JPH07305163A - 低反射クロム系膜 - Google Patents
低反射クロム系膜Info
- Publication number
- JPH07305163A JPH07305163A JP6096797A JP9679794A JPH07305163A JP H07305163 A JPH07305163 A JP H07305163A JP 6096797 A JP6096797 A JP 6096797A JP 9679794 A JP9679794 A JP 9679794A JP H07305163 A JPH07305163 A JP H07305163A
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- JP
- Japan
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- chromium
- film
- low
- reflection
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 高周波励起プラズマ蒸着により透明基板上に
成膜された、可視域での波長が５５０ｎｍにおいて、反
射率が、５％未満のクロム系膜であって、少なくともそ
の一部は１種以上のクロム化合物であることを特徴とす
る低反射クロム系膜。 【効果】 液晶基板等として有用な、極めて高特性の低
反射クロム系膜が実現される。
成膜された、可視域での波長が５５０ｎｍにおいて、反
射率が、５％未満のクロム系膜であって、少なくともそ
の一部は１種以上のクロム化合物であることを特徴とす
る低反射クロム系膜。 【効果】 液晶基板等として有用な、極めて高特性の低
反射クロム系膜が実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、低反射クロム系膜に
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、液晶
カラーフィルタ用基板等として有用な、低反射特性に優
れ、膜密着性、膜均一性等に優れた新しい低反射クロム
系膜に関するものである。
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、液晶
カラーフィルタ用基板等として有用な、低反射特性に優
れ、膜密着性、膜均一性等に優れた新しい低反射クロム
系膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】近年の液晶表示技術の進展に
ともなって、より鮮明で、反射による不都合の抑えられ
た液晶画像表示手段の実現が望まれている。このための
技術的課題としては、液晶カラーフィルタ基板として用
いられる反射抑止膜の特性の向上があり、この課題につ
いてこれまでにも精力的な検討が進められてきている。
ともなって、より鮮明で、反射による不都合の抑えられ
た液晶画像表示手段の実現が望まれている。このための
技術的課題としては、液晶カラーフィルタ基板として用
いられる反射抑止膜の特性の向上があり、この課題につ
いてこれまでにも精力的な検討が進められてきている。
【０００３】従来、このような低反射特性を実現するた
めの手段として、ガラス等の透明基板上に、金属クロ
ム、あるいは金属クロムとクロム酸化物の薄膜をスパッ
タリング方法により形成したクロム系低反射膜が知られ
ている。しかしながら、このスパッタリング法により形
成したクロム系膜は、比較的その低反射特性が良好であ
るものの、依然としてその改善の余地が残されており、
このことは、スパッタリング法であるが故の膜組織、膜
特性の均一化、密着性の向上等が難しいという問題と密
接に関わっている。
めの手段として、ガラス等の透明基板上に、金属クロ
ム、あるいは金属クロムとクロム酸化物の薄膜をスパッ
タリング方法により形成したクロム系低反射膜が知られ
ている。しかしながら、このスパッタリング法により形
成したクロム系膜は、比較的その低反射特性が良好であ
るものの、依然としてその改善の余地が残されており、
このことは、スパッタリング法であるが故の膜組織、膜
特性の均一化、密着性の向上等が難しいという問題と密
接に関わっている。
【０００４】このため、従来の技術によっては、より高
特性の低反射膜を実現することは難しく、抜本的な対応
が求められていた。この発明は、以上の通りの事情に鑑
みてなされたものであって、従来の技術の限界を克服
し、より低反射特性に優れ、膜組織並びに膜物性の均一
化を図り、密着性にも優れた新しい低反射膜を提供する
ことを目的としている。
特性の低反射膜を実現することは難しく、抜本的な対応
が求められていた。この発明は、以上の通りの事情に鑑
みてなされたものであって、従来の技術の限界を克服
し、より低反射特性に優れ、膜組織並びに膜物性の均一
化を図り、密着性にも優れた新しい低反射膜を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、高周波励起プラズマ蒸着により
透明基板上に成膜された、可視域での波長が５５０ｎｍ
において、反射率が５％未満のクロム系膜であって、少
くともその一部は１種以上のクロム化合物であることを
特徴とする低反射クロム系膜を提供する。
を解決するものとして、高周波励起プラズマ蒸着により
透明基板上に成膜された、可視域での波長が５５０ｎｍ
において、反射率が５％未満のクロム系膜であって、少
くともその一部は１種以上のクロム化合物であることを
特徴とする低反射クロム系膜を提供する。
【０００６】より詳しく説明すると、この発明において
は １）少くとも１種以上のクロム化合物を含有しているク
ロム系膜であって、 ２）このクロム系膜は、可視域での波長が５５０ｎｍに
おいて、反射率が５％未満であり、 ３）このクロム系膜は、高周波励起プラズマ蒸着により
形成されたものであること を必須の要件とし、かつ、本質的な特徴としている。
は １）少くとも１種以上のクロム化合物を含有しているク
ロム系膜であって、 ２）このクロム系膜は、可視域での波長が５５０ｎｍに
おいて、反射率が５％未満であり、 ３）このクロム系膜は、高周波励起プラズマ蒸着により
形成されたものであること を必須の要件とし、かつ、本質的な特徴としている。
【０００７】クロム化合物については、この発明の膜特
性を損わない限り、その種類に特に限定はないが、クロ
ムの酸化物、クロムの窒化物等が好ましいものとして例
示される。これらのクロム化合物は、単層、多層とし
て、あるいは混合膜として構成することができる。この
場合、金属クロムとの多層構造としてもよい。クロムの
酸化物、クロムの窒化物等としては、ＣｒＯx 、ＣｒＮ
y 等として各種原子価状態のものが薄膜として形成され
ることが考慮される。
性を損わない限り、その種類に特に限定はないが、クロ
ムの酸化物、クロムの窒化物等が好ましいものとして例
示される。これらのクロム化合物は、単層、多層とし
て、あるいは混合膜として構成することができる。この
場合、金属クロムとの多層構造としてもよい。クロムの
酸化物、クロムの窒化物等としては、ＣｒＯx 、ＣｒＮ
y 等として各種原子価状態のものが薄膜として形成され
ることが考慮される。
【０００８】これらの化合物、さらには金属クロムにつ
いては、この発明においては、上記の通り、低反射クロ
ム系膜を構成するものとして、高周波励起プラズマ蒸着
により形成される。この高周波励起プラズマ蒸着はイオ
ンプレーティング、反応性イオンプレーティング等とし
て、この発明の発明者により開発され、すでに広く実用
化されている手段をはじめ、さらに光励起やＣＶＤ技術
との複合化等としても知られているものを好適に使用す
ることができる。
いては、この発明においては、上記の通り、低反射クロ
ム系膜を構成するものとして、高周波励起プラズマ蒸着
により形成される。この高周波励起プラズマ蒸着はイオ
ンプレーティング、反応性イオンプレーティング等とし
て、この発明の発明者により開発され、すでに広く実用
化されている手段をはじめ、さらに光励起やＣＶＤ技術
との複合化等としても知られているものを好適に使用す
ることができる。
【０００９】通常はクロム化合物については、蒸発源物
質を抵抗加熱、誘導加熱、あるいは電子ビーム照射等に
よって蒸発させ、生成した蒸発粒子を高周波励起してプ
ラズマ状態とし、イオン種、中性粒子、ラジアン等によ
る成膜過程として蒸着する。この場合、反応は、１×１
０-6〜１×１０-3Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後に、ア
ルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、さらには反応性ガス
を導入してプラズマ励起し、成膜する。反応ガスとして
は、たとえば、Ｏ2 、Ｎ2 ばかりでなく、酸化窒素類、
含酸素化合物、含窒素化合物の各種のものが用いられ
る。反応性ガスは、通常は１×１０-4〜１×１０-2Ｔｏ
ｒｒ程度の分圧下において使用することができる。
質を抵抗加熱、誘導加熱、あるいは電子ビーム照射等に
よって蒸発させ、生成した蒸発粒子を高周波励起してプ
ラズマ状態とし、イオン種、中性粒子、ラジアン等によ
る成膜過程として蒸着する。この場合、反応は、１×１
０-6〜１×１０-3Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後に、ア
ルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、さらには反応性ガス
を導入してプラズマ励起し、成膜する。反応ガスとして
は、たとえば、Ｏ2 、Ｎ2 ばかりでなく、酸化窒素類、
含酸素化合物、含窒素化合物の各種のものが用いられ
る。反応性ガスは、通常は１×１０-4〜１×１０-2Ｔｏ
ｒｒ程度の分圧下において使用することができる。
【００１０】この発明の低反射クロム系膜を形成するた
めの基板としては、ガラス等の透明基板が用いられる。
より好ましくは、被蒸着面に汚れ、キズがなく、泡、異
物が１００μｍ以上のものとしては認められないこと等
が必要となる。蒸着後の膜特性としては、少くとも１０
μｍ以上のピンホールは認められず、汚れ、異物の付着
がないことが必要となる。そして当然のことであるが、
この発明においては、５５０ｎｍの光に対しての反射率
が５％未満としている。
めの基板としては、ガラス等の透明基板が用いられる。
より好ましくは、被蒸着面に汚れ、キズがなく、泡、異
物が１００μｍ以上のものとしては認められないこと等
が必要となる。蒸着後の膜特性としては、少くとも１０
μｍ以上のピンホールは認められず、汚れ、異物の付着
がないことが必要となる。そして当然のことであるが、
この発明においては、５５０ｎｍの光に対しての反射率
が５％未満としている。
【００１１】膜厚については、全体として６００〜１７
００Å程度とする。以下、実施例を示し、さらに詳しく
この発明について説明する。実施例１ 真空反応容器を１×１０-5Ｔｏｒｒに真空排気し、クロ
ム金属の蒸発源を加熱して蒸発させた。真空反応器に
は、ガス分圧として、 アルゴン ４×１０-3Ｔｏｒｒ 酸素 ２×１０-4Ｔｏｒｒ においてアルゴンおよび酸素ガスを導入し、コイル状高
周波（ＲＦ）電極に５０Ｗの電力を印加し、プラズマ放
電を生成させ、ノンアルカリ透明ガラス基板上に膜厚６
００Å程度のクロム酸化物のプラズマ蒸着膜を形成し
た。次いで、酸素ガスを窒素ガスに代え、クロム酸化物
膜上に、膜厚８００Å程度のクロム窒化物膜を生成させ
た。
００Å程度とする。以下、実施例を示し、さらに詳しく
この発明について説明する。実施例１ 真空反応容器を１×１０-5Ｔｏｒｒに真空排気し、クロ
ム金属の蒸発源を加熱して蒸発させた。真空反応器に
は、ガス分圧として、 アルゴン ４×１０-3Ｔｏｒｒ 酸素 ２×１０-4Ｔｏｒｒ においてアルゴンおよび酸素ガスを導入し、コイル状高
周波（ＲＦ）電極に５０Ｗの電力を印加し、プラズマ放
電を生成させ、ノンアルカリ透明ガラス基板上に膜厚６
００Å程度のクロム酸化物のプラズマ蒸着膜を形成し
た。次いで、酸素ガスを窒素ガスに代え、クロム酸化物
膜上に、膜厚８００Å程度のクロム窒化物膜を生成させ
た。
【００１２】生成した膜について、その反射率を測定し
たところ、図１に示した通り、波長が５５０ｎｍの光に
対しての反射率は５％未満であることが確認された。ま
た、マクベス濃度計（４００〜７００ｎｍ）による光学
濃度は３．５以上であった。また、膜密着度も良好であ
った。実施例２ 実施例１において、クロムの窒化膜の生成に代えて、ク
ロム膜を１０００Åの厚みに成膜した。
たところ、図１に示した通り、波長が５５０ｎｍの光に
対しての反射率は５％未満であることが確認された。ま
た、マクベス濃度計（４００〜７００ｎｍ）による光学
濃度は３．５以上であった。また、膜密着度も良好であ
った。実施例２ 実施例１において、クロムの窒化膜の生成に代えて、ク
ロム膜を１０００Åの厚みに成膜した。
【００１３】生成した膜の反射率は、可視域での波長が
５００ｎｍの光に対して、図２に示した通り、５％未満
であった。また、光学濃度も３．５以上であることが確
認された。比較例１ 高周波励起プラズマを用いることなく、スパッタリング
によりクロム膜を成膜した。膜厚１８００Åにおいて、
可視域での波長が５５０ｎｍの光に対して、反射率は１
２％となった。５％未満の要件を満たすことはできなか
った。
５００ｎｍの光に対して、図２に示した通り、５％未満
であった。また、光学濃度も３．５以上であることが確
認された。比較例１ 高周波励起プラズマを用いることなく、スパッタリング
によりクロム膜を成膜した。膜厚１８００Åにおいて、
可視域での波長が５５０ｎｍの光に対して、反射率は１
２％となった。５％未満の要件を満たすことはできなか
った。
【００１４】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
り、液晶基板等として有用な、極めて高特性の低反射ク
ロム系膜が実現される。
り、液晶基板等として有用な、極めて高特性の低反射ク
ロム系膜が実現される。
【図１】実施例としての反射率特性図である。
【図２】別の実施例としての反射率測定図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波励起プラズマ蒸着により透明基板
上に成膜された、可視域での波長が５５０ｎｍにおい
て、反射率が５％未満のクロム系膜であって、少くとも
その一部は１種以上のクロム化合物であることを特徴と
する低反射クロム系膜。 - 【請求項２】 クロム化合物が、クロムの酸化物および
／またはクロムの窒化物である請求項１の低反射クロム
系膜。 - 【請求項３】 クロム化合物が、反応性高周波励起イオ
ンプレーティングにより成膜されている請求項１または
２の低反射クロム系膜。 - 【請求項４】 金属クロム並びにクロム化合物が多層配
設されている請求項１、２または３の低反射クロム系
膜。 - 【請求項５】 透明基板上にクロムの酸化物を配し、そ
の上にクロムの窒化物を積層させた請求項１の低反射ク
ロム系膜。 - 【請求項６】 透明基板上にクロムの窒化物を配し、そ
の上にクロムの酸化物を積層させた請求項１の低反射ク
ロム系膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096797A JPH07305163A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 低反射クロム系膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096797A JPH07305163A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 低反射クロム系膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07305163A true JPH07305163A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14174624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6096797A Pending JPH07305163A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 低反射クロム系膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07305163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114674233A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-06-28 | 大日本印刷株式会社 | 编码器用反射型光学标尺和反射型光学式编码器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237384B2 (ja) * | 1983-10-25 | 1987-08-12 | Hoya Corp | |
| JPH0152470B2 (ja) * | 1980-06-28 | 1989-11-08 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH01308848A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Asahi Glass Co Ltd | 高密着性熱線反射ガラス |
| JPH0373628B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1991-11-22 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPH0597475A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-20 | Central Glass Co Ltd | 曲げ断熱ガラスおよびその製造法 |
| JPH05238778A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-17 | Central Glass Co Ltd | 電波低反射特性を有する熱線遮蔽ガラス |
| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP6096797A patent/JPH07305163A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0152470B2 (ja) * | 1980-06-28 | 1989-11-08 | Kogyo Gijutsuin | |
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| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114674233A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-06-28 | 大日本印刷株式会社 | 编码器用反射型光学标尺和反射型光学式编码器 |
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