JPH07301558A - 焦電型赤外線検出器 - Google Patents
焦電型赤外線検出器Info
- Publication number
- JPH07301558A JPH07301558A JP11592794A JP11592794A JPH07301558A JP H07301558 A JPH07301558 A JP H07301558A JP 11592794 A JP11592794 A JP 11592794A JP 11592794 A JP11592794 A JP 11592794A JP H07301558 A JPH07301558 A JP H07301558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- electrodes
- pyroelectric body
- circuit board
- held
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ８角形の形状を有するセラミックスを素材と
した焦電体を備えた赤外線検出器を提供すること。 【構成】 ケース２内に焦電素子支持台（導電部）１８
が形成された基板８を設け、電極１７ａ，１７ｂとセラ
ミックスを素材とした焦電体１６からなる焦電素子１５
を基板８上に設けた赤外線検出器１において、焦電体１
６を８角形に形成してある。
した焦電体を備えた赤外線検出器を提供すること。 【構成】 ケース２内に焦電素子支持台（導電部）１８
が形成された基板８を設け、電極１７ａ，１７ｂとセラ
ミックスを素材とした焦電体１６からなる焦電素子１５
を基板８上に設けた赤外線検出器１において、焦電体１
６を８角形に形成してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば人体検出セン
サや自動照明装置用センサとして用いられる焦電型赤外
線検出器に関するものである。
サや自動照明装置用センサとして用いられる焦電型赤外
線検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、焦電型赤外線検出器において、
ケースとステムと呼ばれる気密端子から構成されるパッ
ケージには、小型かつ完全気密封止が可能なようにステ
ムにハーメチックシール材が多用されている。この円筒
形のパッケージ内部には回路基板と該回路基板に実装さ
れた焦電素子が設けられ、ステムによって外部との接続
を可能にしている。そして、焦電体には蒸着法やスパッ
タリング法によって形成されたエレメントパターン（電
極等）が形成され、該エレメントパターンと並列接続さ
れるゲートリーク抵抗体が回路基板上に形成され、更
に、回路基板にはエレメントパターンに接続されるイン
ピーダンス変換用のＦＥＴが実装されている。動作原理
は以下の通りである。すなわち、赤外線が焦電素子に吸
収されると、表面付近にわずかな温度変化が生じ、この
温度変化により焦電素子内部に自発分極の変化が生じ
て、電荷が焦電素子表面に過渡的に焦電流として誘起さ
れる現象（焦電効果）を利用して赤外線の検出が行われ
る。この誘起された電荷は、ゲートリーク抵抗体で受け
て電圧信号にし、ＦＥＴをソースフォロア接続すること
により、インピーダンスを変換して出力される。
ケースとステムと呼ばれる気密端子から構成されるパッ
ケージには、小型かつ完全気密封止が可能なようにステ
ムにハーメチックシール材が多用されている。この円筒
形のパッケージ内部には回路基板と該回路基板に実装さ
れた焦電素子が設けられ、ステムによって外部との接続
を可能にしている。そして、焦電体には蒸着法やスパッ
タリング法によって形成されたエレメントパターン（電
極等）が形成され、該エレメントパターンと並列接続さ
れるゲートリーク抵抗体が回路基板上に形成され、更
に、回路基板にはエレメントパターンに接続されるイン
ピーダンス変換用のＦＥＴが実装されている。動作原理
は以下の通りである。すなわち、赤外線が焦電素子に吸
収されると、表面付近にわずかな温度変化が生じ、この
温度変化により焦電素子内部に自発分極の変化が生じ
て、電荷が焦電素子表面に過渡的に焦電流として誘起さ
れる現象（焦電効果）を利用して赤外線の検出が行われ
る。この誘起された電荷は、ゲートリーク抵抗体で受け
て電圧信号にし、ＦＥＴをソースフォロア接続すること
により、インピーダンスを変換して出力される。
【０００３】従来この種の焦電型赤外線検出器の一例
は、特開昭６１−１９３０３０号公報に提案されてい
る。すなわち、この円筒形ケースは直径がわずか９ｍｍ
程度であり、該ケース内に５ｍｍ四方のアルミナセラミ
ック製の回路基板が設けられ、回路基板上に大きさ（縦
×横×厚み）が３．５ｍｍ×３ｍｍ×１６０μｍ程度の
焦電体が実装されている。そして、ケース上面には、焦
電体に形成されているエレメントパターンが望む視野に
大きさ（縦×横）が５ｍｍ×４ｍｍ程度の長方形の赤外
線透過窓が形成されている。
は、特開昭６１−１９３０３０号公報に提案されてい
る。すなわち、この円筒形ケースは直径がわずか９ｍｍ
程度であり、該ケース内に５ｍｍ四方のアルミナセラミ
ック製の回路基板が設けられ、回路基板上に大きさ（縦
×横×厚み）が３．５ｍｍ×３ｍｍ×１６０μｍ程度の
焦電体が実装されている。そして、ケース上面には、焦
電体に形成されているエレメントパターンが望む視野に
大きさ（縦×横）が５ｍｍ×４ｍｍ程度の長方形の赤外
線透過窓が形成されている。
【０００４】ところで、焦電型赤外線検出器において
は、エレメントパターンを望む視野角を一層広くするた
めに赤外線透過窓の形状を前記長方形から６角形や８角
形にしたものが提案されたり（実開平４−９４７５４号
公報）、回路基板の面積を一層広くするために回路基板
の形状を正方形から８角形に変更したものが提案された
りしている（実開平３−５７６４２号公報）。
は、エレメントパターンを望む視野角を一層広くするた
めに赤外線透過窓の形状を前記長方形から６角形や８角
形にしたものが提案されたり（実開平４−９４７５４号
公報）、回路基板の面積を一層広くするために回路基板
の形状を正方形から８角形に変更したものが提案された
りしている（実開平３−５７６４２号公報）。
【０００５】一般に、赤外線透過窓に使用されるシリコ
ン、ゲルマニウム、サファイアなどの基材をウエハから
容易に切り出すことは、半導体生産プロセスにおけるウ
エハダイシング技術で既に確立されている。また、回路
基板はその厚みが０．３ｍｍ〜１．６ｍｍが好ましいか
ら、回路基板に使用されるアルミナセラミックやガラエ
ボの基材を型抜きによる成形法を用いて容易に８角形に
加工できる。
ン、ゲルマニウム、サファイアなどの基材をウエハから
容易に切り出すことは、半導体生産プロセスにおけるウ
エハダイシング技術で既に確立されている。また、回路
基板はその厚みが０．３ｍｍ〜１．６ｍｍが好ましいか
ら、回路基板に使用されるアルミナセラミックやガラエ
ボの基材を型抜きによる成形法を用いて容易に８角形に
加工できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、回路基板と異
なり焦電体はその厚みの実用範囲が数百μｍ程度しかな
く、前記特開昭６１−１９３０３０号公報や実開平３−
５７６４２号公報、更には特開昭５９−１７１１９号公
報に開示されているような４角形以上の多角形に焦電体
の形状を成形するのは難しく、しかも８角形に代表され
る面積の大きな多角形に成形するために、赤外線透過窓
の成形に用いた上記ウエハダイシング技術では取り数に
限度がある他、割れによる歩留りが悪いから回路基板で
用いた上記型抜きによる加工手段を適用することは難し
い。更に、前記特開昭５９−１７１１９号公報には、焦
電体の形状を円板状に加工するのに、予め、ブロック状
の焦電材料を、旋盤、センタレスなどの工作機械によっ
て厚さ２００μｍ程度の円柱にスライスして加工し、さ
らに研磨により厚みを１０μｍ〜１００μｍに焦電体を
成形する方法が開示されているけれども、この加工方法
では、工数がかかると共に、コスト的に不利である。
なり焦電体はその厚みの実用範囲が数百μｍ程度しかな
く、前記特開昭６１−１９３０３０号公報や実開平３−
５７６４２号公報、更には特開昭５９−１７１１９号公
報に開示されているような４角形以上の多角形に焦電体
の形状を成形するのは難しく、しかも８角形に代表され
る面積の大きな多角形に成形するために、赤外線透過窓
の成形に用いた上記ウエハダイシング技術では取り数に
限度がある他、割れによる歩留りが悪いから回路基板で
用いた上記型抜きによる加工手段を適用することは難し
い。更に、前記特開昭５９−１７１１９号公報には、焦
電体の形状を円板状に加工するのに、予め、ブロック状
の焦電材料を、旋盤、センタレスなどの工作機械によっ
て厚さ２００μｍ程度の円柱にスライスして加工し、さ
らに研磨により厚みを１０μｍ〜１００μｍに焦電体を
成形する方法が開示されているけれども、この加工方法
では、工数がかかると共に、コスト的に不利である。
【０００７】要するに、従来の焦電型赤外線検出器にお
いては、円形や４角形（長方形）の形状を有する焦電体
は使用されていたけれども、８角形の焦電体は用いられ
ていなかった。
いては、円形や４角形（長方形）の形状を有する焦電体
は使用されていたけれども、８角形の焦電体は用いられ
ていなかった。
【０００８】この発明は、上記問題に鑑みてなしたもの
で、その目的は、８角形の形状を有するセラミックスを
素材とした焦電体を備えた赤外線検出器を提供すること
にある。
で、その目的は、８角形の形状を有するセラミックスを
素材とした焦電体を備えた赤外線検出器を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ケース内に導電部が形成された基板を
設け、電極とセラミックスを素材とした焦電体からなる
焦電素子を前記基板上に設けた焦電型赤外線検出器にお
いて、前記焦電体を８角形に形成してあることを特徴と
する焦電型赤外線検出器を提供する。
に、この発明は、ケース内に導電部が形成された基板を
設け、電極とセラミックスを素材とした焦電体からなる
焦電素子を前記基板上に設けた焦電型赤外線検出器にお
いて、前記焦電体を８角形に形成してあることを特徴と
する焦電型赤外線検出器を提供する。
【００１０】
【作用】赤外線を受光して焦電流の発生源となる焦電体
の形状を、従来の長方形から８角形にしたので、長方形
の焦電体に比して、その面積を広く活用でる。したがっ
て、電極等のエレメントの配置に自由度ができるから、
多素子化を容易に行うことができる。
の形状を、従来の長方形から８角形にしたので、長方形
の焦電体に比して、その面積を広く活用でる。したがっ
て、電極等のエレメントの配置に自由度ができるから、
多素子化を容易に行うことができる。
【００１１】また、焦電素子は支持台を介して基板の上
面に載置されているけれども、焦電体の面積が広いの
で、焦電体に配置される電極等のエレメントと支持台と
の距離を従来に比して大きく確保することができ、赤外
線による受光熱が支持台を通して基板へ散逸するのを防
止できる。したがって、バランスのとれた高感度な焦電
型赤外線検出器を得ることができる。
面に載置されているけれども、焦電体の面積が広いの
で、焦電体に配置される電極等のエレメントと支持台と
の距離を従来に比して大きく確保することができ、赤外
線による受光熱が支持台を通して基板へ散逸するのを防
止できる。したがって、バランスのとれた高感度な焦電
型赤外線検出器を得ることができる。
【００１２】更に、正方形パターンを有する保持孔を備
えた焦電体位置決め用マスクを用い、蒸着法やスパッタ
リング法によって焦電体に電極等のエレメントを形成す
るにあたり、８角形の焦電体の８つの端面の内、４つの
端面が正方形の保持孔の４辺に一致して保持されること
から、４角形以上の多角形、例えば５角形の焦電体を焦
電体位置決め用マスクで保持する場合に生じる保持孔と
の接触に比して、焦電体のずれを防止でき、所望の位置
に電極等のエレメントを形成できる。
えた焦電体位置決め用マスクを用い、蒸着法やスパッタ
リング法によって焦電体に電極等のエレメントを形成す
るにあたり、８角形の焦電体の８つの端面の内、４つの
端面が正方形の保持孔の４辺に一致して保持されること
から、４角形以上の多角形、例えば５角形の焦電体を焦
電体位置決め用マスクで保持する場合に生じる保持孔と
の接触に比して、焦電体のずれを防止でき、所望の位置
に電極等のエレメントを形成できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。なお、それによってこの発明は限定を受けるも
のではない。図１、図２において、焦電型赤外線検出器
１の金属製のケース２の上面の中心部には、例えば、矩
形の開口部３が形成されている。４はこの開口部３を閉
塞するシリコン、ゲルマニウム、サファイアなどの赤外
線透過材料からなる赤外線透過窓である。５はケース２
の下部開口を閉塞する金属製のステムであり、これには
４本のリードピン６が貫通保持されている。７は完全気
密封止が可能なようにステムに設けられたガラスハーメ
チックシール材である。
明する。なお、それによってこの発明は限定を受けるも
のではない。図１、図２において、焦電型赤外線検出器
１の金属製のケース２の上面の中心部には、例えば、矩
形の開口部３が形成されている。４はこの開口部３を閉
塞するシリコン、ゲルマニウム、サファイアなどの赤外
線透過材料からなる赤外線透過窓である。５はケース２
の下部開口を閉塞する金属製のステムであり、これには
４本のリードピン６が貫通保持されている。７は完全気
密封止が可能なようにステムに設けられたガラスハーメ
チックシール材である。
【００１４】８は、例えば、ガラス・エポキシ樹脂製の
回路基板であり、これはリードピン６の上端部に保持さ
れている。この回路基板８の上面には、例えば、銅より
なる焦電素子支持台１８の導電部が形成されている。ま
た、回路基板８の下面には、インピーダンス変換用のＦ
ＥＴ１２およびゲートリーク抵抗体（図示せず）が設け
られている。
回路基板であり、これはリードピン６の上端部に保持さ
れている。この回路基板８の上面には、例えば、銅より
なる焦電素子支持台１８の導電部が形成されている。ま
た、回路基板８の下面には、インピーダンス変換用のＦ
ＥＴ１２およびゲートリーク抵抗体（図示せず）が設け
られている。
【００１５】１５は焦電素子であり、これは、セラミッ
クを基材とした、例えば、ＰＺＴ（チタン酸・ジルコン
酸・鉛系の酸化物セラミックス）のような焦電材料から
なる（縦幅Ｌ×横幅Ｍ×厚みＮ）が５．４ｍｍ×５．４
ｍｍ×０．１ｍｍの８角形の焦電体１６と、焦電体１６
の表面・裏面（回路基板８の上面に対向する面）の所定
領域に例えばスパッタリング法によって形成された一対
の電極（エレメント）１７ａ、１７ｂ（図６、図７参
照）とから構成されている。また、焦電素子１５の裏面
電極１７ｂは導電性樹脂接着剤などによって焦電素子支
持台１８に接着・保持される構成で焦電素子１５が回路
基板８の上方に載置されている。なお、焦電素子支持台
１８は回路基板８のパターンに接続されている。
クを基材とした、例えば、ＰＺＴ（チタン酸・ジルコン
酸・鉛系の酸化物セラミックス）のような焦電材料から
なる（縦幅Ｌ×横幅Ｍ×厚みＮ）が５．４ｍｍ×５．４
ｍｍ×０．１ｍｍの８角形の焦電体１６と、焦電体１６
の表面・裏面（回路基板８の上面に対向する面）の所定
領域に例えばスパッタリング法によって形成された一対
の電極（エレメント）１７ａ、１７ｂ（図６、図７参
照）とから構成されている。また、焦電素子１５の裏面
電極１７ｂは導電性樹脂接着剤などによって焦電素子支
持台１８に接着・保持される構成で焦電素子１５が回路
基板８の上方に載置されている。なお、焦電素子支持台
１８は回路基板８のパターンに接続されている。
【００１６】以下、正方形パターンを有する保持孔を備
えた焦電体位置決め用マスクを用い、スパッタリング法
によって焦電体１６にそれぞれ一対の電極１７ａ、１７
ｂを形成する方法について簡単に説明する。図３、図４
において、電極形成用の治具は、表面電極パターン１７
Ａを形成するための表面電極形成用マスク２０と、裏面
電極パターン１７Ｂを形成するための表面電極形成用マ
スク２１と、正方形パターン２２を有する保持孔２３を
備えた焦電体位置決め用マスク２４とからなる。これら
の材料は、例えばステンレスからなる。
えた焦電体位置決め用マスクを用い、スパッタリング法
によって焦電体１６にそれぞれ一対の電極１７ａ、１７
ｂを形成する方法について簡単に説明する。図３、図４
において、電極形成用の治具は、表面電極パターン１７
Ａを形成するための表面電極形成用マスク２０と、裏面
電極パターン１７Ｂを形成するための表面電極形成用マ
スク２１と、正方形パターン２２を有する保持孔２３を
備えた焦電体位置決め用マスク２４とからなる。これら
の材料は、例えばステンレスからなる。
【００１７】そして、８角形の焦電体１６をそれぞれ保
持孔２３に載置すると、８角形の焦電体１６の８つの端
面（図５参照）Ａ〜Ｈの内、４つの端面Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇ
が正方形の保持孔２３の４辺ａ，ｂ，ｃ，ｄに一致して
保持される（図５参照）ことから、４角形以上の多角
形、例えば５角形の焦電体３０を焦電体位置決め用マス
ク２４で保持する場合に生じる保持孔２３との接触（図
８参照）に比して、焦電体１６のずれ３１を防止でき、
所望の位置に電極１７ａ、１７ｂを形成できる。
持孔２３に載置すると、８角形の焦電体１６の８つの端
面（図５参照）Ａ〜Ｈの内、４つの端面Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇ
が正方形の保持孔２３の４辺ａ，ｂ，ｃ，ｄに一致して
保持される（図５参照）ことから、４角形以上の多角
形、例えば５角形の焦電体３０を焦電体位置決め用マス
ク２４で保持する場合に生じる保持孔２３との接触（図
８参照）に比して、焦電体１６のずれ３１を防止でき、
所望の位置に電極１７ａ、１７ｂを形成できる。
【００１８】この実施例のものは上記構成を有するか
ら、赤外線を受光して焦電流の発生源となる焦電体の形
状を、従来の長方形から８角形にしたので、長方形の焦
電体に比して、その面積を広く活用でる。したがって、
電極１７ａ、１７ｂの配置に自由度ができるから、多素
子化を容易に行うことができる。
ら、赤外線を受光して焦電流の発生源となる焦電体の形
状を、従来の長方形から８角形にしたので、長方形の焦
電体に比して、その面積を広く活用でる。したがって、
電極１７ａ、１７ｂの配置に自由度ができるから、多素
子化を容易に行うことができる。
【００１９】また、焦電素子１５は導電性の支持台１８
を介して回路基板８の上面に載置されているけれども、
焦電体１６の面積が広いので、焦電体１６に配置される
電極１７ａ、１７ｂと支持台１８との距離を従来に比し
て大きく確保することができ、赤外線による受光熱が支
持台１８を通して回路基板８へ散逸するのを防止でき
る。したがって、バランスのとれた高感度な焦電型赤外
線検出器を得ることができる。
を介して回路基板８の上面に載置されているけれども、
焦電体１６の面積が広いので、焦電体１６に配置される
電極１７ａ、１７ｂと支持台１８との距離を従来に比し
て大きく確保することができ、赤外線による受光熱が支
持台１８を通して回路基板８へ散逸するのを防止でき
る。したがって、バランスのとれた高感度な焦電型赤外
線検出器を得ることができる。
【００２０】なお、本実施例において、（縦幅Ｌ×横幅
Ｍ×厚みＮ）が５．４ｍｍ×５．４ｍｍ×０．１ｍｍの
８角形の焦電体１６を加工するには、例えば、５０ｍｍ
×３０ｍｍ×１５ｍｍのブロック状のＰＺＴを母材とし
て、６．５ｍｍ×６．５ｍｍ×１５ｍｍの角柱を複数得
る。続いて、角柱の正方形断面の４隅をそれぞれに面取
りを施すことにより８角柱の焦電体を得る。その後、厚
みの方向にスライスして必要に応じて研磨処理を施すこ
とにより５．４ｍｍ×５．４ｍｍ×０．１ｍｍの８角形
の焦電体１６を容易に得ることができる。
Ｍ×厚みＮ）が５．４ｍｍ×５．４ｍｍ×０．１ｍｍの
８角形の焦電体１６を加工するには、例えば、５０ｍｍ
×３０ｍｍ×１５ｍｍのブロック状のＰＺＴを母材とし
て、６．５ｍｍ×６．５ｍｍ×１５ｍｍの角柱を複数得
る。続いて、角柱の正方形断面の４隅をそれぞれに面取
りを施すことにより８角柱の焦電体を得る。その後、厚
みの方向にスライスして必要に応じて研磨処理を施すこ
とにより５．４ｍｍ×５．４ｍｍ×０．１ｍｍの８角形
の焦電体１６を容易に得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のようにこの発明では、 赤外線を
受光して焦電流の発生源となる焦電体の形状を、従来の
長方形から８角形にしたので、長方形の焦電体に比し
て、その面積を広く活用でる。したがって、電極等のエ
レメントの配置に自由度ができるから、多素子化を容易
に行うことができる。
受光して焦電流の発生源となる焦電体の形状を、従来の
長方形から８角形にしたので、長方形の焦電体に比し
て、その面積を広く活用でる。したがって、電極等のエ
レメントの配置に自由度ができるから、多素子化を容易
に行うことができる。
【００２２】また、焦電素子は支持台を介して基板の上
面に載置されているけれども、焦電体の面積が広いの
で、焦電体に配置される電極等のエレメントと支持台と
の距離を従来に比して大きく確保することができ、赤外
線による受光熱が支持台を通して基板へ散逸するのを防
止できる。したがって、バランスのとれた高感度な焦電
型赤外線検出器を得ることができる。
面に載置されているけれども、焦電体の面積が広いの
で、焦電体に配置される電極等のエレメントと支持台と
の距離を従来に比して大きく確保することができ、赤外
線による受光熱が支持台を通して基板へ散逸するのを防
止できる。したがって、バランスのとれた高感度な焦電
型赤外線検出器を得ることができる。
【００２３】更に、正方形パターンを有する保持孔を備
えた焦電体位置決め用マスクを用い、蒸着法やスパッタ
リング法によって焦電体に電極等のエレメントを形成す
るにあたり、８角形の焦電体の８つの端面の内、４つの
端面が正方形の保持孔の４辺に一致して保持されること
から、４角形以上の多角形、例えば５角形の焦電体を焦
電体位置決め用マスクで保持する場合に生じる保持孔と
の接触に比して、焦電体のずれを防止でき、所望の位置
に電極等のエレメントを形成できる。
えた焦電体位置決め用マスクを用い、蒸着法やスパッタ
リング法によって焦電体に電極等のエレメントを形成す
るにあたり、８角形の焦電体の８つの端面の内、４つの
端面が正方形の保持孔の４辺に一致して保持されること
から、４角形以上の多角形、例えば５角形の焦電体を焦
電体位置決め用マスクで保持する場合に生じる保持孔と
の接触に比して、焦電体のずれを防止でき、所望の位置
に電極等のエレメントを形成できる。
【図１】この発明の一実施例を示す分解斜視図である。
【図２】上記実施例における構成説明図である。
【図３】上記実施例で使用する電極形成用の治具を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図４】上記実施例で使用する電極形成用の治具を示す
構成説明図である。
構成説明図である。
【図５】上記実施例における焦電体を電極形成用の治具
で保持する保持状態を示す構成説明図である。
で保持する保持状態を示す構成説明図である。
【図６】上記実施例における焦電体の表面に形成される
電極パターンの一例を示す構成説明図である。
電極パターンの一例を示す構成説明図である。
【図７】上記実施例における焦電体の裏面に形成される
電極パターンの一例を示す構成説明図である。
電極パターンの一例を示す構成説明図である。
【図８】５角形の焦電体を電極形成用の治具で保持する
保持状態を示す構成説明図である。
保持状態を示す構成説明図である。
１…焦電型赤外線検出器、２…ケース、８…回路基板、
１５…焦電素子、１６…８角形のセラミックスを素材と
した焦電体、１７ａ，１７ｂ…焦電素子の電極、１８…
焦電素子支持台（導電部）。
１５…焦電素子、１６…８角形のセラミックスを素材と
した焦電体、１７ａ，１７ｂ…焦電素子の電極、１８…
焦電素子支持台（導電部）。
Claims (1)
- 【請求項１】 ケース内に導電部が形成された基板を設
け、電極とセラミックスを素材とした焦電体からなる焦
電素子を前記基板上に設けた焦電型赤外線検出器におい
て、前記焦電体を８角形に形成してあることを特徴とす
る焦電型赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11592794A JPH07301558A (ja) | 1994-05-04 | 1994-05-04 | 焦電型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11592794A JPH07301558A (ja) | 1994-05-04 | 1994-05-04 | 焦電型赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301558A true JPH07301558A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14674641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11592794A Pending JPH07301558A (ja) | 1994-05-04 | 1994-05-04 | 焦電型赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07301558A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11237279A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電型赤外線検知素子 |
| JP2016156782A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社島津製作所 | 焦電型赤外線検出器 |
-
1994
- 1994-05-04 JP JP11592794A patent/JPH07301558A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11237279A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電型赤外線検知素子 |
| JP2016156782A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社島津製作所 | 焦電型赤外線検出器 |
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