JPH07311390A

JPH07311390A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH07311390A
Application number: JP10404594A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Nishikawa; 龍司西川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1994-05-18
Filing date: 1994-05-18
Publication date: 1995-11-28

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、コストを増大させることなく表示画
素を分割をして視角依存性を低減し、広視野角を実現す
る。【構成】１つの画素について２つの表示電極（１３，
１４）を配置してそれぞれＴＦＴを接続する。表示電極
（１３）には補助容量電極（１１）を重畳配置して蓄積
容量を形成する。表示電極（１４）には補助容量電極
（１２）を、隣接するゲートライン（１６）と共通に重
畳配置することにより、補助容量電極（１２）を共通と
した直列合成容量を形成して付加容量とする。蓄積容量
と付加容量は異なる振舞をするため、両表示電極（１
３，１４）はこの影響を受けて、保持電圧に差が出る。
このため同じ印圧に対して、分割された各画素では透過
率に差が生じ、視角特性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に、広視野角を達成した液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力
などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
マトリクス配置された表示電極にＴＦＴを接続した基板
（ＴＦＴ基板）と、共通電極を有する基板（対向基板）
が貼り合わされて、隙間に液晶が封入された構造を有す
る。ＴＦＴは表示電極へのデータ信号入力を選択するス
イッチング素子であり、ゲート電極、ドレイン電極、ソ
ース電極、及び、非単結晶半導体層より構成される。そ
れぞれの電極はゲートライン、ドレインライン及び表示
電極に接続され、また、非単結晶半導体層はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で
あり、チャンネル層として機能する。ゲートライン群は
線順次に走査選択されて１走査線上の全てのＴＦＴをＯ
Ｎとし、これと同期したデータ信号が各ドレインライン
からＴＦＴを介してそれぞれの表示電極に入力される。
共通電極は走査信号に同期して電圧が設定されて、対向
する各表示電極との間の電圧により間隙の液晶を駆動
し、光の透過率が表示画素ごとに調整されて各表示画素
の階調表示の合成が表示画像として視認される。また、
ＯＦＦ期間中の液晶の駆動状態は両電極間で構成される
表示画素容量の印加電圧により１フィールド期間保持さ
れるが、これと並列に補助容量を付加することにより、
保持特性を向上することができる。また、補助容量はＴ
ＦＴの動作時に生じる表示電極電圧のシフトを抑制する
作用がある。即ち、製造工程の制約上余儀なくされるソ
ース・ゲート間の重畳部において、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦ
Ｆに従って寄生容量の変化が生じる。そのため、補助容
量を液晶容量に並列に付加して全容量を増大させること
により、寄生容量による直流成分の、表示電極電位への
影響を緩和している。補助容量には、他の電極から独立
した電極を表示電極に重畳して配置し、その電極に共通
の電圧を与える方式（一般にＣ_S ｏｎＣｏｍｍｏｎ方
式と呼ばれる）の蓄積容量型と、ゲートラインの一部を
延在形成して表示電極に重畳配置する方式（一般にＣ_S
ｏｎＧａｔｅ方式と呼ばれる）の付加容量型がある。
付加容量型は蓄積容量型に比べて配線交差部が少なくシ
ョートが減少することや、光を遮光する電極の総面積が
小さく開口率が向上すること、更には補助容量のショー
ト時、ゲート信号が表示電極に印加されるため、ノーマ
リ・ホワイト・モードにおいて点欠陥が黒点となるため
表示品位への悪影響が少ないこと、などの利点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来、液晶表示装置は
表示画素容量に電圧を印加して液晶分子の配向状態を変
化することにより、液晶の有する光学的な異方性を利用
して光の透過率を調整している。そのため、印加電圧の
変化のみならず、視角の変化によっても光路に対する液
晶の配向状態が相対的に変化するので、視角依存性が高
く視野角が狭いという欠点を有していた。

【０００５】このような欠点を解決する方法として、例
えば、表示画素を複数の小画素に分割し各小画素に関し
て互いに異なる容量を表示画素容量に直列配置する構造
がある。これは、同じ印加電圧に対して各小画素へ異な
る電圧を印加することにより、小画素ごとに透過率の差
を生じさせ、異なる優先視角を有する各小画素の合成光
を視認することによって視角依存性を低減するものであ
る。しかし、この方法では、表示画素容量とは別に専用
の容量を形成しなければならないため、電極パターンや
製造工程が複雑になり開口率の低下やコストの増大など
の問題を招く。

【０００６】本発明の目的は、パターンや製造工程の複
雑化を回避しながら、広視野角化を達成することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明はこの目的を達成
するために成され、対向表面側に複数のゲートラインと
複数のドレインラインが交差配置された各々の交点に形
成された薄膜トランジスタ、及び、該薄膜トランジスタ
に接続された表示電極が設けられた第１の基板と、共通
電極が対向表面側に一面形成された第２の基板と、前記
第１の基板と前記第２の基板が貼り合わされ、その間隙
に封入された液晶とを備え、前記表示電極と共通電極の
対向部分で形成される容量が、表示画素として機能する
液晶表示装置において、前記各表示電極は第１及び第２
の表示電極で形成され、前記各薄膜トランジスタは、前
記第１の表示電極に接続された第１の薄膜トランジスタ
と前記第２の表示電極に接続された第２の薄膜トランジ
スタで形成され、更に、前記共通電極と同電圧の補助容
量電極を前記第１の表示電極に重畳配置することによ
り、前記第１の表示電極と前記共通電極により形成され
た第１の表示画素容量に並列接続された蓄積型補助容量
を設けると共に、隣接する前記ゲートラインの一部を延
在して前記第２の表示電極に重畳配置することにより、
前記第２の表示電極と前記共通電極により形成された第
２の表示画素容量に並列接続された付加型補助容量を設
けた構成である。

【０００８】

【作用】この構成により、第１の表示画素では、保持期
間中に、並列配置された蓄積型補助容量との並列合成容
量により表示画素容量に印加された電圧が保持され、同
時に、第２の表示画素では、並列配置された付加型補助
容量の印加電圧の変化が表示画素容量の保持電圧に影響
を与える。このため、第１及び第２の表示画素容量の実
質的印加電圧の実効値に差が生じる。即ち、１交点に形
成された２つの表示画素容量が同じ印加電圧に対して異
なる透過率を示すので、これら優先視角の異なる２つの
表示画素の合成光により視角依存性が低減されて、視野
角が広がる。

【０００９】

【実施例】続いて、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は本発明の実施例に係る電極パターン
の平面図である。基板上にＣｒなどからなる遮光膜（１
０）及び補助容量電極（１１，１２）が設けられてい
る。ＳｉＮ_Xなどの絶縁膜を挟んで、第１の表示電極
（１３）と第２の表示電極（１４）が隣接して配置さ
れ、表示電極（１３，１４）の列間にはドレインライン
（１５）が配置されている。表示電極（１３，１４）と
ドレインライン（１５）は、いずれもＩＴＯで形成され
ている。表示電極（１３，１４）とドレインライン（１
５）は、一部をそれぞれソース電極（１３Ｅ，１４Ｅ）
及びドレイン電極（１５Ｅ）として互いに近接されてい
る。表示電極（１３，１４）の行間には、ａ−Ｓｉ、Ｓ
ｉＮ_X、Ａｌなどの積層物からなるゲートライン（１
６）が配置されている。ゲートライン（１６）の一部は
ゲート電極（１６Ｅ）として、ソース電極（１３Ｅ，１
４Ｅ）とドレイン電極（１５Ｅ）上に配置され、ＴＦＴ
を構成している。第１の表示電極（１３）は一部が補助
容量電極（１１）に重畳して蓄積型補助容量を構成して
いる。また、補助容量電極（１２）は、隣接するゲート
ライン（１６）及び第２の表示電極（１４）の一部に共
通に重畳されてそれぞれ容量を構成し、この２つの容量
の直列合成容量が付加型補助容量となっている。共通電
極は液晶層を挟んで対向配置された不図示の対向基板側
に全面に形成され、補助容量電極（１３）は基板端部で
共通電極に接続されて、同電圧に設定される。

【００１０】図２は、図１のような画素構造を有した液
晶表示装置の等価回路図である。互いに交差配置された
ゲートライン（Ｇｍ）とドレインライン（Ｄｎ）の交差
部には、互いにソースを異にするＴＦＴ（Ｓ１，Ｓ２）
が形成され、ＴＦＴ（Ｓ１，Ｓ２）のソースには、それ
ぞれ、第１の表示画素容量（Ｃｌｃ１）と補助容量（Ｃ
ｓｃ）、及び、第２の表示画素容量（Ｃｌｃ２）と補助
容量（Ｃｓｇ）がそれぞれ並列に接続されている。表示
画素容量（Ｃｌｃ１，Ｃｌｃ２）の他方の電極は不図示
である対向基板側の共通電極であり、補助容量（Ｃｓ
ｃ）の他方の電極は専用の補助容量電極（Ｓｃ）であ
る。補助容量電極は共通電極と同電圧に設定される。ま
た、補助容量（Ｃｓｇ）の他方の電極はその画素に隣接
するゲートライン（Ｇｍ＋１）に接続されている。ま
た、ゲート・ソース間には寄生容量（Ｃｇｓ１，Ｃｇｓ
２）が生じている。

【００１１】図３はこの等価回路で示される液晶表示装
置に印加されるべき信号電圧の波形図である。Ｖｇ１は
ゲート電圧、Ｖｄはドレイン電圧、Ｖｓ１とＶｓ２はソ
ース電圧、Ｖｃｏｍは共通電極電圧である。また、Ｖｇ
２は隣接するゲートラインのゲート電圧であり、Ｖｃは
共通電極電圧Ｖｃｏｍの中心電圧である。ここに示した
駆動方法は周知のライン反転駆動である。

【００１２】ゲート電圧Ｖｇ１のＨレベル期間中はＴＦ
Ｔ（Ｓ１，Ｓ２）がＯＮし、それぞれのソース電圧Ｖｓ
１、Ｖｓ２がドレイン電圧Ｖｄと同じになる。ゲート電
圧Ｖｇ１がＬレベルになるとＴＦＴ（Ｓ１，Ｓ２）がＯ
ＦＦし、この瞬間、ソース電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２が、ゲー
ト電圧Ｖｇ１の変化の影響を受けて、ゲート電圧の変化
量ΔＶｇに依存して、ΔＶｇ＊Ｃｇｓ１（Ｃｇｓ２）／
（Ｃｇｓ１（Ｃｇｓ２）＋Ｃｌｃ１（Ｃｌｃ２）＋Ｃｓ
ｃ（Ｃｓｇ））で表される大きさΔＶｓだけ電圧が降下
する。そして、ソース電圧Ｖｓ１、Ｖｓ２は、次フィー
ルドでの書き換えまでの期間、ＴＦＴ（Ｓ１，Ｓ２）の
ＯＦＦ抵抗により一定レベルに保持される。また、共通
電極電圧Ｖｃｏｍは中心電圧Ｖｃを、ソース電圧Ｖｓ
１、Ｖｓ２の電圧降下分ΔＶｓだけ下げて正負反転され
る。

【００１３】本発明は、この駆動方法により従来とは異
なった作用効果を生むものである。図４は図３のように
信号電圧を入力したときの、表示画素容量（Ｃｌｃ１，
Ｃｌｃ２）及び補助容量（Ｃｓｃ，Ｃｓｇ）の保持状態
を示す波形図である。保持期間中のセル内の各容量に生
じる振舞は全て共通電極電圧Ｖｃｏｍの反転に起因して
いる。

【００１４】以下、図２から図４を参照しながら、保持
期間中の表示画素容量（Ｃｌｃ１，Ｃｌｃ２）及び補助
容量（Ｃｓｃ，Ｃｓｇ）の電気的振舞について詳細に説
明する。共通電極電圧Ｖｃｏｍは、ゲートライン（Ｇ
ｍ）の走査に同期して正負が反転されるため、ソース電
圧Ｖｓ１、Ｖｓ２はこれにしたがって、電圧降下直後に
表示画素容量（Ｃｌｃ１，Ｃｌｃ２）に保持された電圧
Ｖｌｃ１，Ｖｌｃ２を保つ方向に振られる。電圧降下直
後のソース電圧Ｖｓ１とＶｓ２、及び、保持電圧Ｖｌｃ
１とＶｌｃ２は等しい。表示画素容量（Ｃｌｃ１）に並
列接続された補助容量（Ｃｓｃ）の保持電圧Ｖｓｃは一
定なので、表示画素容量（Ｃｌｃ１）の保持電圧Ｖｌｃ
１も一定に保たれるが、表示画素容量（Ｃｌｃ２）は、
並列接続された補助容量（Ｃｓｇ）の保持する電圧Ｖｓ
ｇが共通電極電圧Ｖｃｏｍの反転によって変化するの
で、これの影響を受けて保持電圧Ｖｌｃ２が変化する。
即ち、表示画素容量（Ｃｌｃ１）については、ソースを
共通にして並列配置された補助容量（Ｃｓｃ）の他方の
電極が共通電極と同電圧の補助容量電極であるため、表
示画素容量（Ｃｌｃ１）の保持電圧Ｖｌｃ１と補助容量
（Ｃｓｃ）の保持電圧Ｖｓｃは常に等しく、両容量（Ｃ
ｌｃ１，Ｃｓｃ）の並列合成容量によって電圧Ｖｌｃ１
（Ｖｓｃ）が一定に保持される。これに対して、表示画
素容量（Ｃｌｃ２）については、ソースを共通にして並
列配置された補助容量（Ｃｓｇ）の他方の電極が隣接す
るゲートライン（Ｇｍ＋１）に接続されており、共通電
極電圧Ｖｃｏｍの反転に伴うソース電圧Ｖｓ２の振舞に
対して、ゲート電圧Ｖｇ２が一定であるため、補助容量
（Ｃｓｇ）の保持電圧Ｖｓｇが保持期間中に常に変化
し、これの影響で表示画素容量（Ｃｌｃ２）の保持電圧
Ｖｌｃ２が変化する。このように、ＴＦＴ（Ｓ１，Ｓ
２）がＯＦＦしてソース電圧が降下した直後はＶｓ１と
Ｖｓ２は等しいが、保持期間中の補助容量ＣｓｃとＣｓ
ｇの振舞の違いが表示画素容量（Ｃｌｃ１，Ｃｌｃ２）
に影響を及ぼすので、両容量（Ｃｌｃ１，Ｃｌｃ２）の
それぞれの保持電圧Ｖｌｃ１とＶｌｃ２の実効値に差を
生じさせる。

【００１５】以上の振舞を式を用いて説明すると次のよ
うになる。図２で、３つの容量（Ｃｇｓ１，Ｃｌｃ１，
Ｃｓｃ）の一方の電極に共通のソースがフローティング
で電圧Ｖｓ１のとき、各容量（Ｃｇｓ１，Ｃｌｃ１，Ｃ
ｓｃ）の他方の電極にそれぞれ電圧Ｖｇ１、Ｖｃｏｍ、
Ｖｃｏｍを印加する場合、Ｖｇ１は不変であり、Ｖｃｏ
ｍがＶｃｏｍ´に変化し、Ｖｓ１がＶｓ１´変化する
と、保持期間中のソースの電荷量は一定であるので、次
の式が成り立つ。

【００１６】

【数１】

【００１７】これを変形すると、Ｖｓ１の変化量ΔＶｓ
１は共通電極電圧Ｖｃｏｍの変化量ΔＶｃｏｍに依存し
て、次のように表される。

【００１８】

【数２】

【００１９】即ち、Ｃｇｓ１はＣｌｃ１やＣｓｃに比べ
て値が小さいのでソース電圧Ｖｓ１の変化量ΔＶｓ１
は、共通電極電圧の変化量ΔＶｃｏｍとほぼ等しいこと
が分かる。つまり、表示画素容量（Ｃｌｃ１）の保持電
圧Ｖｌｃ１は、保持期間中にわたってほぼ一定に保たれ
る。同様に、図２で、３つの容量（Ｃｇｓ２，Ｃｌｃ
２，Ｃｓｇ）の一方の電極に共通のソースが、フローテ
ィングで電圧Ｖｓ２のとき、各容量（Ｃｇｓ２，Ｃｌｃ
２，Ｃｓｇ）の他方の電極にそれぞれ電圧Ｖｇ１、Ｖｃ
ｏｍ、Ｖｇ２を印加する場合、Ｖｇ１とＶｇ２は不変で
あり、ＶｃｏｍがＶｃｏｍ´に変化し、Ｖｓ２がＶｓ２
´に変化すると、保持期間中のソースの電荷量は一定で
あるので、次の式が成り立つ。

【００２０】

【数３】

【００２１】これを変形すると、Ｖｓ２の変化量ΔＶｓ
２は共通電極電圧Ｖｃｏｍの変化量ΔＶｃｏｍに依存し
て、次のように表される。

【００２２】

【数４】

【００２３】即ち、３つの容量（Ｃｇｓ２，Ｃｌｃ２，
Ｃｓｇ）のカップリングのため、共通電極電圧の反転の
影響が減じられて、ソース電圧Ｖｓ２の変化量ΔＶｓ２
は共通電極電圧Ｖｃｏｍの変化量ΔＶｃｏｍのＣｌｃ２
／（Ｃｇｓ２＋Ｃｌｃ２＋Ｃｓｇ）倍に減少する。ここ
で、パターン設計により次の条件

【００２４】

【数５】

【００２５】を設定すると、式２と式４から次の式が導
かれる。

【００２６】

【数６】

【００２７】このように、ソース電圧Ｖｓ１とＶｓ２の
変化量ΔＶｓ１とΔＶｓ２は、保持期間中に共通電極電
圧Ｖｃｏｍの変化によって、差が生じる。この差はＶｃ
ｏｍの立ち上がり時と立ち下がり時の両方に生ずるの
で、このうち一方の時は、変化分が打ち消されて、保持
期間を通じてはソース電圧Ｖｓ１とＶｓ２は平均的に、

【００２８】

【数７】

【００２９】の差が生じていると見成すことができる。
共通電極電圧Ｖｃｏｍは、両表示画素容量（Ｃｌｃ１，
Ｃｌｃ２）に共通であるため、両容量の保持電圧Ｖｌｃ
１とＶｌｃ２の間には、式７で表される電圧差が生じ
る。この電圧差は、式７から明らかなように、共通電極
電圧の変化分ΔＶｃｏｍに依存しているので、共通電極
の振幅を変えることで、両表示画素容量（Ｃｌｃ，Ｃｌ
ｃ２）の電圧−透過率特性の違いが調整され、視角特性
を制御することができる。

【００３０】図１で示されているように、ＴＦＴは１つ
の画素に２つ設けられ、それぞれのＴＦＴに互いに絶縁
された表示電極（１３，１４）が接続されるとともに、
それぞれ、補助容量電極（１１，１２）が重畳されて蓄
積型及び付加型の補助容量が形成されている。そのた
め、表示電極（１３，１４）は同時に同電圧に充電され
た後、保持期間中に、それぞれ異なる振舞をする補助容
量の影響を受けて、異なる電圧に変位する。

【００３１】このように１つの画素に電圧の異なる２つ
の表示電極を配置することにより、共通電極は両表示電
極に共通であるので、液晶への実質的な印加電圧の異な
る２つの小画素に分割される。それぞれの小画素は電圧
と透過率の関係に異なる特性を有しており、優先視角が
異なっているので、２つの小画素の異なる透過光の合成
として視認される。これにより、優先視角方向が２方向
に等分されるため、視角の変化による透過率の変化が緩
和される。

【００３２】図１で示される構造のＴＦＴ基板は、遮光
膜（１０）及び補助容量電極（１１，１２）となるＣｒ
のパターニング、ソース・ドレイン配線（１３，１４，
１５）となるＩＴＯのパターニング及びゲート配線（１
６）のパターニングの計３回のフォトエッチで形成さ
れ、製造コストが低い。また、表示電極（１４）側に設
けられる付加型補助容量として、このように、補助容量
電極（１２）を介した直列合成容量を用いたことによ
り、走査の方向が可逆となる。即ち、正スタガー型ＴＦ
Ｔを用いて３枚のマスクで製造された付加容量方式で
は、表示電極（１４）とドレインライン（１５）が、ゲ
ート配線（１６）と同じパターンで形成されたａ−Ｓｉ
によって接続され、寄生ＴＦＴが生じる。そのため、ゲ
ート信号の立ち上がりにより、表示電極（１４）とドレ
インライン（１５）間が導通するので、走査方向を、例
えば図１において上から下方向へ限定して、表示電極
（１４）とドレインライン（１５）間の導通を書き換え
の直前に持ってくることにより、表示への悪影響を避け
ていた。しかし、本実施例のように補助容量電極（１
２）を介したことにより、表示電極（１４）とゲートラ
イン（１６）が直接に重畳する構造が避けられて、表示
電極（１４）とドレインライン（１５）が絶縁されるの
で、走査方向を限定する必要が無くなる。また、絶縁膜
にピンホールが生じて、補助容量電極（１２）と表示電
極（１４）または補助容量電極（１４）とゲートライン
（１６）がリークしても、補助容量電極（１２）はフロ
ーティングであるため、合成容量のうちの一方が消滅す
るだけで、表示への悪影響は出ず、歩留まりが向上す
る。

【００３３】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
より、３枚マスク正スタガー型ＴＦＴを用いた液晶表示
装置において、マスク数を増加することなしに、表示画
素を、異なる電圧−透過率特性を有する２つの画素に分
割することができた。これにより、優先視角方向が２つ
の方向に等分配され、視角依存性の低い、広視野角の液
晶表示装置が得られた。

【００３４】また、保持期間中の表示画素容量の振舞
は、全て、共通電極電圧の変化に依存するので、共通電
極電圧の振幅を変えることで、視野角特性を制御するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の電極配置
を示す平面図である。

【図２】本発明の実施例に係る液晶表示装置の等価回路
図である。

【図３】液晶表示装置の駆動方法を示す波形図である。

【図４】本発明の実施例に係る液晶表示装置の動作を示
す波形図である。

【符号の説明】

１０遮光膜１１，１２補助容量電極１３，１４表示電極１５ドレインライン１６ゲートラインＧｍゲートラインＤｎドレインラインＳＴＦＴＣｌｃ表示画素容量Ｓｓｃ蓄積型補助容量Ｓｓｇ付加型補助容量Ｃｇｓ寄生容量Ｖｇゲート電圧Ｖｄドレイン電圧Ｖｓソース電圧Ｖｃｏｍ共通電極電圧Ｖｌｃ表示画素容量の保持電圧Ｖｓｃ蓄積型補助容量の保持電圧Ｖｓｇ付加型補助容量の保持電圧Ｖｇｓ寄生容量の保持電圧

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向表面側に複数のゲートラインと複数
のドレインラインが交差配置された各々の交点に形成さ
れた薄膜トランジスタ、及び、該薄膜トランジスタに接
続された表示電極が設けられた第１の基板と、共通電極が対向表面側に一面形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板が貼り合わされ、その
間隙に封入された液晶とを備え、前記表示電極と共通電
極の対向部分で形成される容量が、表示画素として機能
する液晶表示装置において、前記各表示電極は第１及び第２の表示電極で形成され、
前記各薄膜トランジスタは、前記第１の表示電極に接続
された第１の薄膜トランジスタと前記第２の表示電極に
接続された第２の薄膜トランジスタで形成され、更に、
前記共通電極と同電圧の補助容量電極を前記第１の表示
電極に重畳配置することにより、前記第１の表示電極と
前記共通電極により形成された第１の表示画素容量に並
列接続された蓄積型補助容量を設けると共に、隣接する前記ゲートラインの一部を延在して前記第２の
表示電極に重畳配置することにより、前記第２の表示電
極と前記共通電極により形成された第２の表示画素容量
に並列接続された付加型補助容量を設けたことを特徴と
する液晶表示装置。