JPH07331425A - Ｉｔｏ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07331425A JPH07331425A JP6316462A JP31646294A JPH07331425A JP H07331425 A JPH07331425 A JP H07331425A JP 6316462 A JP6316462 A JP 6316462A JP 31646294 A JP31646294 A JP 31646294A JP H07331425 A JPH07331425 A JP H07331425A
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- JP
- Japan
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- firing
- oxygen
- atmosphere
- ito sintered
- ozone
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度ＩＴＯ焼結体を比較的低い焼成温度に
て、短時間で効率的に製造する。 【構成】 インジウム化合物とスズ化合物との混合物を
成形した後、酸素雰囲気で焼成してＩＴＯ焼結体を製造
する方法において、該焼成雰囲気の酸素の一部をオゾン
化し、１０００ｐｐｍ〜２０％のオゾンを含有する酸素
雰囲気にて焼成する。好ましくは焼成炉として管状炉を
用い、雰囲気ガスを連続的に流通させる。 【効果】 Ｏ2 雰囲気中における焼成に比べて、オゾン
による強い酸化力でＳｎＯ2 の分解反応の進行をより一
層確実に防止することにより、焼結性を高め、高密度Ｉ
ＴＯ焼結体を得る。
て、短時間で効率的に製造する。 【構成】 インジウム化合物とスズ化合物との混合物を
成形した後、酸素雰囲気で焼成してＩＴＯ焼結体を製造
する方法において、該焼成雰囲気の酸素の一部をオゾン
化し、１０００ｐｐｍ〜２０％のオゾンを含有する酸素
雰囲気にて焼成する。好ましくは焼成炉として管状炉を
用い、雰囲気ガスを連続的に流通させる。 【効果】 Ｏ2 雰囲気中における焼成に比べて、オゾン
による強い酸化力でＳｎＯ2 の分解反応の進行をより一
層確実に防止することにより、焼結性を高め、高密度Ｉ
ＴＯ焼結体を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＴＯ焼結体の製造方法
に係り、特に、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリングター
ゲットとして有用な、緻密で均一組成のＩＴＯ焼結体の
製造方法に関する。
に係り、特に、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリングター
ゲットとして有用な、緻密で均一組成のＩＴＯ焼結体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ(Indium tin oxide)は、透明導電
膜として液晶ディスプレイ、太陽電池をはじめ広範囲に
用いられている。ＩＴＯ透明導電膜の作製法としては、
ＩＴＯ焼結体ターゲットを用いるアルゴンプラズマによ
るスパッタリング製膜技術が最も多く用いられる。この
方法で形成されるＩＴＯ膜はそのスパッタリングターゲ
ットの特性の影響を大きく受ける。特に、ターゲットの
密度と微細構造の影響は大きく、ターゲットが高密度で
あるほど、また、組成が均一であるほど良質の膜が得ら
れる。
膜として液晶ディスプレイ、太陽電池をはじめ広範囲に
用いられている。ＩＴＯ透明導電膜の作製法としては、
ＩＴＯ焼結体ターゲットを用いるアルゴンプラズマによ
るスパッタリング製膜技術が最も多く用いられる。この
方法で形成されるＩＴＯ膜はそのスパッタリングターゲ
ットの特性の影響を大きく受ける。特に、ターゲットの
密度と微細構造の影響は大きく、ターゲットが高密度で
あるほど、また、組成が均一であるほど良質の膜が得ら
れる。
【０００３】このようなことから、ＩＴＯ焼結体スパッ
タリングターゲットとしては、形成されるＩＴＯ膜の特
性向上の面から、また、製膜コストの面から、より高密
度で均一組成のものが求められている。
タリングターゲットとしては、形成されるＩＴＯ膜の特
性向上の面から、また、製膜コストの面から、より高密
度で均一組成のものが求められている。
【０００４】従来、ＩＴＯ焼結体は、一般に、酸化イン
ジウムと酸化スズとの混合粉末、或いは、酸化インジウ
ムと塩化スズ水溶液とを混合し、これにアンモニア水を
添加混合して得られたものを焼結原料とし、これを成形
して焼成することにより製造されている。なお、この焼
成は、通常の場合、空気雰囲気で行われている。
ジウムと酸化スズとの混合粉末、或いは、酸化インジウ
ムと塩化スズ水溶液とを混合し、これにアンモニア水を
添加混合して得られたものを焼結原料とし、これを成形
して焼成することにより製造されている。なお、この焼
成は、通常の場合、空気雰囲気で行われている。
【０００５】しかしながら、従来の空気雰囲気での焼成
では、相対密度が高々６０〜７０％程度の焼結体しか得
られず、この密度向上のために原料粉末の微粉砕化や、
焼結助剤の添加などの工夫もなされてはいるが、十分な
効果は得られていない。
では、相対密度が高々６０〜７０％程度の焼結体しか得
られず、この密度向上のために原料粉末の微粉砕化や、
焼結助剤の添加などの工夫もなされてはいるが、十分な
効果は得られていない。
【０００６】一方、焼成雰囲気中の酸素分圧を高くした
り、酸素雰囲気中で焼成する方法も提案されており（例
えば、特開平３−２０７８５８号公報）、これにより相
対密度９０〜９７％の高密度焼結体が得られている。
り、酸素雰囲気中で焼成する方法も提案されており（例
えば、特開平３−２０７８５８号公報）、これにより相
対密度９０〜９７％の高密度焼結体が得られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸素富
化空気又は酸素雰囲気中での焼成による方法でも、焼成
時間や焼成温度に問題があり、実用化の障害となってい
る。因みに、特開平３−２０７８５８号公報記載の方法
では、１６００〜１７００℃で３時間以上、具体的には
１６５０℃で９時間という、高温及び長時間焼成を必要
とする。
化空気又は酸素雰囲気中での焼成による方法でも、焼成
時間や焼成温度に問題があり、実用化の障害となってい
る。因みに、特開平３−２０７８５８号公報記載の方法
では、１６００〜１７００℃で３時間以上、具体的には
１６５０℃で９時間という、高温及び長時間焼成を必要
とする。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、高密
度ＩＴＯ焼結体を比較的低い焼成温度にて、短時間で効
率的に製造する方法を提供することを目的とする。
度ＩＴＯ焼結体を比較的低い焼成温度にて、短時間で効
率的に製造する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のＩＴＯ焼結体
の製造方法は、インジウム化合物とスズ化合物との混合
物を成形した後、焼成炉内にて酸素雰囲気で焼成してＩ
ＴＯ焼結体を製造する方法において、該焼成雰囲気の酸
素の一部をオゾン化し、１０００ｐｐｍ〜２０％のオゾ
ンを含有する酸素雰囲気にて焼成することを特徴とす
る。
の製造方法は、インジウム化合物とスズ化合物との混合
物を成形した後、焼成炉内にて酸素雰囲気で焼成してＩ
ＴＯ焼結体を製造する方法において、該焼成雰囲気の酸
素の一部をオゾン化し、１０００ｐｐｍ〜２０％のオゾ
ンを含有する酸素雰囲気にて焼成することを特徴とす
る。
【００１０】請求項２のＩＴＯ焼結体の製造方法は、請
求項１において、前記焼成炉は、被焼成物を挟んで互い
に反対側に配置されたガス導入口とガス排出口とを備え
ており、上記の一部をオゾン化した酸素を該ガス導入口
から該焼成炉内に導入し、該ガス排出口から流出させる
ことを特徴とする。
求項１において、前記焼成炉は、被焼成物を挟んで互い
に反対側に配置されたガス導入口とガス排出口とを備え
ており、上記の一部をオゾン化した酸素を該ガス導入口
から該焼成炉内に導入し、該ガス排出口から流出させる
ことを特徴とする。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明において、焼成原料となるインジウ
ム化合物とスズ化合物との混合物とは、酸化インジウム
或いは焼成により酸化インジウムを生成する化合物と、
酸化スズ或いは焼成により酸化スズを生成する化合物と
の混合物であって、例えば、次の〜が挙げられる。
ム化合物とスズ化合物との混合物とは、酸化インジウム
或いは焼成により酸化インジウムを生成する化合物と、
酸化スズ或いは焼成により酸化スズを生成する化合物と
の混合物であって、例えば、次の〜が挙げられる。
【００１３】 酸化インジウム微粉末及び酸化スズ微
粉末の混合物 酸化インジウム微粉末を含むスズ塩溶液を加水分解
して得られた、酸化インジウム−水酸化スズ混合析出物 インジウム塩及びスズ塩を含む溶液を加水分解して
得られた、水酸化インジウム−水酸化スズ共沈析出物 本発明においては、このような焼成原料を、スリップキ
ャスト、金型プレス等の方法で成形し、得られた成形体
を酸素雰囲気で焼成するに当り、焼成雰囲気の酸素の一
部を無声放電などの方法でオゾン化し、体積割合で１０
００ｐｐｍ〜２０％のオゾンを含有する酸素雰囲気（Ｏ
2 −Ｏ3 雰囲気）中で焼成を行う。
粉末の混合物 酸化インジウム微粉末を含むスズ塩溶液を加水分解
して得られた、酸化インジウム−水酸化スズ混合析出物 インジウム塩及びスズ塩を含む溶液を加水分解して
得られた、水酸化インジウム−水酸化スズ共沈析出物 本発明においては、このような焼成原料を、スリップキ
ャスト、金型プレス等の方法で成形し、得られた成形体
を酸素雰囲気で焼成するに当り、焼成雰囲気の酸素の一
部を無声放電などの方法でオゾン化し、体積割合で１０
００ｐｐｍ〜２０％のオゾンを含有する酸素雰囲気（Ｏ
2 −Ｏ3 雰囲気）中で焼成を行う。
【００１４】この焼成雰囲気中のオゾン濃度が１０００
ｐｐｍ未満ではオゾンを導入することによる本発明の改
善効果が十分に得られず、２０％を超えても効果に大き
な差は見られない上に、オゾン化コストが高くつき、工
業的に不利である。好ましい焼成雰囲気中のオゾン濃度
は０．５〜５％である。
ｐｐｍ未満ではオゾンを導入することによる本発明の改
善効果が十分に得られず、２０％を超えても効果に大き
な差は見られない上に、オゾン化コストが高くつき、工
業的に不利である。好ましい焼成雰囲気中のオゾン濃度
は０．５〜５％である。
【００１５】この焼成を行なう場合、上記オゾン濃度の
酸素ガスを連続的に焼成炉内を流通させるのが好まし
い。この焼成炉としては、被焼成物（サンプル）を挟ん
でガス導入口とガス排出口とが互いに反対側に配置され
ているものが好適である。即ち、種々の実験の結果、第
２図に示す如きボックス炉２よりも第１図に示す如き管
状炉のようにガス導入口とガス排出口とが互いに反対側
に配置されている焼成炉を用いた場合の方が、より高密
度の焼成体Ｓを得ることができることが判明した。これ
は、オゾン濃度が適正である新鮮な雰囲気ガスがサンプ
ルと接触するようになり、Ｏ3 によるＳｎＯ2 の分解抑
制作用が顕著に効くようになるためであると推察され
る。
酸素ガスを連続的に焼成炉内を流通させるのが好まし
い。この焼成炉としては、被焼成物（サンプル）を挟ん
でガス導入口とガス排出口とが互いに反対側に配置され
ているものが好適である。即ち、種々の実験の結果、第
２図に示す如きボックス炉２よりも第１図に示す如き管
状炉のようにガス導入口とガス排出口とが互いに反対側
に配置されている焼成炉を用いた場合の方が、より高密
度の焼成体Ｓを得ることができることが判明した。これ
は、オゾン濃度が適正である新鮮な雰囲気ガスがサンプ
ルと接触するようになり、Ｏ3 によるＳｎＯ2 の分解抑
制作用が顕著に効くようになるためであると推察され
る。
【００１６】種々の実験の結果、第１図の如く、ガス導
入口とガス排出口とが対置されている焼成炉にて焼成す
る場合、サンプル１００ｇに対し０．０５〜２リットル
／ｍｉｎとりわけ０．１〜１リットル／ｍｉｎの割合に
て上記オゾン含有酸素ガスを流通させるのが好適である
ことが認められた。
入口とガス排出口とが対置されている焼成炉にて焼成す
る場合、サンプル１００ｇに対し０．０５〜２リットル
／ｍｉｎとりわけ０．１〜１リットル／ｍｉｎの割合に
て上記オゾン含有酸素ガスを流通させるのが好適である
ことが認められた。
【００１７】本発明の方法において、焼成は１２００〜
１６００℃にて、常圧又は加圧下、２〜４時間程度行う
のが好ましい。
１６００℃にて、常圧又は加圧下、２〜４時間程度行う
のが好ましい。
【００１８】この焼成時の温度及び圧力は、常圧下焼成
であれば焼成温度を比較的高く、加圧下焼成であれば焼
成温度を比較的低く設定するのが好ましく、また、焼成
時間やオゾン含有酸素の流通量は、これら焼成温度及び
焼成圧力に応じて適宜決定されるが、例えば、第１図の
如き管状炉を用い次のような条件で焼成するのが好まし
い。
であれば焼成温度を比較的高く、加圧下焼成であれば焼
成温度を比較的低く設定するのが好ましく、また、焼成
時間やオゾン含有酸素の流通量は、これら焼成温度及び
焼成圧力に応じて適宜決定されるが、例えば、第１図の
如き管状炉を用い次のような条件で焼成するのが好まし
い。
【００１９】(i) 常圧下、オゾン含有酸素をサンプル
１００ｇに対し０．３〜０．５リットル／ｍｉｎの割合
で流しながら、１２５０〜１４００℃で３〜４時間焼成
する。
１００ｇに対し０．３〜０．５リットル／ｍｉｎの割合
で流しながら、１２５０〜１４００℃で３〜４時間焼成
する。
【００２０】(ii) ２〜３気圧程度の加圧下、オゾン含
有酸素をサンプル１００ｇに対し０．３〜０．５リット
ル／ｍｉｎの割合で流しながら、１２００〜１４００℃
で２〜３時間焼成する。
有酸素をサンプル１００ｇに対し０．３〜０．５リット
ル／ｍｉｎの割合で流しながら、１２００〜１４００℃
で２〜３時間焼成する。
【００２１】なお、本発明において、ＩＴＯ焼結体を構
成するインジウムとスズとの酸化物重量比は、Ｉｎ／Ｓ
ｎ＝８．５／１．５〜９．２／０．８、特に９／１とす
るのが好ましい。
成するインジウムとスズとの酸化物重量比は、Ｉｎ／Ｓ
ｎ＝８．５／１．５〜９．２／０．８、特に９／１とす
るのが好ましい。
【００２２】このような本発明の方法により得られるＩ
ＴＯ焼結体は、通常の場合、相対密度９５％以上の高密
度焼結体であって、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲットとして極めて有用である。
ＴＯ焼結体は、通常の場合、相対密度９５％以上の高密
度焼結体であって、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲットとして極めて有用である。
【００２３】
【作用】ＩＴＯ焼結体の難焼結性の要因は、焼結原料中
の酸化スズが、高温において、ＳｎＯ2 →Ｓｎ＋Ｏ2 の
反応で分解し易いことによる。従って、酸素雰囲気中で
焼成を行うことにより、このＳｎＯ2 の分解反応を抑制
して、焼結性を高め高密度焼結体を得ることが可能とな
る。
の酸化スズが、高温において、ＳｎＯ2 →Ｓｎ＋Ｏ2 の
反応で分解し易いことによる。従って、酸素雰囲気中で
焼成を行うことにより、このＳｎＯ2 の分解反応を抑制
して、焼結性を高め高密度焼結体を得ることが可能とな
る。
【００２４】本発明においては、焼成雰囲気の酸素中に
オゾンを導入することにより、オゾンによる強い酸化力
でＳｎＯ2 →ＳｎＯ（ｇ）＋１／２ Ｏ2 の分解反応の
進行をより一層確実に防止する。即ち、Ｏ2 −Ｏ3 雰囲
気中にて、オゾンがＯ3 →Ｏ2 ＋（Ｏ）に分解して発生
した活性な発生期状態の酸素の強酸化力で、ＳｎＯ2の
分解を抑制する。このＳｎＯ2 の分解の抑制作用によ
り、ＩＴＯの焼結性が高められ、高密度ＩＴＯ焼結体が
得られる。
オゾンを導入することにより、オゾンによる強い酸化力
でＳｎＯ2 →ＳｎＯ（ｇ）＋１／２ Ｏ2 の分解反応の
進行をより一層確実に防止する。即ち、Ｏ2 −Ｏ3 雰囲
気中にて、オゾンがＯ3 →Ｏ2 ＋（Ｏ）に分解して発生
した活性な発生期状態の酸素の強酸化力で、ＳｎＯ2の
分解を抑制する。このＳｎＯ2 の分解の抑制作用によ
り、ＩＴＯの焼結性が高められ、高密度ＩＴＯ焼結体が
得られる。
【００２５】このオゾン含有酸素ガスをサンプルの一方
の側から他方の側に流れるようにサンプルに当てること
により、サンプル表面のオゾン分圧を適正なものとし、
ＳｎＯ2 の分解を十分に抑制でき、ＩＴＯの焼結を促進
することが可能になる。
の側から他方の側に流れるようにサンプルに当てること
により、サンプル表面のオゾン分圧を適正なものとし、
ＳｎＯ2 の分解を十分に抑制でき、ＩＴＯの焼結を促進
することが可能になる。
【００２６】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２７】なお、以下において用いた原料Ｉ，II，II
I は、次のようにして調製したものである。
I は、次のようにして調製したものである。
【００２８】原料Ｉ：平均粒径１．７μｍの酸化インジ
ウム粉末と平均粒径４．８μｍの酸化スズ粉末との混合
物（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／１） 原料II：１５重量％の塩化スズ水溶液に酸化インジウム
を加え、アンモニアを添加して加水分解することにより
得られた酸化インジウム−水酸化スズ混合析出物（Ｉｎ
／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／１） 原料III:１５重量％の硝酸インジウム水溶液と１５重量
％の塩化スズ水溶液を混合し、アンモニアを添加して加
水分解することにより得られた水酸化インジウム−水酸
化スズ共沈析出物（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／
１） 実施例１〜５ 表１に示す原料を用いて、スリップキャスト法（スリッ
プ濃度８０重量％）により、直径１００ｍｍ，厚さ５ｍ
ｍ，重量３００ｇの円盤状の成形体を得、この成形体
を、無声放電により、表１に示すオゾン濃度とした酸素
を表１に示す流量で流した焼成炉内に入れ、表１に示す
温度及び圧力で表１に示す時間焼成した。
ウム粉末と平均粒径４．８μｍの酸化スズ粉末との混合
物（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／１） 原料II：１５重量％の塩化スズ水溶液に酸化インジウム
を加え、アンモニアを添加して加水分解することにより
得られた酸化インジウム−水酸化スズ混合析出物（Ｉｎ
／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／１） 原料III:１５重量％の硝酸インジウム水溶液と１５重量
％の塩化スズ水溶液を混合し、アンモニアを添加して加
水分解することにより得られた水酸化インジウム−水酸
化スズ共沈析出物（Ｉｎ／Ｓｎ酸化物（重量比）＝９／
１） 実施例１〜５ 表１に示す原料を用いて、スリップキャスト法（スリッ
プ濃度８０重量％）により、直径１００ｍｍ，厚さ５ｍ
ｍ，重量３００ｇの円盤状の成形体を得、この成形体
を、無声放電により、表１に示すオゾン濃度とした酸素
を表１に示す流量で流した焼成炉内に入れ、表１に示す
温度及び圧力で表１に示す時間焼成した。
【００２９】この焼成炉は第１図に示す管状炉であり、
管内径１５０ｍｍ，管全長９００ｍｍ，焼成帯長さ約３
００ｍｍである。得られたＩＴＯ焼結体の相対密度を表
１に示す。
管内径１５０ｍｍ，管全長９００ｍｍ，焼成帯長さ約３
００ｍｍである。得られたＩＴＯ焼結体の相対密度を表
１に示す。
【００３０】比較例１ オゾンを含まない酸素を用い、焼成温度及び時間を表１
に示す値としたこと以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ
焼結体を製造した。
に示す値としたこと以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ
焼結体を製造した。
【００３１】得られたＩＴＯ焼結体の相対密度を表１に
示す。
示す。
【００３２】実施例５ 焼成炉として第２図に示すボックス炉（内容積２００ｍ
ｍ×２００ｍｍ×２００ｍｍ＝８０００ｃｍ3 ）を用
い、側面からオゾン含有酸素を炉内に導入し、天井部か
らガスを流出させるようにしたこと以外は実施例１と同
様にしてＩＴＯ焼結体を得た。
ｍ×２００ｍｍ×２００ｍｍ＝８０００ｃｍ3 ）を用
い、側面からオゾン含有酸素を炉内に導入し、天井部か
らガスを流出させるようにしたこと以外は実施例１と同
様にしてＩＴＯ焼結体を得た。
【００３３】実施例６ 原料をIIのものとしたこと以外は実施例５と同様にして
ＩＴＯ焼成体を得た。
ＩＴＯ焼成体を得た。
【００３４】実施例７ 原料をIII のものとしたこと以外は実施例５と同様にし
てＩＴＯ焼成体を得た。
てＩＴＯ焼成体を得た。
【００３５】実施例５〜７のＩＴＯ焼結体の相対密度を
表１に併せて示す。
表１に併せて示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１の実施例１〜７と比較例１との対比よ
り、本発明の方法によれば、焼結原料の焼結が円滑に進
行し、３気圧の加圧下、１２５０℃で３時間、或いは、
常圧下、１４００℃で４時間という、比較的低い焼成温
度及び短い焼成時間で、高密度ＩＴＯ焼結体を得ること
ができることが明らかである。
り、本発明の方法によれば、焼結原料の焼結が円滑に進
行し、３気圧の加圧下、１２５０℃で３時間、或いは、
常圧下、１４００℃で４時間という、比較的低い焼成温
度及び短い焼成時間で、高密度ＩＴＯ焼結体を得ること
ができることが明らかである。
【００３８】表１の実施例１〜３と実施例５〜７とは、
焼成炉として第１図のものを用いたか第２図のものを用
いたかという点のみ相違する。表１より明らかな通り、
第１図の焼成炉を用いた実施例１〜３の方が、第２図の
焼成炉を用いた実施例５〜７よりも高密度のＩＴＯ焼成
体を得ることができる。
焼成炉として第１図のものを用いたか第２図のものを用
いたかという点のみ相違する。表１より明らかな通り、
第１図の焼成炉を用いた実施例１〜３の方が、第２図の
焼成炉を用いた実施例５〜７よりも高密度のＩＴＯ焼成
体を得ることができる。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の方法によれ
ば、高密度ＩＴＯ焼結体を、比較的低い焼成温度にて短
時間で容易かつ効率的に製造することができる。
ば、高密度ＩＴＯ焼結体を、比較的低い焼成温度にて短
時間で容易かつ効率的に製造することができる。
【００４０】請求項２の方法によれば、より高密度のＩ
ＴＯ焼成体を製造することができる。
ＴＯ焼成体を製造することができる。
【図１】管状焼成炉を示す模式図である。
【図２】ボックス状焼成炉を示す模式図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 インジウム化合物とスズ化合物との混合
物を成形した後、焼成炉内にて酸素雰囲気で焼成してＩ
ＴＯ焼結体を製造する方法において、 該焼成雰囲気の酸素の一部をオゾン化し、１０００ｐｐ
ｍ〜２０％のオゾンを含有する酸素雰囲気にて焼成する
ことを特徴とするＩＴＯ焼結体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記焼成炉は、被焼
成物を挟んで互いに反対側に配置されたガス導入口とガ
ス排出口とを備えており、 上記の一部をオゾン化した酸素を該ガス導入口から該焼
成炉内に導入し、該ガス排出口から流出させることを特
徴とするＩＴＯ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6316462A JPH07331425A (ja) | 1994-04-04 | 1994-12-20 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6603194 | 1994-04-04 | ||
| JP6-66031 | 1994-04-04 | ||
| JP6316462A JPH07331425A (ja) | 1994-04-04 | 1994-12-20 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331425A true JPH07331425A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=26407199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6316462A Withdrawn JPH07331425A (ja) | 1994-04-04 | 1994-12-20 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07331425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002006185A1 (de) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Epcos Ag | Verfahren zum entkohlen keramischer formkörper |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP6316462A patent/JPH07331425A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002006185A1 (de) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Epcos Ag | Verfahren zum entkohlen keramischer formkörper |
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