JPH0733563A - 耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法 - Google Patents
耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法Info
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- JPH0733563A JPH0733563A JP22634293A JP22634293A JPH0733563A JP H0733563 A JPH0733563 A JP H0733563A JP 22634293 A JP22634293 A JP 22634293A JP 22634293 A JP22634293 A JP 22634293A JP H0733563 A JPH0733563 A JP H0733563A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】炭素或いは黒鉛基体の表面に皮膜を形成し、こ
の皮膜の密着性が良好であり、且つ高温域における耐酸
化・耐腐食性に優れた耐熱構造材料の製造方法を提供す
ること。 【構成】炭素或いは黒鉛基体の表層部に、周期律表のＩ
Ｖａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれ
るいずれか１種類以上の元素を分散させ、その表面に化
合物層を形成する、高温域における耐酸化・耐腐食性に
優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法。
の皮膜の密着性が良好であり、且つ高温域における耐酸
化・耐腐食性に優れた耐熱構造材料の製造方法を提供す
ること。 【構成】炭素或いは黒鉛基体の表層部に、周期律表のＩ
Ｖａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれ
るいずれか１種類以上の元素を分散させ、その表面に化
合物層を形成する、高温域における耐酸化・耐腐食性に
優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温での耐酸化性に優
れた耐熱構造材料の製造方法に関するものであり、更に
詳しくはジェットエンジン部材、タービンエンジン部材
等、大気中あるは酸素のある雰囲気で高温の使用環境に
好適に用いられる炭素或いは黒鉛部材の製造方法に関す
るものである。
れた耐熱構造材料の製造方法に関するものであり、更に
詳しくはジェットエンジン部材、タービンエンジン部材
等、大気中あるは酸素のある雰囲気で高温の使用環境に
好適に用いられる炭素或いは黒鉛部材の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】炭素或いは黒鉛製品は、軽量で化学的・
熱的安定性に優れ、非金属でありながら熱や電気伝導性
に優れるほか、特に繊維状に加工した製品については、
高温環境下において優れた機械的強度を有することか
ら、化学、繊維、高分子、金属精錬、窯業等の先端工業
分野で広く採用されている。
熱的安定性に優れ、非金属でありながら熱や電気伝導性
に優れるほか、特に繊維状に加工した製品については、
高温環境下において優れた機械的強度を有することか
ら、化学、繊維、高分子、金属精錬、窯業等の先端工業
分野で広く採用されている。
【０００３】しかし、一方でこの炭素或いは黒鉛製品
は、大気中或いは酸素のある雰囲気で高温に曝されると
酸素と反応する。酸化によって構造部材中に欠陥が発生
して製品の機械強度が減少してしまう。更に酸化が進む
と、最終的には製品構造を維持出来なくなる。そのため
従来、炭素或いは黒鉛基体の表面上に溶射法、化学蒸着
（ＣＶＤ）法等によって炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜、或い
は、ＳｉＣと炭素或いは黒鉛基体との熱膨張率の差を緩
和するためＳｉＣと炭素の組成を段階的に変化させた傾
斜組成膜で被覆することが試みられてきた。
は、大気中或いは酸素のある雰囲気で高温に曝されると
酸素と反応する。酸化によって構造部材中に欠陥が発生
して製品の機械強度が減少してしまう。更に酸化が進む
と、最終的には製品構造を維持出来なくなる。そのため
従来、炭素或いは黒鉛基体の表面上に溶射法、化学蒸着
（ＣＶＤ）法等によって炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜、或い
は、ＳｉＣと炭素或いは黒鉛基体との熱膨張率の差を緩
和するためＳｉＣと炭素の組成を段階的に変化させた傾
斜組成膜で被覆することが試みられてきた。
【０００４】しかしながら、従来の溶射法や化学蒸着法
等によるＳｉＣ或いはＳｉＣと炭素との傾斜組成膜の被
覆には多くの気孔やき裂或いは粗大な柱状結晶の粒界を
含み、そのため炭素或いは黒鉛基体に対して十分な耐酸
化性、耐腐食性を付与することが出来ていない。また、
ＳｉＣ被模の密着強度は大きくなく、衝撃を受けた際に
被膜と炭素或いは黒鉛基体表面近くの基体側からはく離
する危険性があった。
等によるＳｉＣ或いはＳｉＣと炭素との傾斜組成膜の被
覆には多くの気孔やき裂或いは粗大な柱状結晶の粒界を
含み、そのため炭素或いは黒鉛基体に対して十分な耐酸
化性、耐腐食性を付与することが出来ていない。また、
ＳｉＣ被模の密着強度は大きくなく、衝撃を受けた際に
被膜と炭素或いは黒鉛基体表面近くの基体側からはく離
する危険性があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、先ず従来の化学蒸着法等によって被覆され
た被膜の欠陥や柱状結晶粒界を通じて侵入してくる酸素
やその他の腐食性ガス成分が炭素或いは黒鉛基体に到達
する事を防ぐ様な手段を見い出して、炭素或いは黒鉛基
体に優れた耐酸化性、耐腐食性を付与することである。
また、前記被膜が存在する場合に、炭素或いは黒鉛基体
からはく離し難い、基体に対する被膜の密着性の良い炭
素或いは黒鉛部材を提供することである。
する課題は、先ず従来の化学蒸着法等によって被覆され
た被膜の欠陥や柱状結晶粒界を通じて侵入してくる酸素
やその他の腐食性ガス成分が炭素或いは黒鉛基体に到達
する事を防ぐ様な手段を見い出して、炭素或いは黒鉛基
体に優れた耐酸化性、耐腐食性を付与することである。
また、前記被膜が存在する場合に、炭素或いは黒鉛基体
からはく離し難い、基体に対する被膜の密着性の良い炭
素或いは黒鉛部材を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、上
記目的の実現に向け鋭意研究した結果、炭素或いは黒鉛
基体の表層部に、周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ
族族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上
の元素を分散させ、その表面に化合物層を有せしめるこ
とによって達成できること、望ましくはそれらの元素の
イオンを注入し、基体表面近傍に近いほどそれらの炭化
物を密に分布させ、更に好ましくは、その上に物理蒸着
（ＰＶＤ）法等により形成した緻密な化合物層を０．３
乃至１０μｍの厚みに被覆させた場合には、更に著しい
効果を示す事を知見し、本発明を完成した。
記目的の実現に向け鋭意研究した結果、炭素或いは黒鉛
基体の表層部に、周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ
族族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上
の元素を分散させ、その表面に化合物層を有せしめるこ
とによって達成できること、望ましくはそれらの元素の
イオンを注入し、基体表面近傍に近いほどそれらの炭化
物を密に分布させ、更に好ましくは、その上に物理蒸着
（ＰＶＤ）法等により形成した緻密な化合物層を０．３
乃至１０μｍの厚みに被覆させた場合には、更に著しい
効果を示す事を知見し、本発明を完成した。
【０００７】即ち本発明においては、まず炭素或いは黒
鉛基体の表層部に周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ
族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の
元素を分散させ、その表面に化合物層を有せしめる。望
ましくは、前記元素のイオンを注入する。これ等元素の
原子は炭素との親和性が大きく、炭化物を形成する。こ
れらの炭化物は、従来から行われている単一加速エネル
ギーで注入される場合には表面から一定深さに於いて最
も密に分布し、最表面層にはほとんど存在しない。これ
に対し、本発明に於いて好ましくは、１０乃至１０００
ｋｅＶ内の数水準のエネルギーで多重注入して、注入元
素の炭化物が炭素或いは黒鉛基体の表面ほど密に分布せ
しめる。
鉛基体の表層部に周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ
族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の
元素を分散させ、その表面に化合物層を有せしめる。望
ましくは、前記元素のイオンを注入する。これ等元素の
原子は炭素との親和性が大きく、炭化物を形成する。こ
れらの炭化物は、従来から行われている単一加速エネル
ギーで注入される場合には表面から一定深さに於いて最
も密に分布し、最表面層にはほとんど存在しない。これ
に対し、本発明に於いて好ましくは、１０乃至１０００
ｋｅＶ内の数水準のエネルギーで多重注入して、注入元
素の炭化物が炭素或いは黒鉛基体の表面ほど密に分布せ
しめる。
【０００８】或いは、炭素或いは黒鉛基体表面に化学蒸
着法にて周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及び
Ｂ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の元素を
蒸着し、その試料を熱処理することによって炭素或いは
黒鉛基体中に拡散させても良い。
着法にて周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及び
Ｂ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の元素を
蒸着し、その試料を熱処理することによって炭素或いは
黒鉛基体中に拡散させても良い。
【０００９】或いは、溶融塩法により、炭素或いは黒鉛
基体の表層部に金属原子を析出させても良い。この方法
は、作用極に炭素或いは黒鉛基体、対極に白金、タング
ステン又はモリブデン等を用い、ＺｎＣｌ２−ＮａＣｌ
系溶融塩にＷＣｌ６又はＭｏＣｌ６を所定量添加した
浴、ＮａＢＯ２−Ｎａ２ＣＯ３−ＬｉＦ系溶融塩にＷＯ
３又はＭｏＯ３を所定量添加した浴を電気分解すると、
作用極にＷ、ＷＣ、Ｗ２Ｃ又はＭｏ、ＭｏＣ、ＭｏＣ２
が電析する。
基体の表層部に金属原子を析出させても良い。この方法
は、作用極に炭素或いは黒鉛基体、対極に白金、タング
ステン又はモリブデン等を用い、ＺｎＣｌ２−ＮａＣｌ
系溶融塩にＷＣｌ６又はＭｏＣｌ６を所定量添加した
浴、ＮａＢＯ２−Ｎａ２ＣＯ３−ＬｉＦ系溶融塩にＷＯ
３又はＭｏＯ３を所定量添加した浴を電気分解すると、
作用極にＷ、ＷＣ、Ｗ２Ｃ又はＭｏ、ＭｏＣ、ＭｏＣ２
が電析する。
【００１０】また、これらの上に周期律表のＩＶａ族、
Ｖａ族、ＶＩａ族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれ
か１種類以上の元素の炭化物層をイオンプレーティング
法、スパッリング法及び物理蒸着法等により０．３乃至
１０μｍ厚みに被覆することが好ましい。更にその上
に、従来行われているＳｉＣ等の被膜を化学蒸着法で被
覆しても良い。この場合、一層の耐酸化性を付与するこ
とが出来る。
Ｖａ族、ＶＩａ族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれ
か１種類以上の元素の炭化物層をイオンプレーティング
法、スパッリング法及び物理蒸着法等により０．３乃至
１０μｍ厚みに被覆することが好ましい。更にその上
に、従来行われているＳｉＣ等の被膜を化学蒸着法で被
覆しても良い。この場合、一層の耐酸化性を付与するこ
とが出来る。
【００１１】
【作用】本発明に於いて、炭素或いは黒鉛基体が物理蒸
着法等で形成された緻密な炭化物被膜で覆われた場合、
酸素や腐食性ガスと炭素或いは黒鉛基体とが直接接触す
ることが抑制されるため優れた耐酸化性、耐腐食性を示
す。更に従来の化学蒸着法でＳｉＣ等の被膜を被覆する
場合、その被膜に存在する気孔やき裂、柱状結晶の粒界
等を通じて侵入してくる酸素や腐食性ガスがその下にあ
る緻密な炭化物層で止められ、基体炭素との反応が抑制
される。この腐食反応効果は炭化物層の厚みが０．３μ
ｍ以上の場合に於いて明瞭に認められ、これ未満では効
果が小さい。緻密な炭化物層はイオンプレーティングや
スパッタリング等５００℃以下の低温で成膜処理するこ
とによって得ることが出来るが、従来の炭素或いは黒鉛
基体に成膜した場合には密着強度が弱く、使用時にはく
離してしまう。
着法等で形成された緻密な炭化物被膜で覆われた場合、
酸素や腐食性ガスと炭素或いは黒鉛基体とが直接接触す
ることが抑制されるため優れた耐酸化性、耐腐食性を示
す。更に従来の化学蒸着法でＳｉＣ等の被膜を被覆する
場合、その被膜に存在する気孔やき裂、柱状結晶の粒界
等を通じて侵入してくる酸素や腐食性ガスがその下にあ
る緻密な炭化物層で止められ、基体炭素との反応が抑制
される。この腐食反応効果は炭化物層の厚みが０．３μ
ｍ以上の場合に於いて明瞭に認められ、これ未満では効
果が小さい。緻密な炭化物層はイオンプレーティングや
スパッタリング等５００℃以下の低温で成膜処理するこ
とによって得ることが出来るが、従来の炭素或いは黒鉛
基体に成膜した場合には密着強度が弱く、使用時にはく
離してしまう。
【００１２】これに対し本発明に於いては、炭化物層の
形成に先立って、炭化物を形成し易い元素を炭素或いは
黒鉛基体の表層部に分散させる。しかも、単一エネルギ
ーのイオン注入では、注入原子が表層より少し内部にピ
ークを持つガウス分布をし、最表層には少ししか分布し
ないが、本発明において数水準のエネルギーで多重注入
した場合、表面に近いほど多く分布するようになり、こ
れによって炭素或いは黒鉛基体は炭化物層と親和性の高
い表面に改質される。しかし、この場合においても厚み
が１０μｍを越える場合には、使用時の衝撃によりはく
離する危険性が高くなる。このため、炭化物層の厚み
は、１０μｍ以下であることが必要である。この改質さ
れた炭素或いは黒鉛基体表面に被覆された緻密な炭化物
層だけで耐酸化性、耐腐食性に効果を発揮するが、その
上に従来行われている化学蒸着法によるＳｉＣ膜等の被
覆を行う場合には、酸素や腐食性ガスがこの膜で大部分
が遮られることになるため一層の効果が発揮される。
形成に先立って、炭化物を形成し易い元素を炭素或いは
黒鉛基体の表層部に分散させる。しかも、単一エネルギ
ーのイオン注入では、注入原子が表層より少し内部にピ
ークを持つガウス分布をし、最表層には少ししか分布し
ないが、本発明において数水準のエネルギーで多重注入
した場合、表面に近いほど多く分布するようになり、こ
れによって炭素或いは黒鉛基体は炭化物層と親和性の高
い表面に改質される。しかし、この場合においても厚み
が１０μｍを越える場合には、使用時の衝撃によりはく
離する危険性が高くなる。このため、炭化物層の厚み
は、１０μｍ以下であることが必要である。この改質さ
れた炭素或いは黒鉛基体表面に被覆された緻密な炭化物
層だけで耐酸化性、耐腐食性に効果を発揮するが、その
上に従来行われている化学蒸着法によるＳｉＣ膜等の被
覆を行う場合には、酸素や腐食性ガスがこの膜で大部分
が遮られることになるため一層の効果が発揮される。
【００１３】
実施例１ 炭素基材に、周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及
びＢ、Ｓｉの中から選ばれる数種類の元素のイオンを、
１０ｋｅＶで１．５×１０１７、３０ｋｅＶで２．０×
１０１７、９０ｋｅＶで１．０×１０１７、１８０ｋｅ
Ｖで０．５×１０１７／ｃｍ２のエネルギーで重ねて注
入する多重エネルギー注入を行った。又比較としてＣｒ
及びＢを９０ｋｅＶで５×１０１７／ｃｍ２注入した。
Ｓｉ注入の場合について、注入後の元素の分布を図１に
示す。従来の単一エネルギーでの注入において注入原子
は内部に分布して表層部が少ないのに対し、多重エネル
ギー注入法においては注入原子は表面に近いほど多く分
布し、表面部が改質されている。注入された原子はそれ
ぞれの炭化物となっていることが光電子分光分析により
確認されている。
びＢ、Ｓｉの中から選ばれる数種類の元素のイオンを、
１０ｋｅＶで１．５×１０１７、３０ｋｅＶで２．０×
１０１７、９０ｋｅＶで１．０×１０１７、１８０ｋｅ
Ｖで０．５×１０１７／ｃｍ２のエネルギーで重ねて注
入する多重エネルギー注入を行った。又比較としてＣｒ
及びＢを９０ｋｅＶで５×１０１７／ｃｍ２注入した。
Ｓｉ注入の場合について、注入後の元素の分布を図１に
示す。従来の単一エネルギーでの注入において注入原子
は内部に分布して表層部が少ないのに対し、多重エネル
ギー注入法においては注入原子は表面に近いほど多く分
布し、表面部が改質されている。注入された原子はそれ
ぞれの炭化物となっていることが光電子分光分析により
確認されている。
【００１４】上記イオン注入の後に、イオンプレーティ
ング法を用いてＭｏを電子銃で溶解蒸発させながらＣ２
Ｈ２ガスを導入することによって４．５μｍ厚さのＭｏ
Ｃ膜を被覆した。この時の炭素基材の温度は３５０℃で
き裂や気孔の無い緻密な炭化物が得られる。こうして得
られた被覆炭素基材のスクラッチ試験における限界はく
離強度と、１０００℃の大気中で１５時間保持したとき
の酸化による減量を下記表１に示す。比較例（最下行）
は、従来行われている炭素基材と直接、化学蒸着法で５
０μｍ厚みのＳｉＣ膜を被覆した物である。これに対
し、本発明品は優れた密着強度と耐酸化性を有してい
る。
ング法を用いてＭｏを電子銃で溶解蒸発させながらＣ２
Ｈ２ガスを導入することによって４．５μｍ厚さのＭｏ
Ｃ膜を被覆した。この時の炭素基材の温度は３５０℃で
き裂や気孔の無い緻密な炭化物が得られる。こうして得
られた被覆炭素基材のスクラッチ試験における限界はく
離強度と、１０００℃の大気中で１５時間保持したとき
の酸化による減量を下記表１に示す。比較例（最下行）
は、従来行われている炭素基材と直接、化学蒸着法で５
０μｍ厚みのＳｉＣ膜を被覆した物である。これに対
し、本発明品は優れた密着強度と耐酸化性を有してい
る。
【００１５】比較例 Ｓｉ等の代わりにＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はＣｏを用いた以
外は実施例１と同様にして、炭素基材を被覆した。同様
に密着強度と耐酸化性を測定し、結果を表１に示した。
外は実施例１と同様にして、炭素基材を被覆した。同様
に密着強度と耐酸化性を測定し、結果を表１に示した。
【００１６】実施例２ 炭素基材にＭｏを、５０ｋｅＶで１．０×１０１７、２
００ｋｅＶで０．５×１０１７／ｃｍ２注入し、更にそ
の上にＢを、１０ｋｅＶで１．５×１０１７、３０ｋｅ
Ｖで２．０×１０１７、９０ｋｅＶで１．０×１
０１７、１８０ｋｅＶで０．５×１０１７／ｃｍ２のエ
ネルギーで多重エネルギー注入をした。
００ｋｅＶで０．５×１０１７／ｃｍ２注入し、更にそ
の上にＢを、１０ｋｅＶで１．５×１０１７、３０ｋｅ
Ｖで２．０×１０１７、９０ｋｅＶで１．０×１
０１７、１８０ｋｅＶで０．５×１０１７／ｃｍ２のエ
ネルギーで多重エネルギー注入をした。
【００１７】その後、スパッタリング法を用いて、２０
０℃でＳｉターゲットをＡｒイオンでスパッタリング
し、同時にＣ２Ｈ２ガスをスパッタリング装置内に導入
して炭素基材表面に緻密な１．５μｍ厚さのＳｉＣ膜を
形成した。その上に、ＳｉＣｌ４とＣＣｌ４ガスを持ち
いて１３００℃で反応させる化学的蒸着法により４５μ
ｍ厚さのＳｉＣ膜を被覆した。この試料のスクラッチ試
験における限界はく離強度と、１０００℃の大気中で１
５時間保持した時の酸化消耗量を下記表１に示す。実施
例１の本発明試料より更に優れた密着強度と耐酸化性を
示した。
０℃でＳｉターゲットをＡｒイオンでスパッタリング
し、同時にＣ２Ｈ２ガスをスパッタリング装置内に導入
して炭素基材表面に緻密な１．５μｍ厚さのＳｉＣ膜を
形成した。その上に、ＳｉＣｌ４とＣＣｌ４ガスを持ち
いて１３００℃で反応させる化学的蒸着法により４５μ
ｍ厚さのＳｉＣ膜を被覆した。この試料のスクラッチ試
験における限界はく離強度と、１０００℃の大気中で１
５時間保持した時の酸化消耗量を下記表１に示す。実施
例１の本発明試料より更に優れた密着強度と耐酸化性を
示した。
【００１８】実施例３ 炭素基材に、ＣＶＤ法にてＢ薄膜を１０μｍ蒸着し、こ
の試料を１０００℃にて５時間熱処理する事によって、
基材中にＢ原子を拡散させた。その上に、ＳｉＣｌ４と
ＣＣｌ４ガスを持ちいて１３００℃で反応させる化学的
蒸着法により４５μｍ厚さのＳｉＣ膜を被覆する。この
試料のスクラッチ試験における限界はく離強度と、１０
００℃の大気中で１５時間保持した時の酸化消耗量を下
記表１に示す。比較例の試料より、優れた密着強度と耐
酸化性を示した。
の試料を１０００℃にて５時間熱処理する事によって、
基材中にＢ原子を拡散させた。その上に、ＳｉＣｌ４と
ＣＣｌ４ガスを持ちいて１３００℃で反応させる化学的
蒸着法により４５μｍ厚さのＳｉＣ膜を被覆する。この
試料のスクラッチ試験における限界はく離強度と、１０
００℃の大気中で１５時間保持した時の酸化消耗量を下
記表１に示す。比較例の試料より、優れた密着強度と耐
酸化性を示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、炭素或いは黒鉛基
材表層部に周期律表のＶＩａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及び
Ｂ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の元素を
分散させ、その表面近傍に化合物層を偏在させた製品に
ついては、大気中あるいは酸素のある雰囲気の高温域で
利用できる点で非常に有効であり、本発明は、製品の性
能の向上、及び用途の拡大の面に大きな効果がある。
材表層部に周期律表のＶＩａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族及び
Ｂ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の元素を
分散させ、その表面近傍に化合物層を偏在させた製品に
ついては、大気中あるいは酸素のある雰囲気の高温域で
利用できる点で非常に有効であり、本発明は、製品の性
能の向上、及び用途の拡大の面に大きな効果がある。
【図１】炭素基材にＳｉをイオン注入したときの深さ方
向での注入Ｓｉの濃度の変化を示した曲線図である。
向での注入Ｓｉの濃度の変化を示した曲線図である。
１ 多重エネルギー注入の場合の濃度変化曲線 ２ 単一エネルギー注入の場合の濃度変化曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平岩 二郎 大阪府大阪市西淀川区竹島５丁目７番12号 東洋炭素株式会社内 (72)発明者 東城 哲朗 大阪府大阪市西淀川区竹島５丁目７番12号 東洋炭素株式会社内 (72)発明者 黒田 浩二 大阪府大阪市西淀川区竹島５丁目７番12号 東洋炭素株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 周期律表のＩＶａ族、Ｖａ族、ＶＩａ族
及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれか１種類以上の元
素を炭素或いは黒鉛基体の表層部に分散させる事を特徴
とする、表面に化合物層を有する耐熱性に優れた炭素或
いは黒鉛部材の製造方法。 - 【請求項２】 イオン注入法を用いて金属原子を炭素或
いは黒鉛基体の表層部に分散させる事を特徴とする、請
求項１に記載の耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製
造方法。 - 【請求項３】 多重エネルギー注入法を用いて、基体表
面に近いほど注入元素が密になるように分布させること
を特徴とする、請求項１に記載の耐熱性に優れた炭素或
いは黒鉛部材の製造方法。 - 【請求項４】 基体表面に金属元素を蒸着し、その上か
ら蒸着元素より重い元素をイオン注入して蒸着元素を基
体中に分散させる、イオンミキシング法を用いて基体表
面に蒸着元素を分散させることを特徴とする、請求項１
に記載の耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方
法。 - 【請求項５】 基体表面の化合物層のうち、厚みが０．
３乃至１０μｍの緻密な化合物を有することを特徴とす
る、請求項１に記載の耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部
材の製造方法。 - 【請求項６】 熱拡散を用いて、周期律表のＩＶａ族、
Ｖａ族、ＶＩａ族及びＢ、Ｓｉの中から選ばれるいずれ
か１種類以上の元素を、炭素或いは黒鉛基体中に分散さ
せる事を特徴とする、請求項１に記載の耐熱性に優れた
炭素或いは黒鉛部材の製造方法。 - 【請求項７】 溶融塩法を用いて、金属原子を炭素或い
は黒鉛基体の表層部に析出させることを特徴とする、請
求項１に記載の耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634293A JPH0733563A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634293A JPH0733563A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733563A true JPH0733563A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16843671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22634293A Pending JPH0733563A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 耐熱性に優れた炭素或いは黒鉛部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733563A (ja) |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP22634293A patent/JPH0733563A/ja active Pending
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