JPH07310842A

JPH07310842A - 微流量調整弁

Info

Publication number: JPH07310842A
Application number: JP10553694A
Authority: JP
Inventors: Ryosuke Doi; 亮介土肥; Yukio Minami; 幸男皆見; Kanetsugu Yamamoto; 兼嗣山本
Original assignee: Fujikin Inc
Current assignee: Fujikin Inc
Priority date: 1994-05-19
Filing date: 1994-05-19
Publication date: 1995-11-28

Abstract

(57)【要約】【目的】微流量調整弁の温度による流量制御特性の変
化を少なくすると共に、作動速度を高めることにより、
流量制御精度を高める。【構成】弁本体と，下端部を弁本体へ固定した筒状保
持ケースと，押圧により弁座へ当座すると共に、押圧力
の喪失により弾性離座する金属ダイヤフラム弁体と，ダ
イヤフラム押えと，ダイヤフラム押えの上面中心に載置
した下部小球体と、小球体上に載置した下部受台と，下
部受台上に載置した圧電素子と，圧電素子の上方に配設
した上部支持機構と、保持ケースの上端部へ螺着され、
その締込みにより圧電素子を下方へ押し下げる位置決め
体と，保護ケースとより、微流量調整弁を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主として半導体製造装
置等の高精度な流体流量制御を必要とする装置・設備に
利用されるものであり、パルス状ガス流による微流量調
整を可能とした微流量調整弁に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置の拡散炉等に於いては、
図１１に示す如く、複数の異なるガスＡ，Ｂ，Ｃを小流
量づつ同時に若しくは順次切換え乍ら、プロセスチャン
バー（拡散炉）Ｄへ供給する必要があり、通常は流量調
整弁Ｅ₁〜Ｅ₃に高速開閉型バルブを使用し、その開度
や作動回数を制御することにより、前記各ガスＡ，Ｂ，
Ｃの供給流量が調整されている。尚、図１１に於いて、
Ｅ₁〜Ｅ₃はボリュームタンク、Ｇ₁〜Ｇ₃は圧力調整
バルブ、Ｈは真空ポンプである。

【０００３】ところで、前記図１１如きガス供給システ
ムに於いて、より高精度な微流量調整を行うためには、
高速開閉型バルブの作動速度を高め、流通するパルス
状ガス流の制御可能な周波数を高めること、温度によ
る流量制御特性の変化を少なくすること、各調整弁の
流量制御特性がほぼ揃っていること、及び流量制御特
性にヒステリシス現象が無いこと等が必要な条件となっ
てくる。

【０００４】しかし、従前の半導体製造装置等のガス供
給システムに於いては、前記高速開閉型バルブＥとし
て、ダイヤフラム型バルブにエアーシリンダー型アクチ
エータを組み付けた構造のエアーシリンダー駆動式ダイ
ヤフラム型流量制御弁が多く使用されているため、バル
ブの作動速度が比較的遅くパルス状作動に追従できる周
波数は１Ｈｚ程度まである。その結果、流通するパルス
状ガス流のパルス幅Ｗは５００ｍｓｅｃ程度となり、微
流量制御に必要とするパルスは幅が２０〜１００ｍｓｅ
ｃ、パルス周期が１０〜１０００ｍｓｅｃ程度のパルス
状ガス流を得ることは不可能であって、より高精度な微
流量制御が出来ないと云う問題がある。

【０００５】また、連続ガス流の流量制御を行う場合に
あっても、従前のエアーシリンダー駆動式の微流量調整
弁では図１２に示す如く、その流量特性にヒステリシス
現象が表れることになり、しかもこのヒステリシス現象
の発生を避けることは不可能である。その結果、入力信
号の印加方向により、同じ入力信号値であってもガス流
量Ｖ ₁〜Ｖ₂に差異を生ずることになり、高精度な連続
ガス流の微流量制御ができないと云う問題がある。

【０００６】一方、エアーシリンダー駆動式の微流量制
御弁では、上述の如くパルス状作動に追従できる周波数
がせいぜい１Ｈｚ程度であるため、作動速度の速い圧電
素子を駆動部に利用し、高い作動周波数の達成を可能に
した圧電素子駆動式の高速開閉型バルブが開発されてい
る。

【０００７】しかし、圧電素子型の駆動部はその作動量
（変位量）が数１０μｍ程度と極く少ないため、微流量
調整弁を構成する各部材の加工精度や組立精度を高めた
だけでは、所定の流量制御特性を備えた微流量調整弁を
得ることはできず、製品毎に流量制御特性に大きなバラ
ツキが生ずるうえ、しかも流量制御特性の調整が簡単に
できないと云う問題がある。また、圧電素子型駆動部の
変位量が極く僅かであるため、調整弁を構成する各部材
の温度膨張がその流量制御特性に大きな影響を与えるこ
とになり、高精度な流量制御が困難になると云う問題が
ある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従前の微流
量調整弁に於ける上述の如き問題、即ちエアーシリン
ダー駆動式のダイヤフラム型微流量調整弁では、（イ）
連続的な流量制御に於いては流量特性に大きなヒステリ
シス現象が表れ、また、（ロ）パルス状ガス流による流
量制御では制御可能なパルス周波数が低いため、高精度
な微流量制御ができないこと、また、圧電素子駆動式
の微流量調整弁では、（イ）高加工精度を必要とするた
め弁の製造コストが上昇すること、（ロ）各製品毎に流
量制御特性が大きく変わり且つ流量制御特性の調整が困
難なこと、（ハ）温度変化によって流量制御特性が大き
く変化し、高精度な微流量制御ができないこと等の問題
を解決せんとするものであり、構造が簡単で比較的安価
に製造できると共に、高周波のパルス状ガス流の流通制
御や流量制御特性そのものの調整を可能とすることによ
り、パルス状ガス流や連続ガス流のより高精度な微流量
制御を可能とした微流量調整弁を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、流体出入口と
弁室と弁座を備えた弁本体と、下端部が弁本体へ固定さ
れ、その内部空間を弁室へ連通させた筒状の保持ケース
と、弁室内に弁座と対向状に配設され、下方への押圧に
より弁座へ当座すると共に、押圧力の喪失によりその弾
性により離座する金属製ダイヤフラム弁体と、ダイヤフ
ラム弁体の上方に載置したダイヤフラム押えと、ダイヤ
フラム押えの上面中心に載置した下部小球体と、前記保
持ケース内へ挿入され、下部小球体上に載置した圧電素
子の下部受台と、圧電素子の下部受台上に載置した圧電
素子と、圧電素子の上面へ載置した回動自在な圧電素子
の上部支持機構と、保持ケースの上端部へ螺着され、そ
の締込みにより上部支持機構を介して圧電素子の下方へ
押し下げる位置決め体と、前記保持ケース及び位置決め
体を囲繞してその下端部を弁本体へ固定した保護ケース
とを発明の基本構成とするものである。

【００１０】

【作用】制御装置から、所要流量に対応するパルス入力
信号Ｏが圧電素子駆動部へ入力されることにより、圧電
素子が所定の長さ（約２０μｍ程度）伸長する。これに
より、ダイヤフラム押えを介してダイヤフラム弁体が下
方へ押圧され、これが弁座へ当座することにより流体通
路が閉塞される。前記パルス入力信号Ｏが零になると、
伸長した圧電素子は初期状態へ復帰し、ダイヤフラムに
加わていた押圧力が喪失する。これにより、ダイヤフラ
ム弁体もその弾性力によって初期状態に復帰し、弁座か
ら離座することにより、流体通路が開放される。尚、本
発明の微流量調整弁に於いては、周波数１００Ｈｚ程度
のパルス状作動が可能である。

【００１１】駆動部が非作動時に於けるダイヤフラム弁
体の開度は、位置決め体の締め込み量を変えることによ
り調整可能であり、同一軸線上に配設した下部小球体と
上部小球体とを介設してダイヤフラム弁体を下方へ押圧
する構成とすることにより、位置決め体の締込み量と流
体流量とはほぼ直線状の比例関係なる。その結果、微流
量調整弁の初期流量制御特性、即ち入力信号Ｏの時の最
大流量値を極めて容易に所定値に設定することができ
る。また、本発明に於いては、圧電素子やその上・下受
台等の合成熱膨張率と、圧電素子の保持ケースや位置決
め体等の合成熱膨張率とがほぼ等しくなるように選定さ
れているため、温度変化による流量特性の変動はほぼ無
視し得る程度となる。

【００１２】パルス状ガス流による流量制御に於いて
は、制御装置から圧電素子駆動部へ加わるパルス入力信
号Ｏの周波数やパルス幅を調整する。これにより、パル
ス状ガス流の周波数やパルス幅が変わり、所謂パルス状
ガス流のデューティー比αが調整される。前記デューテ
ィー比αとガス流量との関係は、各パルス状ガス流の形
状が同一であるため、ヒステリシスの無い直線状特性と
なり、デューティー比αに応じた微流量が得られる。ま
た、前記デューティー比αは、パルス状ガス流の周波数
を５０Ｈｚ程度まで高めることができるため、細かい範
囲に亘って調整することができ、その結果、より高精度
な微流量制御が可能となる。

【００１３】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の第１実施例に係る微流量調整弁の
縦断面図である。図に於いて、１は弁本体、２は金属製
ダイヤフラム弁体、３はダイヤフラム押さえ、４は押え
アダプター、５はガイド体、６は圧電素子の保持ケー
ス、７はボンネットナット、８は下部小球体、９は下部
受台、１０は圧電素子、１１は上部支持機構、１２は上
部支持機構を構成する小球体、１３は上部支持機構を構
成する上部受台、１４は位置決め体、１５はロックナッ
ト、１６は保護ケース、１７はコネクター、１８はリー
ド線である。

【００１４】前記弁本体１はステンレス鋼製であり、流
体入口１ａ、流体出口１ｂ、流体通路１ｃ、弁室１ｄ及
び弁座１ｅ等を夫々備えている。また、前記金属製ダイ
ヤフラム体２はステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）の薄板に
より形成されており、中央部が上方へ僅かに膨出した逆
皿形に形成されている。尚、ダイヤフラム弁体２の形状
は平板状であってもよく、また、材質もインコネル合金
やその他のニッケル・クロム合金鋼であってもよい。更
に、本実施例では１枚のダイヤフラムを使用している
が、２〜３枚のダイヤフラムを積層したダイヤフラム弁
体とすることも可能である。

【００１５】前記金属製ダイヤフラム２は、前記弁座１
ｅと対向状に弁室１ｄ内へ配設され、その上にダイヤフ
ラム押え３、押えアダプター４、ガイド体５及び保持ケ
ース６を配設したあと、ボンネットナット７を締め込む
ことにより、ダイヤフラム２の外周縁が弁本体１側へ気
密に保持固定されている。尚、前記ダイヤフラム押え、
押えアダプター４、ガイド体５等はステンレス鋼等の金
属製であり、また、前記圧電素子の保持ケース６は熱膨
張率の小さなインバー材により形成されている。

【００１６】前記ダイヤフラム押え３の上端面の中心部
には円錐状の溝３ａが形成されており、ここに高炭素・
クロム鋼製の下部小球体８が回動自在に載置されてい
る。また、当該下部小球体８の上には、保持ケース６の
上方開口より挿入された下面側の中心部に逆円錐状の溝
９ａを有するステンレス鋼（ＳＵＳ６３０）製の圧電素
子用下部受台９が載置されている。更に、前記下部受台
９の上方には、圧電セラミックスより成る円柱状の圧電
素子１０が載置されている。尚、１０ａは圧電素子１０
の上端面の中心部に設けた円錐状の溝である。

【００１７】前記圧電素子１０の上端面上には、上部支
持機構１１を形成する高炭素クロム鋼製の上部小球体１
２と、溝１３ａを有する上部受台１３が配設されてお
り、保持ケース６の上端部へ螺着したキャップ状の位置
決め体１４により、上方より所定の押圧力が加えられた
状態で保持ケース６内に固定されている。尚、本実施例
では、上記上部受台１３は、後述する圧電素子駆動部の
熱膨張率のマッチングの点からネーバル黄銅材により形
成されている。

【００１８】図２は、本発明の第２実施例に係る微流量
調整弁の部分縦断面図を示すものである。当該第２実施
例では、圧電素子１０の上部支持機構１１が上部受台１
３とスラストベアリング１２ａとから形成されており、
位置決め体１４の裏面側は、スラストベアリング１２ａ
のボールと接触しつつ回転動する。

【００１９】図３は、本発明の第３実施例に係る微流量
調整弁の部分縦断面図であり、上部支持機構１１を構成
する上部受台１３とスラストベアリング１２ａの組合せ
位置関係が、前記第２実施例（図２）の場合と逆になっ
ている。

【００２０】図４は、本発明の微流量調整弁を半導体製
造装置のガス供給システムへ適用した場合を示すもので
あり、プロセスチャンバー１９へ供給するガスＡの流れ
をパルス状Ａ₁（又はパフ状Ａ₂）の形状とし、そのデ
ューティー比αを調整することにより、供給ガスの流量
制御を行なうものである。図４に於いて、２０は制御装
置、２１は微流量調整バルブ、２２は真空ポンプ、Ａは
供給ガスである。

【００２１】前記制御装置２０は発振器２０ａ、設定器
２０ｂ、電源装置２０ｃ等より形成されており、プロセ
スチャンバー１９側から所望の流量制御信号Ｓ₁が入力
される。即ち、流量制御信号Ｓ₁が入力されるか、若し
くは設定器１ｂから設定流量信号Ｓ₂が発信されると、
発振器２０ａから前記入力信号Ｓ₁又は入力信号Ｓ₂に
対応するパルス信号Ｐ₁（又はパフ信号Ｐ₂）が電源装
置２０ｃへ入力され、電源装置２０ｃからは、前記パル
ス信号Ｐ₁（又はパフ信号Ｐ₂）に対応したパルス入力
信号Ｏ₁又はパフ入力信号Ｏ₂が、微流量調整弁２１の
圧電素子駆動部へ入力される。

【００２２】前記信号Ｏ₁（又は信号Ｏ₂）の入力によ
り微流量調整弁２１が作動すると、プロセスチャンバー
１９へはパルス状のガス流Ａ₁（又はパフ状のガス流Ａ
₂）が供給される。この時、後述する如く、発振器２０
ａからのパルス信号Ｐ₁（又はパフ信号Ｐ₂）の周波数
やパルス幅を変えると、パルス状ガス流Ａ₁又はパフ状
ガス流Ａ₂のデューティ比αが変わり、これによってプ
ロセスチャンバー１９への供給ガス流量が制御される。

【００２３】尚、本発明に於いては、図４のパルス信号
Ｐ₁やパルス状ガス流Ａ₁のように、一定の幅Ｗと一定
の高さＨを有する信号又はガス流が連続的に繰り返し発
生する場合をパルス状と称呼し、また、図４の信号Ｐ₂
やガス流Ａ₂のように、一定の幅Ｗと一定の高さＨを有
する信号又はガス流が間欠的に発生する場合を、パフ状
と称呼している。また、本発明では、前記パルス状ガス
流Ａ₁のデューティ比α、α＝流体が流れる時間Ｔ_O／
周期Ｔ×１００％で定義している。ただし、流体が流れ
る時間Ｔ _Oはパルス状ガス流Ａ₁のパルス幅Ｗであり、
また、周期Ｔは繰り返し周波数ｆの逆数である。

【００２４】図５は、本発明の微流量調整弁のパルス入
力信号Ｏ₁（又はパルス信号Ｐ₁）とパルス状ガス流Ａ
₁の関係を示す線図であり、所謂入力ー流量応答特性を
示すものである。即ち、当該図５は、図１に示すノーマ
ルオープン型の微流量調整弁を用いて、温度２０℃、流
体Ｎ₂ガス、一次側圧力０．４ｋｇｆ／ｃｍ²、二次側
圧力０ｋｇｆ／ｃｍ²（大気開放）、パルス入力信号Ｏ
₁の周波数５Ｈｚの条件下で測定されたものであり、各
パルス入力信号Ｏ₁に対して、実質的に同形状のパルス
状ガス流Ａ₁が発生していることが判る。

【００２５】図６は、本発明に係る微流量調整弁の流量
制御特性の一例を示すものであり、圧電素子駆動部への
パルス入力信号Ｏ₁又は入力信号Ｐ₁のパルス幅Ｗを変
化するか、若しくは各パルス入力信号Ｏ₁又は入力信号
Ｐ₁の周波数を変えることによって前記デューティー比
αを変えた場合のαー流量の関係を示すものである。前
記図６に於いて、実線部分はデューティー比α０→１０
０％とした場合を、また点線部分は前記αを１００→０
％とした場合を表わしており、両者は実質的に重なった
状態となる。尚、図６の様に、デューティー比αと流量
の関係が常に直線状となってヒステリシスが表れないの
は、前記図５の符号イ及びロに示した如く、各パルス状
ガス流Ａ₁の中に、一対の異なる流量特性部分が常に等
しく含まれているからである。

【００２６】換言すれば、デューティー比αと流量との
関係は、直線状で且つヒステリシスの無い曲線となり、
その結果、αを調整することにより極めて高精度な流量
制御が可能となる。尚、図６のα−流量特性曲線は、前
記図５と同じ条件下で試験した場合のものである。

【００２７】前記図５に於けるパルス状ガス流Ａのパル
ス高さＨは、微流量調整弁のダイヤフラム弁体２のスト
ロークを変えることにより、調整される。即ち、図１の
位置決め体１４の締込み量を変えることにより、圧電素
子１０の非作動時には開弁状態にあるダイヤフラム弁体
２の全開ストロークが調整され、これによって、パルス
状ガス流のパルス高さＨが制御される。本発明の微流量
調整弁では、圧電素子１０の伸長によりダイヤフラム押
え３にかかる下向きの弁体作動力が、正確に軸芯と一致
した方向となるように、圧電素子１の上端面と上部受台
１３及び下部受台９とダイヤフラム押さえ３との間に夫
々小球体１２及び下部小球体８を介挿しており、これに
よってダイヤフラム弁体６の作動の安定化が計られてい
る。そのため、本発明の微流量調整弁では、位置決め体
１４の締込み量と流量の関係が図７に示す如く所謂リニ
アーな関係となり、製品の出荷時に行う微流量調整弁の
全開時流量の設定が極めて容易に行える。

【００２８】図８は、本発明の微流量調整弁と従前のエ
アーシリンダー駆動式微流量調整弁の周波数と流量比の
関係を示すものであり、曲線Ｒは従前の微流量調整弁
の、また、曲線Ｊは本発明の微流量調整弁の特性を夫々
示すものである。即ち、微流量調整弁を作動せしめてパ
ルス状流体Ａ₁を流通せしめた場合、パルス入力信号Ｏ
₁の周波数が増加するとアクチエータの作動やダイヤフ
ラム弁体の作動が信号周波数に追従し得なくなり、流量
比（実測流量値／理論計算流量値）が増大して行く。例
えば、従来の弁では、パルス入力信号Ｏ₁の周波数が１
Ｈｚを越えれば、流量比が増大して弁のパルス状作動が
追従しなくなるのに対し、本発明の弁では、周波数が５
０Ｈｚ程度まで、流量比が一定値を示し、弁がパルス状
作動に追従していることが判る。

【００２９】図９及び図１０は、本発明で使用する圧電
素子駆動部の寸法を下記のように定めた場合の、各部材
の温度変化と変位量の関係を示すものである。下部受台
９の厚み７ｍｍ、上部小球体の直径３ｍｍ、上部受台１
３の厚み７．５ｍｍ、保持ケース６と位置決め１４体の
全長８０ｍｍ、図９に於いて、６ａは保持ケース６、１
４ａは位置決め体１４の各熱膨張量曲線を示すものであ
り、また、図１０に於いて、１３ｂは上部受台（ＢＳ
材）、１０ｂは圧電素子、９ｂは下部受台、１２ｂは上
部小球体の各熱膨張量曲線を示すものである。

【００３０】図９及び図１０からも明らかなように、本
発明の第１実施例では保持ケース６等の総合変位量（温
度変化２０℃）が８．０７μｍであるのに対して、圧電
素子１０等の総合変位量（温度変化２０℃）は７．９９
μｍとなっており、両者の変位量が相殺されることによ
り弁駆動部の温度変化による弁体作動量の変化はほぼ無
視できるように構成されている。

【００３１】

【発明の効果】本発明では、メタルダイレクトタッチ方
式のダイヤフラム型弁と圧電素子駆動部とを組合せ、ダ
イヤフラム弁体の弾性力により開弁作動を行うと共に、
圧電素子の下面側とダイヤフラム押さえ３との間及び圧
電素子の上面側と位置決め体１４との間に夫々下部小球
体８及び上部小球体１２を配設し、且つ両小球体１２を
圧電素子１０の軸芯上に位置せしめる構成としている。
その結果、微流量調整弁の作動速度が高まり、約５０Ｈ
ｚ程度までの高速開閉に追従することができるようにな
り、より高精度な流体の微流量調整が可能となる。ま
た、位置決め体１４の締込み量とダイヤフラム弁体の全
開時の流量との関係が直線状の関係となり、製品出荷時
に行う全開時流量の設定調整が極めて容易に行なえる。
更に、圧電素子１０の上端面と位置決め体１４との間に
上部小球体１２等よりなる回転自在な上部支持機構１１
を配設しているため、位置決め体１４の回動操作が極め
て円滑に行え、全開時流量の設定調整が容易に行なえ
る。加えて、圧電素子の保持ケース６、位置決め体１４
及びロックナット１５等の総合的な熱膨張係数と、下部
受台９、圧電素子１０及び上部受台１３等の総合熱膨張
係数が等しくなるように各部材の材料が選定されている
ため、周囲温度の変化による弁駆動部の変位量が少なく
なり、流量誤差の発生を有効に防止することができる。
本発明は上述の通り、優れた実用的効用を奏するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る微流量調整弁の縦断
面図である。

【図２】第２実施例に係る微流量調整弁の一部を示す縦
断面図である。

【図３】第３実施例に係る微流量調整弁の一部を示す縦
断面図である。

【図４】本発明に係る微流量調整弁を適用したガス供給
システムの一例を示すものである。

【図５】パルス入力信号とパルス状ガス流の関係を示す
線図である。

【図６】本発明に係る微流量調整弁のデューティー比α
と流量との関係線図である。

【図７】位置決め体の締込み量と流量との関係を示す線
図である。

【図８】従前のエアーシリンダー駆動式ダイヤフラム型
流量制御弁と本発明の微流量調整弁との周波数−流量比
特性を示すものである。

【図９】第１実施例の微流量調整弁の弁駆動部の熱膨張
変位量を示す線図である。

【図１０】第１実施例の微流量調整弁の弁駆動部の熱膨
張変位量を示す線図である。

【図１１】従前のエアーシリンダー駆動式ダイヤフラム
型流量制御弁を用いたガス供給システムの一例を示すも
のである。

【図１２】従前のエアーシリンダー駆動式ダイヤフラム
型流量制御弁の流量特性を示すものである。

【符号の説明】

１は弁本体１ｅは弁座１ａは流体入口２は金属製ダイ
ヤフラム弁体１ｂは流体出口３はダイヤフラ
ム押え１ｃは流体通路４は押えアダプ
ター１ｄは弁室５はガイド体６は保持ケース１５はロックナッ
ト７はボンネットナット１６は保護ケース８は下部小球体１７はコネクター９は下部受台１８はリード線１０は圧電素子１９はプロセスチ
ャンバー１１は上部支持機構２０は制御装置１２は上部小球体２１は微流量調整
弁１２ａはスラストベアリング２２は真空ポンプ１３は上部受台Ａは供給ガス１４は位置決め体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】流体出入口と弁室と弁座を備えた弁本体
と，下端部が弁本体へ固定され、その内部空間を弁室へ
連通させた筒状の保持ケースと，弁室内に弁座と対向状
に配設され、下方への押圧により弁座へ当座すると共
に、押圧力の喪失によりその弾性により離座する金属製
ダイヤフラム弁体と，ダイヤフラム弁体の上方に載置し
たダイヤフラム押えと，ダイヤフラム押えの上面中心に
載置した下部小球体と，前記保持ケース内へ挿入され、
下部小球体上に載置した圧電素子の下部受台と，圧電素
子の下部受台上に載置した圧電素子と，圧電素子の上面
へ載置した回動自在な圧電素子の上部支持機構と，保持
ケースの上端部へ螺着され、その締込みにより上部支持
機構を介して前記圧電素子を下方へ押し下げる位置決め
体と，前記保持ケース及び位置決め体を囲繞し、その下
端部を弁本体へ固定した保護ケースとより構成した微流
量調整弁。
【請求項２】回動自在な上部支持機構を、圧電素子の
上面中心に載置した上部小球体とその上方に載置した上
部受台とから形成した請求項１に記載の微流量調整弁。
【請求項３】回動自在な圧電素子の上部支持機構を、
圧電素子の上方に配設した上部受台とスラストベアリン
グの組合せにより形成した請求項１に記載の微流量調整
弁。
【請求項４】インバー材により保持ケースを、ステン
レス鋼材（ＳＵＳ３０４）により位置決め体を夫々形成
すると共に、黄銅材により圧電素子の上部受台を、ステ
ンレス鋼材（ＳＵＳ６３０）により圧電素子の下部受台
を、高炭素クローム鋼材により小球体を夫々形成するよ
うにした請求項１又は請求項２に記載の微流量調整弁。