JPH07321072A - Dicing device - Google Patents

Dicing device

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Publication number
JPH07321072A
JPH07321072A JP11551194A JP11551194A JPH07321072A JP H07321072 A JPH07321072 A JP H07321072A JP 11551194 A JP11551194 A JP 11551194A JP 11551194 A JP11551194 A JP 11551194A JP H07321072 A JPH07321072 A JP H07321072A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
wafer
cutting
condition
dirt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11551194A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keizo Yamaguchi
啓三 山口
Hideya Yaguchi
秀哉 矢口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Seiki KK
Original Assignee
Seiko Seiki KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Seiki KK filed Critical Seiko Seiki KK
Priority to JP11551194A priority Critical patent/JPH07321072A/en
Publication of JPH07321072A publication Critical patent/JPH07321072A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a dicing device which can decrease the generation of defective wafers. CONSTITUTION:A wafer 10 fixed on a processing table 17 is subjected to cutting work by a blade 19, which is rotated by a spindle motor 21, and thereafter, the wafer 10 is fixed on a cleaning table 25. The table 25 is rotated and cleaning water is supplied to the wafer 10, whereby the surface of the wafer 10 is cleaned. A pattern of the surface of the wafer 10 subsequent to the cleaning is caught by a dirt inspection microscope 27 provided over the wafer 10 and the image of the pattern is fed to an image processing device. The image processing device compares image data on the surface of the wafer 10 subsequent to this cleaning with previously stored that on the surface of the wafer 10 prior to the cutting and detects a dirt on the surface of the wafer 10. When the detected dirt exceeds a prescribed amount, an NC device changes a cleaning time, a cutting rate and the like to modify a cleaning condition and a cutting condition.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ダイシング装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイシング装置は、回転する刃具(ブレ
ード)を加工テーブル上の半導体ウエハに切り込ませ、
加工テーブルを水平移動させることでウエハをチップ毎
に切断するものである。この切断は、NC装置(数値制
御装置)によって自動的に行われる。
2. Description of the Related Art A dicing machine cuts a rotating blade (blade) into a semiconductor wafer on a processing table,
The wafer is cut into chips by horizontally moving the processing table. This disconnection is automatically performed by the NC device (numerical control device).

【0003】切断においては、ブレードによる切り粉が
ウエハ表面に付着するので、切り粉を取り除くため切断
中に水によってウエハ表面を洗浄したり、切断後にウエ
ハ表面を洗浄する工程をダイシング装置において設けた
りして、切り粉が表面に付着した不良ウエハの発生を防
止していた。
[0003] In cutting, since the cutting powder by the blade adheres to the wafer surface, the wafer surface may be washed with water during cutting in order to remove the cutting powder, or a step of cleaning the wafer surface after cutting may be provided in the dicing machine. Then, the generation of defective wafers in which the cutting chips adhere to the surface is prevented.

【0004】ところが、切断の条件によっては切り粉の
量が多かったり、また、水の量や洗浄時間等の洗浄条件
が適当でないと、切り粉が完全に取り除かれずにウエハ
表面に残ってしまうことがある。そこで、従来では、ダ
イシング装置による全ての処理が終了した後に、作業者
が顕微鏡でウエハ表面を見てウエハの汚れ検査を行って
いた。
However, depending on the cutting conditions, the amount of cutting powder is large, and if the cleaning conditions such as the amount of water and the cleaning time are not appropriate, the cutting powder may not be completely removed and may remain on the wafer surface. There is. Therefore, conventionally, after all the processing by the dicing device is completed, an operator looks at the wafer surface with a microscope and inspects the wafer for contamination.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ダイシング装
置では、NC装置による自動制御でウエハを連続的に加
工するので、ダイシング装置による処理後に汚れ検査を
しても、既に大量の不良ウエハが生産されてしまってい
る。ウエハに付着した切り粉は、ウエハが乾燥すると除
去するのが困難になるので、歩留りを下げ製造コストを
高くしてしまう。
However, in the dicing device, since the wafer is continuously processed by the automatic control by the NC device, even if the dirt inspection is performed after the processing by the dicing device, a large amount of defective wafers are already produced. It's gone. The chips adhering to the wafer become difficult to remove when the wafer dries, which lowers the yield and raises the manufacturing cost.

【0006】そこで、本発明の目的は、不良ウエハの発
生を減らすことができるダイシング装置を提供すること
にある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a dicing apparatus which can reduce the generation of defective wafers.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、半導体ウエハを切断するダイシング装置において、
前記半導体ウエハの表面状態を撮像する撮像手段と、こ
の撮像手段で撮像された切断前の表面状態と切断後の表
面状態とから前記半導体ウエハ表面の汚れを検出する汚
れ検出手段と、この汚れ検出手段で汚れが検出された場
合に、切断条件を変更する条件制御手段とをダイシング
装置に具備させて前記目的を達成する。
According to the invention of claim 1, in a dicing apparatus for cutting a semiconductor wafer,
Image pickup means for picking up an image of the surface state of the semiconductor wafer, dirt detecting means for detecting dirt on the surface of the semiconductor wafer from the surface state before cutting and the surface state after cutting which are picked up by the image pickup means, and the dirt detecting means. The above object is achieved by providing the dicing apparatus with condition control means for changing the cutting conditions when dirt is detected by the means.

【0008】請求項2記載の発明では、請求項1記載の
ダイシング装置に、切断時に前記半導体ウエハ表面に切
削水を供給する切削水供給手段を具備させ、前記条件制
御手段が、切断速度と前記切削水供給手段による切削水
の供給量の少なくとも一方を変化させることで前記切断
条件を変更することによって前記目的を達成する。
According to a second aspect of the present invention, the dicing apparatus according to the first aspect includes cutting water supply means for supplying cutting water to the surface of the semiconductor wafer at the time of cutting, and the condition control means includes the cutting speed and the cutting speed. The object is achieved by changing the cutting conditions by changing at least one of the amount of cutting water supplied by the cutting water supply means.

【0009】請求項3記載の発明では、請求項1記載の
ダイシング装置に、切断後の前記半導体ウエハを洗浄す
るウエハ洗浄手段を具備させ、前記汚れ検出手段が、切
断前の表面状態と前記ウエハ洗浄手段による洗浄後の表
面状態とから前記半導体ウエハ表面の汚れを検出し、前
記条件制御手段は、前記汚れ検出手段で汚れが検出され
た場合に、切断条件と洗浄条件の少なくとも一方を変更
することで前記目的を達成する。
According to a third aspect of the present invention, the dicing apparatus according to the first aspect is provided with a wafer cleaning means for cleaning the semiconductor wafer after cutting, and the dirt detecting means has a surface state before cutting and the wafer. Contamination of the surface of the semiconductor wafer is detected from the surface state after cleaning by the cleaning unit, and the condition control unit changes at least one of the cutting condition and the cleaning condition when the contamination is detected by the contamination detection unit. By doing so, the above object is achieved.

【0010】請求項4記載の発明では、請求項3記載の
ダイシング装置において、前記ウエハ洗浄手段が、前記
半導体ウエハを回転させながらその表面に洗浄液を供給
することで洗浄を行い、前記条件制御手段は、前記洗浄
手段による前記半導体ウエハの回転速度と、洗浄時間
と、前記洗浄液の供給量との少なくとも一つを変化させ
ることで前記洗浄条件を変更することによって前記目的
を達成する。
According to a fourth aspect of the invention, in the dicing apparatus according to the third aspect, the wafer cleaning means performs cleaning by supplying a cleaning liquid to the surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer, and the condition control means. The object is achieved by changing the cleaning condition by changing at least one of the rotation speed of the semiconductor wafer by the cleaning means, the cleaning time, and the supply amount of the cleaning liquid.

【0011】[0011]

【作用】請求項1記載のダイシング装置では、撮像手段
が半導体ウエハの表面状態を撮像し、汚れ検出手段は、
この撮像手段で撮像された切断前後の表面状態からウエ
ハ表面の汚れを検出する。そして、条件制御手段が、こ
の汚れ検査手段で汚れが検出された場合に切断条件を変
更する。
In the dicing apparatus according to claim 1, the image pickup means picks up an image of the surface state of the semiconductor wafer, and the dirt detection means
Contamination on the wafer surface is detected from the surface condition before and after cutting, which is imaged by the imaging means. Then, the condition control means changes the cutting condition when the dirt is detected by the dirt inspection means.

【0012】請求項2記載のダイシング装置では、切削
水供給手段が、切断時に半導体ウエハ表面に切削水を供
給する。条件制御手段は、切断速度と切削水供給手段に
よる切削水の供給量の少なくとも一方を変化させること
で前記切断条件を変更する。請求項3記載のダイシング
装置では、ウエハ洗浄手段が切断後の半導体ウエハを洗
浄する。汚れ検出手段は、切断前の表面状態とウエハ洗
浄手段による洗浄後の表面状態とから半導体ウエハ表面
の汚れを検出し、条件制御手段は、汚れ検出手段で汚れ
が検出された場合に、切断条件と洗浄条件の少なくとも
一方を変更する。
In the dicing apparatus according to the second aspect, the cutting water supply means supplies the cutting water to the surface of the semiconductor wafer at the time of cutting. The condition control means changes the cutting condition by changing at least one of the cutting speed and the amount of cutting water supplied by the cutting water supply means. In the dicing apparatus according to the third aspect, the wafer cleaning means cleans the semiconductor wafer after cutting. The dirt detection unit detects dirt on the surface of the semiconductor wafer from the surface state before cutting and the surface state after cleaning by the wafer cleaning unit, and the condition control unit determines cutting conditions when dirt is detected by the dirt detection unit. And / or change at least one of the washing conditions.

【0013】請求項4記載のダイシング装置では、ウエ
ハ洗浄手段が、半導体ウエハを回転させながらその表面
に洗浄液を供給することで洗浄を行う。条件制御手段
は、洗浄手段による半導体ウエハの回転速度と、洗浄時
間と、洗浄液の供給量との少なくとも一つを変化させる
ことで洗浄条件を変更する。
In the dicing apparatus according to the fourth aspect, the wafer cleaning means performs the cleaning by supplying the cleaning liquid to the surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer. The condition control unit changes the cleaning condition by changing at least one of the rotation speed of the semiconductor wafer by the cleaning unit, the cleaning time, and the supply amount of the cleaning liquid.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明のダイシング装置における一実
施例を図1ないし図3を参照して詳細に説明する。図1
は本実施例のダイシング装置を上方から見た場合の要部
の配置を表したものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the dicing apparatus of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. Figure 1
Shows the arrangement of essential parts when the dicing apparatus of this embodiment is viewed from above.

【0015】この図に示すように、本実施例のダイシン
グ装置は、切断前と切断後のウエハ10をそれぞれ収納
可能なストッカ11と、このストッカ11から取り出さ
れたウエハ10が一時的に載置される位置決めテーブル
としてのプリアライメント13と、軸pを中心に回転す
ることでウエハ10を図1において矢印Aで示すように
搬送するローダ15とを備えている。ストッカ11に対
するウエハ10の出し入れは、図示しない搬送装置によ
って行われるようになっている。
As shown in this figure, in the dicing apparatus of this embodiment, a stocker 11 that can store wafers 10 before and after cutting and a wafer 10 taken out from the stocker 11 are temporarily placed. A pre-alignment 13 as a positioning table, and a loader 15 for transporting the wafer 10 as shown by an arrow A in FIG. The loading / unloading of the wafer 10 to / from the stocker 11 is performed by a transfer device (not shown).

【0016】また、ダイシング装置は、ローダ15によ
って搬送されたウエハ10が載置されると共にこれを固
定する加工テーブル17と、ブレード19を回転させる
スピンドルモータ21とを備えている。加工テーブル1
7は、矢印Bで示すように水平移動されるようになって
おり、スピンドルモータ21は、紙面に垂直方向、すな
わち上下方向に移動するようになっている。そして、加
工テーブル17が、図1に点線で示す位置に移動される
と共に、スピンドルモータ21が降下されることで、ブ
レード19がウエハ10に切り込まれるようになってい
る。
Further, the dicing apparatus is equipped with a processing table 17 on which the wafer 10 carried by the loader 15 is placed and fixed, and a spindle motor 21 for rotating the blade 19. Processing table 1
7 is horizontally moved as shown by an arrow B, and the spindle motor 21 is moved vertically to the paper surface, that is, in the vertical direction. Then, the processing table 17 is moved to the position shown by the dotted line in FIG. 1 and the spindle motor 21 is lowered, so that the blade 19 is cut into the wafer 10.

【0017】なお、図示しないが、本実施例のダイシン
グ装置は、ブレード19の近傍に設けられたノズルか
ら、ウエハ10とブレード19との接触部分に切削水を
供給する切削水供給装置を備えている。図1に示すよう
に、ブレード19の側方には、ウエハ10の位置決め時
に表面のパターンを拡大して見るための位置決め用顕微
鏡23が配設されている。位置決め用顕微鏡23には、
拡大した像を撮像するCCDカメラが組み込まれ、CC
Dカメラで撮像された画像は、画像処理装置(図2参
照)に供給される。この位置決め用顕微鏡23及びスピ
ンドルモータ21は、図示しない固定部材によって移動
テーブル24上に固定されており、矢印C方向に一体的
に移動するようになっている。
Although not shown, the dicing apparatus of the present embodiment is equipped with a cutting water supply device for supplying cutting water to a contact portion between the wafer 10 and the blade 19 from a nozzle provided in the vicinity of the blade 19. There is. As shown in FIG. 1, a positioning microscope 23 for enlarging and observing the pattern on the surface when positioning the wafer 10 is provided on the side of the blade 19. In the positioning microscope 23,
A CCD camera that captures an enlarged image is incorporated, and CC
The image captured by the D camera is supplied to the image processing device (see FIG. 2). The positioning microscope 23 and the spindle motor 21 are fixed on a moving table 24 by a fixing member (not shown) so that they can move integrally in the direction of arrow C.

【0018】また、ダイシング装置は、切断後のウエハ
10が載置される洗浄テーブル25を備えている。この
洗浄テーブル25は、回転するようになっており、その
上方には洗浄水を供給するための図示しない洗浄水供給
用ノズルが配設されている。この図示しない洗浄水供給
用ノズルから洗浄水が供給されると共に、洗浄テーブル
25が回転することで、ウエハ10表面の洗浄が行なわ
れるようになっている。また、洗浄テーブル25の上方
には、位置決め用顕微鏡23と同様にCCDカメラを備
えた汚れ検査用顕微鏡27が配設されており、この汚れ
検査用顕微鏡27でとらえた像は、画像処理装置(図2
参照)に供給されるようになっている。汚れ検査用顕微
鏡27は、撮像する位置を変えるために紙面に平行に移
動、すなわち水平移動するようになっている。なお、図
示しないが洗浄テーブル25の上方には、洗浄後のウエ
ハ10をエアにより乾燥させるためのエアノズルも配設
されている。
Further, the dicing apparatus has a cleaning table 25 on which the wafer 10 after cutting is placed. The cleaning table 25 is configured to rotate, and a cleaning water supply nozzle (not shown) for supplying cleaning water is arranged above the cleaning table 25. The cleaning water is supplied from the cleaning water supply nozzle (not shown), and the cleaning table 25 is rotated to clean the surface of the wafer 10. Further, above the cleaning table 25, a dirt inspection microscope 27 equipped with a CCD camera is arranged like the positioning microscope 23, and an image captured by the dirt inspection microscope 27 is an image processing device ( Figure 2
(See reference). The dirt-inspection microscope 27 is designed to move in parallel with the plane of the drawing, that is, to move horizontally, in order to change the imaging position. Although not shown, an air nozzle for drying the cleaned wafer 10 with air is also provided above the cleaning table 25.

【0019】図2は、ダイシング装置の制御系の一部を
表したものである。本実施例によるダイシング装置は、
ローダ15等の各駆動部を制御をするNC装置31を備
えている。すなわち、このNC装置31には、スピンド
ルモータ21を駆動させるドライバ37や加工テーブル
17を移動させる駆動モータ38のドライバ39が接続
され、ブレード19の回転速度や加工テーブル17の位
置及び移動速度等を制御するようになっている。また、
NC装置31には、洗浄テーブル25を回転させる駆動
モータ40のドライバ41が接続されており、ドライバ
41の制御で洗浄テーブル25の回転数を制御するよう
になっている。更に、NC装置31は、洗浄テーブル2
5上に配設された洗浄水供給用ノズル43に洗浄水を供
給するポンプ等の供給装置45を制御することで、洗浄
水の量や洗浄時間を調節できるようになっている。な
お、前述の図示しない切削水供給装置による切削水の供
給量も、NC装置31の制御によって調整されるように
なっている。
FIG. 2 shows a part of the control system of the dicing machine. The dicing device according to the present embodiment is
An NC device 31 for controlling each drive unit such as the loader 15 is provided. That is, a driver 37 for driving the spindle motor 21 and a driver 39 for a drive motor 38 for moving the machining table 17 are connected to the NC device 31, and the rotation speed of the blade 19, the position and movement speed of the machining table 17, etc. are determined. It is designed to be controlled. Also,
A driver 41 of a drive motor 40 for rotating the cleaning table 25 is connected to the NC device 31, and the rotation speed of the cleaning table 25 is controlled by the control of the driver 41. Further, the NC device 31 has the cleaning table 2
By controlling the supply device 45 such as a pump for supplying the cleaning water to the cleaning water supply nozzle 43 arranged on the upper part 5, the amount of the cleaning water and the cleaning time can be adjusted. The amount of cutting water supplied by the cutting water supply device (not shown) is also adjusted by the control of the NC device 31.

【0020】図2に示すように、NC装置31には、画
像処理装置32も接続されている。画像処理装置32は
汚れ検査用顕微鏡27でとらえた像の明暗を画素毎に解
析するもので、洗浄テーブル25上に固定されたウエハ
10表面の画像データを得ることで、その汚れ検査を行
うようになっている。
As shown in FIG. 2, an image processing device 32 is also connected to the NC device 31. The image processing device 32 analyzes the lightness and darkness of an image captured by the dirt inspection microscope 27 for each pixel, and the dirt inspection is performed by obtaining image data of the surface of the wafer 10 fixed on the cleaning table 25. It has become.

【0021】NC装置31は、この画像処理装置32に
よるウエハ10表面の汚れ検査の結果に応じて、ブレー
ド19の回転速度や加工テーブル17の移動速度、及び
切削水の供給量等を変化させて切断条件を変更したり、
洗浄テーブル25の回転数や洗浄水の供給量等を変化さ
せることで洗浄条件を変更したりするようになってい
る。
The NC device 31 changes the rotation speed of the blade 19, the moving speed of the processing table 17, the supply amount of cutting water, etc. according to the result of the dirt inspection of the surface of the wafer 10 by the image processing device 32. Change the cutting conditions,
The cleaning conditions are changed by changing the rotation speed of the cleaning table 25, the supply amount of cleaning water, and the like.

【0022】なお、画像処理装置32には、図1の位置
決め用顕微鏡23でとらえた像もCCDカメラを介して
供給されるようになっている。次に、このように構成さ
れた実施例の動作について説明する。図3は、NC装置
31が行う処理を中心にダイシング装置の動作の流れを
表したものである。
An image captured by the positioning microscope 23 shown in FIG. 1 is also supplied to the image processing device 32 via a CCD camera. Next, the operation of the embodiment thus configured will be described. FIG. 3 shows the flow of operations of the dicing device, focusing on the processing performed by the NC device 31.

【0023】まず、図示しない搬送装置によってウエハ
10をストッカ11からプリアライメント13上に取り
出し、ローダ15による搬送で加工テーブル17上に載
置する。次に、NC装置31は、加工テーブル17を図
1において点線で示す位置に移動させると共に、位置決
め用顕微鏡23によってウエハ10表面の、例えば、位
置決め用のパターンを撮像する。そして、NC装置31
は、撮像したパターンを基にウエハ10の位置を確認し
ながら移動テーブル24等を移動させて、ウエハ10の
位置決めをする(ステップ1)。
First, the wafer 10 is taken out from the stocker 11 onto the pre-alignment 13 by a transfer device (not shown), and is placed on the processing table 17 by being transferred by the loader 15. Next, the NC device 31 moves the processing table 17 to the position shown by the dotted line in FIG. 1, and at the same time, images the positioning pattern on the surface of the wafer 10 by the positioning microscope 23, for example. Then, the NC device 31
Moves the moving table 24 and the like while checking the position of the wafer 10 based on the imaged pattern to position the wafer 10 (step 1).

【0024】次に、NC装置31は、位置決め用顕微鏡
23の倍率を低くして撮像領域を広げると共に、移動テ
ーブル24や加工テーブル17を移動させて、撮像する
位置を変える。例えば、ウエハ10をチップ毎に分割す
る境界線(ストリート)等、切断によりウエハ10が汚
れやすい部分を撮像する位置に位置決め用顕微鏡23を
位置させる。そして、ウエハ10上のパターンを撮像し
て、画像処理装置32が、その画像データを記憶する
(ステップ2)。
Next, the NC device 31 lowers the magnification of the positioning microscope 23 to widen the image pickup area and moves the moving table 24 and the processing table 17 to change the image pickup position. For example, the positioning microscope 23 is positioned at a position where an image is taken of a portion where the wafer 10 is easily contaminated by cutting, such as a boundary line (street) that divides the wafer 10 into chips. Then, the pattern on the wafer 10 is imaged, and the image processing device 32 stores the image data (step 2).

【0025】次に、NC装置31は、所定の回転数でス
ピンドルモータ21を回転させると共に、ブレード19
が所望の深さ分ウエハ10に切り込まれる位置にスピン
ドルモータ21を降下させる。そして、加工テーブル1
7や移動テーブル24を所定の工程分移動させて、ウエ
ハ10をチップ毎に分割する切断加工を行う(ステップ
3)。
Next, the NC device 31 rotates the spindle motor 21 at a predetermined number of revolutions, and also the blade 19
The spindle motor 21 is lowered to a position where it is cut into the wafer 10 by a desired depth. And processing table 1
7 and the moving table 24 are moved by a predetermined number of steps to perform a cutting process for dividing the wafer 10 into chips (step 3).

【0026】続いて、NC装置31は、加工テーブル1
7を再び図1に示す位置に移動させ、ローダ15による
搬送で、ウエハ10を洗浄テーブル25上に載置する。
この時、ウエハ10は、真空吸引等によって洗浄テーブ
ル25上に固定される。そして、洗浄テーブル25を所
定の速度で回転させ、洗浄水供給用ノズル43からウエ
ハ10の中心部に洗浄水を供給し、ウエハ10表面の洗
浄を行う(ステップ4)。
Then, the NC device 31 is connected to the processing table 1
7 is moved to the position shown in FIG. 1 again, and the wafer 10 is placed on the cleaning table 25 by being conveyed by the loader 15.
At this time, the wafer 10 is fixed on the cleaning table 25 by vacuum suction or the like. Then, the cleaning table 25 is rotated at a predetermined speed, the cleaning water is supplied from the cleaning water supply nozzle 43 to the central portion of the wafer 10, and the surface of the wafer 10 is cleaned (step 4).

【0027】そして、所定時間が経過したら、洗浄水の
供給を停止させると共に、図示しないエアノズルからエ
アをウエハ10表面に吹きつけ、ウエハ10を乾燥させ
る(ステップ5)。次に、NC装置31は、汚れ検査用
顕微鏡27をウエハ10上の所定位置に移動させ、ステ
ップ2において撮像したパターンと同様のパターンを汚
れ検査用顕微鏡27で撮像する(ステップ6)。通常、
半導体ウエハには、チップ毎に同じパターンが描かれて
いるので、この時、汚れ検査用顕微鏡27をウエハ10
上の複数箇所に移動させて、複数のパターンを撮像する
ようにしてもよい。
After the lapse of a predetermined time, the supply of cleaning water is stopped, and air is blown onto the surface of the wafer 10 from an air nozzle (not shown) to dry the wafer 10 (step 5). Next, the NC device 31 moves the dirt inspection microscope 27 to a predetermined position on the wafer 10, and images the pattern similar to the pattern imaged in step 2 with the dirt inspection microscope 27 (step 6). Normal,
Since the same pattern is drawn for each chip on the semiconductor wafer, at this time, the contamination inspection microscope 27 is used for the wafer 10.
It is also possible to move to a plurality of locations above and capture a plurality of patterns.

【0028】続いて、画像処理装置32が、この時撮像
したパターンの画像データと、ステップ2で記憶したパ
ターンの画像データとの間で差分をとり、差分画像に残
ったものを汚れとして、その総和が所定量以上であるか
否かを判断する(ステップ7)。すなわち、ウエハ10
表面の汚れを検査する。
Then, the image processing device 32 takes a difference between the image data of the pattern imaged at this time and the image data of the pattern stored in step 2, and the remaining image in the difference image is treated as a stain. It is determined whether the total sum is equal to or more than a predetermined amount (step 7). That is, the wafer 10
Inspect the surface for dirt.

【0029】差分が所定量以上である場合(ステップ
7;Y)、すなわち、ウエハ10表面に汚れが認められ
た場合、画像処理装置32は、その検査結果を示す信号
をNC装置31に出力し、この信号を基にNC装置31
は、汚れの検出が所定回目(例えば、3回目)であるか
否かを判断する(ステップ8)。ステップ7で汚れが認
められなかった場合は(N)、ステップ10に移行す
る。一方、ステップ8において、汚れ検出が所定回目で
なければ(ステップ8;N)、洗浄条件と切断条件を変
更する(ステップ9)。
When the difference is equal to or more than the predetermined amount (step 7; Y), that is, when the surface of the wafer 10 is contaminated, the image processing device 32 outputs a signal indicating the inspection result to the NC device 31. , NC device 31 based on this signal
Determines whether or not the stain has been detected a predetermined number of times (for example, the third time) (step 8). When the stain is not recognized in step 7 (N), the process proceeds to step 10. On the other hand, in step 8, if the stain detection is not the predetermined time (step 8; N), the cleaning condition and the cutting condition are changed (step 9).

【0030】すなわち、ウエハ10表面の汚れは、洗浄
時(ステップ4)における、水の流量、洗浄時間、洗浄
テーブル25の回転数等の洗浄条件や、切断時(ステッ
プ3)における、切削水の量やブレード19の回転速
度、及び加工テーブル17の移動速度等の切断条件に左
右される。従って、本実施例では、例えば、洗浄水の流
量を多くしたり、洗浄時間を長くしたり、洗浄テーブル
25の回転数を速くする等して洗浄条件を所定量変化さ
せる。また、ブレード19の回転速度を速くしたり、あ
るいは加工テーブル17の移動速度を遅くして、切断時
でのウエハ10に対するブレード19の単位時間当たり
の接触量(本明細書において、これを「切断速度」とい
う)を所定量多くする。あるいは、図示しない切削水供
給装置による切削水の供給量を増やして切断条件を変更
する。
That is, dirt on the surface of the wafer 10 is caused by cleaning conditions such as the flow rate of water, the cleaning time, and the number of rotations of the cleaning table 25 during cleaning (step 4), and the cutting water during cutting (step 3). It depends on cutting conditions such as the amount, the rotation speed of the blade 19, and the moving speed of the processing table 17. Therefore, in this embodiment, for example, the cleaning condition is changed by a predetermined amount by increasing the flow rate of the cleaning water, lengthening the cleaning time, or increasing the rotation speed of the cleaning table 25. Further, by increasing the rotation speed of the blade 19 or decreasing the moving speed of the processing table 17, the contact amount of the blade 19 with respect to the wafer 10 at the time of cutting (in this specification, this is referred to as “cutting”). "Speed") is increased by a predetermined amount. Alternatively, the cutting conditions are changed by increasing the amount of cutting water supplied by a cutting water supply device (not shown).

【0031】以上の洗浄条件や切断条件の変更により、
以後処理されるウエハ10に対しては、洗浄条件や切断
条件が改善され、切断による切り粉の汚れが付着した不
良ウエハの発生を未然に防止することができる。次にN
C装置31は、洗浄テーブル25上のウエハ10をロー
ダ15によってプリアライメント13上に戻すと共に、
図示しない搬送装置によってストッカ11内に格納する
(ステップ10)。
By changing the above washing conditions and cutting conditions,
With respect to the wafer 10 to be processed thereafter, the cleaning conditions and the cutting conditions are improved, and it is possible to prevent the generation of defective wafers to which cutting dust is attached due to cutting. Then N
The C device 31 returns the wafer 10 on the cleaning table 25 onto the pre-alignment 13 by the loader 15, and
It is stored in the stocker 11 by a transport device (not shown) (step 10).

【0032】そして、所定枚数のウエハ10の処理が終
了したら(ステップ11;Y)、装置を停止させ(ステ
ップ12)、処理を終了する。一方、ステップ8におい
て、汚れの検出が所定回目であったら(ステップ8;
Y)、洗浄条件や切断条件を所定回変更しても汚れが改
善されなかったことになり、汚れの原因が他にある可能
性があるので、アラームを出力して装置を停止させる
(ステップ12)。
When the processing of the predetermined number of wafers 10 is completed (step 11; Y), the apparatus is stopped (step 12) and the processing is completed. On the other hand, in step 8, if the stain is detected a predetermined number of times (step 8;
Y) Even if the cleaning condition and the cutting condition are changed a predetermined number of times, the stain has not been improved, and there is a possibility that the stain may be another cause. Therefore, an alarm is output and the apparatus is stopped (step 12). ).

【0033】以上説明したように、本実施例によるダイ
シング装置では、洗浄後のウエハ表面の汚れ検査を行う
ようにしているので、ダイシング装置による処理後の次
工程での汚れ検査を省略することができる。なお、以上
の実施例では、切断前におけるウエハ10のパターンの
記憶(ステップ4)を毎回ウエハ10毎に行うようにし
ていたが、同じ種類のウエハ10を連続して複数枚処理
する場合には、一番最初のウエハのパターンのみを記憶
しておき、その画像データを基に他の全てのウエハの汚
れ検査を行うようにしてもよい。
As described above, in the dicing apparatus according to the present embodiment, the contamination inspection of the wafer surface after cleaning is performed, so that the contamination inspection in the next process after the processing by the dicing apparatus can be omitted. it can. In the above embodiment, the pattern of the wafer 10 before cutting (step 4) is stored for each wafer 10. However, when a plurality of wafers 10 of the same type are continuously processed, Alternatively, only the pattern of the first wafer may be stored, and the stain inspection of all other wafers may be performed based on the image data.

【0034】以上の実施例では、ウエハの汚れ検査は、
毎回行うようしていたが、例えば、5枚毎に行うように
してもよい。また、検査をする毎に、汚れ検査用顕微鏡
27を水平移動させて、同様なパターンを撮像できる位
置に検査位置を変え、1ストッカにわたって、ウエハの
複数箇所の汚れ検査を行うようにしてもよい。
In the above embodiment, the wafer contamination inspection is
Although it is performed every time, it may be performed every five sheets, for example. In addition, every time an inspection is performed, the contamination inspection microscope 27 may be horizontally moved to change the inspection position to a position where a similar pattern can be imaged, and contamination inspection of a plurality of wafers may be performed over one stocker. .

【0035】更に、ステップ9において、例えば、洗浄
時間のみを変化させてもよく、洗浄条件と切断条件の何
方か一方を変更するようにしてもよい。
Further, in step 9, for example, only the cleaning time may be changed, or one of the cleaning condition and the cutting condition may be changed.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明のダイシング装置によれば、不良
ウエハの発生を減らすことができる。
According to the dicing apparatus of the present invention, the generation of defective wafers can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例によるダイシング装置の要部
を示した略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a main part of a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同装置の制御系を示したブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a control system of the device.

【図3】同装置の動作の流れを示したフローチャートで
ある。
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of operations of the apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ウエハ 11 ストッカ 13 プリアライメント 15 ローダ 17 加工テーブル 19 ブレード 21 スピンドルモータ 23 位置決め用顕微鏡 24 移動テーブル 25 洗浄テーブル 27 汚れ検査用顕微鏡 31 NC装置 32 画像処理装置 37、39、41 ドライバ 38、40 駆動モータ 43 洗浄水供給用ノズル 45 供給装置 10 wafer 11 stocker 13 pre-alignment 15 loader 17 processing table 19 blade 21 spindle motor 23 positioning microscope 24 moving table 25 cleaning table 27 dirt inspection microscope 31 NC device 32 image processing device 37, 39, 41 driver 38, 40 drive motor 43 Cleaning Water Supply Nozzle 45 Supply Device

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを切断するダイシング装置
において、 前記半導体ウエハの表面状態を撮像する撮像手段と、 この撮像手段で撮像された、切断前の表面状態と切断後
の表面状態とから前記半導体ウエハ表面の汚れを検出す
る汚れ検出手段と、 この汚れ検出手段で汚れが検出された場合に、切断条件
を変更する条件制御手段とを具備することを特徴とする
ダイシング装置。
1. A dicing apparatus for cutting a semiconductor wafer, wherein an image pickup means for picking up an image of a surface state of the semiconductor wafer and the semiconductor state based on a surface state before cutting and a surface state after cutting picked up by the image pickup means. A dicing apparatus comprising: a dirt detecting means for detecting dirt on the surface of a wafer; and a condition control means for changing a cutting condition when the dirt is detected by the dirt detecting means.
【請求項2】 切断時に前記半導体ウエハ表面に切削水
を供給する切削水供給手段を備え、 前記条件制御手段は、切断速度と前記切削水供給手段に
よる切削水の供給量の少なくとも一方を変化させること
で前記切断条件を変更することを特徴とする請求項1記
載のダイシング装置。
2. A cutting water supply unit for supplying cutting water to the surface of the semiconductor wafer at the time of cutting, wherein the condition control unit changes at least one of a cutting speed and a supply amount of cutting water by the cutting water supply unit. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the cutting condition is changed accordingly.
【請求項3】 切断後の前記半導体ウエハを洗浄するウ
エハ洗浄手段を備え、 前記汚れ検出手段は、切断前の表面状態と前記ウエハ洗
浄手段による洗浄後の表面状態とから前記半導体ウエハ
表面の汚れを検出し、 前記条件制御手段は、前記汚れ検出手段で汚れが検出さ
れた場合に、切断条件と洗浄条件の少なくとも一方を変
更することを特徴とする請求項1記載のダイシング装
置。
3. A wafer cleaning means for cleaning the semiconductor wafer after cutting, wherein the dirt detecting means cleans the surface of the semiconductor wafer according to a surface condition before cutting and a surface condition after cleaning by the wafer cleaning means. 2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the condition control unit changes at least one of a cutting condition and a cleaning condition when the dirt is detected by the dirt detecting unit.
【請求項4】 前記ウエハ洗浄手段は、前記半導体ウエ
ハを回転させながらその表面に洗浄液を供給することで
洗浄を行い、 前記条件制御手段は、前記洗浄手段による前記半導体ウ
エハの回転速度と、洗浄時間と、前記洗浄液の供給量と
の少なくとも一つを変化させることで前記洗浄条件を変
更することを特徴とする請求項3記載のダイシング装
置。
4. The wafer cleaning means performs cleaning by supplying a cleaning liquid to the surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer, and the condition control means causes the cleaning speed of the semiconductor wafer by the cleaning means and cleaning. The dicing apparatus according to claim 3, wherein the cleaning condition is changed by changing at least one of a time and a supply amount of the cleaning liquid.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135158A (en) * 1996-11-05 1998-05-22 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer contamination detecting apparatus
KR100278070B1 (en) * 1996-08-13 2001-02-01 스프레규 클리포드 에프. Dicing device
JP2008288423A (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method and device for wafer inspection
JP2011165847A (en) * 2010-02-09 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing processing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100278070B1 (en) * 1996-08-13 2001-02-01 스프레규 클리포드 에프. Dicing device
JPH10135158A (en) * 1996-11-05 1998-05-22 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer contamination detecting apparatus
JP2008288423A (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method and device for wafer inspection
JP2011165847A (en) * 2010-02-09 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing processing apparatus

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