JPH07335789A - パッケージ - Google Patents
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- JPH07335789A JPH07335789A JP6132354A JP13235494A JPH07335789A JP H07335789 A JPH07335789 A JP H07335789A JP 6132354 A JP6132354 A JP 6132354A JP 13235494 A JP13235494 A JP 13235494A JP H07335789 A JPH07335789 A JP H07335789A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド樹脂で半導体チップを覆うパッケー
ジにおいて、パッケージの放熱性を改善する。 【構成】 半導体チップ１の上方でモールド樹脂４の内
部に、モールド樹脂４よりも熱伝導率の高い放熱板１０
を配置する。放熱板１０は、ピン１１によって支持され
ており、半導体チップ１あるいは導線３と接触しないよ
うな距離を保っている。 【効果】 半導体チップ１で発生した熱は、そのすぐ上
にある放熱板１０を通って、放熱板１０の上部付近にあ
るモールド樹脂４を介して外部に効率良く発散できる。
ジにおいて、パッケージの放熱性を改善する。 【構成】 半導体チップ１の上方でモールド樹脂４の内
部に、モールド樹脂４よりも熱伝導率の高い放熱板１０
を配置する。放熱板１０は、ピン１１によって支持され
ており、半導体チップ１あるいは導線３と接触しないよ
うな距離を保っている。 【効果】 半導体チップ１で発生した熱は、そのすぐ上
にある放熱板１０を通って、放熱板１０の上部付近にあ
るモールド樹脂４を介して外部に効率良く発散できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路装置
において半導体チップを保護するパッケージに関し、特
にモールド樹脂によって半導体チップを覆うパッケージ
に関するものである。
において半導体チップを保護するパッケージに関し、特
にモールド樹脂によって半導体チップを覆うパッケージ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来のパッケージの構成を示す
図である。図１５（ａ）には半導体チップが取り付けら
れているパッケージの平面図を、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のＸ１−Ｘ１矢視断面を示す。図１５において、
１は半導体チップ、２は一方主面の中央部に半導体チッ
プ１を取り付ける基板、３は半導体チップ１上に設けら
れた電極と基板２の一方主面２ａ上に設けられた電極と
を電気的に接続する導線、４は基板２の一方主面２ａ上
に半導体チップ１や導線３を覆うように成形されて半導
体チップ１の封止をするためのモールド樹脂、５は基板
２の他方主面２ｂに設けられて基板２に形成されている
配線（図示せず）によって基板２の一方主面２ａ上の電
極と接続されている外部端子である。
図である。図１５（ａ）には半導体チップが取り付けら
れているパッケージの平面図を、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のＸ１−Ｘ１矢視断面を示す。図１５において、
１は半導体チップ、２は一方主面の中央部に半導体チッ
プ１を取り付ける基板、３は半導体チップ１上に設けら
れた電極と基板２の一方主面２ａ上に設けられた電極と
を電気的に接続する導線、４は基板２の一方主面２ａ上
に半導体チップ１や導線３を覆うように成形されて半導
体チップ１の封止をするためのモールド樹脂、５は基板
２の他方主面２ｂに設けられて基板２に形成されている
配線（図示せず）によって基板２の一方主面２ａ上の電
極と接続されている外部端子である。
【０００３】このようなパッケージは、通常、ＢＧＡ
（ボールグリッドアレイ）と呼ばれているパッケージで
あり、外部端子５は基板２の他方主面２ｂ上にマトリク
ス状に複数設けられている。この外部端子５は、球形の
外観を有し、例えばハンダボールによって形成される。
（ボールグリッドアレイ）と呼ばれているパッケージで
あり、外部端子５は基板２の他方主面２ｂ上にマトリク
ス状に複数設けられている。この外部端子５は、球形の
外観を有し、例えばハンダボールによって形成される。
【０００４】このような半導体集積回路装置が種々のシ
ステムに実装される場合、通常、その雰囲気は空気であ
る。半導体チップ１で発生した熱は、モールド樹脂４及
び基板２を通って大気中あるいはシステム本体に発散さ
れる。しかし、半導体チップ１の消費電力が大きくなる
と、発散される熱エネルギーよりも発生する熱エネルギ
ーの量が多くなり、半導体チップ１は過熱してしまう。
ステムに実装される場合、通常、その雰囲気は空気であ
る。半導体チップ１で発生した熱は、モールド樹脂４及
び基板２を通って大気中あるいはシステム本体に発散さ
れる。しかし、半導体チップ１の消費電力が大きくなる
と、発散される熱エネルギーよりも発生する熱エネルギ
ーの量が多くなり、半導体チップ１は過熱してしまう。
【０００５】そこで、図１６に示すように、モールド樹
脂４の上面４ａに放熱フィン６を設けて単位時間にモー
ルド樹脂４から大気中に発散される熱量を増加させる。
なお、図１６（ａ）には放熱フィンを付けたパッケージ
の平面図を、図１６（ｂ）には図１６（ａ）のＸ２−Ｘ
２矢視断面を示す。
脂４の上面４ａに放熱フィン６を設けて単位時間にモー
ルド樹脂４から大気中に発散される熱量を増加させる。
なお、図１６（ａ）には放熱フィンを付けたパッケージ
の平面図を、図１６（ｂ）には図１６（ａ）のＸ２−Ｘ
２矢視断面を示す。
【０００６】また、放熱性に優れたパッケージとして、
図１７に示すようなパッケージがある。図１７（ａ）に
は半導体チップが取り付けられているパッケージの平面
図を、図１７（ｂ）には図１７（ａ）のＸ３−Ｘ３矢視
断面を示す。図において、７は開口部７ａを板面の中央
に有する基板、８は基板７の開口部７ａの一方主面側７
ｃの口を塞ぐように設けられて開口部７ａの中側に面し
た主面上に半導体チップ１が取り付けられている金属性
の接着台、９は開口部７ａの他方主面側７ｄの口を塞ぐ
ための蓋である。基板７は、開口部７ａの内側に半導体
チップ１と導線３を介して電気的接続を行うための電極
が設けられている棚部７ｂを持っている。また、基板７
の他方主面７ｄには、基板７の配線によって半導体チッ
プ１と電気的に接続されている外部端子５が設けられて
いる。
図１７に示すようなパッケージがある。図１７（ａ）に
は半導体チップが取り付けられているパッケージの平面
図を、図１７（ｂ）には図１７（ａ）のＸ３−Ｘ３矢視
断面を示す。図において、７は開口部７ａを板面の中央
に有する基板、８は基板７の開口部７ａの一方主面側７
ｃの口を塞ぐように設けられて開口部７ａの中側に面し
た主面上に半導体チップ１が取り付けられている金属性
の接着台、９は開口部７ａの他方主面側７ｄの口を塞ぐ
ための蓋である。基板７は、開口部７ａの内側に半導体
チップ１と導線３を介して電気的接続を行うための電極
が設けられている棚部７ｂを持っている。また、基板７
の他方主面７ｄには、基板７の配線によって半導体チッ
プ１と電気的に接続されている外部端子５が設けられて
いる。
【０００７】図１７に示すようなパッケージは、通常、
金属製の接着台８に直接放熱フィンを取り付けて使用さ
れるため、放熱性に優れている。しかし、図１７に示す
ようなパッケージ構造は、図１６に示したパッケージ構
造に比べて複雑であるため、基板の制作や装置の組立が
困難である。そのため、製造コストが高くなる。また、
図１７に示すパッケージは、蓋９が外部端子５を設けて
いる他方主面７ｄにあるため、同じ間隔で外部端子５を
配置した場合、図１６に示すパッケージに比べて単位面
積あたりの外部端子数が減少するという欠点がある。さ
らに、図１７に示すパッケージでは、金属台８や蓋９と
基板７との間の接着が不十分な場合、金属台８や蓋９と
基板７との間に隙間ができ、気密性が悪くなるため半導
体チップ１が腐食するなどの不具合が発生し易くなる。
金属製の接着台８に直接放熱フィンを取り付けて使用さ
れるため、放熱性に優れている。しかし、図１７に示す
ようなパッケージ構造は、図１６に示したパッケージ構
造に比べて複雑であるため、基板の制作や装置の組立が
困難である。そのため、製造コストが高くなる。また、
図１７に示すパッケージは、蓋９が外部端子５を設けて
いる他方主面７ｄにあるため、同じ間隔で外部端子５を
配置した場合、図１６に示すパッケージに比べて単位面
積あたりの外部端子数が減少するという欠点がある。さ
らに、図１７に示すパッケージでは、金属台８や蓋９と
基板７との間の接着が不十分な場合、金属台８や蓋９と
基板７との間に隙間ができ、気密性が悪くなるため半導
体チップ１が腐食するなどの不具合が発生し易くなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のパッケージは以
上のように構成されいているので、図１６に示した形式
のパッケージにおいて、モールド樹脂４を介して空気中
に発散される単位時間当たりの熱量が小さいため、半導
体チップ１が過熱し易い等の問題点があった。
上のように構成されいているので、図１６に示した形式
のパッケージにおいて、モールド樹脂４を介して空気中
に発散される単位時間当たりの熱量が小さいため、半導
体チップ１が過熱し易い等の問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、モールド樹脂を用いたパッケー
ジにおいて、モールド樹脂を介して空気中に発散される
単位時間当たりの熱量を増加させることを目的とする。
ためになされたもので、モールド樹脂を用いたパッケー
ジにおいて、モールド樹脂を介して空気中に発散される
単位時間当たりの熱量を増加させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るパッケ
ージは、半導体チップが取り付けられる一方主面、他方
主面及前記他方主面に設けられて前記半導体チップと電
気的に接続される外部端子を有する基板と、前記半導体
チップと離れてその上方に設けられた熱伝導部材と、前
記パッド及び前記半導体チップの周囲に前記基板の前記
一方主面に固定して設けられ、前記熱伝導部材を支持す
る支持部材と、前記基板の一方主面上に設けられ、前記
半導体チップを覆うとともに、少なくとも前記熱伝導部
材及び前記支持部材と前記半導体チップとの隙間を埋め
るモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱伝導率が
前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とする。
ージは、半導体チップが取り付けられる一方主面、他方
主面及前記他方主面に設けられて前記半導体チップと電
気的に接続される外部端子を有する基板と、前記半導体
チップと離れてその上方に設けられた熱伝導部材と、前
記パッド及び前記半導体チップの周囲に前記基板の前記
一方主面に固定して設けられ、前記熱伝導部材を支持す
る支持部材と、前記基板の一方主面上に設けられ、前記
半導体チップを覆うとともに、少なくとも前記熱伝導部
材及び前記支持部材と前記半導体チップとの隙間を埋め
るモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱伝導率が
前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とする。
【００１１】第２の発明に係るパッケージは、第１の発
明のパッケージにおいて、前記熱伝導部材と前記支持部
材とを一体的に形成したことを特徴とする。
明のパッケージにおいて、前記熱伝導部材と前記支持部
材とを一体的に形成したことを特徴とする。
【００１２】第３の発明に係るパッケージは、第１の発
明のパッケージにおいて、前記支持部材が、前記モール
ド樹脂よりも熱伝導率が高い材料で構成され、前記モー
ルド樹脂及び前記基板で囲まれた領域の外部に一部露出
していることを特徴とする、請求項１記載のパッケー
ジ。
明のパッケージにおいて、前記支持部材が、前記モール
ド樹脂よりも熱伝導率が高い材料で構成され、前記モー
ルド樹脂及び前記基板で囲まれた領域の外部に一部露出
していることを特徴とする、請求項１記載のパッケー
ジ。
【００１３】第４の発明に係るパッケージは、第３の発
明のパッケージにおいて、前記モールド樹脂の外部に設
けられて前記支持部材と接続された放熱部材を備えて構
成される。
明のパッケージにおいて、前記モールド樹脂の外部に設
けられて前記支持部材と接続された放熱部材を備えて構
成される。
【００１４】第５の発明に係るパッケージは、半導体チ
ップが取り付けられる一方主面、他方主面及び前記他方
主面に設けられて前記半導体チップと電気的に接続され
た外部端子を有する基板と、前記半導体チップと離れて
その上方に設けられて前記半導体チップを覆う熱伝導部
材と、前記基板の一方主面上に設けられ、前記熱伝導部
材を覆うモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱伝
導率が前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とする。
ップが取り付けられる一方主面、他方主面及び前記他方
主面に設けられて前記半導体チップと電気的に接続され
た外部端子を有する基板と、前記半導体チップと離れて
その上方に設けられて前記半導体チップを覆う熱伝導部
材と、前記基板の一方主面上に設けられ、前記熱伝導部
材を覆うモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱伝
導率が前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とする。
【００１５】第６の発明に係るパッケージは、半導体チ
ップが取り付けられる一方主面、他方主面及び前記他方
主面に設けられて前記半導体チップと電気的に接続され
た外部端子を有する基板と、前記基板の前記一方主面上
の前記半導体チップの周囲に設けられた熱伝導部材と、
前記基板の一方主面上に設けられ、前記半導体チップを
覆うとともに、前記熱伝導部材と前記半導体チップとの
間を埋めるモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱
伝導率が前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とす
る。
ップが取り付けられる一方主面、他方主面及び前記他方
主面に設けられて前記半導体チップと電気的に接続され
た外部端子を有する基板と、前記基板の前記一方主面上
の前記半導体チップの周囲に設けられた熱伝導部材と、
前記基板の一方主面上に設けられ、前記半導体チップを
覆うとともに、前記熱伝導部材と前記半導体チップとの
間を埋めるモールド樹脂とを備え、前記熱伝導部材の熱
伝導率が前記モールド樹脂よりも高いことを特徴とす
る。
【００１６】第７の発明に係るパッケージは、第１また
は第６の発明のパッケージにおいて、前記熱伝導部材の
一部が前記モールド樹脂及び前記基板で囲まれた領域の
外部に一部露出していることを特徴とする。
は第６の発明のパッケージにおいて、前記熱伝導部材の
一部が前記モールド樹脂及び前記基板で囲まれた領域の
外部に一部露出していることを特徴とする。
【００１７】第８の発明に係るパッケージは、第１、第
５または第６の発明のパッケージにおいて、前記基板
は、基準電位を与える配線層を備える多層基板を含み、
前記熱伝導部材が導電性材料で構成されており、前記熱
伝導部材と前記配線層とが電気的に接続されていること
を特徴とする。
５または第６の発明のパッケージにおいて、前記基板
は、基準電位を与える配線層を備える多層基板を含み、
前記熱伝導部材が導電性材料で構成されており、前記熱
伝導部材と前記配線層とが電気的に接続されていること
を特徴とする。
【００１８】
【作用】第１、第５及び第６の発明における熱伝導部材
は、モールド樹脂中に形成され、モールド樹脂よりも高
い熱伝導率を有しているため、モールド樹脂だけで半導
体チップが覆われている場合に比べてモールド樹脂と熱
伝導部材によって半導体チップを覆う方がより多くの熱
をモールド樹脂の外部へ伝えることができる。従って、
半導体チップからモールド樹脂を介して外部に発散され
る単位時間当たりの熱量が増加する。
は、モールド樹脂中に形成され、モールド樹脂よりも高
い熱伝導率を有しているため、モールド樹脂だけで半導
体チップが覆われている場合に比べてモールド樹脂と熱
伝導部材によって半導体チップを覆う方がより多くの熱
をモールド樹脂の外部へ伝えることができる。従って、
半導体チップからモールド樹脂を介して外部に発散され
る単位時間当たりの熱量が増加する。
【００１９】また、支持部材によって熱伝導部材が支持
されているので樹脂のモールドが容易に行える。
されているので樹脂のモールドが容易に行える。
【００２０】第２の発明における熱伝導部材と支持部材
とを一体的に形成されているため、パッケージの組立に
おいて熱伝導部材を支持部材に支持する手順を省くこと
ができる。
とを一体的に形成されているため、パッケージの組立に
おいて熱伝導部材を支持部材に支持する手順を省くこと
ができる。
【００２１】第３の発明における支持部材は、モールド
樹脂より熱伝導率が高いため、外部に露出している部分
から直接外部に熱を発散することができ、熱伝導部材あ
るいはモールド樹脂から与えられる熱を効率よく発散す
ることができる。従って、半導体チップからモールド樹
脂を介して外部に発散される単位時間当たりの熱量が増
加する。
樹脂より熱伝導率が高いため、外部に露出している部分
から直接外部に熱を発散することができ、熱伝導部材あ
るいはモールド樹脂から与えられる熱を効率よく発散す
ることができる。従って、半導体チップからモールド樹
脂を介して外部に発散される単位時間当たりの熱量が増
加する。
【００２２】第４の発明における放熱部材は、例えば放
熱フィンなどを含み、支持部材から多くの熱を奪い外部
に発散させることができるため、放熱部材がない場合に
比べて、支持部材の露出部分の温度を下げることがで
き、支持部材の熱伝達の効率が増す。
熱フィンなどを含み、支持部材から多くの熱を奪い外部
に発散させることができるため、放熱部材がない場合に
比べて、支持部材の露出部分の温度を下げることがで
き、支持部材の熱伝達の効率が増す。
【００２３】第７の発明における熱伝導部材は、外部に
露出している部分から直接外部に熱を発散することがで
き、モールド樹脂等から与えられる熱を効率よく発散す
ることができる。従って、半導体チップからモールド樹
脂を介して外部に発散される単位時間当たりの熱量が増
加する。
露出している部分から直接外部に熱を発散することがで
き、モールド樹脂等から与えられる熱を効率よく発散す
ることができる。従って、半導体チップからモールド樹
脂を介して外部に発散される単位時間当たりの熱量が増
加する。
【００２４】第８の発明における熱伝導部材は、基準電
位を与える配線層と電気的に接続されていて、熱伝導部
材が導電性であることから配線層の電位分布を小さくす
ることができ、配線層の電位の分布のため半導体チップ
で発生するノイズを低減することができる。
位を与える配線層と電気的に接続されていて、熱伝導部
材が導電性であることから配線層の電位分布を小さくす
ることができ、配線層の電位の分布のため半導体チップ
で発生するノイズを低減することができる。
【００２５】
【実施例】以下、この発明の第１実施例を図について説
明する。図１は、この発明の第１実施例によるパッケー
ジの構成を示す図である。図１（ａ）には半導体チップ
を取り付けたパッケージの平面図を、図１（ｂ）には図
１（ａ）のＸ４−Ｘ４矢視断面を示す。図１において、
１０は半導体チップ１で発生した熱を効率よく伝達する
ため半導体チップ１の上に設けられている放熱板、１１
は放熱板１０を支持するための円柱状のピンである。な
お、符号１乃至５で示された部分は、図１５に示した従
来のパッケージ及び半導体チップの同一符号の部分に相
当する部分である。
明する。図１は、この発明の第１実施例によるパッケー
ジの構成を示す図である。図１（ａ）には半導体チップ
を取り付けたパッケージの平面図を、図１（ｂ）には図
１（ａ）のＸ４−Ｘ４矢視断面を示す。図１において、
１０は半導体チップ１で発生した熱を効率よく伝達する
ため半導体チップ１の上に設けられている放熱板、１１
は放熱板１０を支持するための円柱状のピンである。な
お、符号１乃至５で示された部分は、図１５に示した従
来のパッケージ及び半導体チップの同一符号の部分に相
当する部分である。
【００２６】ピン１１は、半導体チップ１の周囲の基板
２上に例えば接着剤で固定されている。基板２に固着さ
れている端部の反対側のピン１１の端部には、円柱状の
凸起１１ａが設けられている。また、放熱板１０の四隅
には、ピン１１の凸起１１ａがはめ込まれる穴が開いて
いる。半導体チップ１と放熱板１０との距離はピン１１
によって一定に保たれ、その状態でモールド樹脂が形成
される。そのため、放熱板１０が下側へ動いて導線３と
接触することはない。ここで、放熱板として図２あるい
は図３に示すような放熱板１２，１３を用いることもで
きる。放熱板１２は２つの大きな開口部１２ａを有して
おり、放熱板１３は網目状に多くの開口部１３ａを有し
ている。この開口部１２ａ，１３ａは、モールド樹脂４
が基板２と放熱板との間に流れ込みやすくするためのも
のである。
２上に例えば接着剤で固定されている。基板２に固着さ
れている端部の反対側のピン１１の端部には、円柱状の
凸起１１ａが設けられている。また、放熱板１０の四隅
には、ピン１１の凸起１１ａがはめ込まれる穴が開いて
いる。半導体チップ１と放熱板１０との距離はピン１１
によって一定に保たれ、その状態でモールド樹脂が形成
される。そのため、放熱板１０が下側へ動いて導線３と
接触することはない。ここで、放熱板として図２あるい
は図３に示すような放熱板１２，１３を用いることもで
きる。放熱板１２は２つの大きな開口部１２ａを有して
おり、放熱板１３は網目状に多くの開口部１３ａを有し
ている。この開口部１２ａ，１３ａは、モールド樹脂４
が基板２と放熱板との間に流れ込みやすくするためのも
のである。
【００２７】放熱板１０は、例えばアルミニウムや銅な
どの金属板あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成
されている。放熱板１０の形状は、図に示した板状のも
の以外の形状であっても良い。例えば、板の主面に複数
の突起が出ているような形状であっても良い。放熱板の
代わりにモールド樹脂より熱伝導率の高い他の熱伝導部
材を用いても良く、またピンの代わりに他の支持部材を
用いても良い。
どの金属板あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成
されている。放熱板１０の形状は、図に示した板状のも
の以外の形状であっても良い。例えば、板の主面に複数
の突起が出ているような形状であっても良い。放熱板の
代わりにモールド樹脂より熱伝導率の高い他の熱伝導部
材を用いても良く、またピンの代わりに他の支持部材を
用いても良い。
【００２８】通常、半導体チップ１で発生した熱は、一
旦モールド樹脂４を介して放熱板１０に伝えられ、放熱
板１０からその周囲のモールド樹脂４に伝えられてモー
ルド樹脂４から大気中に発散される。放熱板１０の熱伝
導率がモールド樹脂より高いため、半導体チップ１の直
上の放熱板１０の部分に伝えられた熱を放熱板１０の周
囲に効率よく伝えることができ、従来に比べて半導体チ
ップ１の直上の部分の温度が放熱板１０によって低下す
る効果は放熱板の面積が大きいほど大きい。放熱板１０
と半導体チップ１の距離が近いほど、また放熱板１０と
外部の雰囲気との距離が近いほどモールド樹脂４による
熱抵抗は小さくなり放熱性が良くなる。
旦モールド樹脂４を介して放熱板１０に伝えられ、放熱
板１０からその周囲のモールド樹脂４に伝えられてモー
ルド樹脂４から大気中に発散される。放熱板１０の熱伝
導率がモールド樹脂より高いため、半導体チップ１の直
上の放熱板１０の部分に伝えられた熱を放熱板１０の周
囲に効率よく伝えることができ、従来に比べて半導体チ
ップ１の直上の部分の温度が放熱板１０によって低下す
る効果は放熱板の面積が大きいほど大きい。放熱板１０
と半導体チップ１の距離が近いほど、また放熱板１０と
外部の雰囲気との距離が近いほどモールド樹脂４による
熱抵抗は小さくなり放熱性が良くなる。
【００２９】なお、ピン１１が放熱板１０と同様の金属
など熱伝導率の高い材料で構成されていれば、ピン１１
の周囲のモールド樹脂４から放熱板１０や基板２へ単位
時間当たりに伝えられる熱量は多くなり、パッケージの
放熱性はさらに良くなる。
など熱伝導率の高い材料で構成されていれば、ピン１１
の周囲のモールド樹脂４から放熱板１０や基板２へ単位
時間当たりに伝えられる熱量は多くなり、パッケージの
放熱性はさらに良くなる。
【００３０】なお、放熱性を良くするためには、放熱板
１０を設けるのではなく、モールド樹脂４を薄くするこ
とも考えられるが、モールド樹脂４を薄くするとパッケ
ージの強度が弱くなるなどの問題点が発生する。
１０を設けるのではなく、モールド樹脂４を薄くするこ
とも考えられるが、モールド樹脂４を薄くするとパッケ
ージの強度が弱くなるなどの問題点が発生する。
【００３１】次に、この発明の第２実施例を図について
説明する。図４は、この発明の第２実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図４（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図４（ｂ）には
図４（ａ）のＸ５−Ｘ５矢視断面を示す。図４におい
て、１４はピン１１に支持されている放熱板であり、そ
の他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相
当する部分である。なお、放熱板１４とピン１１とは接
着剤などによって固定されている。
説明する。図４は、この発明の第２実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図４（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図４（ｂ）には
図４（ａ）のＸ５−Ｘ５矢視断面を示す。図４におい
て、１４はピン１１に支持されている放熱板であり、そ
の他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相
当する部分である。なお、放熱板１４とピン１１とは接
着剤などによって固定されている。
【００３２】放熱板１４の平面形状は、図１に示した放
熱板１０と同じである。放熱板１４はその上面１４ａを
モールド樹脂４から露出させるために、その厚みを放熱
板１０よりも厚くしている。放熱板１４は空気によって
直接冷やされるため、図１のパッケージよりもさらに放
熱性が良い。
熱板１０と同じである。放熱板１４はその上面１４ａを
モールド樹脂４から露出させるために、その厚みを放熱
板１０よりも厚くしている。放熱板１４は空気によって
直接冷やされるため、図１のパッケージよりもさらに放
熱性が良い。
【００３３】なお、上記実施例では、放熱板をモールド
樹脂４の上面に露出させた例を示したが、モールド樹脂
４の側面４ａに露出させても良く、上記実施例と同様の
効果を奏する。
樹脂４の上面に露出させた例を示したが、モールド樹脂
４の側面４ａに露出させても良く、上記実施例と同様の
効果を奏する。
【００３４】また、放熱板１４として図２あるいは図３
に示すような放熱板１２，１３を用いることもできる。
に示すような放熱板１２，１３を用いることもできる。
【００３５】次に、この発明の第３実施例を図について
説明する。図５は、この発明の第３実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図５（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図５（ｂ）には
図５（ａ）のＸ６−Ｘ６矢視断面を示す。図５におい
て、１５はその先端がモールド樹脂４から露出するよう
に比較的長い凸起１５ａが形成されたピン、１６はピン
１５に接続された放熱フィンであり、その他図１と同一
符号の部分は図１の同一符号の部分に相当する部分であ
る。放熱フィン１６は、モールド樹脂４の上面の上方に
接地され、ピン１５とは接着剤などによって固定されて
いる。ピン１５はアルミニウムや銅などの金属あるいは
熱伝導率の高い他の材料で構成され、放熱フィン１６は
その表面積を増やして空気との接触面積を大きくするた
めの工夫が施されている。
説明する。図５は、この発明の第３実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図５（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図５（ｂ）には
図５（ａ）のＸ６−Ｘ６矢視断面を示す。図５におい
て、１５はその先端がモールド樹脂４から露出するよう
に比較的長い凸起１５ａが形成されたピン、１６はピン
１５に接続された放熱フィンであり、その他図１と同一
符号の部分は図１の同一符号の部分に相当する部分であ
る。放熱フィン１６は、モールド樹脂４の上面の上方に
接地され、ピン１５とは接着剤などによって固定されて
いる。ピン１５はアルミニウムや銅などの金属あるいは
熱伝導率の高い他の材料で構成され、放熱フィン１６は
その表面積を増やして空気との接触面積を大きくするた
めの工夫が施されている。
【００３６】放熱板１０に伝えられた熱の一部は、熱伝
導率の高いピン１５を介して放熱フィン１６に伝えら
れ、効率良く雰囲気中に熱が発散れさるため、図１のパ
ッケージよりもさらに放熱性が良い。
導率の高いピン１５を介して放熱フィン１６に伝えら
れ、効率良く雰囲気中に熱が発散れさるため、図１のパ
ッケージよりもさらに放熱性が良い。
【００３７】なお、上記実施例では、ピン１５に放熱フ
ィン１６を接続したが、ピン１５を雰囲気中に露出させ
るだけでも従来より放熱効率は高くなる。
ィン１６を接続したが、ピン１５を雰囲気中に露出させ
るだけでも従来より放熱効率は高くなる。
【００３８】次に、この発明の第４実施例を図について
説明する。図６は、この発明の第４実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図６（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図６（ｂ）には
図６（ａ）のＸ７−Ｘ７矢視断面を示す。図６におい
て、１７は４つの貫通穴を有する基板、１８は基板１７
の貫通穴に挿入する凸起１８ａを有するピンであり、そ
の他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相
当する部分である。ピン１８は放熱板１０と同様の金属
あるいは熱伝導率の高い他の材料で構成されており、ピ
ン１８の熱伝導率は、モールド樹脂４より高い。基板１
７とピン１８及び放熱板１０とピン１８とは接着剤等に
よって固定されている。なお、基板１７にあけられる穴
は、基板１７の配線（図示していない）が存在しない場
所に設けられる。
説明する。図６は、この発明の第４実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図６（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図６（ｂ）には
図６（ａ）のＸ７−Ｘ７矢視断面を示す。図６におい
て、１７は４つの貫通穴を有する基板、１８は基板１７
の貫通穴に挿入する凸起１８ａを有するピンであり、そ
の他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相
当する部分である。ピン１８は放熱板１０と同様の金属
あるいは熱伝導率の高い他の材料で構成されており、ピ
ン１８の熱伝導率は、モールド樹脂４より高い。基板１
７とピン１８及び放熱板１０とピン１８とは接着剤等に
よって固定されている。なお、基板１７にあけられる穴
は、基板１７の配線（図示していない）が存在しない場
所に設けられる。
【００３９】図６（ａ）はパッケージの裏面側から見た
図である。放熱板１０に伝えられた熱の一部は、熱伝導
率の高いピン１８を介してピン１８が露出しているパッ
ケージの裏側から効率良く雰囲気中に熱が発散れさるた
め、図１のパッケージよりもさらに放熱性が良い。な
お、放熱板として図２あるいは図３に示すような放熱板
１２，１３を用いることもできる。
図である。放熱板１０に伝えられた熱の一部は、熱伝導
率の高いピン１８を介してピン１８が露出しているパッ
ケージの裏側から効率良く雰囲気中に熱が発散れさるた
め、図１のパッケージよりもさらに放熱性が良い。な
お、放熱板として図２あるいは図３に示すような放熱板
１２，１３を用いることもできる。
【００４０】さらに、図７に示すように、パッケージの
裏側に外部放熱板１９を設け、外部放熱板１９とピン１
８とを接続しても良い。そのような構成にすることでパ
ッケージのさらに放熱効率を上げることができる。図７
（ａ）には半導体チップを取り付けたパッケージの平面
図を、図７（ｂ）には図７（ａ）のＸ８−Ｘ８矢視断面
を示す。外部放熱板１９と基板１７とは接着剤などで固
着される。
裏側に外部放熱板１９を設け、外部放熱板１９とピン１
８とを接続しても良い。そのような構成にすることでパ
ッケージのさらに放熱効率を上げることができる。図７
（ａ）には半導体チップを取り付けたパッケージの平面
図を、図７（ｂ）には図７（ａ）のＸ８−Ｘ８矢視断面
を示す。外部放熱板１９と基板１７とは接着剤などで固
着される。
【００４１】外部放熱板１９は放熱板１０と同じ材料で
構成することができる。外部放熱板１９が導電性の場合
には、外部放熱板１９と外部端子５とが電気的に接続し
ないように、外部端子５よりも十分に大きな外部放熱板
１９に穴１９ａを設ける。この穴は、外部端子５がハン
ダボールなどのろう付けに用いられるものであるとき
は、外部端子５が溶融しても接続しない程度の大きさが
必要である。また、外部端子５との絶縁を保つために、
外部放熱板１９の表面に酸化膜を形成したり他の絶縁膜
を塗布するなどの処理を施しても良い。
構成することができる。外部放熱板１９が導電性の場合
には、外部放熱板１９と外部端子５とが電気的に接続し
ないように、外部端子５よりも十分に大きな外部放熱板
１９に穴１９ａを設ける。この穴は、外部端子５がハン
ダボールなどのろう付けに用いられるものであるとき
は、外部端子５が溶融しても接続しない程度の大きさが
必要である。また、外部端子５との絶縁を保つために、
外部放熱板１９の表面に酸化膜を形成したり他の絶縁膜
を塗布するなどの処理を施しても良い。
【００４２】次に、この発明の第５実施例を図について
説明する。図８は、この発明の第５実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図８（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図８（ｂ）には
図８（ａ）のＸ９−Ｘ９矢視断面を、図８（ｃ）には図
８（ａ）のＸ１０−Ｘ１０矢視断面を示す。図８におい
て、２０は支持部材と放熱部材との機能を備える放熱板
であり、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符号
の部分に相当する部分である。
説明する。図８は、この発明の第５実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図８（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図８（ｂ）には
図８（ａ）のＸ９−Ｘ９矢視断面を、図８（ｃ）には図
８（ａ）のＸ１０−Ｘ１０矢視断面を示す。図８におい
て、２０は支持部材と放熱部材との機能を備える放熱板
であり、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符号
の部分に相当する部分である。
【００４３】放熱板２０はその四隅を折り曲げることに
よって形成された支持部材に相当する折り曲げ部２０ａ
を備えており、この折り曲げ部２０ａは半導体チップ１
の周囲の基板２上に例えば接着剤で固定されている。半
導体チップ１と放熱板１０との距離は折り曲げ部２０ａ
によって一定に保たれ、その状態でモールド樹脂が形成
される。そのため、放熱板１０が下側へ動いて導線３と
接触することはない。ここで、放熱板として図２あるい
は図３に示すような放熱板１２，１３を用いることもで
きる。
よって形成された支持部材に相当する折り曲げ部２０ａ
を備えており、この折り曲げ部２０ａは半導体チップ１
の周囲の基板２上に例えば接着剤で固定されている。半
導体チップ１と放熱板１０との距離は折り曲げ部２０ａ
によって一定に保たれ、その状態でモールド樹脂が形成
される。そのため、放熱板１０が下側へ動いて導線３と
接触することはない。ここで、放熱板として図２あるい
は図３に示すような放熱板１２，１３を用いることもで
きる。
【００４４】放熱板２０は、例えばアルミニウムや銅な
どの金属板あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成
されている。放熱板２０の形状は、図に示した板状のも
の以外の形状であっても良い。
どの金属板あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成
されている。放熱板２０の形状は、図に示した板状のも
の以外の形状であっても良い。
【００４５】このように支持部材と放熱部材との機能を
兼ね備えた放熱板２０を用いることで、放熱部材と支持
部材との接合を行う行程を省くことができ、パッケージ
の組立が容易になる。
兼ね備えた放熱板２０を用いることで、放熱部材と支持
部材との接合を行う行程を省くことができ、パッケージ
の組立が容易になる。
【００４６】次に、この発明の第６実施例を図について
説明する。図９は、この発明の第６実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図９（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図９（ｂ）には
図９（ａ）のＸ１１−Ｘ１１矢視断面を示す。図９にお
いて、２１は支持部材と放熱部材との機能を備える放熱
板であり、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符
号の部分に相当する部分である。
説明する。図９は、この発明の第６実施例によるパッケ
ージの構成を示す図である。図９（ａ）には半導体チッ
プを取り付けたパッケージの平面図を、図９（ｂ）には
図９（ａ）のＸ１１−Ｘ１１矢視断面を示す。図９にお
いて、２１は支持部材と放熱部材との機能を備える放熱
板であり、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符
号の部分に相当する部分である。
【００４７】放熱板２１は内部に空洞２１ａを有する四
角錐型の熱伝導部材である。この放熱板２１の底辺２１
ｂは半導体チップ１の周囲の基板２上に例えば接着剤で
固定されている。半導体チップ１と放熱板２１とは空洞
２１ａによって接触しないような位置関係が保たれてお
り、その状態でモールド樹脂が形成される。ここで、放
熱板として図２あるいは図３に示すような放熱板１２，
１３が持っているような開口部を設けて空洞２１ａの中
にモールド樹脂４を注入することもできる。
角錐型の熱伝導部材である。この放熱板２１の底辺２１
ｂは半導体チップ１の周囲の基板２上に例えば接着剤で
固定されている。半導体チップ１と放熱板２１とは空洞
２１ａによって接触しないような位置関係が保たれてお
り、その状態でモールド樹脂が形成される。ここで、放
熱板として図２あるいは図３に示すような放熱板１２，
１３が持っているような開口部を設けて空洞２１ａの中
にモールド樹脂４を注入することもできる。
【００４８】放熱板２１は、例えばアルミニウムや銅な
どの金属あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成さ
れている。また、放熱板２１の形状は、図に示した四角
錐以外の形状であっても良い。また、放熱板２１の空洞
２１ａに空気以外の熱伝導率の高い不活性ガスなどを注
入しても良く、さらに放熱性の改善ができる。また、放
熱板２１の一部を露出しても良く、放熱性が良くなる。
どの金属あるいはその他の熱伝導率の高い材料で構成さ
れている。また、放熱板２１の形状は、図に示した四角
錐以外の形状であっても良い。また、放熱板２１の空洞
２１ａに空気以外の熱伝導率の高い不活性ガスなどを注
入しても良く、さらに放熱性の改善ができる。また、放
熱板２１の一部を露出しても良く、放熱性が良くなる。
【００４９】このような構成のパッケージでは、半導体
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、空洞２１ａ内の気体を媒介として伝導、対流及
び放射によって放熱板２１に伝えられ、放熱板２１から
その上部のモールド樹脂４に伝えられて外部に発散され
る。放熱板２１によって効率良く外部に熱が伝えられ、
半導体チップ１の過熱を防止することができる。
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、空洞２１ａ内の気体を媒介として伝導、対流及
び放射によって放熱板２１に伝えられ、放熱板２１から
その上部のモールド樹脂４に伝えられて外部に発散され
る。放熱板２１によって効率良く外部に熱が伝えられ、
半導体チップ１の過熱を防止することができる。
【００５０】このように支持部材と放熱部材との機能を
兼ね備えた放熱板２１を用いることで、放熱部材と支持
部材との接合を行う行程を省くことができ、パッケージ
の組立が容易になる。
兼ね備えた放熱板２１を用いることで、放熱部材と支持
部材との接合を行う行程を省くことができ、パッケージ
の組立が容易になる。
【００５１】次に、この発明の第７実施例を図について
説明する。図１０は、この発明の第７実施例によるパッ
ケージの構成を示す図である。図１０（ａ）には半導体
チップを取り付けたパッケージの平面図を、図１０
（ｂ）には図１０（ａ）のＸ１２−Ｘ１２矢視断面を示
す。図１０において、２２は基板２の一方主面２ａ上の
半導体チップ１の周囲に配置されたリング状金属であ
り、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部
分に相当する部分である。
説明する。図１０は、この発明の第７実施例によるパッ
ケージの構成を示す図である。図１０（ａ）には半導体
チップを取り付けたパッケージの平面図を、図１０
（ｂ）には図１０（ａ）のＸ１２−Ｘ１２矢視断面を示
す。図１０において、２２は基板２の一方主面２ａ上の
半導体チップ１の周囲に配置されたリング状金属であ
り、その他図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部
分に相当する部分である。
【００５２】リング状金属２２は半導体チップ１の周囲
に設けられ、基板２上に例えば接着剤で固定されてい
る。モールド樹脂４が半導体チップ１及びリング状金属
２２を覆うように形成される。リング状金属２２は、例
えばアルミニウムや銅などの金属で構成されている。
に設けられ、基板２上に例えば接着剤で固定されてい
る。モールド樹脂４が半導体チップ１及びリング状金属
２２を覆うように形成される。リング状金属２２は、例
えばアルミニウムや銅などの金属で構成されている。
【００５３】このような構成のパッケージでは、半導体
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、モールド樹脂４からリング状金属２２に伝えら
れ、リング状金属２２からその周囲のモールド樹脂４に
伝えられて外部に発散される。リング状金属２２の熱伝
導率がモールド樹脂４より高いので効率良く外部に熱が
伝えられ、半導体チップ１の過熱を防止することができ
る。
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、モールド樹脂４からリング状金属２２に伝えら
れ、リング状金属２２からその周囲のモールド樹脂４に
伝えられて外部に発散される。リング状金属２２の熱伝
導率がモールド樹脂４より高いので効率良く外部に熱が
伝えられ、半導体チップ１の過熱を防止することができ
る。
【００５４】また、図１１に示すようにリング状金属の
代わりにモールド樹脂４より導電率の高いピンを半導体
チップ１の周囲に設けても上記実施例と同様の効果を奏
する。
代わりにモールド樹脂４より導電率の高いピンを半導体
チップ１の周囲に設けても上記実施例と同様の効果を奏
する。
【００５５】図１１は、この発明の第８実施例によるパ
ッケージの構成を示す図である。図１１（ａ）には半導
体チップを取り付けたパッケージの平面図を、図１１
（ｂ）には図１１（ａ）のＸ１３−Ｘ１３矢視断面を示
す。図１１において、２３は基板２の一方主面２ａ上の
半導体チップ１の周囲に配置されたピンであり、その他
図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相当す
る部分である。
ッケージの構成を示す図である。図１１（ａ）には半導
体チップを取り付けたパッケージの平面図を、図１１
（ｂ）には図１１（ａ）のＸ１３−Ｘ１３矢視断面を示
す。図１１において、２３は基板２の一方主面２ａ上の
半導体チップ１の周囲に配置されたピンであり、その他
図１と同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相当す
る部分である。
【００５６】ここで、８本のピン２３は、それぞれモー
ルド樹脂４より高い熱伝導率を有しており、基板２に固
着されている。なお、このピン２３の太さ及び本数は、
導線３及び半導体チップ１に接触しない範囲やモールド
樹脂４の強度などが許す範囲で、所望の放熱の効果に応
じて任意に設定できる。
ルド樹脂４より高い熱伝導率を有しており、基板２に固
着されている。なお、このピン２３の太さ及び本数は、
導線３及び半導体チップ１に接触しない範囲やモールド
樹脂４の強度などが許す範囲で、所望の放熱の効果に応
じて任意に設定できる。
【００５７】また、図１１に示すパッケージでは、ピン
２３を半導体チップ１の周囲の基板２の一方主面２ａ上
に配置したが、図１２に示すように半導体チップ１の上
方に配置しても上記と同様の効果を奏する。図１２は、
この発明の第９実施例によるパッケージの構成を示す図
である。図１２（ａ）には半導体チップを取り付けたパ
ッケージの平面図を、図１２（ｂ）には図１２（ａ）の
Ｘ１４−Ｘ１４矢視断面を示す。図１２において、２４
は半導体チップ１の上方に配置され先端に基部よりも太
くなった部分２４ａを有するピンであり、その他図１と
同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相当する部分
である。ピン２４はモールド樹脂４よりも熱伝導率が高
い材質で構成されている。
２３を半導体チップ１の周囲の基板２の一方主面２ａ上
に配置したが、図１２に示すように半導体チップ１の上
方に配置しても上記と同様の効果を奏する。図１２は、
この発明の第９実施例によるパッケージの構成を示す図
である。図１２（ａ）には半導体チップを取り付けたパ
ッケージの平面図を、図１２（ｂ）には図１２（ａ）の
Ｘ１４−Ｘ１４矢視断面を示す。図１２において、２４
は半導体チップ１の上方に配置され先端に基部よりも太
くなった部分２４ａを有するピンであり、その他図１と
同一符号の部分は図１の同一符号の部分に相当する部分
である。ピン２４はモールド樹脂４よりも熱伝導率が高
い材質で構成されている。
【００５８】図に示したようなパッケージ構成にする方
法の一例として、モールド樹脂４を高さｈ１までまず形
成し、続いてピン２４及び高さｈ１からｈ２までモール
ド樹脂４を形成する方法がある。
法の一例として、モールド樹脂４を高さｈ１までまず形
成し、続いてピン２４及び高さｈ１からｈ２までモール
ド樹脂４を形成する方法がある。
【００５９】次に、この発明の第１０実施例を図につい
て説明する。図１３は、この発明の第７実施例によるパ
ッケージの構成を示す図である。図１４は図１３に示し
た放熱板とＧＮＤ層との関係を示す斜視図である。図１
３及び図１４において、２５は多層基板、２６は多層基
板２５内の基準電位を与えるため銅箔やアルミ箔などの
金属箔で構成されているＧＮＤ層、２７は放熱板１０を
支持するとともにＧＮＤ層２６と放熱板１０との電気的
接続を行うためのピンであり、その他図１と同一符号の
部分は図１の同一符号の部分に相当する部分である。
て説明する。図１３は、この発明の第７実施例によるパ
ッケージの構成を示す図である。図１４は図１３に示し
た放熱板とＧＮＤ層との関係を示す斜視図である。図１
３及び図１４において、２５は多層基板、２６は多層基
板２５内の基準電位を与えるため銅箔やアルミ箔などの
金属箔で構成されているＧＮＤ層、２７は放熱板１０を
支持するとともにＧＮＤ層２６と放熱板１０との電気的
接続を行うためのピンであり、その他図１と同一符号の
部分は図１の同一符号の部分に相当する部分である。
【００６０】放熱板１０とピン２７とは例えばハンダな
どで電気的及び物理的に接続されるとともに、ピン２７
とＧＮＤ層２６も同様に接続される。そして、ピン２７
は例えばアルミニウムや銅などの金属で構成されてい
る。モールド樹脂４は、半導体チップ１、放熱板１０及
びピン２７を覆うように成形される。なお、放熱板１０
として図２あるいは図３に示すような放熱板１２，１３
を用いることもできる。
どで電気的及び物理的に接続されるとともに、ピン２７
とＧＮＤ層２６も同様に接続される。そして、ピン２７
は例えばアルミニウムや銅などの金属で構成されてい
る。モールド樹脂４は、半導体チップ１、放熱板１０及
びピン２７を覆うように成形される。なお、放熱板１０
として図２あるいは図３に示すような放熱板１２，１３
を用いることもできる。
【００６１】このような構成のパッケージでは、半導体
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、モールド樹脂４から放熱板１０及びピン２７に
伝えられ、ピン２７からＧＮＤ層２６に伝えられて基板
２５を介して外部に効率的に発散する経路が新たにでき
る。ピン２７の熱伝導率がモールド樹脂４より高いので
効率良く外部に熱が伝えられ、半導体チップ１の過熱を
防止することができる。
チップ１で発生した熱は、基板２を伝わって伝達される
以外に、モールド樹脂４から放熱板１０及びピン２７に
伝えられ、ピン２７からＧＮＤ層２６に伝えられて基板
２５を介して外部に効率的に発散する経路が新たにでき
る。ピン２７の熱伝導率がモールド樹脂４より高いので
効率良く外部に熱が伝えられ、半導体チップ１の過熱を
防止することができる。
【００６２】さらに、放熱板１０及びピン２７がＧＮＤ
層２６に接続されているので、ＧＮＤ層２６の電位の分
布が均一化され、半導体チップ１のノイズの低減に寄与
する。なお、ＧＮＤ層２６を突き抜けて半導体チップ１
と外部端子５との間で配線が行われるため、ＧＮＤ層２
６はパターニングされているが、図には示していない。
層２６に接続されているので、ＧＮＤ層２６の電位の分
布が均一化され、半導体チップ１のノイズの低減に寄与
する。なお、ＧＮＤ層２６を突き抜けて半導体チップ１
と外部端子５との間で配線が行われるため、ＧＮＤ層２
６はパターニングされているが、図には示していない。
【００６３】
【発明の効果】以上のように請求項１、請求項５あるい
は請求項６記載の発明のパッケージによれば、モールド
樹脂よりも熱伝導率の高い熱伝導部材によって効率的に
熱を発散することができ、半導体チップの過熱を防止す
る能力が高く、従来に比べて消費電力の大きな半導体チ
ップをパッケージングすることができるという効果があ
る。
は請求項６記載の発明のパッケージによれば、モールド
樹脂よりも熱伝導率の高い熱伝導部材によって効率的に
熱を発散することができ、半導体チップの過熱を防止す
る能力が高く、従来に比べて消費電力の大きな半導体チ
ップをパッケージングすることができるという効果があ
る。
【００６４】請求項２記載の発明のパッケージによれ
ば、支持部材と熱伝導部材とを一体的に成形することに
よってパッケージの組立行程を簡素化し、パッケージン
グを容易にすることができるという効果がある。
ば、支持部材と熱伝導部材とを一体的に成形することに
よってパッケージの組立行程を簡素化し、パッケージン
グを容易にすることができるという効果がある。
【００６５】請求項３記載の発明のパッケージによれ
ば、モールド樹脂よりも熱伝導率が高く、モールド樹脂
及び基板で囲まれた領域の外部に一部露出した支持部材
によって効率良く熱を発散することができ、半導体チッ
プの過熱を防止する能力が高く、従来に比べて消費電力
の大きな半導体チップをパッケージングすることができ
るという効果がある。
ば、モールド樹脂よりも熱伝導率が高く、モールド樹脂
及び基板で囲まれた領域の外部に一部露出した支持部材
によって効率良く熱を発散することができ、半導体チッ
プの過熱を防止する能力が高く、従来に比べて消費電力
の大きな半導体チップをパッケージングすることができ
るという効果がある。
【００６６】請求項４記載の発明のパッケージによれ
ば、放熱部材により支持部材のうちの外部に露出した部
分を冷やすことによって効率良く熱を発散することがで
き、半導体チップの過熱を防止する能力が高く、より消
費電力の大きな半導体チップをパッケージングすること
ができるという効果がある。
ば、放熱部材により支持部材のうちの外部に露出した部
分を冷やすことによって効率良く熱を発散することがで
き、半導体チップの過熱を防止する能力が高く、より消
費電力の大きな半導体チップをパッケージングすること
ができるという効果がある。
【００６７】請求項７記載の発明のパッケージによれ
ば、モールド樹脂及び基板で囲まれた領域の外部に露出
している部分から直接外部に熱を発散することができる
熱伝導部材を備えているので、半導体チップの過熱を防
止する能力が高く、従来に比べて消費電力の大きな半導
体チップをパッケージングすることができるという効果
がある。
ば、モールド樹脂及び基板で囲まれた領域の外部に露出
している部分から直接外部に熱を発散することができる
熱伝導部材を備えているので、半導体チップの過熱を防
止する能力が高く、従来に比べて消費電力の大きな半導
体チップをパッケージングすることができるという効果
がある。
【００６８】請求項８記載の発明のパッケージによれ
ば、導電性の熱伝導部材によって基準電位を与える配線
層の電位分布を低減することができ、半導体チップから
のノイズの発生を抑えることができるという効果があ
る。
ば、導電性の熱伝導部材によって基準電位を与える配線
層の電位分布を低減することができ、半導体チップから
のノイズの発生を抑えることができるという効果があ
る。
【図１】 この発明の第１実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】 放熱板の構成を示す平面図である。
【図３】 放熱板の構成を示す平面図である。
【図４】 この発明の第２実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】 この発明の第３実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】 この発明の第４実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】 この発明の第４実施例によるパッケージの構
成の他の態様を示す図である。
成の他の態様を示す図である。
【図８】 この発明の第５実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図９】 この発明の第６実施例によるパッケージの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１０】 この発明の第７実施例によるパッケージの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１１】 この発明の第８実施例によるパッケージの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１２】 この発明の第９実施例によるパッケージの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１３】 この発明の第１０実施例によるパッケージ
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１４】 図１３に示した放熱板とＧＮＤ層の構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１５】 従来のパッケージの構成を示す図である。
【図１６】 従来のパッケージの使用状態の一例を示す
図である。
図である。
【図１７】 従来の他のパッケージの構成を示す図であ
る。
る。
１ 半導体チップ、２，７，１７ 基板、３ 導線、４
モールド樹脂、５外部端子、６，１６ 放熱フィン、
８ 接着台、９ 蓋、１０，１２，１３，１４，２０，
２１ 放熱板、１１，１５，１８，２３，２４，２７
ピン、１９外部放熱板、２２ リング状金属、２５ 多
層基板、２６ ＧＮＤ層。
モールド樹脂、５外部端子、６，１６ 放熱フィン、
８ 接着台、９ 蓋、１０，１２，１３，１４，２０，
２１ 放熱板、１１，１５，１８，２３，２４，２７
ピン、１９外部放熱板、２２ リング状金属、２５ 多
層基板、２６ ＧＮＤ層。
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体チップが取り付けられる一方主
面、他方主面及び前記他方主面に設けられて前記半導体
チップと電気的に接続される外部端子を有する基板と、 前記半導体チップと離れてその上方に設けられた熱伝導
部材と、 前記パッド及び前記半導体チップの周囲に前記基板の前
記一方主面に固定して設けられ、前記熱伝導部材を支持
する支持部材と、 前記基板の一方主面上に設けられ、前記半導体チップを
覆うとともに、少なくとも前記熱伝導部材及び前記支持
部材と前記半導体チップとの隙間を埋めるモールド樹脂
とを備え、 前記熱伝導部材の熱伝導率が前記モールド樹脂よりも高
いことを特徴とする、パッケージ。 - 【請求項２】 前記熱伝導部材と前記支持部材とを一体
的に形成したことを特徴とする、請求項１記載のパッケ
ージ。 - 【請求項３】 前記支持部材は、前記モールド樹脂より
も熱伝導率が高い材料で構成され、前記モールド樹脂及
び前記基板で囲まれた領域の外部に一部露出しているこ
とを特徴とする、請求項１記載のパッケージ。 - 【請求項４】 前記モールド樹脂の外部に設けられて前
記支持部材と接続された放熱部材をさらに備える、請求
項３記載のパッケージ。 - 【請求項５】 半導体チップが取り付けられる一方主
面、他方主面及び前記他方主面に設けられて前記半導体
チップと電気的に接続された外部端子を有する基板と、 前記半導体チップと離れてその上方に設けられて前記半
導体チップを覆う熱伝導部材と、 前記基板の一方主面上に設けられ、前記熱伝導部材を覆
うモールド樹脂とを備え、 前記熱伝導部材の熱伝導率が前記モールド樹脂よりも高
いことを特徴とする、パッケージ。 - 【請求項６】 半導体チップが取り付けられる一方主
面、他方主面及び前記他方主面に設けられて前記半導体
チップと電気的に接続された外部端子を有する基板と、 前記基板の前記一方主面上の前記半導体チップの周囲に
設けられた熱伝導部材と、 前記基板の一方主面上に設けられ、前記半導体チップを
覆うとともに、前記熱伝導部材と前記半導体チップとの
間を埋めるモールド樹脂とを備え、 前記熱伝導部材の熱伝導率が前記モールド樹脂よりも高
いことを特徴とする、パッケージ。 - 【請求項７】 前記熱伝導部材の一部が前記モールド樹
脂及び前記基板で囲まれた領域の外部に一部露出してい
ることを特徴とする、請求項１または請求項６記載のパ
ッケージ。 - 【請求項８】 前記基板は、基準電位を与える配線層を
備える多層基板を含み、 前記熱伝導部材が導電性材料で構成されており、 前記熱伝導部材と前記配線層とが電気的に接続されてい
ることを特徴とする、請求項１、請求項５または請求項
６記載のパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6132354A JPH07335789A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6132354A JPH07335789A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335789A true JPH07335789A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15079404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6132354A Pending JPH07335789A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335789A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005179127A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
| JP2007027277A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Fujitsu Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2012009726A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置 |
| JP2017174951A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP6132354A patent/JPH07335789A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005179127A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
| JP4601288B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2010-12-22 | 京セラ株式会社 | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
| JP2007027277A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Fujitsu Ltd | 半導体パッケージ |
| JP4630746B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-02-09 | 富士通株式会社 | 半導体パッケージ |
| JP2012009726A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置 |
| US8614119B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-12-24 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device with heat spreader |
| US8614505B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-12-24 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device with heat spreader |
| JP2017174951A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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