JPH07335627A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH07335627A JPH07335627A JP12916494A JP12916494A JPH07335627A JP H07335627 A JPH07335627 A JP H07335627A JP 12916494 A JP12916494 A JP 12916494A JP 12916494 A JP12916494 A JP 12916494A JP H07335627 A JPH07335627 A JP H07335627A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング用ガスをプラズマ化して発生するラ
ジカルやイオンにより被処理物のエッチングを行うドラ
イエッチング装置であって、被処理物表面にパーティク
ルが付着するのを抑制でき、それによりエッチングの歩
留りを向上させることができるドライエッチング装置を
提供する。 【構成】真空容器１内の少なくとも被処理物Ｓに対向す
る面の少なくとも一部を覆う、ポリテトラフルオロエチ
レン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体、エチレン−クロロトリフルオ
ロエチレン共重合体及びポリクロロトリフルオロエチレ
ンのうち１若しくは２以上を含むフッ素樹脂、又は、ポ
リイミド樹脂からなるシート４１を備えたことを特徴と
するドライエッチング装置。
ジカルやイオンにより被処理物のエッチングを行うドラ
イエッチング装置であって、被処理物表面にパーティク
ルが付着するのを抑制でき、それによりエッチングの歩
留りを向上させることができるドライエッチング装置を
提供する。 【構成】真空容器１内の少なくとも被処理物Ｓに対向す
る面の少なくとも一部を覆う、ポリテトラフルオロエチ
レン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体、エチレン−クロロトリフルオ
ロエチレン共重合体及びポリクロロトリフルオロエチレ
ンのうち１若しくは２以上を含むフッ素樹脂、又は、ポ
リイミド樹脂からなるシート４１を備えたことを特徴と
するドライエッチング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体を利用し
た薄膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイ
スを製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配
線パターン、電極パターン等を残してエッチングした
り、基体上に形成された半導体膜を所定パターンを残し
てエッチングしたりするドライエッチング装置に関す
る。
た薄膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイ
スを製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配
線パターン、電極パターン等を残してエッチングした
り、基体上に形成された半導体膜を所定パターンを残し
てエッチングしたりするドライエッチング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングでは、エッチング用ガ
スをプラズマ化し、発生するラジカルやイオンによりエ
ッチングを行う。ドライエッチングをその機構に基づき
分類すると、イオン照射によるスパッタリングによりエ
ッチングを行う物理的なイオンミリングと、被エッチン
グ物及び反応性ガスを反応させて反応生成物を排気して
いくことによりエッチングを行う反応性エッチングとに
大別できる。ラジカルによる化学反応とイオン照射を併
用する物理化学的なドライエッチングもこの反応性エッ
チングの一種と考えることができ、その代表例として反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができ
る。
スをプラズマ化し、発生するラジカルやイオンによりエ
ッチングを行う。ドライエッチングをその機構に基づき
分類すると、イオン照射によるスパッタリングによりエ
ッチングを行う物理的なイオンミリングと、被エッチン
グ物及び反応性ガスを反応させて反応生成物を排気して
いくことによりエッチングを行う反応性エッチングとに
大別できる。ラジカルによる化学反応とイオン照射を併
用する物理化学的なドライエッチングもこの反応性エッ
チングの一種と考えることができ、その代表例として反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができ
る。
【０００３】ここで代表的なものの１例として図３に示
すエッチング装置を用いて行うエッチングについて説明
すると、このエッチング装置は、接地された真空容器１
を備え、その中には、エッチング対象膜を形成した基体
Ｓを設置する基体ホルダを兼ねる電極２及び電極２に対
向配置された電極３を備えている。電極２又は電極３
は、該両電極間に導入されるエッチング用ガスに高周波
電力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力
印加電極として使用され、図示の例では、各々マッチン
グボックス２１、３１を介して高周波電源２２、３２に
接続されている。また、図示していないが、各電極２、
３は接地電極に切り換えられるようにもなっている。基
体ホルダを兼ねる電極２を電力印加電極とするとともに
電極３を接地電極とするときはＲＩＥモードとなり、反
応性イオンエッチングを行える。また、電極２を接地電
極に、電極３を電力印加電極とするときはプラズマエッ
チングモードとなり、そのモードによるエッチングを行
える。
すエッチング装置を用いて行うエッチングについて説明
すると、このエッチング装置は、接地された真空容器１
を備え、その中には、エッチング対象膜を形成した基体
Ｓを設置する基体ホルダを兼ねる電極２及び電極２に対
向配置された電極３を備えている。電極２又は電極３
は、該両電極間に導入されるエッチング用ガスに高周波
電力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力
印加電極として使用され、図示の例では、各々マッチン
グボックス２１、３１を介して高周波電源２２、３２に
接続されている。また、図示していないが、各電極２、
３は接地電極に切り換えられるようにもなっている。基
体ホルダを兼ねる電極２を電力印加電極とするとともに
電極３を接地電極とするときはＲＩＥモードとなり、反
応性イオンエッチングを行える。また、電極２を接地電
極に、電極３を電力印加電極とするときはプラズマエッ
チングモードとなり、そのモードによるエッチングを行
える。
【０００４】真空容器１には、さらに、開閉弁を介して
排気ポンプを接続した排気装置７が付設されているとと
もに、ガス供給部６を配管接続してある。ガス供給部６
には、１又は２以上のマスフローコントローラ６１１、
６１２・・・・及び開閉弁６２１、６２２・・・・を介
して所要量のエッチング用ガスを供給するガス源６３
１、６３２・・・・が含まれている。
排気ポンプを接続した排気装置７が付設されているとと
もに、ガス供給部６を配管接続してある。ガス供給部６
には、１又は２以上のマスフローコントローラ６１１、
６１２・・・・及び開閉弁６２１、６２２・・・・を介
して所要量のエッチング用ガスを供給するガス源６３
１、６３２・・・・が含まれている。
【０００５】このエッチング装置によると、エッチング
対象基体Ｓが容器１内の電極２上に設置され、該容器１
内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空度とさ
れ、ガス供給部６からエッチング用ガスが導入される。
また、電極２、３のうち一方が接地され、他方にそれに
接続された電源２２又は３２から高周波電力が印加さ
れ、それによって導入されたガスがプラズマ化され、こ
のプラズマの下にＲＩＥモード又はプラズマエッチング
モードで基体Ｓ上の膜がエッチングされる。なお、電極
２は、必要に応じ、水冷装置２０等の温度制御装置で温
度制御されることもある。
対象基体Ｓが容器１内の電極２上に設置され、該容器１
内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空度とさ
れ、ガス供給部６からエッチング用ガスが導入される。
また、電極２、３のうち一方が接地され、他方にそれに
接続された電源２２又は３２から高周波電力が印加さ
れ、それによって導入されたガスがプラズマ化され、こ
のプラズマの下にＲＩＥモード又はプラズマエッチング
モードで基体Ｓ上の膜がエッチングされる。なお、電極
２は、必要に応じ、水冷装置２０等の温度制御装置で温
度制御されることもある。
【０００６】例えばこのような装置による反応性エッチ
ングにおいては、基体上の膜とエッチング用ガスとの反
応性が高いことが必要である。例えば、アルミニウム
（Ａｌ）膜、シリコン（Ｓｉ）膜、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜のエッチングには、エッチング用ガスとして、
一般に、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス等のフッ素（Ｆ）
系ガスや塩素（Ｃｌ2 ）ガス、四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）
ガス等の塩素（Ｃｌ）系ガス等の１又は２以上が用いら
れるが、この場合反応生成物として、四フッ化シリコン
（ＳｉＦ4 ）、四塩化シリコン（ＳｉＣｌ 4 ）、三塩化
アルミニウム（ＡｌＣｌ3 ）等が生成する。これらは比
較的反応性が高いエッチングである。また、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide) 膜やインジウム（Ｉｎ）−リン（Ｐ）
膜のエッチングには、エッチング用ガスとして、一般
に、メタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素（Ｈ2 ）ガスの混合
ガス等が用いられ、主な反応生成物として３−メチル−
インジウム（Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 ）等が生成するとされて
いる。これらは比較的反応性が低いエッチングである。
ングにおいては、基体上の膜とエッチング用ガスとの反
応性が高いことが必要である。例えば、アルミニウム
（Ａｌ）膜、シリコン（Ｓｉ）膜、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜のエッチングには、エッチング用ガスとして、
一般に、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス等のフッ素（Ｆ）
系ガスや塩素（Ｃｌ2 ）ガス、四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）
ガス等の塩素（Ｃｌ）系ガス等の１又は２以上が用いら
れるが、この場合反応生成物として、四フッ化シリコン
（ＳｉＦ4 ）、四塩化シリコン（ＳｉＣｌ 4 ）、三塩化
アルミニウム（ＡｌＣｌ3 ）等が生成する。これらは比
較的反応性が高いエッチングである。また、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide) 膜やインジウム（Ｉｎ）−リン（Ｐ）
膜のエッチングには、エッチング用ガスとして、一般
に、メタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素（Ｈ2 ）ガスの混合
ガス等が用いられ、主な反応生成物として３−メチル−
インジウム（Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 ）等が生成するとされて
いる。これらは比較的反応性が低いエッチングである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに反応性が低いＩＴＯ膜やＩｎ−Ｐ膜の反応性エッチ
ングでは、該反応生成物が真空容器内の各部に付着し、
堆積し易い。さらに、厚くなった堆積物が一部剥がれて
パーティクルが発生する。該反応生成物は真空容器内壁
等の被処理物に対向する面に多く付着するため、被処理
物表面へのパーティクルの付着量が多くなる。また、エ
ッチング用ガスであるＣＨ4 ガス等の重合物が生成して
真空容器内壁の各部に付着し、これらは比較的堆積量の
少ない時点から一部剥がれてパーティクルが発生する。
うに反応性が低いＩＴＯ膜やＩｎ−Ｐ膜の反応性エッチ
ングでは、該反応生成物が真空容器内の各部に付着し、
堆積し易い。さらに、厚くなった堆積物が一部剥がれて
パーティクルが発生する。該反応生成物は真空容器内壁
等の被処理物に対向する面に多く付着するため、被処理
物表面へのパーティクルの付着量が多くなる。また、エ
ッチング用ガスであるＣＨ4 ガス等の重合物が生成して
真空容器内壁の各部に付着し、これらは比較的堆積量の
少ない時点から一部剥がれてパーティクルが発生する。
【０００８】真空容器内各部、例えば図３に示す装置に
おける被処理物Ｓに対向する電極３には、一般に、耐プ
ラズマ性や耐熱性の観点からＡｌ、ステンレス、セラミ
ック等の無機材料が用いられる。このような無機材料
は、ＣＨ4 の重合物やメチル基（−ＣＨ3 ）を含む反応
生成物等との熱膨張率の差が大きいため、プラズマ発生
のオン、オフに伴う表面温度の一時的な昇降による熱ス
トレスで前記堆積物が剥がれ易い。
おける被処理物Ｓに対向する電極３には、一般に、耐プ
ラズマ性や耐熱性の観点からＡｌ、ステンレス、セラミ
ック等の無機材料が用いられる。このような無機材料
は、ＣＨ4 の重合物やメチル基（−ＣＨ3 ）を含む反応
生成物等との熱膨張率の差が大きいため、プラズマ発生
のオン、オフに伴う表面温度の一時的な昇降による熱ス
トレスで前記堆積物が剥がれ易い。
【０００９】例えば、図３の装置を用い、基体上のＩＴ
Ｏ膜を、エッチング用ガスとしてＣＨ4 ガスを用いてエ
ッチングを行ったところ、３０分間のプラズマ処理によ
り、直径６インチの基体上に約１９００個のパーティク
ルの付着が観察された。このような基体表面へのパーテ
ィクルの付着はエッチングにより形成しようとする配線
間のショート等の問題を招き、著しく歩留りを低下させ
る。
Ｏ膜を、エッチング用ガスとしてＣＨ4 ガスを用いてエ
ッチングを行ったところ、３０分間のプラズマ処理によ
り、直径６インチの基体上に約１９００個のパーティク
ルの付着が観察された。このような基体表面へのパーテ
ィクルの付着はエッチングにより形成しようとする配線
間のショート等の問題を招き、著しく歩留りを低下させ
る。
【００１０】前記の問題は、反応性イオンエッチング等
の反応性エッチングのみならず、イオンミリングのよう
な物理的なドライエッチングにも同様に生じる。そこで
本発明は、エッチング用ガスをプラズマ化して発生する
ラジカルやイオンにより被処理物のエッチングを行うド
ライエッチング装置であって、被処理物表面にパーティ
クルが付着するのを抑制でき、それによりエッチングの
歩留りを向上させることができるドライエッチング装置
を提供することを課題とする。
の反応性エッチングのみならず、イオンミリングのよう
な物理的なドライエッチングにも同様に生じる。そこで
本発明は、エッチング用ガスをプラズマ化して発生する
ラジカルやイオンにより被処理物のエッチングを行うド
ライエッチング装置であって、被処理物表面にパーティ
クルが付着するのを抑制でき、それによりエッチングの
歩留りを向上させることができるドライエッチング装置
を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明者は研究を重ね、以下の事実を見出した。真空容
器内各部、例えば図３に示すようなエッチング装置にお
ける被処理物に対向する位置に設置される電極をＣＨ4
の重合物や、メチル基含有反応生成物等との熱膨張率の
差の小さい有機材料からなるシートで覆うことにより、
該シートへの堆積物が剥がれるのを抑制でき、その結果
パーティクルの発生が低減する。
本発明者は研究を重ね、以下の事実を見出した。真空容
器内各部、例えば図３に示すようなエッチング装置にお
ける被処理物に対向する位置に設置される電極をＣＨ4
の重合物や、メチル基含有反応生成物等との熱膨張率の
差の小さい有機材料からなるシートで覆うことにより、
該シートへの堆積物が剥がれるのを抑制でき、その結果
パーティクルの発生が低減する。
【００１２】前記知見に基づき本発明のドライエッチン
グ装置は、真空容器内で、エッチング用ガスをプラズマ
化して発生するラジカルやイオンにより被処理物のエッ
チングを行うドライエッチング装置であって、該真空容
器内の少なくとも被処理物に対向する面の少なくとも一
部を覆う、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テ
トラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体
及びポリクロロトリフルオロエチレンのうち１若しくは
２以上を含むフッ素樹脂、又は、ポリイミド樹脂からな
るシートを備えたことを特徴とする。
グ装置は、真空容器内で、エッチング用ガスをプラズマ
化して発生するラジカルやイオンにより被処理物のエッ
チングを行うドライエッチング装置であって、該真空容
器内の少なくとも被処理物に対向する面の少なくとも一
部を覆う、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テ
トラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体
及びポリクロロトリフルオロエチレンのうち１若しくは
２以上を含むフッ素樹脂、又は、ポリイミド樹脂からな
るシートを備えたことを特徴とする。
【００１３】前記フッ素樹脂はシート加工し易いという
利点も有している。さらに、前記フッ素樹脂は比較的高
温での連続使用が可能で、温度、湿度の影響も受けずに
優れた電気的性質を有するため、ＲＩＥ装置等、各種プ
ラズマによるエッチング装置に用いるシート材料として
も適している。前記ポリイミド樹脂は、比較的高温での
連続使用が可能で、機械的強度に優れる。
利点も有している。さらに、前記フッ素樹脂は比較的高
温での連続使用が可能で、温度、湿度の影響も受けずに
優れた電気的性質を有するため、ＲＩＥ装置等、各種プ
ラズマによるエッチング装置に用いるシート材料として
も適している。前記ポリイミド樹脂は、比較的高温での
連続使用が可能で、機械的強度に優れる。
【００１４】前記ドライエッチング装置において、前記
シートは前記真空容器内の少なくとも被処理物に対向す
る面の少なくとも一部、例えば被処理物に対向する電極
面を覆うものであるが、これに加えて真空容器内のその
他の部分も覆っていてもよい。前記シートは、これを所
定の位置、例えば被処理物対向電極面に被せた状態で周
縁部を、真空容器に直接又は間接的に連結した引張バネ
にて全体に張力を与えつつ該面に密着させて支持するこ
とや、例えばシリコン系その他の接着剤等を用いて所定
の位置、例えば前記被処理物対向電極面に貼着すること
が考えられる。バネに支持させるときは、バネとシート
の連結をシート交換可能なものとすることも考えられ
る。また、この場合、シートの電極面への密着性を向上
させるために、電極面を凸曲面に形成してもよい。
シートは前記真空容器内の少なくとも被処理物に対向す
る面の少なくとも一部、例えば被処理物に対向する電極
面を覆うものであるが、これに加えて真空容器内のその
他の部分も覆っていてもよい。前記シートは、これを所
定の位置、例えば被処理物対向電極面に被せた状態で周
縁部を、真空容器に直接又は間接的に連結した引張バネ
にて全体に張力を与えつつ該面に密着させて支持するこ
とや、例えばシリコン系その他の接着剤等を用いて所定
の位置、例えば前記被処理物対向電極面に貼着すること
が考えられる。バネに支持させるときは、バネとシート
の連結をシート交換可能なものとすることも考えられ
る。また、この場合、シートの電極面への密着性を向上
させるために、電極面を凸曲面に形成してもよい。
【００１５】前記シートの厚みは、シートの材質によっ
て異なるが、小さい方がよく、大きいときには、プラズ
マから前記シートに与えられた熱が発散し難く、非常に
高温となってプラズマ発生のオン時とオフ時との温度差
が大きくなり、かえって堆積物が剥がれ易くなる場合が
ある。シートの厚みとしては強度の点も考慮して、０．
０５〜０．５ｍｍ程度、より好ましくは０．０５〜０．
１５ｍｍ程度が考えられる。
て異なるが、小さい方がよく、大きいときには、プラズ
マから前記シートに与えられた熱が発散し難く、非常に
高温となってプラズマ発生のオン時とオフ時との温度差
が大きくなり、かえって堆積物が剥がれ易くなる場合が
ある。シートの厚みとしては強度の点も考慮して、０．
０５〜０．５ｍｍ程度、より好ましくは０．０５〜０．
１５ｍｍ程度が考えられる。
【００１６】
【作用】本発明のドライエッチング装置によると、被処
理物のエッチングを行う真空容器内の少なくとも被処理
物に対向する面の少なくとも一部が、前記フッ素樹脂又
はポリイミド樹脂からなるシートで覆われている。この
樹脂は、ＩＴＯ膜やＩｎ−Ｐ膜等のエッチングにエッチ
ング用ガスとして多用されるＣＨ4 ガスを用いる場合に
発生するＣＨ4 の重合物やメチル基含有反応生成物等と
の熱膨張率の差が小さいため、該樹脂からなるシート上
に堆積した前記重合物や反応生成物等は剥がれにくい。
その結果、真空容器内に発生するパーティクルが低減す
るとともに、被処理物表面に付着するパーティクルが低
減する。
理物のエッチングを行う真空容器内の少なくとも被処理
物に対向する面の少なくとも一部が、前記フッ素樹脂又
はポリイミド樹脂からなるシートで覆われている。この
樹脂は、ＩＴＯ膜やＩｎ−Ｐ膜等のエッチングにエッチ
ング用ガスとして多用されるＣＨ4 ガスを用いる場合に
発生するＣＨ4 の重合物やメチル基含有反応生成物等と
の熱膨張率の差が小さいため、該樹脂からなるシート上
に堆積した前記重合物や反応生成物等は剥がれにくい。
その結果、真空容器内に発生するパーティクルが低減す
るとともに、被処理物表面に付着するパーティクルが低
減する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるエッチング装置を
示す図である。この装置は、図３に示す従来のエッチン
グ装置において、電極３に代えて、基体Ｓに臨む面が略
球面状に形成された電極５を有し、電極５の前記の面が
シート加工性のよいポリテトラフルオロエチレンン（Ｐ
ＴＦＥ）からなるシート４１で覆われたものである。シ
ート４１は、真空容器１に一端を連結した複数のバネ４
２を介して容器１に取り付けられており、バネ４２の力
で電極５の略球面状の面に密着させられている。電極５
は、シート４１との密着性を良くするため、エッチング
対象基体Ｓに臨む面が略球面状に形成されているが、図
３の装置における電極３を採用しても構わない。ＰＴＦ
Ｅシート４１の厚味は一般的には０．０５〜０．５ｍｍ
程度、より好ましくは０．０５〜０．１５ｍｍ程度でよ
い。
する。図１は本発明の１実施例であるエッチング装置を
示す図である。この装置は、図３に示す従来のエッチン
グ装置において、電極３に代えて、基体Ｓに臨む面が略
球面状に形成された電極５を有し、電極５の前記の面が
シート加工性のよいポリテトラフルオロエチレンン（Ｐ
ＴＦＥ）からなるシート４１で覆われたものである。シ
ート４１は、真空容器１に一端を連結した複数のバネ４
２を介して容器１に取り付けられており、バネ４２の力
で電極５の略球面状の面に密着させられている。電極５
は、シート４１との密着性を良くするため、エッチング
対象基体Ｓに臨む面が略球面状に形成されているが、図
３の装置における電極３を採用しても構わない。ＰＴＦ
Ｅシート４１の厚味は一般的には０．０５〜０．５ｍｍ
程度、より好ましくは０．０５〜０．１５ｍｍ程度でよ
い。
【００１８】その他の構成は図３に示す従来装置と同様
であり、エッチング動作も同様である。同じ部品には同
じ参照符号を付してある。この装置によると、シート４
１を形成するＰＴＦＥとエッチング用ガスとしてＣＨ4
ガスを用いる場合に発生するＣＨ4 の重合物やメチル基
含有反応生成物等との熱膨張率の差が小さいため、シー
ト４１上に堆積する前記重合物や反応生成物等が剥離し
難く、容器１内に発生するパーティクルひいては基体Ｓ
上に付着するパーティクルが低減する。この結果、エッ
チングの歩留りが向上する。
であり、エッチング動作も同様である。同じ部品には同
じ参照符号を付してある。この装置によると、シート４
１を形成するＰＴＦＥとエッチング用ガスとしてＣＨ4
ガスを用いる場合に発生するＣＨ4 の重合物やメチル基
含有反応生成物等との熱膨張率の差が小さいため、シー
ト４１上に堆積する前記重合物や反応生成物等が剥離し
難く、容器１内に発生するパーティクルひいては基体Ｓ
上に付着するパーティクルが低減する。この結果、エッ
チングの歩留りが向上する。
【００１９】また、従来は真空容器内各部への付着物は
定期的に擦り落としたり、薬液に浸して除去していた
が、シート４１を取り替えるだけで済み、生産性が向上
する。また、図２は本発明の他の実施例であるエッチン
グ装置を示す図である。この装置は図３に示す従来装置
において、ＰＴＦＥからなるシート４１が、シリコン系
接着剤４３により、電極３の基体Ｓに臨む面に貼着され
たものである。なお、接着剤４３に含まれる不純物によ
り基体Ｓがアルカリ金属類で汚染される等の悪影響があ
る場合には、例えば図１に示す装置におけるように、接
着剤４３を用いないでシート４１を電極３上に被覆する
方がよい。
定期的に擦り落としたり、薬液に浸して除去していた
が、シート４１を取り替えるだけで済み、生産性が向上
する。また、図２は本発明の他の実施例であるエッチン
グ装置を示す図である。この装置は図３に示す従来装置
において、ＰＴＦＥからなるシート４１が、シリコン系
接着剤４３により、電極３の基体Ｓに臨む面に貼着され
たものである。なお、接着剤４３に含まれる不純物によ
り基体Ｓがアルカリ金属類で汚染される等の悪影響があ
る場合には、例えば図１に示す装置におけるように、接
着剤４３を用いないでシート４１を電極３上に被覆する
方がよい。
【００２０】その他の構成は図３に示す従来装置と同様
であり、エッチング動作も同様である。同じ部品には同
じ参照符号を付してある。この装置によっても、前記図
１に示す装置と同様の効果が得られる。次に、図１、図
２に示す装置を用いて、基体Ｓ上に形成されたＩＴＯ膜
をエッチングした具体例について説明する。 実験例１ 図１の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ０．１ｍｍ
のシート４１を採用した。先ず、表面に厚さ０．１μｍ
のＩＴＯ膜を形成し、その上にレジストにてエッチング
パターンを描いた基体Ｓを容器１に搬入し、電極２上に
載置した後、容器１内を２０ｍＴｏｒｒの真空度とし
た。次いで、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素
（Ｈ2 ）ガスを各々２５ｓｃｃｍ、及び６０ｓｃｃｍの
流量で導入すると同時に、高周波電極２に、周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を電力２００Ｗで３０分間
印加してプラズマを発生させ、該プラズマの下で基体Ｓ
上の膜をエッチングした。なお、電極３は接地電極とし
た。
であり、エッチング動作も同様である。同じ部品には同
じ参照符号を付してある。この装置によっても、前記図
１に示す装置と同様の効果が得られる。次に、図１、図
２に示す装置を用いて、基体Ｓ上に形成されたＩＴＯ膜
をエッチングした具体例について説明する。 実験例１ 図１の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ０．１ｍｍ
のシート４１を採用した。先ず、表面に厚さ０．１μｍ
のＩＴＯ膜を形成し、その上にレジストにてエッチング
パターンを描いた基体Ｓを容器１に搬入し、電極２上に
載置した後、容器１内を２０ｍＴｏｒｒの真空度とし
た。次いで、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素
（Ｈ2 ）ガスを各々２５ｓｃｃｍ、及び６０ｓｃｃｍの
流量で導入すると同時に、高周波電極２に、周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を電力２００Ｗで３０分間
印加してプラズマを発生させ、該プラズマの下で基体Ｓ
上の膜をエッチングした。なお、電極３は接地電極とし
た。
【００２１】このとき、基体Ｓ上には、直径０．２６μ
ｍ以上のパーティクルが約５０個観察された。 実験例２ 図２の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ０．１ｍｍ
のシート４１を採用し、その他の条件は前記実験例１と
同様にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
ｍ以上のパーティクルが約５０個観察された。 実験例２ 図２の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ０．１ｍｍ
のシート４１を採用し、その他の条件は前記実験例１と
同様にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
【００２２】このとき、基体Ｓ上には、直径０．２６μ
ｍ以上のパーティクルが約５０個観察された。 実験例３ 図１の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ３ｍｍのシ
ート４１を採用し、その他の条件は前記実験例１と同様
にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
ｍ以上のパーティクルが約５０個観察された。 実験例３ 図１の装置においてＰＴＦＥからなる、厚さ３ｍｍのシ
ート４１を採用し、その他の条件は前記実験例１と同様
にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
【００２３】このとき、基体Ｓ上には、直径０．２６μ
ｍ以上のパーティクルが約３００個観察された。 比較例 図３の装置を用い、その他の条件は前記実験例１と同様
にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
ｍ以上のパーティクルが約３００個観察された。 比較例 図３の装置を用い、その他の条件は前記実験例１と同様
にして基体Ｓ上の膜をエッチングした。
【００２４】このとき、基体Ｓ上には、直径０．２６μ
ｍ以上のパーティクルが約２０００個観察された。以上
の実験から、図１、２の装置を用いたエッチングでは、
図３の装置を用いたエッチングより、基体Ｓ上に付着す
るパーティクルが低減したことが分かる。また、シート
４１の厚みを３ｍｍにすることにより、０．１ｍｍの場
合よりもパーティクルが増大したが、これは、プラズマ
からシート４１へ与えられた熱が発散し難く、シート４
１が非常に高温となってプラズマ発生のオン時とオフ時
との温度差が大きくなったため、堆積物が剥がれ易くな
ったことによると考えられる。
ｍ以上のパーティクルが約２０００個観察された。以上
の実験から、図１、２の装置を用いたエッチングでは、
図３の装置を用いたエッチングより、基体Ｓ上に付着す
るパーティクルが低減したことが分かる。また、シート
４１の厚みを３ｍｍにすることにより、０．１ｍｍの場
合よりもパーティクルが増大したが、これは、プラズマ
からシート４１へ与えられた熱が発散し難く、シート４
１が非常に高温となってプラズマ発生のオン時とオフ時
との温度差が大きくなったため、堆積物が剥がれ易くな
ったことによると考えられる。
【００２５】また、ここではＲＩＥモードによるエッチ
ングについて説明したが、本発明は真空容器内でエッチ
ング用ガスをプラズマ化して発生したイオンやラジカル
により被処理物をエッチングする各種ドライエッチング
装置に適用できる。
ングについて説明したが、本発明は真空容器内でエッチ
ング用ガスをプラズマ化して発生したイオンやラジカル
により被処理物をエッチングする各種ドライエッチング
装置に適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、エ
ッチング用ガスをプラズマ化して発生するラジカルやイ
オンにより被処理物のエッチングを行うドライエッチン
グ装置であって、被処理物表面にパーティクルが付着す
るのを抑制でき、それによりエッチングの歩留りを向上
させることができ、しかも真空容器内の清掃の手間を軽
減させて生産性を向上させることができるドライエッチ
ング装置を提供することができる。
ッチング用ガスをプラズマ化して発生するラジカルやイ
オンにより被処理物のエッチングを行うドライエッチン
グ装置であって、被処理物表面にパーティクルが付着す
るのを抑制でき、それによりエッチングの歩留りを向上
させることができ、しかも真空容器内の清掃の手間を軽
減させて生産性を向上させることができるドライエッチ
ング装置を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例であるドライエッチング装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例であるドライエッチング装
置の概略構成を示す図である。
置の概略構成を示す図である。
【図３】従来のドライエッチング装置例の概略構成を示
す図である。
す図である。
１ 真空容器 ２ 基体ホルダ兼電極 ２０ 水冷装置 ２１、３１ マッチングボックス ２２、３２ 高周波電源 ３、５ 被処理物に対向する電極 ４１ シート ４２ バネ ４３ 接着剤 ６ エッチング用ガス供給部 ７ 排気装置 Ｓ 基体
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内で、エッチング用ガスをプラ
ズマ化して発生するラジカルやイオンにより被処理物の
エッチングを行うドライエッチング装置であって、該真
空容器内の少なくとも被処理物に対向する面の少なくと
も一部を覆う、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン
−テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエ
チレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレ
ン共重合体、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共
重合体及びポリクロロトリフルオロエチレンのうち１若
しくは２以上を含むフッ素樹脂、又は、ポリイミド樹脂
からなるシートを備えたことを特徴とするドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12916494A JPH07335627A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12916494A JPH07335627A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335627A true JPH07335627A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15002730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12916494A Withdrawn JPH07335627A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220578A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置の電極構造 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12916494A patent/JPH07335627A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220578A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置の電極構造 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |