JPH0730203A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
- Publication number
- JPH0730203A JPH0730203A JP16776693A JP16776693A JPH0730203A JP H0730203 A JPH0730203 A JP H0730203A JP 16776693 A JP16776693 A JP 16776693A JP 16776693 A JP16776693 A JP 16776693A JP H0730203 A JPH0730203 A JP H0730203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- laser
- face
- grating element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 進行波増幅領域を有するレーザーダイオード
と、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光
を回折させてレーザーダイオードに戻すグレーティング
素子とからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、
戻り光ノイズの発生を抑える。 【構成】 レーザーダイオード10の前方端面10ｂから出
射したレーザービーム11ｂの光路に部分透過ミラー15を
挿入して、該レーザービーム11ｂを一部分岐し、ミラー
16，18およびグレーティング素子13でこの分岐されたレ
ーザービーム11ｂ用のリング共振器を構成する。
と、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光
を回折させてレーザーダイオードに戻すグレーティング
素子とからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、
戻り光ノイズの発生を抑える。 【構成】 レーザーダイオード10の前方端面10ｂから出
射したレーザービーム11ｂの光路に部分透過ミラー15を
挿入して、該レーザービーム11ｂを一部分岐し、ミラー
16，18およびグレーティング素子13でこの分岐されたレ
ーザービーム11ｂ用のリング共振器を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザー、特に詳
細には、進行波増幅領域を有するレーザーダイオード
と、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光
を回折させてレーザーダイオードに戻すグレーティング
素子とからなる外部共振器型半導体レーザーに関するも
のである。
細には、進行波増幅領域を有するレーザーダイオード
と、このレーザーダイオードの後方端面から出射した光
を回折させてレーザーダイオードに戻すグレーティング
素子とからなる外部共振器型半導体レーザーに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣonference Ｏn Ｌasers Ａnd
Ｅlectro−optics（コンファレンスオン レーザーズ
アンド エレクトロ・オプティクス）1993のＰostdeadl
ineＰapers （ポストデッドライン ペーパーズ）ＣＰ
Ｄ１に記載があるように、進行波増幅領域を有するレー
ザーダイオードと、このレーザーダイオードの後方端面
から出射した光を平行光化するレンズと、平行光化され
た上記光を回折させてレーザーダイオードに戻すグレー
ティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーが
公知となっている。
Ｅlectro−optics（コンファレンスオン レーザーズ
アンド エレクトロ・オプティクス）1993のＰostdeadl
ineＰapers （ポストデッドライン ペーパーズ）ＣＰ
Ｄ１に記載があるように、進行波増幅領域を有するレー
ザーダイオードと、このレーザーダイオードの後方端面
から出射した光を平行光化するレンズと、平行光化され
た上記光を回折させてレーザーダイオードに戻すグレー
ティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーが
公知となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の外部共振器
型半導体レーザーは、高出力、発振波長可変等の利点を
有する半面、レーザーダイオードの前方端面から出射し
た光がレンズ等の光学素子で一部反射してレーザーダイ
オードに戻ると、この戻り光も進行波増幅領域で増幅さ
れるため、大きな戻り光ノイズを発生しやすいという問
題が認められている。
型半導体レーザーは、高出力、発振波長可変等の利点を
有する半面、レーザーダイオードの前方端面から出射し
た光がレンズ等の光学素子で一部反射してレーザーダイ
オードに戻ると、この戻り光も進行波増幅領域で増幅さ
れるため、大きな戻り光ノイズを発生しやすいという問
題が認められている。
【０００４】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、進行波増幅領域を有するレーザーダイオ
ードからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、戻
り光ノイズの発生を防止することを目的とするものであ
る。
たものであり、進行波増幅領域を有するレーザーダイオ
ードからなる外部共振器型半導体レーザーにおいて、戻
り光ノイズの発生を防止することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の半導
体レーザーは、先に述べたように進行波増幅領域を有す
るレーザーダイオードと、このレーザーダイオードの後
方端面から出射した光を回折させて上記レーザーダイオ
ードに戻すグレーティング素子とからなる外部共振器型
半導体レーザーにおいて、レーザーダイオードの前方端
面から出射した光の一部を分岐させる手段、および、こ
の分岐された光を、上記グレーティング素子で回折して
上記後方端面からレーザーダイオードに戻る向きにして
該グレーティング素子に導く手段が設けられたことを特
徴とするものである。
体レーザーは、先に述べたように進行波増幅領域を有す
るレーザーダイオードと、このレーザーダイオードの後
方端面から出射した光を回折させて上記レーザーダイオ
ードに戻すグレーティング素子とからなる外部共振器型
半導体レーザーにおいて、レーザーダイオードの前方端
面から出射した光の一部を分岐させる手段、および、こ
の分岐された光を、上記グレーティング素子で回折して
上記後方端面からレーザーダイオードに戻る向きにして
該グレーティング素子に導く手段が設けられたことを特
徴とするものである。
【０００６】なおこの構成において好ましくは、上記リ
ング光路に、レーザーダイオードの後方端面から出射し
た光がレーザーダイオードの前方端面側に進行すること
を阻止するアイソレータが挿入される。
ング光路に、レーザーダイオードの後方端面から出射し
た光がレーザーダイオードの前方端面側に進行すること
を阻止するアイソレータが挿入される。
【０００７】一方本発明による第２の半導体レーザー
は、上記第１の半導体レーザーと同様のレーザーダイオ
ードとグレーティング素子とからなる外部共振器型半導
体レーザーにおいて、上記グレーティング素子を外部共
振器として用いる単一縦・横モード半導体レーザーがマ
スターレーザーとして設けられ、このマスターレーザー
から発せられた光が上記グレーティング素子で回折して
上記後方端面から上記レーザーダイオードに注入される
ことを特徴とするものである。
は、上記第１の半導体レーザーと同様のレーザーダイオ
ードとグレーティング素子とからなる外部共振器型半導
体レーザーにおいて、上記グレーティング素子を外部共
振器として用いる単一縦・横モード半導体レーザーがマ
スターレーザーとして設けられ、このマスターレーザー
から発せられた光が上記グレーティング素子で回折して
上記後方端面から上記レーザーダイオードに注入される
ことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】上記構成の第１の半導体レー
ザーにおいては、レーザーダイオードの前方端面から出
射した光がリング状光路を辿り、リング共振器が形成さ
れることになる。そしてこの光（リング光）は、グレー
ティング素子で回折する際に波長選択されるとともに、
リング共振器によってさらに高分解能で波長選択される
ので、レーザーダイオードには波長が高度に安定化され
た光がフィードバックされることになる。このように、
グレーティング素子およびリング共振器による高強度の
光フィードバック効果によって波長が安定化され、また
グレーティング素子およびリング共振器の複合共振器効
果によって波長が２重に安定化される。そこで、上記の
光フィードバックによる波長ロックが外部からの弱い戻
り光によって外れることがなくなり、戻り光ノイズの発
生が抑えられるようになる。
ザーにおいては、レーザーダイオードの前方端面から出
射した光がリング状光路を辿り、リング共振器が形成さ
れることになる。そしてこの光（リング光）は、グレー
ティング素子で回折する際に波長選択されるとともに、
リング共振器によってさらに高分解能で波長選択される
ので、レーザーダイオードには波長が高度に安定化され
た光がフィードバックされることになる。このように、
グレーティング素子およびリング共振器による高強度の
光フィードバック効果によって波長が安定化され、また
グレーティング素子およびリング共振器の複合共振器効
果によって波長が２重に安定化される。そこで、上記の
光フィードバックによる波長ロックが外部からの弱い戻
り光によって外れることがなくなり、戻り光ノイズの発
生が抑えられるようになる。
【０００９】なお上記のリング状光路に前述のアイソレ
ータが挿入されていれば、この光路を逆回りリング光が
進入することがなくなる。
ータが挿入されていれば、この光路を逆回りリング光が
進入することがなくなる。
【００１０】一方上記構成の第２の半導体レーザーにお
いては、マスターレーザーから発せられた光がグレーテ
ィング素子を介してレーザーダイオードに注入される
が、この場合もこの注入光はグレーティング素子で回折
する際に波長選択されるとともに、マスターレーザーの
外部共振器によりさらに高分解能で波長選択されるの
で、レーザーダイオードには波長が高度に安定化された
光が注入されることになる。このように、グレーティン
グ素子による光フィードバックおよびマスターレーザー
による注入同期がかけられるので、高度に波長が安定化
される。そこで、外部からの弱い戻り光によって波長ロ
ックが外れることがなくなり、戻り光ノイズの発生が抑
えられるようになる。
いては、マスターレーザーから発せられた光がグレーテ
ィング素子を介してレーザーダイオードに注入される
が、この場合もこの注入光はグレーティング素子で回折
する際に波長選択されるとともに、マスターレーザーの
外部共振器によりさらに高分解能で波長選択されるの
で、レーザーダイオードには波長が高度に安定化された
光が注入されることになる。このように、グレーティン
グ素子による光フィードバックおよびマスターレーザー
による注入同期がかけられるので、高度に波長が安定化
される。そこで、外部からの弱い戻り光によって波長ロ
ックが外れることがなくなり、戻り光ノイズの発生が抑
えられるようになる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による半
導体レーザーを示すものである。この半導体レーザーは
基本的に、テーパ状のストライプを備え進行波増幅領域
10ｃを有するレーザーダイオード10と、このレーザーダ
イオード10の後方端面10ａから出射したレーザービーム
11ａを平行光化するコリメーターレンズ12と、平行光化
された上記レーザービーム11ａを回折させてレーザーダ
イオード10に戻すグレーティング素子13とからなる。な
おレーザーダイオード10の両端面10ａ、10ｂには、無反
射コートが施されている。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による半
導体レーザーを示すものである。この半導体レーザーは
基本的に、テーパ状のストライプを備え進行波増幅領域
10ｃを有するレーザーダイオード10と、このレーザーダ
イオード10の後方端面10ａから出射したレーザービーム
11ａを平行光化するコリメーターレンズ12と、平行光化
された上記レーザービーム11ａを回折させてレーザーダ
イオード10に戻すグレーティング素子13とからなる。な
おレーザーダイオード10の両端面10ａ、10ｂには、無反
射コートが施されている。
【００１２】この構成においては、レーザーダイオード
10の前方端面10ｂとグレーティング素子13とによって半
導体レーザーの外部共振器が構成され、進行波増幅領域
10ｃによって増幅された光（レーザービーム）11ｂが前
方端面10ｂから取り出される。そしてこのレーザービー
ム11ｂは、上記外部共振器の作用で高出力のものとな
り、またグレーティング素子13の波長選択作用により、
ある特定の波長成分が特に高強度化したものとなる。
10の前方端面10ｂとグレーティング素子13とによって半
導体レーザーの外部共振器が構成され、進行波増幅領域
10ｃによって増幅された光（レーザービーム）11ｂが前
方端面10ｂから取り出される。そしてこのレーザービー
ム11ｂは、上記外部共振器の作用で高出力のものとな
り、またグレーティング素子13の波長選択作用により、
ある特定の波長成分が特に高強度化したものとなる。
【００１３】発散光状態で出射する上記レーザービーム
11ｂは、コリメーターレンズ14によって平行光化された
上で、各種用途に用いられるが、このコリメーターレン
ズ14以後の光学要素において一部が反射して、レーザー
ダイオード10に戻ることもある。このようにしてレーザ
ーダイオード10に戻り光が入射すると、それも進行波増
幅領域10ｃによって増幅されるので、戻り光ノイズが発
生しやすい。以下、この戻り光ノイズの発生を抑える構
成について説明する。
11ｂは、コリメーターレンズ14によって平行光化された
上で、各種用途に用いられるが、このコリメーターレン
ズ14以後の光学要素において一部が反射して、レーザー
ダイオード10に戻ることもある。このようにしてレーザ
ーダイオード10に戻り光が入射すると、それも進行波増
幅領域10ｃによって増幅されるので、戻り光ノイズが発
生しやすい。以下、この戻り光ノイズの発生を抑える構
成について説明する。
【００１４】コリメーターレンズ14から出射したレーザ
ービーム11ｂの光路には、例えば透過率１％程度の部分
透過ミラー15が挿入されている。この部分透過ミラー15
で分岐されたレーザービーム11ｂはミラー16で反射し、
アイソレータ17を経てもう１つのミラー18に入射し、こ
のミラー18で反射してグレーティング素子13に入射す
る。なお上記アイソレータ17は、ミラー16からミラー18
側に進行する光のみを通過させ、それと反対の方向に進
行する光は遮断する。
ービーム11ｂの光路には、例えば透過率１％程度の部分
透過ミラー15が挿入されている。この部分透過ミラー15
で分岐されたレーザービーム11ｂはミラー16で反射し、
アイソレータ17を経てもう１つのミラー18に入射し、こ
のミラー18で反射してグレーティング素子13に入射す
る。なお上記アイソレータ17は、ミラー16からミラー18
側に進行する光のみを通過させ、それと反対の方向に進
行する光は遮断する。
【００１５】上記のようにしてグレーティング素子13に
入射したレーザービーム11ｂは、このグレーティング素
子13において回折し、コリメーターレンズ12を通過して
後方端面10ａからレーザーダイオード10に戻る。つま
り、レーザーダイオード10の前方端面10ｂから出射した
レーザービーム11ｂは図中左回りのリング状光路を辿
り、このレーザービーム11ｂ用のリング共振器が構成さ
れることになる。なお図中右回りの逆回りリング光は、
前述のアイソレータ17によってカットされる。
入射したレーザービーム11ｂは、このグレーティング素
子13において回折し、コリメーターレンズ12を通過して
後方端面10ａからレーザーダイオード10に戻る。つま
り、レーザーダイオード10の前方端面10ｂから出射した
レーザービーム11ｂは図中左回りのリング状光路を辿
り、このレーザービーム11ｂ用のリング共振器が構成さ
れることになる。なお図中右回りの逆回りリング光は、
前述のアイソレータ17によってカットされる。
【００１６】リング光となった上記レーザービーム11ｂ
は、グレーティング素子13で回折する際に波長選択され
るとともに、上記リング共振器の共振器長に対応して高
分解能で波長選択されるので、レーザーダイオード10に
は高度に波長が安定化された光がフィードバックされる
ことになる。特にレーザーダイオード10への注入電流を
大きくした場合等は、レーザーダイオード10の長さに対
応したいくつかの縦モードが発生することがあるが、上
述のようにリング共振器およびグレーティング素子13の
波長選択機能を利用して、波長が安定化された光をレー
ザーダイオード10にフィードバックさせれば、レーザー
ビーム11ｂの波長が十分に安定し、単一縦モード化も可
能となる。このようになっていれば、先に述べたような
理由により、戻り光ノイズの発生が確実に抑えられる。
は、グレーティング素子13で回折する際に波長選択され
るとともに、上記リング共振器の共振器長に対応して高
分解能で波長選択されるので、レーザーダイオード10に
は高度に波長が安定化された光がフィードバックされる
ことになる。特にレーザーダイオード10への注入電流を
大きくした場合等は、レーザーダイオード10の長さに対
応したいくつかの縦モードが発生することがあるが、上
述のようにリング共振器およびグレーティング素子13の
波長選択機能を利用して、波長が安定化された光をレー
ザーダイオード10にフィードバックさせれば、レーザー
ビーム11ｂの波長が十分に安定し、単一縦モード化も可
能となる。このようになっていれば、先に述べたような
理由により、戻り光ノイズの発生が確実に抑えられる。
【００１７】次に、図２を参照して本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図２において、前記図１中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の説明は、必要の無い限り省略する。本実施例において
は、マスターレーザーとしてのレーザーダイオード20か
ら発せられたレーザービーム21がグレーティング素子13
に入射せしめられ、そこで回折して後方端面10ａからレ
ーザーダイオード10に注入される。
について説明する。なおこの図２において、前記図１中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の説明は、必要の無い限り省略する。本実施例において
は、マスターレーザーとしてのレーザーダイオード20か
ら発せられたレーザービーム21がグレーティング素子13
に入射せしめられ、そこで回折して後方端面10ａからレ
ーザーダイオード10に注入される。
【００１８】上記レーザーダイオード20は、例えばＤＢ
Ｒ、ＤＦＢレーザー等の単一縦・横モード発振するもの
であり、その前方端面20ｂから発せられた発散光状態の
レーザービーム21はコリメーターレンズ21によって平行
光化された上でグレーティング素子13に入射する。レー
ザーダイオード20の前方端面20ｂには無反射コートが施
される一方、後方端面20ａには高反射コートが施され、
それらにより一般的なレーザー共振器が構成されている
が、それに加えて、上記後方端面20ａとグレーティング
素子13とにより外部共振器が構成されている。したがっ
てレーザーダイオード20には、この外部共振器の共振器
長に対応して波長選択されたレーザービーム21がフィー
ドバックされることになり、その発振波長が高度に安定
化される。またこのレーザービーム21は、グレーティン
グ素子13で回折する際にも波長選択される。
Ｒ、ＤＦＢレーザー等の単一縦・横モード発振するもの
であり、その前方端面20ｂから発せられた発散光状態の
レーザービーム21はコリメーターレンズ21によって平行
光化された上でグレーティング素子13に入射する。レー
ザーダイオード20の前方端面20ｂには無反射コートが施
される一方、後方端面20ａには高反射コートが施され、
それらにより一般的なレーザー共振器が構成されている
が、それに加えて、上記後方端面20ａとグレーティング
素子13とにより外部共振器が構成されている。したがっ
てレーザーダイオード20には、この外部共振器の共振器
長に対応して波長選択されたレーザービーム21がフィー
ドバックされることになり、その発振波長が高度に安定
化される。またこのレーザービーム21は、グレーティン
グ素子13で回折する際にも波長選択される。
【００１９】このようにして、レーザーダイオード10に
は高度に波長安定化された単一縦・横モードのレーザー
ビーム21が注入されるので、レーザービーム11ｂの波長
が十分に安定し、単一縦モード化も可能となる。このよ
うになっていれば、先に述べたような理由により、戻り
光ノイズの発生が確実に抑えられる。またこの場合は、
レーザービーム21の注入により、レーザービーム11ｂの
高出力化も達成される。
は高度に波長安定化された単一縦・横モードのレーザー
ビーム21が注入されるので、レーザービーム11ｂの波長
が十分に安定し、単一縦モード化も可能となる。このよ
うになっていれば、先に述べたような理由により、戻り
光ノイズの発生が確実に抑えられる。またこの場合は、
レーザービーム21の注入により、レーザービーム11ｂの
高出力化も達成される。
【図１】本発明の第１実施例による半導体レーザーの側
面図
面図
【図２】本発明の第２実施例による半導体レーザーの側
面図
面図
10 レーザーダイオード 10ａ レーザーダイオードの後方端面 10ｂ レーザーダイオードの前方端面 10ｃ 進行波増幅領域 11ａ レーザービーム（後方出射光） 11ｂ レーザービーム（前方出射光） 12、14、22 コリメーターレンズ 13 グレーティング素子 15 部分透過ミラー 16、18 ミラー 17 アイソレータ 20 レーザーダイオード（マスターレーザー） 20ａ レーザーダイオードの後方端面 20ｂ レーザーダイオードの前方端面 21 レーザービーム
Claims (4)
- 【請求項１】 進行波増幅領域を有するレーザーダイオ
ードと、このレーザーダイオードの後方端面から出射し
た光を回折させて前記レーザーダイオードに戻すグレー
ティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーに
おいて、 前記レーザーダイオードの前方端面から出射した光の一
部を分岐させる手段、および、 この分岐された光を、前記グレーティング素子で回折し
て前記後方端面からレーザーダイオードに戻る向きにし
て該グレーティング素子に導く手段が設けられたことを
特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 前記分岐された光の光路に、前記レーザ
ーダイオードの後方端面から出射した光がレーザーダイ
オードの前方端面側に進行することを阻止するアイソレ
ータが挿入されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザー。 - 【請求項３】 進行波増幅領域を有するレーザーダイオ
ードと、このレーザーダイオードの後方端面から出射し
た光を回折させて前記レーザーダイオードに戻すグレー
ティング素子とからなる外部共振器型半導体レーザーに
おいて、 前記グレーティング素子を外部共振器として用いる単一
縦・横モード半導体レーザーがマスターレーザーとして
設けられ、 このマスターレーザーから発せられた光が、前記グレー
ティング素子で回折して前記後方端面から前記レーザー
ダイオードに注入されることを特徴とする半導体レーザ
ー。 - 【請求項４】 前記単一縦・横モード半導体レーザー
が、そのレーザーダイオードの前記グレーティング素子
と反対側の端面と、このグレーティング素子とによって
外部共振器を構成するものであることを特徴とする請求
項３記載の半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16776693A JPH0730203A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16776693A JPH0730203A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730203A true JPH0730203A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15855708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16776693A Withdrawn JPH0730203A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730203A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7668420B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical waveguide ring resonator with an intracavity active element |
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| CN101793997A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-08-04 | 北京航空航天大学 | 一种环形谐振腔 |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP16776693A patent/JPH0730203A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7693206B2 (en) | 2003-05-09 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser device including laser array or stack first collimator, path rotator, and an optical element |
| US8477824B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor laser apparatus having collimator lens and path rotator |
| US7668420B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical waveguide ring resonator with an intracavity active element |
| CN101793997A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-08-04 | 北京航空航天大学 | 一种环形谐振腔 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5163058A (en) | Semiconductor laser pump source | |
| US5917849A (en) | Line narrowing device with double duty grating | |
| US5386426A (en) | Narrow bandwidth laser array system | |
| US7065107B2 (en) | Spectral beam combination of broad-stripe laser diodes | |
| JP4886103B2 (ja) | 部分反射型の光学的構成要素を内蔵するレーザ源 | |
| US7123406B2 (en) | Reflective semiconductor optical amplifier light source | |
| CA2329089C (en) | Fiber grating feedback stabilization of broad area laser diode | |
| US6690709B2 (en) | Device and method for reduction of spontaneous emission from external cavity lasers | |
| US4868515A (en) | Narrow-bandwidth unstable laser resonator | |
| JPH0730203A (ja) | 半導体レーザー | |
| JP3222288B2 (ja) | 光波長変換装置 | |
| EP0911924A2 (en) | External cavity laser type light source | |
| US6407869B1 (en) | External cavity type light source | |
| JP3031976B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS60207389A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| EP0176329A3 (en) | Laser diodes | |
| CN219801490U (zh) | 一种高功率激光器 | |
| JPH11103124A (ja) | 外部共振器型光源 | |
| JPH0730183A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPS62211978A (ja) | 狭帯域発振エキシマレ−ザ | |
| JP2987644B2 (ja) | 狭帯域レーザ装置 | |
| JPH01175787A (ja) | 外部共振器型半導体レーザ装置 | |
| JP3021358B2 (ja) | リングレーザ装置 | |
| JP2005079135A (ja) | 光導波路 | |
| JPH04148578A (ja) | 短パルス発生用レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |