JPH07335693A - Semiconductor device mounting method and semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device mounting method and semiconductor deviceInfo
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- JPH07335693A JPH07335693A JP6148607A JP14860794A JPH07335693A JP H07335693 A JPH07335693 A JP H07335693A JP 6148607 A JP6148607 A JP 6148607A JP 14860794 A JP14860794 A JP 14860794A JP H07335693 A JPH07335693 A JP H07335693A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基部及び先端部がフィルム基材により固定・
支持されたリードを有するTABに対して、その接合強
度を有効に向上し得るようにする。
【構成】 リード15の幅をパッド21の幅よりも相対
的に狭く設定し、リード15をパッド21上に静置する
工程と、少なくともパッド21の幅以下に集光させたレ
ーザ光をリード15に沿って照射しながら走査する工程
と、を備えている。基部15b及び先端部15aがフィ
ルム基材12により固定・支持されたリード15を実装
基板20上のパッド21に半田接合する。リード15と
パッド21との高い半田接合強度を確保し、その接合状
態の確認を容易且つ確実に行うことができる。
(57) [Summary] [Purpose] The base and tip are fixed by a film base.
A bonding strength of a TAB having supported leads can be effectively improved. Constitution: a step of setting the width of the lead 15 relatively narrower than the width of the pad 21 and allowing the lead 15 to stand on the pad 21; and a laser beam focused to at least the width of the pad 21 or less. And a step of scanning while illuminating. The lead 15 having the base portion 15b and the tip portion 15a fixed and supported by the film base material 12 is soldered to the pad 21 on the mounting substrate 20. A high solder joint strength between the lead 15 and the pad 21 is secured, and the joint state can be easily and surely confirmed.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、TAB(Tape
Automated Bonding)、特にLCD(LiquidCrystal Dis
play)用TABに好適な半導体装置の実装方法及びこの
LCD用TABを用いた半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, for example, a TAB (Tape
Automated Bonding), especially LCD (Liquid Crystal Dis
The present invention relates to a semiconductor device mounting method suitable for a play TAB and a semiconductor device using the LCD TAB.
【0002】[0002]
【従来の技術】フィルムキャリヤに半導体チップを搭載
するTABにおいて、フィルム基材上にパターン形成さ
れた複数(多数)のリードを有し、デバイスホールにて
そのリードのインナーリード側に半導体チップを接続・
搭載すると共に、アウターリード側で所定の実装基板に
接続される。2. Description of the Related Art In a TAB in which a semiconductor chip is mounted on a film carrier, a plurality of (many) leads patterned on a film base material are provided, and the semiconductor chip is connected to the inner lead side of the lead in a device hole.・
It is mounted and connected to a predetermined mounting substrate on the outer lead side.
【0003】TABを基板実装する際、加熱ツール、例
えばパルスヒート等のホットバー方式等が用いられる
が、従来このホットバー方式が主流であった。なお、ホ
ットバー方式においては、リードピッチが狭くなるのに
伴い半田によるショート等が発生し易くなり、その場合
歩留まりを高めることが困難になる等の問題がある。When mounting the TAB on the substrate, a heating tool, for example, a hot bar method such as pulse heating is used, and the hot bar method has been the mainstream in the past. In the hot bar method, there is a problem that a short circuit due to solder easily occurs as the lead pitch becomes narrower, and in that case, it becomes difficult to increase the yield.
【0004】ところで、レーザ光を用いてTABを基板
実装する方法が開発されつつある。この場合、レーザ光
をリード幅と同等程度まで集光し、そのレーザ光の照射
により1ピンずつ半田のリフローが行われるため、この
レーザ光を用いた実装方法によれば、半田ショート等の
問題が全くない。By the way, a method of mounting a TAB on a substrate using a laser beam is being developed. In this case, the laser light is condensed to a width approximately equal to the lead width, and the reflow of the solder is performed pin by pin by the irradiation of the laser light. Therefore, according to the mounting method using the laser light, problems such as solder shorts occur There is no
【0005】例えば、QFP(Quad Flat Pack)タイプ
のTABでは、リード(アウターリード)先端が区切れ
ており、レーザ光をそのリード先端部から照射していく
ことにより、実装基板上の半田がリード先端部及びリー
ドの該基板からの立上がり部まで回り込み、これらの部
分にて所謂フロントフィレット及びバックフィレットが
形成される。このように実装された半導体装置におい
て、一般には実装基板に対する接合強度は高く、また半
田接合状態等を確認するための外観検査等を容易に行う
ことができる。For example, in a QFP (Quad Flat Pack) type TAB, the lead (outer lead) tip is divided, and the laser light is emitted from the lead tip, so that the solder on the mounting substrate leads. The tip portion and the lead extend around to the rising portion from the substrate, and so-called front fillet and back fillet are formed in these portions. In the semiconductor device thus mounted, the bonding strength with respect to the mounting substrate is generally high, and the appearance inspection for confirming the solder bonding state and the like can be easily performed.
【0006】一方また、液晶テレビ等に使用される液晶
パネルの駆動用としてTABが導入されるが、このLC
D用TAB等ではリードの先端部及び基部は、例えば図
6に示したように、ポリイミドのフィルム基材1により
固定・支持される。つまりリード2(アウターリード)
の先端部2aはこのポリイミドを介して相互に繋がって
いる。またリード2は、特別な形状(例えばガルウィン
グ状)に成形されることなくフラットのままで基板3の
パッド4に接合されて実装が行われるようになってい
る。On the other hand, TAB is introduced for driving a liquid crystal panel used in a liquid crystal television.
In the TAB for D or the like, the leading end and the base of the lead are fixed and supported by a polyimide film substrate 1 as shown in FIG. 6, for example. In other words, lead 2 (outer lead)
The tip portions 2a of the are connected to each other via this polyimide. Further, the lead 2 is not formed into a special shape (for example, a gull wing shape) but is bonded to the pad 4 of the substrate 3 while being flat and mounted.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、かかるLC
D用TABにおいて、リード2と基板3のパッド4とを
接合する場合、レーザ光を用いて接合することは可能で
ある。しかしながら、従来の実装方法ではLCD用TA
Bにおけるリード2は、前述のようにその先端部2aが
繋がった状態でフラット形状のままで基板実装されるた
め、図6に示されるように特にリード2とパッド4とが
同一幅の場合にはレーザ光100を照射しながら走査し
ても、そのリード2の下面領域でのみ半田接合される。
つまりフロントもしくはバックフィレット等が有効に形
成されず、従って半田接合強度が弱くならざるを得なか
った。またリード2と接続すべきパッド4が、そのリー
ド2の下側に完全に隠されてしまうため、両者の接合状
態を確認することが著しく困難になる。By the way, such LC
In the TAB for D, when the lead 2 and the pad 4 of the substrate 3 are joined, it is possible to join them by using laser light. However, in the conventional mounting method, TA for LCD is used.
As described above, the lead 2 in B is mounted on the substrate in a flat shape with its tip 2a connected as described above. Therefore, as shown in FIG. 6, especially when the lead 2 and the pad 4 have the same width. Even if scanning is performed while irradiating the laser beam 100, the solder bonding is performed only in the lower surface region of the lead 2.
That is, the front or back fillet is not effectively formed, and therefore the solder joint strength is unavoidable. Further, since the pad 4 to be connected to the lead 2 is completely hidden under the lead 2, it becomes extremely difficult to confirm the bonding state between the two.
【0008】本発明はかかる実情に鑑み、基部及び先端
部がフィルム基材により固定・支持されたリードを有す
るTABに対して、その接合強度を有効に向上し得る半
導体装置の実装方法及び半導体装置を提供することを目
的とする。In view of the above situation, the present invention is a semiconductor device mounting method and a semiconductor device capable of effectively improving the bonding strength of a TAB having a lead whose base and tip are fixed and supported by a film base material. The purpose is to provide.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の実装方法は、基部及び先端部がフィルム基材により固
定・支持されたリードを、実装基板上のパッドに半田接
合する実装方法において、前記リードの幅を前記パッド
の幅よりも相対的に狭く設定し、そのリードを前記パッ
ド上に静置する工程と、少なくとも前記パッドの幅以下
に集光させたレーザ光を前記リードに沿って照射しなが
ら走査する工程と、を備え、前記リードを前記パッドに
半田接合するようにしたものである。A method of mounting a semiconductor device according to the present invention is a mounting method in which a lead having a base portion and a tip portion fixed and supported by a film base material is soldered to a pad on a mounting substrate. A step of setting the width of the lead relatively narrower than the width of the pad, and leaving the lead still on the pad, and irradiating a laser beam focused at least below the width of the pad along the lead. While scanning, the leads are soldered to the pads.
【0010】また本発明による半導体装置は、パターン
形成されたリードとこのリードの基部及び先端部を固定
・支持するフィルム基材とを有するフィルムキャリヤ
と、前記フィルムキャリヤの所定位置に搭載され、前記
リードと接続される半導体チップと、前記リードの前記
先端部付近にて半田接合される多数のパッドを有する実
装基板と、を備え、前記リードの幅が前記パッドの幅よ
りも相対的に狭く設定され、このリードを前記パッドに
半田接合して成るものである。Further, a semiconductor device according to the present invention is mounted on a film carrier having a patterned lead and a film base material for fixing and supporting a base portion and a tip end portion of the lead, and is mounted at a predetermined position on the film carrier. A semiconductor chip connected to the leads; and a mounting board having a large number of pads solder-bonded in the vicinity of the tips of the leads, wherein the width of the leads is set relatively narrower than the width of the pads. This lead is soldered to the pad.
【0011】[0011]
【作用】本発明方法によれば、フィルムキャリヤのリー
ドは、実装基板上のパッドに半田接合されるが、そのリ
ードの幅は、パッドの幅よりも相対的に狭く設定されて
いる。そしてかかるリードに沿って、パッド幅以下まで
集光したレーザ光を照射することにより半田をリフロー
させる。このリフローにより、リードの下面領域におい
ては勿論のこと、特にリード側部にてサイドフィレット
が形成される。従って高い半田接合強度を得ることがで
きる上、その外観検査を極めて容易に行うことができ
る。According to the method of the present invention, the lead of the film carrier is soldered to the pad on the mounting substrate, and the width of the lead is set relatively narrower than the width of the pad. Then, the solder is reflowed by irradiating the laser light focused to the pad width or less along the lead. By this reflow, the side fillet is formed not only in the lower surface region of the lead but especially on the side portion of the lead. Therefore, a high solder joint strength can be obtained, and the appearance inspection can be performed very easily.
【0012】また本発明の半導体装置によれば、特にリ
ードの基部及び先端部がフィルム基材により固定・支持
されたLCD用TABにおいて、リード幅が基板のパッ
ド幅よりも相対的に狭く設定されることにより、特にそ
のリード側部にてサイドフィレットが形成され、高い半
田接合強度を実現することができる。According to the semiconductor device of the present invention, the lead width is set to be relatively narrower than the pad width of the substrate, especially in the TAB for LCD in which the base portion and the tip portion of the lead are fixed and supported by the film base material. As a result, a side fillet is formed especially on the lead side portion, and high solder joint strength can be realized.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図1乃至図5に基づき、本発明による
半導体装置の実装方法及び半導体装置の好適な実施例を
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a semiconductor device mounting method and a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0014】図1及び図2は、本実施例に係る半導体装
置の全体構成を示している。この半導体装置は、LCD
用TAB10とこのLCD用TAB10を実装するため
の実装基板20とにより構成されるものとする。LCD
用TAB10において、フィルムキャリヤ11は、ポリ
イミド等の材料により形成されたフィルム基材12及び
このフィルム基材12上にパターン形成された複数のリ
ード13を有している。各リード13は、インナーリー
ド14及びアウターリード15により構成され、デバイ
スホール16内に突出するインナーリード14にてバン
プ17を介して半導体チップ18を接続・搭載するよう
になっている。半導体チップ18は、ポッティング樹脂
19等によって封止されている。1 and 2 show the overall structure of a semiconductor device according to this embodiment. This semiconductor device is an LCD
It is assumed that the TAB 10 for LCD and the mounting substrate 20 for mounting the TAB 10 for LCD are used. LCD
In the TAB 10 for use, the film carrier 11 has a film base material 12 formed of a material such as polyimide and a plurality of leads 13 patterned on the film base material 12. Each lead 13 is composed of an inner lead 14 and an outer lead 15. The inner lead 14 protruding into the device hole 16 connects and mounts the semiconductor chip 18 via the bump 17. The semiconductor chip 18 is sealed with potting resin 19 or the like.
【0015】リード13、特にアウターリード15の先
端部15a及び基部15bは、図3に示されるように、
基本的には前述した従来例の場合と同様にフィルム基材
12により固定・支持される。つまりアウターリード1
5の先端部15aは、フィルム基材12の端部12aを
介して相互に繋がっている(図1参照)。As shown in FIG. 3, the lead 13, especially the tip portion 15a and the base portion 15b of the outer lead 15, are
Basically, it is fixed and supported by the film substrate 12 as in the case of the conventional example described above. That is, outer lead 1
The front end portions 15a of the film 5 are connected to each other via the end portions 12a of the film base material 12 (see FIG. 1).
【0016】実装基板20において、図2及び図3に示
されるように、アウターリード15に対応して複数のパ
ッド21が所定ピッチで配列されている。各パッド21
はアウターリード15に沿って一定の長さと一定の幅と
を有している。特に、アウターリード15及びパッド2
1の関係では、アウターリード15(インナーリード1
4についても同様である)の幅は、図4に示されるよう
にパッド21の幅よりも相対的に狭く設定されている。
つまりアウターリード15の幅は、従来のものよりも狭
くなっているが、また同時にこのアウターリード15に
おける電気的導通性及び強度を十分に確保し得る程度に
設定される。アウターリード15及びパッド21は半田
22を介して相互に接合され、従って半導体チップ18
は、実装基板20に対して電気的に接続される。As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of pads 21 corresponding to the outer leads 15 are arranged at a predetermined pitch on the mounting board 20. Each pad 21
Has a constant length and a constant width along the outer lead 15. In particular, the outer lead 15 and the pad 2
In the relationship of 1, the outer lead 15 (inner lead 1
4 is the same), as shown in FIG. 4, is set relatively narrower than the width of the pad 21.
In other words, the width of the outer lead 15 is narrower than that of the conventional one, but at the same time, the outer lead 15 is set to the extent that electrical conductivity and strength of the outer lead 15 can be sufficiently secured. The outer lead 15 and the pad 21 are bonded to each other through the solder 22, and therefore the semiconductor chip 18
Are electrically connected to the mounting substrate 20.
【0017】次に上記の構成で成る半導体装置の実装方
法について説明する。本発明方法によれば、リード1
3、即ちアウターリード15を実装基板20上のパッド
21に半田接合するが、前述のようにアウターリード1
5の幅をパッド21の幅よりも相対的に狭く設定する。
そしてアウターリード15をパッド21上に静置する
が、この場合アウターリード15は、図4に示されるよ
うにパッド21のほぼ中央部(幅方向)に配置される。
このようにアウターリード15の幅を狭く設定すること
により、アウターリード15の側面よりも更に外側にて
プリコートされた半田22が存在することになる。Next, a method of mounting the semiconductor device having the above structure will be described. According to the method of the present invention, the lead 1
3, that is, the outer lead 15 is soldered to the pad 21 on the mounting substrate 20, but as described above, the outer lead 1
The width of 5 is set relatively narrower than the width of the pad 21.
Then, the outer lead 15 is allowed to stand still on the pad 21. In this case, the outer lead 15 is arranged at the substantially central portion (width direction) of the pad 21 as shown in FIG.
By setting the width of the outer lead 15 to be narrow as described above, the solder 22 pre-coated exists outside the side surface of the outer lead 15.
【0018】次に、図4に示されるように好ましくはパ
ッド21の幅と同等の大きさに集光させたレーザ光10
0をアウターリード15に照射する。なお、パッド21
の幅以下の大きさに集光させたレーザ光100′を照射
するようにしてもよい。そして、アウターリード15を
含んだパッド21の全体領域にレーザ光100が照射さ
れるように、そのレーザ光100を走査する。なお、レ
ーザ光100′を照射する場合には、少なくともアウタ
ーリード15の領域を含むように照射されるものとす
る。Next, as shown in FIG. 4, the laser beam 10 is preferably focused to the same size as the width of the pad 21.
The outer lead 15 is irradiated with 0. The pad 21
The laser beam 100 'condensed to a size equal to or smaller than the width may be irradiated. Then, the laser beam 100 is scanned so that the entire region of the pad 21 including the outer lead 15 is irradiated with the laser beam 100. In addition, when the laser light 100 ′ is irradiated, it is assumed that the laser light 100 ′ is irradiated so as to include at least the region of the outer lead 15.
【0019】レーザ光100もしくはレーザ光100′
を照射する場合、例えば図5に示されるように、アウタ
ーリード15の先端部15aからその基部15bへ向か
う方向(矢印A参照)に走査する。なお、このレーザ光
100等の走査方向は、上記とは反対、つまりアウター
リード15の基部15bから先端部15aへ向かう方向
に設定してもよい。いずれの場合においても、パッド2
1の全体領域又は少なくともアウターリード15の領域
に照射されるように、レーザ光100もしくは100′
を走査する。Laser light 100 or laser light 100 '
When irradiating, the scanning is performed in a direction (see arrow A) from the tip portion 15a of the outer lead 15 to the base portion 15b thereof, as shown in FIG. The scanning direction of the laser light 100 or the like may be set opposite to the above, that is, the direction from the base portion 15b of the outer lead 15 toward the tip portion 15a. In either case, pad 2
Laser light 100 or 100 ′ so that the entire area of 1 or at least the area of the outer lead 15 is irradiated.
To scan.
【0020】なお上記の場合、レーザ光100もしくは
レーザ光100′は、図示しないレーザ発生装置から照
射されるが、レーザ光100等の強度、照射時間或いは
走査速度等は、半田22のリフロー具合等を考慮して任
意且つ好適に設定・制御され得る。In the above case, the laser beam 100 or the laser beam 100 'is emitted from a laser generator (not shown). In consideration of the above, it can be set and controlled arbitrarily and suitably.
【0021】レーザ光100もしくは100′の照射に
より、半田22をリフローさせてアウターリード15及
びパッド21を接合するが、この半田接合によればアウ
ターリード15の下面領域のみならず、アウターリード
15の側部にてサイドフィレット22aが形成される。
このようにアウターリード15の幅をパッド21の幅よ
りも相対的に狭く設定したことにより、高い半田接合強
度を得ることができる上、その外観検査を極めて容易に
行うことができる。By irradiating the laser beam 100 or 100 ', the solder 22 is reflowed to bond the outer lead 15 and the pad 21. According to this solder bonding, not only the lower surface area of the outer lead 15 but also the outer lead 15 is formed. The side fillet 22a is formed at the side portion.
By thus setting the width of the outer lead 15 to be relatively narrower than the width of the pad 21, a high solder joint strength can be obtained and the appearance inspection thereof can be extremely easily performed.
【0022】ここで、LCD用TAB10を実装基板2
0上に搭載する際、仮にアウターリード15がパッド2
1に対して中央部に配置されず、即ち左右いずれかの側
に偏寄して配置された場合を考える。この場合において
も少なくともアウターリード15の右又は左側部にてサ
イドフィレット22aが形成され、従ってこのような場
合を含めて常に高い半田接合強度を得ることができる。Here, the TAB 10 for LCD is mounted on the mounting substrate 2
When mounting on 0, the outer lead 15 is assumed to be pad 2
Consider a case in which it is not arranged in the central portion with respect to 1, that is, it is arranged so as to be biased to either the left or right side. In this case as well, the side fillet 22a is formed at least on the right or left side of the outer lead 15, so that a high solder joint strength can always be obtained in such a case.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、特
にLCD用TABにおいてリードの幅をパッドの幅より
も相対的に狭く設定し、そのパッド幅以下まで集光した
レーザ光を走査させることにより、リード側部にて有効
にサイドフィレットが形成される。この結果、高い半田
接合強度を得ることができると共に、外観検査を極めて
容易に行うことができる等の利点を有している。As described above, according to the present invention, particularly in the TAB for LCD, the width of the lead is set relatively narrower than the width of the pad, and the laser beam condensed to the width of the pad or less is scanned. As a result, the side fillet is effectively formed on the lead side portion. As a result, there are advantages that a high solder joint strength can be obtained and the appearance inspection can be performed very easily.
【図1】本発明の一実施例に係る半導体装置の全体構成
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のII−II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
【図3】図2のIII部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of section III of FIG.
【図4】本発明の一実施例に係る半導体装置における要
部平面図である。FIG. 4 is a main part plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の一実施例に係るレーザ照射方法の例を
示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing an example of a laser irradiation method according to an embodiment of the present invention.
【図6】従来の実装方法に係る半導体装置における要部
平面図である。FIG. 6 is a plan view of a main part of a semiconductor device according to a conventional mounting method.
10 LCD用TAB 11 フィルムキャリヤ 12 フィルム基材 12a 端部 13 リード 14 インナーリード 15 アウターリード 15a 先端部 15b 基部 16 デバイスホール 17 バンプ 18 半導体チップ 19 ポッティング樹脂 20 実装基板 21 パッド 22 半田 22a サイドフィレット 100 レーザ 10 TAB for LCD 11 film carrier 12 film base material 12a end part 13 lead 14 inner lead 15 outer lead 15a tip part 15b base part 16 device hole 17 bump 18 semiconductor chip 19 potting resin 20 mounting substrate 21 pad 22 solder 22a side fillet 100 laser
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 哲 相模原市淵野辺5−10−1 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内 (72)発明者 大門 正博 相模原市淵野辺5−10−1 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Yamaguchi 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara City Electronics Research Laboratories, Nippon Steel Co., Ltd. (72) Masahiro Daimon 5-10-1, Fuchinobe, Sagamihara Electronics Co., Ltd. Electronics Research Laboratory
Claims (2)
定・支持されたリードを、実装基板上のパッドに半田接
合する半導体装置の実装方法において、 前記リードの幅を前記パッドの幅よりも相対的に狭く設
定し、そのリードを前記パッド上に静置する工程と、 少なくとも前記パッドの幅以下に集光させたレーザ光を
前記リードに沿って照射しながら走査する工程と、を備
え、 前記リードを前記パッドに半田接合するようにしたこと
を特徴とする半導体装置の実装方法。1. A method of mounting a semiconductor device, wherein a lead having a base portion and a tip portion fixed and supported by a film base material is solder-bonded to a pad on a mounting substrate, wherein a width of the lead is relatively greater than a width of the pad. A step of setting the lead narrowly on the pad, and leaving the lead still on the pad; and a step of scanning while irradiating the lead with a laser beam focused at least equal to or less than the width of the pad, A method of mounting a semiconductor device, wherein a lead is soldered to the pad.
の基部及び先端部を固定・支持するフィルム基材とを有
するフィルムキャリヤと、 前記フィルムキャリヤの所定位置に搭載され、前記リー
ドと接続される半導体チップと、 前記リードの前記先端部付近にて半田接合される多数の
パッドを有する実装基板と、を備え、 前記リードの幅が前記パッドの幅よりも相対的に狭く設
定され、このリードを前記パッドに半田接合して成る半
導体装置。2. A film carrier having a patterned lead and a film base material for fixing and supporting a base portion and a tip portion of the lead, and a semiconductor mounted at a predetermined position of the film carrier and connected to the lead. A chip; and a mounting board having a large number of pads solder-bonded in the vicinity of the tips of the leads, wherein the width of the leads is set to be relatively narrower than the width of the pads. A semiconductor device that is soldered to a pad.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6148607A JPH07335693A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Semiconductor device mounting method and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6148607A JPH07335693A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Semiconductor device mounting method and semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07335693A true JPH07335693A (en) | 1995-12-22 |
Family
ID=15456561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6148607A Withdrawn JPH07335693A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Semiconductor device mounting method and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07335693A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013233723A (en) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing liquid injection head |
US20170010417A1 (en) * | 2014-03-26 | 2017-01-12 | Fujikura Ltd. | Light guiding device, manufacturing method, and ld module |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP6148607A patent/JPH07335693A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013233723A (en) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing liquid injection head |
US20170010417A1 (en) * | 2014-03-26 | 2017-01-12 | Fujikura Ltd. | Light guiding device, manufacturing method, and ld module |
US9864142B2 (en) * | 2014-03-26 | 2018-01-09 | Fujikura Ltd. | Light guiding device, manufacturing method, and LD module |
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Legal Events
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