JP5976433B2

JP5976433B2 - Cutting equipment

Info

Publication number: JP5976433B2
Application number: JP2012161232A
Authority: JP
Inventors: 秀夫岩田; 宏彦香西; 浩吉湊; 毅北浦
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-07-20
Filing date: 2012-07-20
Publication date: 2016-08-23
Anticipated expiration: 2032-07-20
Also published as: JP2014022624A

Description

本発明は、切削ブレードによってウェーハ外周を切削する切削装置に関し、特にウェーハの外周に面取り加工を施す切削装置に関する。 The present invention relates to a cutting device that cuts the outer periphery of a wafer with a cutting blade, and more particularly to a cutting device that chamfers the outer periphery of a wafer.

近年、電気機器の薄型化や小型化に伴い、ウェーハの薄化が望まれている。また、ウェーハの外周には、製造工程中における割れや発塵防止のために面取り加工が施されている。このため、ウェーハの厚さが、例えば１００μｍ以下に研削仕上げされると、面取りされたウェーハの外周がナイフエッジ状になり、外周側から欠け生じてウェーハが破損するという問題があった。この問題を解決するために、ウェーハの薄化後にナイフエッジになりうる面取り部を、研削加工に先だってウェーハの外周から除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In recent years, with the thinning and miniaturization of electrical equipment, it is desired to make the wafer thinner. Further, the outer periphery of the wafer is chamfered to prevent cracking and dust generation during the manufacturing process. For this reason, when the thickness of the wafer is ground and finished to, for example, 100 μm or less, the outer periphery of the chamfered wafer becomes a knife edge, and the wafer is damaged due to chipping from the outer peripheral side. In order to solve this problem, a method has been proposed in which a chamfered portion that can become a knife edge after thinning the wafer is removed from the outer periphery of the wafer prior to grinding (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載の加工方法では、チャックテーブル上にウェーハが保持され、切削ブレードでウェーハの表面側からウェーハの外周が切り込まれる。そして、チャックテーブルが１回転されることで、ウェーハの外周が切削ブレードにより切削され、ウェーハの上面側の面取り部が除去される。この場合、ウェーハの外周は、切削ブレードによって、目標の仕上げ厚さよりも深く切り込まれている。後段の研削加工では、ウェーハが裏面側から研削されて目標の仕上げ厚さまで研削される。このため、研削後のウェーハの外周にナイフエッジが残ることがなく、ウェーハの外周における欠けの発生が防止されている。 In the processing method described in Patent Document 1, the wafer is held on the chuck table, and the outer periphery of the wafer is cut from the front surface side of the wafer with a cutting blade. Then, by rotating the chuck table once, the outer periphery of the wafer is cut by the cutting blade, and the chamfered portion on the upper surface side of the wafer is removed. In this case, the outer periphery of the wafer is cut deeper than the target finish thickness by the cutting blade. In the subsequent grinding process, the wafer is ground from the back side and ground to the target finish thickness. For this reason, a knife edge does not remain on the outer periphery of the wafer after grinding, and occurrence of chipping on the outer periphery of the wafer is prevented.

特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A

ところで、ウェーハの上面側の面取り部の除去により、ウェーハの外周の除去領域に段状溝が形成される。切削加工後のウェーハは、検査工程において工場顕微鏡やハイトゲージで段状溝（除去領域）の幅や深さが測定されて、許容範囲内に入っているか否かが検査される。このため、オペレータの検査作業が煩雑となると共に、検査時にウェーハに汚染等が生じるおそれがあった。 By the way, by removing the chamfered portion on the upper surface side of the wafer, a stepped groove is formed in the removal region on the outer periphery of the wafer. In the inspection process, the width and depth of the stepped groove (removal region) are measured by a factory microscope or a height gauge in the inspection process, and the wafer after cutting is inspected to determine whether it is within an allowable range. For this reason, the operator's inspection work becomes complicated, and the wafer may be contaminated during the inspection.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウェーハに汚染を生じさせることなく、装置内で加工後のウェーハの除去領域の幅や深さを測定できる切削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to provide a cutting apparatus capable of measuring the width and depth of a removed region of a wafer after processing in the apparatus without causing contamination of the wafer. To do.

本発明の切削装置は、外周面取り部を有するウェーハを保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持された前記ウェーハの外周面取り部の除去領域を除去する切削手段と、前記切削手段で前記除去領域が除去された前記ウェーハを洗浄する洗浄手段と、ウェーハを複数枚収容するカセットからウェーハを搬出入するための搬送手段と、を有する切削装置であって、加工後のウェーハ外周の前記除去領域の幅及び深さを検出する検出手段を備え、前記搬送手段は、前記ウェーハの外周を把持する少なくとも３つの回転可能なクランプ爪と、前記クランプ爪で外周が把持されたウェーハを回転させる回転駆動部と、前記クランプ爪及び前記回転駆動部を一体的に上下及び水平方向に移動させる移動部とを備え、前記搬送手段の前記クランプ爪で把持されたウェーハは、前記検出手段の真下に前記除去領域が位置付けられ、前記回転駆動部により回転しながらウェーハの前記除去領域の深さ及び幅が検出されること、を特徴とする。 The cutting apparatus of the present invention includes a chuck table for holding a wafer having an outer peripheral chamfered portion, a cutting means for removing a removal region of the outer peripheral chamfered portion of the wafer held by the chuck table, and the removal region by the cutting means. A cutting device having a cleaning means for cleaning the wafer from which the wafer has been removed, and a transport means for carrying the wafer in and out of a cassette containing a plurality of wafers, Detection means for detecting a width and a depth, wherein the transfer means rotates at least three rotatable clamp claws for gripping the outer periphery of the wafer, and a rotation drive unit for rotating the wafer whose outer periphery is gripped by the clamp claws. And a moving part that moves the clamp claw and the rotation driving part integrally in the vertical and horizontal directions, The wafer held by the lamp claw is characterized in that the removal region is positioned directly below the detection means, and the depth and width of the removal region of the wafer are detected while being rotated by the rotation driving unit. .

この構成によれば、搬送手段によるウェーハの搬送中に、検出手段で加工後のウェーハ外周の除去領域の深さ及び幅を検出できる。このとき、検出手段に対してウェーハの除去領域が位置付けられ、回転駆動部によってウェーハが回転されることで、ウェーハの除去領域の全周にわたって幅及び深さが検出される。このように、切削装置内でウェーハの除去領域の幅及び深さが検出されるため、切削装置外で検査工程を実施する必要がなく、オペレータの作業負担が軽減される。また、切削装置外の検査工程でウェーハが汚染されることもない。 According to this configuration, the depth and width of the removal region on the outer periphery of the processed wafer can be detected by the detection unit while the wafer is being transferred by the transfer unit. At this time, the removal area of the wafer is positioned with respect to the detection means, and the width and depth are detected over the entire circumference of the removal area of the wafer by rotating the wafer by the rotation driving unit. Thus, since the width and depth of the removal area of the wafer are detected within the cutting apparatus, it is not necessary to carry out an inspection process outside the cutting apparatus, and the work burden on the operator is reduced. Further, the wafer is not contaminated in the inspection process outside the cutting apparatus.

本発明の上記切削装置においては、前記検出手段は、前記洗浄手段から前記カセットに至る搬送経路上に配設されており、前記除去領域が除去された後で洗浄後のウェーハの前記除去領域を検出すること、を特徴とする。 In the cutting apparatus of the present invention, the detection means is disposed on a transfer path from the cleaning means to the cassette, and the removal area of the wafer after cleaning is removed after the removal area is removed. Detecting.

本発明の上記切削装置においては、ウェーハの外周には結晶方位を示すマークが形成され、前記搬送手段には、前記マークを検出するマーク検出部を更に備え、前記検出手段により検出された前記除去領域の深さ及び幅を前記マーク検出部で検出された前記マークの位置に対応させて記憶する記憶手段を備える。 In the cutting apparatus of the present invention, a mark indicating a crystal orientation is formed on the outer periphery of the wafer, and the transfer means further includes a mark detection unit for detecting the mark, and the removal detected by the detection means Storage means for storing the depth and width of the region in correspondence with the position of the mark detected by the mark detector.

本発明によれば、切削装置内で検査工程を実施可能なように搬送手段と検出手段を構成することで、検査工程用に新たなスペースを設けることなく、装置内で加工後のウェーハの除去領域の幅や深さを測定できる。 According to the present invention, the conveyance means and the detection means are configured so that the inspection process can be performed in the cutting apparatus, thereby removing the wafer after processing in the apparatus without providing a new space for the inspection process. The width and depth of the area can be measured.

本実施の形態に係る切削装置の上面模式図である。It is an upper surface schematic diagram of the cutting device concerning this embodiment. 本実施の形態に係るウェーハの除去領域に対する切削加工の説明図である。It is explanatory drawing of the cutting process with respect to the removal area | region of the wafer which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る搬入搬出アームのハンド部の上面模式図である。It is an upper surface schematic diagram of the hand part of the carrying in / out arm which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る検出機構及び制御部の模式図である。It is a schematic diagram of the detection mechanism and control part which concern on this Embodiment. 本実施の形態に係る切削装置による検出動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the detection operation | movement by the cutting device which concerns on this Embodiment.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る切削装置の上面模式図である。図２は、本実施の形態に係るウェーハの除去領域に対する切削加工の説明図である。なお、本実施の形態に係る切削装置は、図１に示す構成に限定されない。切削装置は、ウェーハ外周を切削すると共に、切削後のウェーハ外周の除去領域の測定を装置内で実施可能であれば、どのような構成でもよい。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic top view of the cutting device according to the present embodiment. FIG. 2 is an explanatory diagram of the cutting process on the removal area of the wafer according to the present embodiment. Note that the cutting apparatus according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. The cutting apparatus may have any configuration as long as it can cut the outer periphery of the wafer and measure the removal area of the outer periphery of the wafer after the cutting.

図１に示すように、切削装置１は、フルオートタイプの切削装置であり、ウェーハＷに対する搬入処理、切削処理、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウェーハＷは、半導体ウェーハや無機材料基板等で円板状に形成されている。ウェーハＷの外周には面取り部（外周面取り部）６１が形成されており、この面取り部６１を含む環状の領域が、後に切削ブレード３９で除去される除去領域６２になる（図２Ａ、Ｂ参照）。また、ウェーハＷの外周には結晶方位を示すノッチ（マーク）６３が形成されている。 As shown in FIG. 1, the cutting device 1 is a full-auto type cutting device, and is configured to perform a series of operations including a carry-in process, a cutting process, a cleaning process, and a carry-out process to the wafer W fully automatically. ing. The wafer W is formed in a disk shape from a semiconductor wafer, an inorganic material substrate, or the like. A chamfered portion (outer peripheral chamfered portion) 61 is formed on the outer periphery of the wafer W, and an annular region including the chamfered portion 61 becomes a removal region 62 that is later removed by the cutting blade 39 (see FIGS. 2A and 2B). ). Further, a notch (mark) 63 indicating a crystal orientation is formed on the outer periphery of the wafer W.

切削装置１には、装置前方に搬入エリアＡ１、装置奥方に加工エリアＡ２、搬入エリアＡ１及び加工エリアＡ２に隣接して洗浄エリアＡ３が設定されている。また、切削装置１の前面２１には、搬入エリアＡ１から前方に突出するように、一対のカセット台３、４が設けられている。カセット台３には、加工前のウェーハＷが収容された搬入用カセット５が載置される。カセット台４には、加工後のウェーハＷが収容される搬出用カセット６が載置される。カセット台３は切削装置１の搬入口として機能し、カセット台４は切削装置１の搬出口として機能する。 In the cutting device 1, a carry-in area A1 is set in front of the device, a processing area A2, a carry-in area A1, and a cleaning area A3 are set in the back of the device adjacent to the processing area A2. A pair of cassette tables 3 and 4 are provided on the front surface 21 of the cutting device 1 so as to protrude forward from the carry-in area A1. On the cassette table 3, a loading cassette 5 in which a wafer W before processing is accommodated is placed. An unloading cassette 6 in which the processed wafer W is accommodated is placed on the cassette table 4. The cassette table 3 functions as a carry-in port for the cutting device 1, and the cassette table 4 functions as a carry-out port for the cutting device 1.

搬入エリアＡ１には、搬入用カセット５及び搬出用カセット６に対してウェーハＷを出し入れする搬入搬出アーム（搬送手段）７が設けられている。搬入搬出アーム７は、複数のアームからなる多節リンク部（移動部）２５と、多節リンク部２５の先端に設けられたハンド部２６とを有している。多節リンク部２５は、ハンド部２６を上下方向及び水平方向可能に移動可能に構成されている。また、多節リンク部２５は、リニアモータ式の移動機構２７のスライドヘッドに取り付けられ、電磁力によりＸ軸方向に移動可能に構成されている。搬入搬出アーム７は、搬入用カセット５から加工エリアＡ２に加工前のウェーハＷを搬入する他、洗浄エリアＡ３から搬出用カセット６に加工後のウェーハＷを搬出する。 In the carry-in area A <b> 1, a carry-in / carry-out arm (carrying means) 7 for taking in and out the wafer W with respect to the carry-in cassette 5 and the carry-out cassette 6 is provided. The carry-in / carry-out arm 7 includes a multi-node link portion (moving portion) 25 composed of a plurality of arms, and a hand portion 26 provided at the tip of the multi-node link portion 25. The multi-node link unit 25 is configured to be able to move the hand unit 26 in the vertical and horizontal directions. The multi-node link unit 25 is attached to a slide head of a linear motor type moving mechanism 27 and is configured to be movable in the X-axis direction by electromagnetic force. The loading / unloading arm 7 loads the unprocessed wafer W from the loading cassette 5 to the processing area A2 and unloads the processed wafer W from the cleaning area A3 to the unloading cassette 6.

加工エリアＡ２には、加工前のウェーハＷをプリアライメントするプリアライメント機構８と、チャックテーブル１１上のウェーハＷ表面の除去領域６２を切削する切削機構（切削手段）９とが設けられている。プリアライメント機構８にはセンタリングテーブル２９が設けられており、センタリングテーブル２９上でウェーハＷの中心位置がプリアライメントされる。センタリングテーブル２９の奥方には、ウェーハＷの搬入位置と切削機構９による切削位置との間で往復移動するチャックテーブル１１が設けられている。 In the processing area A2, a pre-alignment mechanism 8 that pre-aligns the wafer W before processing and a cutting mechanism (cutting means) 9 that cuts the removal region 62 on the surface of the wafer W on the chuck table 11 are provided. The pre-alignment mechanism 8 is provided with a centering table 29, and the center position of the wafer W is pre-aligned on the centering table 29. A chuck table 11 that reciprocates between the loading position of the wafer W and the cutting position by the cutting mechanism 9 is provided behind the centering table 29.

基台２上には、チャックテーブル１１の移動軌跡に沿って開口部３１が形成されている。開口部３１は、蛇腹状の防水カバー３２に覆われており、防水カバー３２の下方にはチャックテーブル１１をＸ軸方向に往復移動させるボールネジ式のチャックテーブル移動機構（不図示）が設けられている。チャックテーブル１１の上面には、ポーラスセラミック材によって保持面３３が形成されている（図２参照）。保持面３３は、チャックテーブル１１内の流路を介して吸引源（不図示）に接続されている。また、チャックテーブル１１は、回転機構（不図示）によりＺ軸回りに回転可能に構成されている。 An opening 31 is formed on the base 2 along the movement locus of the chuck table 11. The opening 31 is covered with a bellows-shaped waterproof cover 32, and a ball screw type chuck table moving mechanism (not shown) for reciprocating the chuck table 11 in the X-axis direction is provided below the waterproof cover 32. Yes. On the upper surface of the chuck table 11, a holding surface 33 is formed of a porous ceramic material (see FIG. 2). The holding surface 33 is connected to a suction source (not shown) through a flow path in the chuck table 11. Further, the chuck table 11 is configured to be rotatable around the Z axis by a rotation mechanism (not shown).

切削機構９は、一対のブレードユニット３５によってチャックテーブル１１上のウェーハＷの外周を切削するように構成されている。切削装置１は、開口部３１を跨ぐように基台２上に立設された門型の柱部３４を有している。柱部３４の表面には、一対のブレードユニット３５を移動させるボールネジ式のブレードユニット移動機構３６が設けられている。ブレードユニット移動機構３６は、Ｙ軸方向に移動する一対のＹ軸テーブル３７と、各Ｙ軸テーブル３７に対してＺ軸方向に移動されるＺ軸テーブル３８とを有している。ブレードユニット３５は、Ｙ軸テーブル３７及びＺ軸テーブル３８によりＹ軸方向及びＺ軸方向に移動される。 The cutting mechanism 9 is configured to cut the outer periphery of the wafer W on the chuck table 11 by a pair of blade units 35. The cutting apparatus 1 has a gate-shaped column 34 that is erected on the base 2 so as to straddle the opening 31. A ball screw type blade unit moving mechanism 36 for moving the pair of blade units 35 is provided on the surface of the column portion 34. The blade unit moving mechanism 36 has a pair of Y-axis tables 37 that move in the Y-axis direction, and a Z-axis table 38 that moves in the Z-axis direction with respect to each Y-axis table 37. The blade unit 35 is moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the Y-axis table 37 and the Z-axis table 38.

ブレードユニット３５は、Ｙ軸回りに回転するスピンドルの先端に設けられた円板状の切削ブレード３９と、切削部分に切削水を噴射する図示しないノズルとを有している。ブレードユニット３５は、切削ブレード３９を高速回転させ、複数のノズルから切削部分に切削水を噴射しつつウェーハＷの外周を切削加工する。また、ブレードユニット３５には、アライメント用の撮像機構（不図示）が設けられている。撮像機構による撮像画像に含まれるチップパターンと予め登録された基準パターンとのマッチングにより、アライメント処理が行われる。 The blade unit 35 has a disc-shaped cutting blade 39 provided at the tip of a spindle that rotates about the Y axis, and a nozzle (not shown) that injects cutting water onto the cutting portion. The blade unit 35 rotates the cutting blade 39 at high speed and cuts the outer periphery of the wafer W while spraying cutting water from a plurality of nozzles onto the cutting portion. The blade unit 35 is provided with an imaging mechanism (not shown) for alignment. An alignment process is performed by matching a chip pattern included in a captured image by the imaging mechanism with a reference pattern registered in advance.

このように構成された切削機構９では、図２Ａに示すようにウェーハＷの中心がチャックテーブル１１の回転軸に一致するように、チャックテーブル１１上にウェーハＷが保持される。切削ブレード３９は、ウェーハＷ外周の面取り部６１を含む除去領域６２を削り取るように、ウェーハＷの外周に位置付けられる。そして、切削ブレード３９が高速回転され、切削ブレード３９によってウェーハＷの上面側から除去領域６２が切り込まれる。切削ブレード３９による切り込み深さは、後工程である研削工程でのウェーハＷの目標の仕上げ厚さよりも深く設定されている。 In the cutting mechanism 9 configured as described above, the wafer W is held on the chuck table 11 so that the center of the wafer W coincides with the rotation axis of the chuck table 11 as shown in FIG. 2A. The cutting blade 39 is positioned on the outer periphery of the wafer W so as to scrape the removal region 62 including the chamfered portion 61 on the outer periphery of the wafer W. Then, the cutting blade 39 is rotated at a high speed, and the removal region 62 is cut from the upper surface side of the wafer W by the cutting blade 39. The depth of cut by the cutting blade 39 is set deeper than the target finish thickness of the wafer W in the subsequent grinding process.

そして、図２Ｂに示すようにチャックテーブル１１が回転することで、ウェーハＷの除去領域６２が切削されて、ウェーハＷの外周に沿った段状溝６４が形成される。このように、ウェーハＷの除去領域６２に仕上げ厚さよりも深い段状溝６４が形成されるため、後工程の研削工程でウェーハＷが裏面側から仕上げ厚さまで研削されても、面取り部６１が残ることがなく、ウェーハＷの外周がナイフエッジ状に形成されることがない。また、切削ブレード３９の回転方向は、ウェーハＷに対してダウンカットになる向きに設定され、切削屑を含む切削水がウェーハＷ上に飛散することを抑制している。 Then, as shown in FIG. 2B, the chuck table 11 is rotated, whereby the removal region 62 of the wafer W is cut and a stepped groove 64 is formed along the outer periphery of the wafer W. Thus, since the stepped groove 64 deeper than the finished thickness is formed in the removal region 62 of the wafer W, even if the wafer W is ground from the back surface side to the finished thickness in the subsequent grinding step, the chamfered portion 61 is formed. It does not remain, and the outer periphery of the wafer W is not formed in a knife edge shape. Further, the rotation direction of the cutting blade 39 is set in a direction that causes a down cut with respect to the wafer W, and the cutting water containing cutting waste is prevented from being scattered on the wafer W.

図１に戻り、加工エリアＡ２においては、第１の搬送アーム１２によって加工前のウェーハＷがチャックテーブル１１に搬入され、第２の搬送アーム１３によってチャックテーブル１１から加工後のウェーハＷが搬出される。加工前のウェーハＷは、センタリングテーブル２９上で第１の搬送アーム１２にピックアップされ、リニアモータ式の移動機構４１によりチャックテーブル１１に向けて搬送される。加工後のウェーハＷは、チャックテーブル１１上で第２の搬送アーム１３にピックアップされ、第２の搬送アーム１３の基端部４２を中心とした旋回移動により洗浄エリアＡ３に搬送される。 Returning to FIG. 1, in the processing area A <b> 2, the unprocessed wafer W is loaded into the chuck table 11 by the first transport arm 12, and the processed wafer W is unloaded from the chuck table 11 by the second transport arm 13. The The unprocessed wafer W is picked up by the first transfer arm 12 on the centering table 29 and transferred toward the chuck table 11 by the linear motor type moving mechanism 41. The processed wafer W is picked up by the second transfer arm 13 on the chuck table 11 and transferred to the cleaning area A3 by a pivoting movement around the base end portion 42 of the second transfer arm 13.

洗浄エリアＡ３には、ウェーハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄機構（洗浄手段）１４と、ウェーハＷの表面を洗浄する表面洗浄機構（洗浄手段）１５とが設けられている。裏面洗浄機構１４では、下方から洗浄水が噴射されることでウェーハＷの裏面が洗浄される。表面洗浄機構１５は、ウェーハＷよりも小径なスピンナテーブル４５を有している。表面洗浄機構１５では、ウェーハＷを保持したスピンナテーブル４５が高速回転され、スピンナテーブル４５に向けて洗浄水が噴射されることでウェーハＷの表面が洗浄される。続いて、スピンナテーブル４５が回転された状態で、洗浄水の代わりに乾燥エアが吹き付けられることでウェーハＷが乾燥される。 In the cleaning area A3, a back surface cleaning mechanism (cleaning means) 14 for cleaning the back surface of the wafer W and a surface cleaning mechanism (cleaning means) 15 for cleaning the surface of the wafer W are provided. In the back surface cleaning mechanism 14, the back surface of the wafer W is cleaned by spraying cleaning water from below. The surface cleaning mechanism 15 has a spinner table 45 having a diameter smaller than that of the wafer W. In the surface cleaning mechanism 15, the spinner table 45 holding the wafer W is rotated at a high speed, and cleaning water is sprayed toward the spinner table 45 to clean the surface of the wafer W. Subsequently, while the spinner table 45 is rotated, the wafer W is dried by blowing dry air instead of the cleaning water.

また、洗浄エリアＡ３においては、裏面洗浄後のウェーハＷは、第３の搬送アーム１６によって裏面洗浄機構１４からピックアップされ、リニアモータ式の移動機構４６により表面洗浄機構１５に搬送される。また、表面洗浄後のウェーハＷは、搬入搬出アーム７によってスピンナテーブル４５からピックアップされ、搬出用カセット６に向けて搬送される。搬送中のウェーハＷは、搬送途中に設けられた検出機構（検出手段）１７で、ウェーハＷの除去領域６２に形成された段状溝６４の深さ及び幅が測定される。この場合、ウェーハＷの除去領域６２が検出機構１７の真下の検出領域に位置付けられる。そして、搬入搬出アーム７のハンド部２６によってウェーハＷがＺ軸回りに回転され、ウェーハＷの全周にわたって段状溝６４の深さ及び幅が検出される（図５参照）。 In the cleaning area A 3, the wafer W after the back surface cleaning is picked up from the back surface cleaning mechanism 14 by the third transport arm 16 and is transported to the front surface cleaning mechanism 15 by the linear motor type moving mechanism 46. Further, the wafer W after the surface cleaning is picked up from the spinner table 45 by the loading / unloading arm 7 and is transported toward the unloading cassette 6. The depth and width of the stepped groove 64 formed in the removal region 62 of the wafer W are measured by the detection mechanism (detection means) 17 provided in the middle of the transfer of the wafer W being transferred. In this case, the removal area 62 of the wafer W is positioned in the detection area directly below the detection mechanism 17. Then, the wafer W is rotated around the Z axis by the hand portion 26 of the carry-in / carry-out arm 7, and the depth and width of the stepped groove 64 are detected over the entire circumference of the wafer W (see FIG. 5).

なお、検出機構１７は、搬入エリアＡ１内に突出するように表面洗浄機構１５の外面に設置されるが、この構成に限定されない。本実施の形態では、検出機構１７は、切削装置１内において洗浄エリアＡ３から搬出用カセット６に至る搬送経路上に配置されていれば、どの位置に設置されてもよい。また、搬送経路は搬入搬出アーム７によって搬送可能な範囲内であれば、どのように設定されてもよい。さらに、第１−第３の搬送アーム１２、１３、１６は、ウェーハＷを搬送可能であれば、どのように構成されてもよく、例えば、エッジクランプ式のハンドでウェーハＷを搬送する構成としてもよい。 In addition, although the detection mechanism 17 is installed in the outer surface of the surface cleaning mechanism 15 so that it may protrude in carrying-in area A1, it is not limited to this structure. In the present embodiment, the detection mechanism 17 may be installed at any position in the cutting apparatus 1 as long as it is arranged on the conveyance path from the cleaning area A3 to the carry-out cassette 6. Further, the conveyance path may be set in any way as long as it is within a range that can be conveyed by the carry-in / out arm 7. Further, the first to third transfer arms 12, 13, and 16 may be configured in any manner as long as the wafer W can be transferred. For example, the configuration is such that the wafer W is transferred by an edge clamp type hand. Also good.

また、基台２内には、各機構を統括制御する制御部１８が設けられている。制御部１８は、搬入搬出アーム７による搬入動作及び搬出動作、切削機構９による切削動作、裏面洗浄機構１４及び表面洗浄機構１５による洗浄動作等を制御する他、検出機構１７の検出結果に基づいて加工後のウェーハＷの検査工程を実施する。検査工程では、ウェーハＷの段状溝６４の深さ及び幅が検査され、検査結果がウェーハＷの外周位置に対応付けて管理される。この場合、段状溝６４の深さ及び幅が許容値内か否かが判定されてもよい。なお、制御部１８は、各種処理を実行する演算部４８や記憶部（記憶手段）４９等により構成されている（図４参照）。記憶部４９は、用途に応じてＲＯＭ(Read Only Memory)、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。 Further, in the base 2, a control unit 18 is provided that controls each mechanism in an integrated manner. The control unit 18 controls the loading and unloading operations by the loading and unloading arm 7, the cutting operation by the cutting mechanism 9, the cleaning operation by the back surface cleaning mechanism 14 and the front surface cleaning mechanism 15, and the like based on the detection result of the detection mechanism 17. An inspection process of the processed wafer W is performed. In the inspection process, the depth and width of the stepped groove 64 of the wafer W are inspected, and the inspection result is managed in association with the outer peripheral position of the wafer W. In this case, it may be determined whether the depth and width of the step-like groove 64 are within allowable values. The control unit 18 includes a calculation unit 48 that executes various processes, a storage unit (storage unit) 49, and the like (see FIG. 4). The storage unit 49 is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application.

また、切削装置１内は、加工エリアＡ２及び洗浄エリアＡ３と搬入エリアＡ１とがシャッタ等によって仕切られている。搬入エリアＡ１は、加工エリアＡ２及び洗浄エリアＡ３と比べてクリーンに保たれている。よって、クリーンに保たれた搬入エリアＡ１内で、洗浄後のウェーハＷの段状溝６４の深さ及び幅が測定されるため、検出機構１７による検出精度を高めることができる。 In the cutting apparatus 1, a processing area A2, a cleaning area A3, and a carry-in area A1 are partitioned by a shutter or the like. The carry-in area A1 is kept clean compared to the processing area A2 and the cleaning area A3. Therefore, since the depth and width of the stepped groove 64 of the cleaned wafer W are measured in the carry-in area A1 kept clean, the detection accuracy by the detection mechanism 17 can be increased.

このように構成された切削装置１では、まず搬入搬出アーム７により搬入用カセット５から加工前のウェーハＷが取り出され、センタリングテーブル２９に仮置きされてプリアライメントされる。次に、第１の搬送アーム１２によってウェーハＷがチャックテーブル１１に搬送され、切削機構９によってウェーハＷ外周の除去領域６２が切削される。加工後のウェーハＷは、第２の搬送アーム１３によって裏面洗浄機構１４に搬送されて裏面洗浄される。続いて、加工後のウェーハＷは、第３の搬送アーム１６によって表面洗浄機構１５に搬送されて表面洗浄される。 In the cutting apparatus 1 configured as described above, the wafer W before processing is first taken out from the loading cassette 5 by the loading / unloading arm 7, temporarily placed on the centering table 29, and pre-aligned. Next, the wafer W is transferred to the chuck table 11 by the first transfer arm 12, and the removal region 62 on the outer periphery of the wafer W is cut by the cutting mechanism 9. The processed wafer W is transferred to the back surface cleaning mechanism 14 by the second transfer arm 13 and cleaned on the back surface. Subsequently, the processed wafer W is transferred to the surface cleaning mechanism 15 by the third transfer arm 16 and subjected to surface cleaning.

洗浄後のウェーハＷは、搬入搬出アーム７による搬送途中で、検出機構１７によってウェーハＷの除去領域６２に形成された段状溝６４の深さ及び幅が検出される。検出機構１７の検出結果は記憶部４９（図４参照）に記憶され、制御部１８によるウェーハＷの検査に用いられる。ウェーハＷは、検出機構１７で段状溝６４の状態が検出された後、搬入搬出アーム７により搬出用カセット６内に収容される。このように、本実施の形態に係る切削装置１は、搬入搬出アーム７の搬送途中でウェーハＷの段状溝６４の状態が検査されるため、検査用のスペースを新たに確保する必要がない。 The depth and width of the stepped grooves 64 formed in the removal region 62 of the wafer W are detected by the detection mechanism 17 while the wafer W after cleaning is being transferred by the loading / unloading arm 7. The detection result of the detection mechanism 17 is stored in the storage unit 49 (see FIG. 4) and used for the inspection of the wafer W by the control unit 18. The wafer W is accommodated in the unloading cassette 6 by the loading / unloading arm 7 after the state of the stepped groove 64 is detected by the detection mechanism 17. As described above, the cutting apparatus 1 according to the present embodiment inspects the state of the stepped groove 64 of the wafer W during the transfer of the carry-in / carry-out arm 7, and therefore does not need to ensure a new inspection space. .

以下、図３を参照して、搬入搬出アームのハンド部の詳細構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る搬入搬出アームのハンド部の上面模式図である。なお、本実施の形態に係る搬入搬出アームのハンド部は、図３に示す構成に限定されない。ハンド部は、少なくとも３以上のクランプ爪によって、ウェーハを回転可能に把持できれば、どのような構成でもよい。 Hereinafter, the detailed configuration of the hand portion of the carry-in / carry-out arm will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic top view of the hand portion of the carry-in / carry-out arm according to the present embodiment. In addition, the hand part of the carrying in / out arm which concerns on this Embodiment is not limited to the structure shown in FIG. The hand unit may have any configuration as long as the wafer can be rotatably held by at least three clamp claws.

図３に示すように、ハンド部２６は、多節リンク部２５の先端に取り付けられたエッジクランプ式のハンドであり、４つのクランプ爪５１によってウェーハＷの外周を把持可能に構成されている。ハンド部２６は、先端側の略半部を二股に分岐した支持プレート５２を有している。支持プレート５２の二股部分の先端側には、それぞれ一対のクランプ爪５１が回転可能に支持されている。また、支持プレート５２の基端側には、一対のクランプ爪５１が回転可能に支持された可動ブロック５３が設けられている。可動ブロック５３にはエアシリンダ５４が連結されており、エアシリンダ５４によって可動ブロック５３が前後方向に移動される。 As shown in FIG. 3, the hand portion 26 is an edge clamp type hand attached to the tip of the multi-node link portion 25, and is configured so that the outer periphery of the wafer W can be gripped by four clamp claws 51. The hand portion 26 includes a support plate 52 that is bifurcated from a substantially half portion on the distal end side. A pair of clamp claws 51 are rotatably supported on the front end side of the bifurcated portion of the support plate 52. Further, on the base end side of the support plate 52, a movable block 53 in which a pair of clamp claws 51 are rotatably supported is provided. An air cylinder 54 is connected to the movable block 53, and the movable block 53 is moved in the front-rear direction by the air cylinder 54.

各クランプ爪５１は、略筒状であり、ウェーハＷの外周に接する外周面が略Ｕ字溝状に形成されている。ウェーハＷは、各クランプ爪５１の略Ｕ字溝状の外周面によって支持プレート５２から浮いた状態で支持される。よって、支持プレート５２の表面がウェーハＷの裏面に接触することがなく、支持プレート５２によるウェーハＷの汚染を防止できる。また、基端側の一対のクランプ爪５１は、可動ブロック５３によってウェーハＷの外周に対して離接可能に可動される。したがって、ウェーハＷの外周に基端側の一対のクランプ爪５１が接することでウェーハＷが把持され、ウェーハＷの外周から基端側の一対のクランプ爪５１が離れることでウェーハＷが放される。 Each clamp claw 51 has a substantially cylindrical shape, and an outer peripheral surface in contact with the outer periphery of the wafer W is formed in a substantially U-shaped groove shape. The wafer W is supported in a state of floating from the support plate 52 by the substantially U-shaped outer peripheral surface of each clamp claw 51. Therefore, the front surface of the support plate 52 does not contact the back surface of the wafer W, and contamination of the wafer W by the support plate 52 can be prevented. In addition, the pair of clamp claws 51 on the proximal end side is moved by the movable block 53 so as to be detachable from the outer periphery of the wafer W. Accordingly, the pair of clamp claws 51 on the base end side contacts the outer periphery of the wafer W to hold the wafer W, and the pair of clamp claws 51 on the base end side are separated from the outer periphery of the wafer W to release the wafer W. .

ウェーハＷが把持される際には、基端側の一対のクランプ爪５１によってウェーハＷが先端側の一対のクランプ爪５１に向けて押し付けられる。このため、ウェーハＷは、ハンド部２６に対して位置決めされた状態で各クランプ爪５１に把持される。また、基端側の一対のクランプ爪５１のうち、一方のクランプ爪５１には回転駆動部５５が連結されている。このクランプ爪５１が回転駆動部５５によって回転されることで、各クランプ爪５１で把持されたウェーハＷが回転される。すなわち、回転駆動部５５に連結されたクランプ爪５１は駆動ローラとして機能し、残りのクランプ爪５１は従動ローラとして機能する。 When the wafer W is gripped, the pair of clamp claws 51 on the proximal end side presses the wafer W toward the pair of clamp claws 51 on the distal end side. For this reason, the wafer W is gripped by the clamp claws 51 in a state of being positioned with respect to the hand portion 26. Further, of the pair of clamp claws 51 on the proximal end side, the rotation drive unit 55 is connected to one clamp claw 51. When the clamp claws 51 are rotated by the rotation driving unit 55, the wafer W held by each clamp claw 51 is rotated. That is, the clamp pawl 51 connected to the rotation drive unit 55 functions as a drive roller, and the remaining clamp pawl 51 functions as a driven roller.

基端側の一対のクランプ爪５１の間には、ウェーハＷの外周に対応した位置にノッチ検出部５６が設けられている。ノッチ検出部５６は、例えば、光透過式又は光反射式等の光学センサで構成されている。この場合、ウェーハＷの回転に伴ってウェーハＷの外周がノッチ検出部５６の検出領域を通過することで、ウェーハＷの外周に形成されたノッチ６３が検出される。ノッチ検出部５６によるノッチ６３の検出によって、ハンド部２６におけるウェーハＷの向きが特定される。ノッチ検出部５６に検出されたノッチ６３の角度位置は、基準位置（例えば、角度０度）として記憶部４９に記憶される。 Between the pair of clamp claws 51 on the proximal end side, a notch detector 56 is provided at a position corresponding to the outer periphery of the wafer W. The notch detection part 56 is comprised by optical sensors, such as a light transmission type or a light reflection type, for example. In this case, the notch 63 formed on the outer periphery of the wafer W is detected by the outer periphery of the wafer W passing through the detection region of the notch detection unit 56 as the wafer W rotates. By detecting the notch 63 by the notch detection unit 56, the orientation of the wafer W in the hand unit 26 is specified. The angular position of the notch 63 detected by the notch detection unit 56 is stored in the storage unit 49 as a reference position (for example, an angle of 0 degrees).

図４を参照して、検出機構の検出結果に基づく検査工程について説明する。図４は、本実施の形態に係る検出機構及び制御部の模式図である。なお、本実施の形態に係る検出機構は、図４に示す構成に限定されない。検出機構は、加工後のウェーハの除去領域（段状溝）の深さ及び幅を検出可能であれば、どのような構成でもよい。 The inspection process based on the detection result of the detection mechanism will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram of a detection mechanism and a control unit according to the present embodiment. Note that the detection mechanism according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. The detection mechanism may have any configuration as long as it can detect the depth and width of the removal area (step groove) of the processed wafer.

図４に示すように、検出機構１７は、段状溝６４の深さを検出する深さ検出部５８と、段状溝６４の幅を検出する幅検出部５９とを有している。深さ検出部５８は、例えば２次元レーザ変位センサであり、段状溝６４の表面形状を測定して、ウェーハＷの表面からの段状溝６４の深さを検出する。幅検出部５９は、例えばイメージセンサであり、段状溝６４の表面を撮像して、２値化によるエッジ検出処理等によって撮像画像から段状溝６４の幅を検出する。この場合、ウェーハＷの回転に伴って段状溝６４が深さ検出部５８及び幅検出部５９の検出領域を通過することで、ウェーハＷの全周にわたって段状溝６４の深さ及び幅が検出される。 As shown in FIG. 4, the detection mechanism 17 includes a depth detection unit 58 that detects the depth of the stepped groove 64 and a width detection unit 59 that detects the width of the stepped groove 64. The depth detection unit 58 is, for example, a two-dimensional laser displacement sensor, and measures the surface shape of the step groove 64 to detect the depth of the step groove 64 from the surface of the wafer W. The width detector 59 is an image sensor, for example, and images the surface of the stepped groove 64 and detects the width of the stepped groove 64 from the captured image by edge detection processing or the like by binarization. In this case, the stepped groove 64 passes through the detection regions of the depth detection unit 58 and the width detection unit 59 as the wafer W rotates, so that the depth and width of the stepped groove 64 are increased over the entire circumference of the wafer W. Detected.

深さ検出部５８及び幅検出部５９の検出結果は、ノッチ６３を基準位置としたウェーハＷの角度位置に対応させて記憶部４９に記憶される。制御部１８では、記憶部４９に記憶された深さ検出部５８及び幅検出部５９の検出結果が演算部４８に読み出され、ウェーハＷの段状溝６４の状態が検査される。この場合、深さ検出部５８及び幅検出部５９の検出結果と事前に設定された許容値とが、ウェーハＷの全周にわたって比較されてもよい。なお、ウェーハＷの検出結果が許容値外の場合にはオペレータに報知してもよい。 The detection results of the depth detection unit 58 and the width detection unit 59 are stored in the storage unit 49 in association with the angular position of the wafer W with the notch 63 as a reference position. In the control unit 18, the detection results of the depth detection unit 58 and the width detection unit 59 stored in the storage unit 49 are read out to the calculation unit 48, and the state of the stepped groove 64 of the wafer W is inspected. In this case, the detection results of the depth detection unit 58 and the width detection unit 59 may be compared with a preset allowable value over the entire circumference of the wafer W. Note that the operator may be notified if the detection result of the wafer W is outside the allowable value.

本実施の形態では、検出機構１７は、段状溝６４の深さ及び幅を検出する他、ウェーハＷ外周のチッピング等を検出してもよい。この場合、チッピングは、深さ検出部５８によって検出されてもよいし、幅検出部５９によって検出されてもよいし、深さ検出部５８及び幅検出部５９の両方で検出さてもよい。 In the present embodiment, the detection mechanism 17 may detect chipping on the outer periphery of the wafer W, in addition to detecting the depth and width of the stepped groove 64. In this case, chipping may be detected by the depth detection unit 58, may be detected by the width detection unit 59, or may be detected by both the depth detection unit 58 and the width detection unit 59.

図５を参照して、切削装置による検出動作の流れについて説明する。図５は、本実施の形態に係る切削装置による検出動作の一例を示す図である。以下の説明では、洗浄エリアにおいて、加工後のウェーハに対する裏面洗浄及び表面洗浄が終了しているものとする。 With reference to FIG. 5, the flow of the detection operation by the cutting device will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a detection operation by the cutting device according to the present embodiment. In the following description, it is assumed that the back surface cleaning and the front surface cleaning for the processed wafer have been completed in the cleaning area.

図５Ａに示すように、洗浄エリアＡ３において、スピンナテーブル４５上に加工後のウェーハＷが載置されている。搬入搬出アーム７によって、洗浄エリアＡ３内にハンド部２６が移動され、ウェーハＷの下方にハンド部２６が位置付けられる。このとき、ハンド部２６の二股部分の内側に小径のスピンナテーブル４５を受け入れるようにして、ウェーハＷの真下までハンド部２６が移動される。ウェーハＷの真下に位置付けられたハンド部２６は、４つのクランプ爪５１によってウェーハＷを把持可能な高さまで上動される。この場合、ウェーハＷの周囲には、ウェーハＷの外周との間に僅かな隙間を空けて各クランプ爪５１が位置付けられている。 As shown in FIG. 5A, the processed wafer W is placed on the spinner table 45 in the cleaning area A3. The hand portion 26 is moved into the cleaning area A 3 by the carry-in / out arm 7, and the hand portion 26 is positioned below the wafer W. At this time, the hand unit 26 is moved to a position just below the wafer W so as to receive the small-diameter spinner table 45 inside the bifurcated portion of the hand unit 26. The hand portion 26 positioned directly below the wafer W is moved up to a height at which the wafer W can be gripped by the four clamp claws 51. In this case, the clamp claws 51 are positioned around the wafer W with a slight gap between the wafer W and the outer periphery.

次に、図５Ｂに示すように、エアシリンダ５４によって可動ブロック５３がウェーハＷに向けて押し出される。そして、基端側の一対のクランプ爪５１によってウェーハＷが押し込まれ、ウェーハＷの外周が先端側の一対のクランプ爪５１に押し当てられる。このようにして、四方に位置するクランプ爪５１によって位置決め状態でウェーハＷの外周が把持される。この場合、各クランプ爪５１の外周面はＵ字溝状に形成されているため、ウェーハＷが支持プレート５２から浮いた状態で支持される。このため、支持プレート５２との接触によるウェーハＷの汚染が防止される。 Next, as shown in FIG. 5B, the movable block 53 is pushed toward the wafer W by the air cylinder 54. Then, the wafer W is pushed in by the pair of clamp claws 51 on the proximal end side, and the outer periphery of the wafer W is pressed against the pair of clamp claws 51 on the distal end side. In this way, the outer periphery of the wafer W is gripped in the positioning state by the clamp claws 51 positioned in the four directions. In this case, since the outer peripheral surface of each clamp claw 51 is formed in a U-shaped groove shape, the wafer W is supported in a state of floating from the support plate 52. For this reason, contamination of the wafer W due to contact with the support plate 52 is prevented.

次に、基端側の一対のクランプ爪５１のうち、片側のクランプ爪５１が回転駆動されて、ウェーハＷが各クランプ爪５１で把持された状態で回転される。ウェーハＷが回転されると、ノッチ検出部５６によってウェーハＷの外周に形成されたノッチ６３が検出される。ノッチ検出部５６によってウェーハＷのノッチ６３が検出されることで、ハンド部２６に対するウェーハＷの向きが特定される。次に、搬入搬出アーム７によって、洗浄エリアＡ３からハンド部２６が移動され、ハンド部２６に把持されたウェーハＷが搬出用カセット６（図１参照）に向けて搬送される。 Next, out of the pair of clamp claws 51 on the base end side, the clamp claws 51 on one side are driven to rotate, and the wafer W is rotated while being held by the respective clamp claws 51. When the wafer W is rotated, the notch 63 formed on the outer periphery of the wafer W is detected by the notch detector 56. By detecting the notch 63 of the wafer W by the notch detection unit 56, the orientation of the wafer W with respect to the hand unit 26 is specified. Next, the hand portion 26 is moved from the cleaning area A3 by the loading / unloading arm 7, and the wafer W held by the hand portion 26 is transported toward the unloading cassette 6 (see FIG. 1).

次に、図５Ｃに示すように、洗浄エリアＡ３から搬出用カセット６に至る搬送経路の途中で、搬入搬出アーム７によってハンド部２６が検出機構１７の下方に移動される。このとき、ウェーハＷの段状溝６４（除去領域６２）が検出機構１７の真下に位置付けられる。次に、ウェーハＷが回転され、検出機構１７の深さ検出部５８及び幅検出部５９により、ウェーハＷの全周にわたって段状溝６４の深さ及び幅が検出される。検出機構１７による検出結果は、ノッチ６３の角度位置を基準位置として、ウェーハＷの角度位置に対応付けて記憶部４９に記憶される。 Next, as shown in FIG. 5C, the hand unit 26 is moved below the detection mechanism 17 by the carry-in / carry-out arm 7 in the middle of the conveyance path from the cleaning area A <b> 3 to the carry-out cassette 6. At this time, the stepped groove 64 (removal region 62) of the wafer W is positioned directly below the detection mechanism 17. Next, the wafer W is rotated, and the depth and width of the step groove 64 are detected over the entire circumference of the wafer W by the depth detector 58 and the width detector 59 of the detection mechanism 17. The detection result by the detection mechanism 17 is stored in the storage unit 49 in association with the angular position of the wafer W with the angular position of the notch 63 as a reference position.

制御部１８では、記憶部４９に記憶された段状溝６４の深さ及び幅に基づいて、ウェーハＷの段状溝６４の深さ及び幅が検査される（図４参照）。このように、本実施の形態の切削装置１には、洗浄エリアＡ３から搬出用カセット６に至る搬送経路の途中に検査エリアが設けられている。したがって、切削装置１外に新たに検査スペースを設ける必要がなく、省スペース化を図りつつ加工後のウェーハＷの段状溝６４の状態を検査できる。そして、検出機構１７による検出処理が完了すると、搬入搬出アーム７によってウェーハＷが搬出用カセット６内に収容される。 The control unit 18 inspects the depth and width of the stepped groove 64 of the wafer W based on the depth and width of the stepped groove 64 stored in the storage unit 49 (see FIG. 4). Thus, the cutting apparatus 1 of the present embodiment is provided with the inspection area in the middle of the conveyance path from the cleaning area A3 to the unloading cassette 6. Therefore, it is not necessary to provide a new inspection space outside the cutting apparatus 1, and the state of the stepped groove 64 of the processed wafer W can be inspected while saving space. When the detection process by the detection mechanism 17 is completed, the wafer W is accommodated in the unloading cassette 6 by the loading / unloading arm 7.

以上のように、本実施の形態に係る切削装置によれば、搬入搬出アーム７によるウェーハＷの搬送中に、検出機構１７で加工後のウェーハＷの段状溝６４（除去領域６２）の深さ及び幅を検出できる。このとき、検出機構１７に対してウェーハＷの段状溝６４が位置付けられた状態でウェーハＷが回転されることで、ウェーハＷの全周にわたって幅及び深さが検出される。このように、切削装置１内でウェーハＷの段状溝６４の深さ及び幅が検出されるため、切削装置１外で検査工程を実施する必要がなく、オペレータの作業負担が軽減される。よって、切削装置１内に検査工程用に新たなスペースを設けることなく、切削装置１内で加工後のウェーハＷの段状溝６４を検査できる。 As described above, according to the cutting apparatus according to the present embodiment, the depth of the stepped groove 64 (removal region 62) of the wafer W processed by the detection mechanism 17 during the transfer of the wafer W by the loading / unloading arm 7. The width and width can be detected. At this time, the width and the depth are detected over the entire circumference of the wafer W by rotating the wafer W with the stepped groove 64 of the wafer W being positioned with respect to the detection mechanism 17. As described above, since the depth and width of the stepped groove 64 of the wafer W are detected in the cutting apparatus 1, it is not necessary to perform an inspection process outside the cutting apparatus 1, and an operator's work load is reduced. Therefore, the stepped groove 64 of the processed wafer W can be inspected in the cutting device 1 without providing a new space for the inspection process in the cutting device 1.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

上記した実施の形態においては、ハンド部２６は、移動部としての多節リンク部２５の先端に取り付けられて、上下方向及び水平方向に移動される構成としたが、この構成に限定されない。ハンド部２６を移動させる移動部は、各クランプ爪５１及び回転駆動部５５を一体的に移動させる構成であればよい。また、ハンド部２６は４つのクランプ爪５１を有する構成としたが、ハンド部２６は少なくとも３つのクランプ爪５１を有する構成であればよい。 In the above-described embodiment, the hand unit 26 is attached to the tip of the multi-node link unit 25 as a moving unit and moved in the vertical direction and the horizontal direction, but is not limited to this configuration. The moving unit that moves the hand unit 26 may be configured to move the clamp claws 51 and the rotation driving unit 55 integrally. Moreover, although the hand part 26 was set as the structure which has the four clamp claws 51, the hand part 26 should just be the structure which has at least three clamp claws 51. FIG.

上記した実施の形態においては、ウェーハＷに結晶方位を示すノッチ６３が形成される構成としたが、この構成に限定されない。ウェーハＷには、結晶方位を示すマークが形成されていればよい。マークは、ノッチやオリエンテーションフラット等の切り欠きに限らず、結晶方位を示す構成であれば、どのような構成でもよい。 In the above-described embodiment, the notch 63 indicating the crystal orientation is formed on the wafer W. However, the present invention is not limited to this configuration. It suffices if a mark indicating the crystal orientation is formed on the wafer W. The mark is not limited to a notch such as a notch or an orientation flat, and may have any structure as long as it has a crystal orientation.

上記した実施の形態においては、切削装置１が洗浄手段として裏面洗浄機構１４及び表面洗浄機構１５を備える構成としたが、この構成に限定されない。切削装置１は、洗浄手段として裏面洗浄機構１４及び表面洗浄機構１５のいずれかを備える構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the cutting apparatus 1 includes the back surface cleaning mechanism 14 and the front surface cleaning mechanism 15 as cleaning means, but is not limited to this configuration. The cutting apparatus 1 may be configured to include either the back surface cleaning mechanism 14 or the front surface cleaning mechanism 15 as a cleaning unit.

上記した実施の形態においては、切削機構９が一対のブレードユニット３５を有する構成としたが、この構成に限定されない。切削機構９は、ウェーハＷの外周の除去領域６２を切削可能であればよく、単一のブレードユニット３５を備える構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the cutting mechanism 9 has a pair of blade units 35. However, the present invention is not limited to this configuration. The cutting mechanism 9 only needs to be able to cut the removal region 62 on the outer periphery of the wafer W, and may be configured to include a single blade unit 35.

上記した実施の形態においては、表面洗浄機構１５の外面に検出機構１７が設置されるが、この構成に限定されない。検出機構１７は、洗浄後のウェーハＷを検出可能な位置に設けられていればよく、例えば、搬入搬出アーム７に検出機構１７を設けてもよい。なお、検出機構１７の設置個所は、洗浄エリアＡ３から搬出用カセット６に至る搬送経路上に限定されない。検出機構１７は、搬入搬出アーム７によってハンド部２６が届く範囲に設置されていればよい。 In the above-described embodiment, the detection mechanism 17 is installed on the outer surface of the surface cleaning mechanism 15, but is not limited to this configuration. The detection mechanism 17 should just be provided in the position which can detect the wafer W after washing | cleaning, for example, you may provide the detection mechanism 17 in the carrying in / out arm 7. FIG. The installation location of the detection mechanism 17 is not limited to the conveyance path from the cleaning area A3 to the carry-out cassette 6. The detection mechanism 17 should just be installed in the range which the hand part 26 reaches by the carrying in / out arm 7.

上記した実施の形態においては、搬入搬出アーム７にノッチ検出部５６が設けられる構成としたが、この構成に限定されない。ノッチ検出部５６は、検出機構１７に設けられてもよい。この場合、深さ検出部５８や幅検出部５９をノッチ検出部５６として機能させてもよい。 In the above-described embodiment, the carry-in / carry-out arm 7 is provided with the notch detection unit 56, but is not limited to this configuration. The notch detection unit 56 may be provided in the detection mechanism 17. In this case, the depth detector 58 and the width detector 59 may function as the notch detector 56.

以上説明したように、本発明は、検査工程用に新たなスペースを設けることなく、装置内で加工後のウェーハの除去領域の幅や深さを測定できるという効果を有し、特に、外周に面取り加工が施されたウェーハに有用である。 As described above, the present invention has the effect of measuring the width and depth of the removed region of the processed wafer in the apparatus without providing a new space for the inspection process. This is useful for chamfered wafers.

１切削装置
５搬入用カセット
６搬出用カセット（カセット）
７搬入搬出アーム（搬送手段）
９切削機構（切削手段）
１１チャックテーブル
１４裏面洗浄機構（洗浄手段）
１５表面洗浄機構（洗浄手段）
１７検出機構（検出手段）
１８制御部
２５多節リンク部（移動部）
２６ハンド部
３９切削ブレード
４８演算部
４９記憶部（記憶手段）
５１クランプ爪
５５回転駆動部
５６ノッチ検出部
５８深さ検出部
５９幅検出部
６１面取り部（外周面取り部）
６２除去領域
６３ノッチ
６４段状溝
Ａ１搬入エリア
Ａ２加工エリア
Ａ３洗浄エリア
Ｗウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 5 Cassette for carrying in 6 Cassette for carrying out (cassette)
7 Loading / unloading arm (conveying means)
9 Cutting mechanism (cutting means)
11 Chuck table 14 Back surface cleaning mechanism (cleaning means)
15 Surface cleaning mechanism (cleaning means)
17 Detection mechanism (detection means)
18 Control unit 25 Multi-node link unit (moving unit)
26 Hand part 39 Cutting blade 48 Calculation part 49 Storage part (storage means)
51 Clamping Claw 55 Rotation Drive Unit 56 Notch Detection Unit 58 Depth Detection Unit 59 Width Detection Unit 61 Chamfered Portion (Outer Chamfered Portion)
62 Removal area 63 Notch 64 Stepped groove A1 Loading area A2 Processing area A3 Cleaning area W Wafer

Claims

A chuck table for holding a wafer having a peripheral chamfered portion, a cutting means for removing a removal region of the peripheral chamfered portion of the wafer held by the chuck table, and the wafer from which the removal region has been removed by the cutting means. A cutting device having cleaning means for cleaning, and transport means for carrying wafers in and out of a cassette containing a plurality of wafers,
Comprising detection means for detecting the width and depth of the removed region on the outer periphery of the wafer after processing
The transport means is an integral unit of at least three rotatable clamp claws that grip the outer periphery of the wafer, a rotation drive unit that rotates the wafer whose outer periphery is gripped by the clamp claws, and the clamp claw and the rotation drive unit. And a moving unit that moves vertically and horizontally,
The wafer grasped by the clamping claws of the transport means has the removal area positioned immediately below the detection means, and the depth and width of the removal area of the wafer are detected while being rotated by the rotation drive unit. The cutting device characterized by this.

The detection means is disposed on a transfer path from the cleaning means to the cassette, and detects the removal area of the wafer after cleaning after the removal area is removed. Item 2. The cutting device according to Item 1.

A mark indicating the crystal orientation is formed on the outer periphery of the wafer,
The transport means further includes a mark detection unit for detecting the mark,
The cutting apparatus according to claim 1, further comprising a storage unit that stores a depth and a width of the removal region detected by the detection unit in association with the position of the mark detected by the mark detection unit.