板の裏面をエッチングまたは
研磨する際に回路形成面の保護に用いる改良された保護
膜材料溶液に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造においては、シリコンウ
ェーハなどの半導体基板の一方の面に集積回路を形成し
た後に、イオン注入などによって基板の裏面に形成され
た不純物の除去や基板の薄肉化を目的として基板の裏面
を研磨やエッチングで削ることが行なわれる。この際
に、集積回路を形成した面は保護膜で被覆され、この保
護膜は裏面を削った後に剥離される。従来の集積回路の
製造方法においては、このような保護膜の材料としてノ
ボラック樹脂をエチルセロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブ、ジグライムなどに溶解してなる保護膜材料溶
液が用いられ、保護膜は、該保護膜材料溶液を常法によ
って半導体基板の集積回路を形成した面に塗布し、乾燥
させることにより形成されている。
ェーハなどの半導体基板の一方の面に集積回路を形成し
た後に、イオン注入などによって基板の裏面に形成され
た不純物の除去や基板の薄肉化を目的として基板の裏面
を研磨やエッチングで削ることが行なわれる。この際
に、集積回路を形成した面は保護膜で被覆され、この保
護膜は裏面を削った後に剥離される。従来の集積回路の
製造方法においては、このような保護膜の材料としてノ
ボラック樹脂をエチルセロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブ、ジグライムなどに溶解してなる保護膜材料溶
液が用いられ、保護膜は、該保護膜材料溶液を常法によ
って半導体基板の集積回路を形成した面に塗布し、乾燥
させることにより形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、上記の従来
の集積回路の製造方法に用いられる保護膜材料溶液は、
近年の集積回路の高集積化に伴ない大口径化される基板
に対する塗布性が十分でない。つまり、従来の４インチ
程度までの口径の基板に対してはさほど問題視されてい
なかった塗布性が６インチ以上の口径の基板にスピンコ
ートした場合、従来の保護膜材料溶液は基板の外周に沿
って塗れ残り（はじき）が生じやすくなり、そのため塗
布量を多くすることが必要であり、また膜厚が必要以上
に厚くなったりするなどの問題点を有する。そこで、本
発明の目的は、大口径化された基板に対する塗布性に優
れる保護膜材料溶液を提供することにある。
の集積回路の製造方法に用いられる保護膜材料溶液は、
近年の集積回路の高集積化に伴ない大口径化される基板
に対する塗布性が十分でない。つまり、従来の４インチ
程度までの口径の基板に対してはさほど問題視されてい
なかった塗布性が６インチ以上の口径の基板にスピンコ
ートした場合、従来の保護膜材料溶液は基板の外周に沿
って塗れ残り（はじき）が生じやすくなり、そのため塗
布量を多くすることが必要であり、また膜厚が必要以上
に厚くなったりするなどの問題点を有する。そこで、本
発明の目的は、大口径化された基板に対する塗布性に優
れる保護膜材料溶液を提供することにある。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明は、前記の問題
点を解決するものとして、半導体基板の一方の面に集積
回路を形成後、その集積回路を形成した面に保護膜材料
溶液を塗布し、乾燥させて保護膜を形成し、他方の面を
エッチングまたは研磨する工程を有する集積回路の製造
方法を使用する保護膜材料溶液において、前記保護膜材
料溶液がノボラック樹脂と溶剤とを主成分とし、かつ該
溶剤が炭素数７または８のケトン類、プロピレングリコ
ールアルキルエーテル類およびアルコキシプロピオン酸
エステル類よりなる群から選ばれる少なくとも１種の溶
剤を含有することを特徴とする保護膜材料溶液を提供す
るものである。
点を解決するものとして、半導体基板の一方の面に集積
回路を形成後、その集積回路を形成した面に保護膜材料
溶液を塗布し、乾燥させて保護膜を形成し、他方の面を
エッチングまたは研磨する工程を有する集積回路の製造
方法を使用する保護膜材料溶液において、前記保護膜材
料溶液がノボラック樹脂と溶剤とを主成分とし、かつ該
溶剤が炭素数７または８のケトン類、プロピレングリコ
ールアルキルエーテル類およびアルコキシプロピオン酸
エステル類よりなる群から選ばれる少なくとも１種の溶
剤を含有することを特徴とする保護膜材料溶液を提供す
るものである。
【０００５】本発明の方法に用いられる半導体基板とし
ては、例えばシリコン、ガリウムヒ素などの基板が挙げ
られ、集積回路は、常法にしたがって半導体基板上に形
成される。例えば、シリコン・プレーナトランジスタの
場合は、（１）シリコンウェーハの熱酸化、（２）アイ
ソレーション拡散部分のエッチング、（３）アイソレー
ション拡散、（４）ベース拡散部分のエッチング、
（５）ベース拡散、（６）ベース領域のエミッタ拡散部
分のエッチング、（７）エミッタ拡散、（８）エミッ
タ、ベースおよびコレクタ領域の電極コンタクト用穴あ
け、（９）配線材料の蒸着、（１０）不要蒸着面のエッ
チングなどの工程により集積回路が形成される。こうし
た半導体基板の集積回路を形成した面に保護膜を形成す
るには、保護膜材料溶液を、例えばスピンナーで回転塗
布した後、ホットプート上やクリーンオーブン内で乾燥
して溶剤を除去すればよい。
ては、例えばシリコン、ガリウムヒ素などの基板が挙げ
られ、集積回路は、常法にしたがって半導体基板上に形
成される。例えば、シリコン・プレーナトランジスタの
場合は、（１）シリコンウェーハの熱酸化、（２）アイ
ソレーション拡散部分のエッチング、（３）アイソレー
ション拡散、（４）ベース拡散部分のエッチング、
（５）ベース拡散、（６）ベース領域のエミッタ拡散部
分のエッチング、（７）エミッタ拡散、（８）エミッ
タ、ベースおよびコレクタ領域の電極コンタクト用穴あ
け、（９）配線材料の蒸着、（１０）不要蒸着面のエッ
チングなどの工程により集積回路が形成される。こうし
た半導体基板の集積回路を形成した面に保護膜を形成す
るには、保護膜材料溶液を、例えばスピンナーで回転塗
布した後、ホットプート上やクリーンオーブン内で乾燥
して溶剤を除去すればよい。
【０００６】本発明において保護膜の形成に用いられる
ノボラック樹脂は特に限定されないが、ゲルパーミエー
ションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法により求められるポ
リスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）が１，０００以上であるものが好ましい。Ｍｗが
１，０００未満であると、得られる保護膜の塗膜性が不
良となりやすく、また保護膜材料溶液の塗布後の乾燥時
にノボラック樹脂の原料となるモノマーなどの異臭が発
生する恐れがある。ノボラック樹脂のＭｗは、通常３
０，０００以下であるが、ゲルが生じない限り、例えば
約５０，０００程度のものでも使用することができる。
ノボラック樹脂は特に限定されないが、ゲルパーミエー
ションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法により求められるポ
リスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）が１，０００以上であるものが好ましい。Ｍｗが
１，０００未満であると、得られる保護膜の塗膜性が不
良となりやすく、また保護膜材料溶液の塗布後の乾燥時
にノボラック樹脂の原料となるモノマーなどの異臭が発
生する恐れがある。ノボラック樹脂のＭｗは、通常３
０，０００以下であるが、ゲルが生じない限り、例えば
約５０，０００程度のものでも使用することができる。
【０００７】本発明に用いられるノボラック樹脂は常法
により製造することができ、例えばフェノール類とアル
デヒド類とを酸触媒の存在下で付加縮合させることによ
り得られる。 ノボラック樹脂の製造に用いられるフェ
ノール類としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェ
ノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノー
ル、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ
−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−
キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレ
ノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチ
ルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、α−ナフトール、ビスフェノー
ルＡ、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ルなどが挙げられ、これらのフェノール類のうち、フェ
ノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノール、レゾルシノール、
２−メチルレゾルシノールおよびビスフェノールＡが好
ましい。これらのフェノール類は１種単独でも、または
２種以上混合しても使用することができる。
により製造することができ、例えばフェノール類とアル
デヒド類とを酸触媒の存在下で付加縮合させることによ
り得られる。 ノボラック樹脂の製造に用いられるフェ
ノール類としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェ
ノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノー
ル、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ
−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−
キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレ
ノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチ
ルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、α−ナフトール、ビスフェノー
ルＡ、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ルなどが挙げられ、これらのフェノール類のうち、フェ
ノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノール、レゾルシノール、
２−メチルレゾルシノールおよびビスフェノールＡが好
ましい。これらのフェノール類は１種単独でも、または
２種以上混合しても使用することができる。
【０００８】また、アルデヒド類としては、例えばホル
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズア
ルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデビドなどが挙げ
られ、これらのアルデヒド類のうち、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒドおよびベンズアルデヒドが好まし
い。これらのアルデヒド類は１種単独でも、または２種
以上混合しても使用することができる。
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズア
ルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデビドなどが挙げ
られ、これらのアルデヒド類のうち、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒドおよびベンズアルデヒドが好まし
い。これらのアルデヒド類は１種単独でも、または２種
以上混合しても使用することができる。
【０００９】アルデヒド類は、フェノール類１モル当た
り、通常、０．７〜３モル、好ましくは０．７〜２モル
の割合で使用される。酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫
酸などの無機酸、あるいはギ酸、シュウ酸、酢酸などの
有機酸が使用される。これらの酸触媒の使用量は、フェ
ノール類１モル当たり、１×１０-4〜５×１０-1モルが
好ましい。
り、通常、０．７〜３モル、好ましくは０．７〜２モル
の割合で使用される。酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫
酸などの無機酸、あるいはギ酸、シュウ酸、酢酸などの
有機酸が使用される。これらの酸触媒の使用量は、フェ
ノール類１モル当たり、１×１０-4〜５×１０-1モルが
好ましい。
【００１０】縮合反応においては、通常、反応媒質とし
て水を用いるが、縮合反応において使用するフェノール
類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不
均一系になる場合には、反応媒質として親水性溶媒を使
用することもできる。この際使用される溶媒としては、
あるいは、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのアルコール類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどの環状エーテル類が挙げられる。こ
れらの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部当た
り、２０〜１０００重量部が好ましい。縮合反応の反応
温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整することが
できるが、通常、０〜２００℃、好ましくは７０〜１５
０℃である。縮合反応終了後、系内に存在する未反応原
料、酸触媒および反応媒質を除去するため、一般的には
内温を１３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下で揮発分を
留去してノボラック樹脂を回収する。
て水を用いるが、縮合反応において使用するフェノール
類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不
均一系になる場合には、反応媒質として親水性溶媒を使
用することもできる。この際使用される溶媒としては、
あるいは、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのアルコール類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどの環状エーテル類が挙げられる。こ
れらの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部当た
り、２０〜１０００重量部が好ましい。縮合反応の反応
温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整することが
できるが、通常、０〜２００℃、好ましくは７０〜１５
０℃である。縮合反応終了後、系内に存在する未反応原
料、酸触媒および反応媒質を除去するため、一般的には
内温を１３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下で揮発分を
留去してノボラック樹脂を回収する。
【００１１】本発明の方法により保護膜を形成する際に
用いられる保護膜材料溶液の調製に用いられる溶剤とし
ては、炭素数７または８のケトン類、プロピレングリコ
ールアルキルエーテル類およびはアルコキシプロピオン
酸エステル類よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
溶剤を含有することが必要である。炭素数７または８の
ケトン類としては、メチルアミルケトン、メチルイソア
ミルケトン、シプロピルケトン、ジイソプロピルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルヘキシルケトン、エチ
ルペンチルケトンなどを例示することができる。プロピ
レングリコールアルキルエーテル類としては、例えばプ
ロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコ
ールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエー
テルなどを例示することができる。アルコキシプロピオ
ン酸エステル類としては、例えば２−メトキシプロピオ
ン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メ
トキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸
メチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキ
シプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸ブチ
ル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプ
ロピオン酸エチルなどを例示することができる。また、
これら例示の溶剤は１種単独でも、または２種以上混合
しても使用できる。上記例示の溶剤の中でも、メチルア
ミルケトン、プロピレングリコールメチルエーテル、プ
ロピレングリコールブチルエーテル、３−エトキシプロ
ピオン酸エチルが好ましい。
用いられる保護膜材料溶液の調製に用いられる溶剤とし
ては、炭素数７または８のケトン類、プロピレングリコ
ールアルキルエーテル類およびはアルコキシプロピオン
酸エステル類よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
溶剤を含有することが必要である。炭素数７または８の
ケトン類としては、メチルアミルケトン、メチルイソア
ミルケトン、シプロピルケトン、ジイソプロピルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルヘキシルケトン、エチ
ルペンチルケトンなどを例示することができる。プロピ
レングリコールアルキルエーテル類としては、例えばプ
ロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコ
ールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエー
テルなどを例示することができる。アルコキシプロピオ
ン酸エステル類としては、例えば２−メトキシプロピオ
ン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メ
トキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸
メチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキ
シプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸ブチ
ル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプ
ロピオン酸エチルなどを例示することができる。また、
これら例示の溶剤は１種単独でも、または２種以上混合
しても使用できる。上記例示の溶剤の中でも、メチルア
ミルケトン、プロピレングリコールメチルエーテル、プ
ロピレングリコールブチルエーテル、３−エトキシプロ
ピオン酸エチルが好ましい。
【００１２】本発明に用いられる溶剤は、上記溶剤以外
の他の溶剤を本発明の効果が損なわれない範囲、例えば
５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下の範囲
で添加することができる。上記以外の他の溶剤として
は、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチ
ル、酪酸エチル、酪酸ブチルなどのエステル類、ジイソ
ブチルケトン、アセチルアセトンのようなケトン類など
を例示することができる。
の他の溶剤を本発明の効果が損なわれない範囲、例えば
５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下の範囲
で添加することができる。上記以外の他の溶剤として
は、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチ
ル、酪酸エチル、酪酸ブチルなどのエステル類、ジイソ
ブチルケトン、アセチルアセトンのようなケトン類など
を例示することができる。
【００１３】前記保護膜材料溶液の粘度は、１５〜６０
０ｃｐ（２５℃）が好ましく、特に１５〜４００ｃｐ
（２５℃）が好ましい。スピンナーを用いて回転塗布を
行なう場合、回転数が同じであれば溶液の粘度が高いほ
ど形成される保護膜は厚くなるが、粘度（２５℃）が１
５ｃｐ未満であると、形成される膜厚が薄くなりすぎ保
護膜にピンホールが発生しやすく、このときスピンナー
の回転数を低下させると、基板の端部においてのみ膜厚
が厚くなって、乾燥後にヒビ割れが生じやすくなる傾向
がある。また、粘度（２５℃）が６００ｃｐを超える
と、粘性が大きすぎて塗布装置が保護膜材料溶液を吸引
できなくなり、塗布できなくなる恐れがある。ここで、
溶剤の使用量は、溶剤の種類などにより異なるため一概
にはいえないが、保護膜材料溶液中、１０〜５０重量％
である。
０ｃｐ（２５℃）が好ましく、特に１５〜４００ｃｐ
（２５℃）が好ましい。スピンナーを用いて回転塗布を
行なう場合、回転数が同じであれば溶液の粘度が高いほ
ど形成される保護膜は厚くなるが、粘度（２５℃）が１
５ｃｐ未満であると、形成される膜厚が薄くなりすぎ保
護膜にピンホールが発生しやすく、このときスピンナー
の回転数を低下させると、基板の端部においてのみ膜厚
が厚くなって、乾燥後にヒビ割れが生じやすくなる傾向
がある。また、粘度（２５℃）が６００ｃｐを超える
と、粘性が大きすぎて塗布装置が保護膜材料溶液を吸引
できなくなり、塗布できなくなる恐れがある。ここで、
溶剤の使用量は、溶剤の種類などにより異なるため一概
にはいえないが、保護膜材料溶液中、１０〜５０重量％
である。
【００１４】本発明における保護膜材料溶液には、添加
剤として、例えば界面活性剤を添加することができる。
この界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラ
ウリルエーテル、ボリオキシエチレンステアリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオ
キシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレン
オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレートなどのポリ
エチレングリコールジアルキルエーテルなどのノニオン
系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、Ｅ
Ｆ３５２〔新秋田化成（株）製〕、メガファックＦ１７
１、Ｆ１７３〔大日本インキ（株）製〕、特開昭５７−
１７８２４２号公報に例示されるフッ化アルキル基また
はパーフルオロアルキル基を有する直鎖状のフッ素系界
面活性剤、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１〔住友ス
リーエム（株）製〕、アサヒガードＡＧ７１０、サーフ
ロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０
３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６〔旭硝子
（株）製〕などのフッ素系界面活性剤、オルガノシロキ
サンポリマーＫＰ３４１〔信越化学工業（株）製〕、ア
クリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフロ
ーＮｏ．７５、Ｎｏ．９５〔共栄社油脂化学工業（株）
製〕などが挙げられる。これらの界面活性剤は単独で、
または２種以上混合して用いられる。界面活性剤の添加
量は、ノボラック樹脂１００重量部当たり、通常、２重
量部以下、好ましくは１重量部以下である。
剤として、例えば界面活性剤を添加することができる。
この界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラ
ウリルエーテル、ボリオキシエチレンステアリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオ
キシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレン
オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレートなどのポリ
エチレングリコールジアルキルエーテルなどのノニオン
系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、Ｅ
Ｆ３５２〔新秋田化成（株）製〕、メガファックＦ１７
１、Ｆ１７３〔大日本インキ（株）製〕、特開昭５７−
１７８２４２号公報に例示されるフッ化アルキル基また
はパーフルオロアルキル基を有する直鎖状のフッ素系界
面活性剤、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１〔住友ス
リーエム（株）製〕、アサヒガードＡＧ７１０、サーフ
ロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０
３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６〔旭硝子
（株）製〕などのフッ素系界面活性剤、オルガノシロキ
サンポリマーＫＰ３４１〔信越化学工業（株）製〕、ア
クリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフロ
ーＮｏ．７５、Ｎｏ．９５〔共栄社油脂化学工業（株）
製〕などが挙げられる。これらの界面活性剤は単独で、
または２種以上混合して用いられる。界面活性剤の添加
量は、ノボラック樹脂１００重量部当たり、通常、２重
量部以下、好ましくは１重量部以下である。
【００１５】本発明では、集積回路を形成した面に上記
保護膜材料溶液を塗布し、乾燥することにより、膜厚が
０．５〜２０μｍ程度の保護膜を形成した後、他方の面
はエッチングまたは研磨される。エッチングの方法とし
ては、フッ酸、硝酸などのエッチャントに浸漬する方
法、またはプラズマエッチング装置によりドライエッチ
ングする方法などが用いられる。前記の保護膜を基板か
ら剥離するに際しては剥離液が用いられ、剥離液として
は、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−
２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−
ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシプロピル−２−
ピロリドン、カプロラクタムなどのラクタム類；１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル
−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２
−イミダゾリジノン、１，３，４−トリメチル−２−イ
ミダゾリジノンなどのイミダゾリン類；モルホリン、４
−メチルモルホリン、４−エチルモルホリン、４−ヒド
ロキシメチルモルホリン、４−ヒドロキシエチルモルホ
リン、４−アミノメチルモルホリン、４−アミノエチル
モルホリン、４−アミノプロピルモルホリンなどのモル
ホリン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ス
ルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなどの
スルホン類、２−エチルヘキシルアミン、ポリエチレン
イミン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−アミノエチルピ
ペラジンなどのアミン類、イソプロパノールアミン、Ｎ
−ヒドロキシエチルピペラジン、ジイソプロパノールア
ミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエタノールアミン
などのアミノアルコール類、アセチルアセトン、シクロ
ヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、
エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテル、セロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ
アセテート、セロソルブなどのエチレングリコール類お
よびその誘導体、ジエチレングリコール、ジエチレング
リコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルな
どのジエチレングリコール類およびその誘導体、トリエ
チレングリコール、トリエチレングリコールモノエチル
エーテルなどのトリエチレングリコール類およびその誘
導体、有機スルホン酸類の単独液または２種以上の混合
液を挙げることができる。本発明においては、上記の剥
離液に例えば０．５〜１５分間浸漬後水洗するだけで保
護膜は完全に除去することができる。
保護膜材料溶液を塗布し、乾燥することにより、膜厚が
０．５〜２０μｍ程度の保護膜を形成した後、他方の面
はエッチングまたは研磨される。エッチングの方法とし
ては、フッ酸、硝酸などのエッチャントに浸漬する方
法、またはプラズマエッチング装置によりドライエッチ
ングする方法などが用いられる。前記の保護膜を基板か
ら剥離するに際しては剥離液が用いられ、剥離液として
は、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−
２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−
ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシプロピル−２−
ピロリドン、カプロラクタムなどのラクタム類；１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル
−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２
−イミダゾリジノン、１，３，４−トリメチル−２−イ
ミダゾリジノンなどのイミダゾリン類；モルホリン、４
−メチルモルホリン、４−エチルモルホリン、４−ヒド
ロキシメチルモルホリン、４−ヒドロキシエチルモルホ
リン、４−アミノメチルモルホリン、４−アミノエチル
モルホリン、４−アミノプロピルモルホリンなどのモル
ホリン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ス
ルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなどの
スルホン類、２−エチルヘキシルアミン、ポリエチレン
イミン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−アミノエチルピ
ペラジンなどのアミン類、イソプロパノールアミン、Ｎ
−ヒドロキシエチルピペラジン、ジイソプロパノールア
ミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエタノールアミン
などのアミノアルコール類、アセチルアセトン、シクロ
ヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、
エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテル、セロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ
アセテート、セロソルブなどのエチレングリコール類お
よびその誘導体、ジエチレングリコール、ジエチレング
リコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルな
どのジエチレングリコール類およびその誘導体、トリエ
チレングリコール、トリエチレングリコールモノエチル
エーテルなどのトリエチレングリコール類およびその誘
導体、有機スルホン酸類の単独液または２種以上の混合
液を挙げることができる。本発明においては、上記の剥
離液に例えば０．５〜１５分間浸漬後水洗するだけで保
護膜は完全に除去することができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例１〜１０および比較例１〜３ 撹拌機、冷却管および温度計を装着した５リットルのセ
パラブルフラスコにｍ−グレゾール３２４ｇ（３モ
ル）、ｐ−クレゾール２１６ｇ（２モル）、３７重量％
ホルムアルデヒド水溶液３８５ｇ（ホルムアルデヒド：
４．７５モル）およびシュウ酸０．３５ｇを仕込み、セ
パラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保ち
ながら６時間反応させた。その後、油浴の温度を１８０
℃まで上昇させ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧に
して、揮発分を除去してノボラック樹脂を得た。
る。 実施例１〜１０および比較例１〜３ 撹拌機、冷却管および温度計を装着した５リットルのセ
パラブルフラスコにｍ−グレゾール３２４ｇ（３モ
ル）、ｐ−クレゾール２１６ｇ（２モル）、３７重量％
ホルムアルデヒド水溶液３８５ｇ（ホルムアルデヒド：
４．７５モル）およびシュウ酸０．３５ｇを仕込み、セ
パラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保ち
ながら６時間反応させた。その後、油浴の温度を１８０
℃まで上昇させ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧に
して、揮発分を除去してノボラック樹脂を得た。
【００１７】得られたノボラック樹脂のＭｗを東洋曹達
工業（株）製、ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６ ２本、
Ｇ３０００Ｈ６ １本、Ｇ４０００Ｈ６ １本）を用
い、溶離溶媒としてテトラヒドロフランを使用し、ゲル
パーミエーションクロマトグラフ法により求めたとこ
ろ、６９００であった。このノボラック樹脂３０重量部
を表１に示す溶剤７０重量部に溶解し、保護膜材料溶液
を得た。該溶液の２５℃における粘度を東京計器（株）
製、Ｅ型粘度計にて測定したところ、表１に示す粘度で
あった。得られた保護膜材料溶液をポアサイズ０．２μ
ｍのフィルターで濾過して微粒子を除去した。各保護膜
材料溶液を、それぞれスピンナーで通常の方法により集
積回路が形成された８インチ口径のシリコンウェーハの
集積回路面に回転塗布した後、ホットプート上で１５０
℃で２分間乾燥して、乾燥膜厚１．５μｍの保護膜を形
成した。形成した保護膜を光学顕微鏡で観察することに
より、塗れ残りの有無などの塗布性を調べた。結果を表
１に示す。
工業（株）製、ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６ ２本、
Ｇ３０００Ｈ６ １本、Ｇ４０００Ｈ６ １本）を用
い、溶離溶媒としてテトラヒドロフランを使用し、ゲル
パーミエーションクロマトグラフ法により求めたとこ
ろ、６９００であった。このノボラック樹脂３０重量部
を表１に示す溶剤７０重量部に溶解し、保護膜材料溶液
を得た。該溶液の２５℃における粘度を東京計器（株）
製、Ｅ型粘度計にて測定したところ、表１に示す粘度で
あった。得られた保護膜材料溶液をポアサイズ０．２μ
ｍのフィルターで濾過して微粒子を除去した。各保護膜
材料溶液を、それぞれスピンナーで通常の方法により集
積回路が形成された８インチ口径のシリコンウェーハの
集積回路面に回転塗布した後、ホットプート上で１５０
℃で２分間乾燥して、乾燥膜厚１．５μｍの保護膜を形
成した。形成した保護膜を光学顕微鏡で観察することに
より、塗れ残りの有無などの塗布性を調べた。結果を表
１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明の保護膜材料溶液によると、集積
回路を形成した面に他方の面を研磨あるいはエッチング
により削る際に良好に保護することができ、かつ大口径
化された基板に対する塗布性に優れ、集積回路作製に有
利に使用しうる。
回路を形成した面に他方の面を研磨あるいはエッチング
により削る際に良好に保護することができ、かつ大口径
化された基板に対する塗布性に優れ、集積回路作製に有
利に使用しうる。
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】前記保護膜材料溶液の粘度は、１５〜６０
０ｃｐ（２５℃）が好ましく、特に１５〜４００ｃｐ
（２５℃）が好ましい。スピンナーを用いて回転塗布を
行なう場合、回転数が同じであれば溶液の粘度が高いほ
ど形成される保護膜は厚くなるが、粘度（２５℃）が１
５ｃｐ未満であると、形成される膜厚が薄くなりすぎ保
護膜にピンホールが発生しやすく、このときスピンナー
の回転数を低下させると、基板の端部においてのみ膜厚
が厚くなって、乾燥後にヒビ割れが生じやすくなる傾向
がある。また、粘度（２５℃）が６００ｃｐを超える
と、粘性が大きすぎて塗布装置が保護膜材料溶液を吸引
できなくなり、塗布できなくなる恐れがある。ここで、
溶剤の使用量は、溶剤の種類などにより異なるため一概
にはいえないが、保護膜材料溶液中の樹脂固形分濃度が
１０〜５０重量％となるようにする。
０ｃｐ（２５℃）が好ましく、特に１５〜４００ｃｐ
（２５℃）が好ましい。スピンナーを用いて回転塗布を
行なう場合、回転数が同じであれば溶液の粘度が高いほ
ど形成される保護膜は厚くなるが、粘度（２５℃）が１
５ｃｐ未満であると、形成される膜厚が薄くなりすぎ保
護膜にピンホールが発生しやすく、このときスピンナー
の回転数を低下させると、基板の端部においてのみ膜厚
が厚くなって、乾燥後にヒビ割れが生じやすくなる傾向
がある。また、粘度（２５℃）が６００ｃｐを超える
と、粘性が大きすぎて塗布装置が保護膜材料溶液を吸引
できなくなり、塗布できなくなる恐れがある。ここで、
溶剤の使用量は、溶剤の種類などにより異なるため一概
にはいえないが、保護膜材料溶液中の樹脂固形分濃度が
１０〜５０重量％となるようにする。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面に集積回路を形成
後、その集積回路を形成した面に保護膜材料溶液を塗布
し、乾燥させて保護膜を形成し、他方の面をエッチング
または研磨する工程を有する集積回路の製造方法に使用
する保護膜材料溶液おいて、前記保護膜材料溶液がノボ
ラック樹脂と溶剤とを主成分とし、かつ該溶剤が炭素数
７または８のモノケトン類、プロピレングリコールアル
キルエーテル類およびアルコキシプロピオン酸エステル
類よりなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有
することを特徴とする保護膜材料溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20010993A JP3214175B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 保護膜材料溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20010993A JP3214175B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 保護膜材料溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738016A true JPH0738016A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3214175B2 JP3214175B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16418983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20010993A Expired - Lifetime JP3214175B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 保護膜材料溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214175B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062495A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-18 | Nissan Chem Ind Ltd | 高段差基板向け保護膜用塗布組成物 |
| JP2013140943A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | エッチングマスク用組成物およびパターン形成方法 |
| JP2014172932A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Nagase Chemtex Corp | 電子部品保護膜形成用組成物 |
-
1993
- 1993-07-19 JP JP20010993A patent/JP3214175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062495A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-18 | Nissan Chem Ind Ltd | 高段差基板向け保護膜用塗布組成物 |
| JP2013140943A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | エッチングマスク用組成物およびパターン形成方法 |
| JP2014172932A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Nagase Chemtex Corp | 電子部品保護膜形成用組成物 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3214175B2 (ja) | 2001-10-02 |
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