JPH0730131A - 受光素子アレイモジュール - Google Patents
受光素子アレイモジュールInfo
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- JPH0730131A JPH0730131A JP5154002A JP15400293A JPH0730131A JP H0730131 A JPH0730131 A JP H0730131A JP 5154002 A JP5154002 A JP 5154002A JP 15400293 A JP15400293 A JP 15400293A JP H0730131 A JPH0730131 A JP H0730131A
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- light receiving
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバアレイに光結合する受光素子アレ
イモジュールに関し、光ファイバアレイとの光結合度が
高いことを目的とする。 【構成】 パッケージ底板に搭載するキャリア10と、逆
バイアスが印加されるよう共通電極上に実装される受光
素子アレイ１と、パッケージ底板に一体に固着形成され
る金属ベース20と、金属ベース20上に密着して搭載され
る回路基板30と、回路基板30上に搭載されるアンプ集積
回路80と、回路基板30の表面に形成した電極用グランド
導体膜36と、電極用グランド導体膜に並列して回路基板
30の表面に形成したアンプ用グランド導体膜37と、上端
面がアンプ用グランド導体膜37に接続し下端部が金属ベ
ース20に接続する端子27と、金属ベース20の孔18に嵌入
固着した絶縁筒の軸心を貫通し上端面が電極用グランド
導体膜に接続し、下端部がパッケージ底板側に突出する
導体ピンからなる端子体50とを備えた構成とする。
イモジュールに関し、光ファイバアレイとの光結合度が
高いことを目的とする。 【構成】 パッケージ底板に搭載するキャリア10と、逆
バイアスが印加されるよう共通電極上に実装される受光
素子アレイ１と、パッケージ底板に一体に固着形成され
る金属ベース20と、金属ベース20上に密着して搭載され
る回路基板30と、回路基板30上に搭載されるアンプ集積
回路80と、回路基板30の表面に形成した電極用グランド
導体膜36と、電極用グランド導体膜に並列して回路基板
30の表面に形成したアンプ用グランド導体膜37と、上端
面がアンプ用グランド導体膜37に接続し下端部が金属ベ
ース20に接続する端子27と、金属ベース20の孔18に嵌入
固着した絶縁筒の軸心を貫通し上端面が電極用グランド
導体膜に接続し、下端部がパッケージ底板側に突出する
導体ピンからなる端子体50とを備えた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバアレイに光
結合して用いる受光素子アレイモジュールに関する。
結合して用いる受光素子アレイモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来例の一部破断斜視図である。
図において、１は、所望数の受光素子1-1 が横一列に配
列して、逆バイアスが印加され、光ファイバアレイ60に
光結合する受光素子アレイである。
図において、１は、所望数の受光素子1-1 が横一列に配
列して、逆バイアスが印加され、光ファイバアレイ60に
光結合する受光素子アレイである。
【０００３】受光素子アレイ１は、表面側に個々の受光
素子1-1 の受光面を取り囲むように電極が配列形成さ
れ、裏面の全面にカソード電極膜が形成されている。15
は、パッケージ底板15-1と、ガラスが封着した窓16を有
する前側壁及び他の３側壁を有し、上部開口を蓋で封止
する浅い箱形のパッケージである。
素子1-1 の受光面を取り囲むように電極が配列形成さ
れ、裏面の全面にカソード電極膜が形成されている。15
は、パッケージ底板15-1と、ガラスが封着した窓16を有
する前側壁及び他の３側壁を有し、上部開口を蓋で封止
する浅い箱形のパッケージである。
【０００４】10は、前側面が窓16に対向するよう、パッ
ケージ底板15-1に固着された左右方向に長いほぼ直方体
状のセラミックス等よりなるキャリアである。キャリア
10の上側面には、受光素子1-1 数に等しい本数の平行す
る出力パターン11が形成され、出力パターン11に平行し
て上面の端部に他の共通パターン5aが形成されている。
ケージ底板15-1に固着された左右方向に長いほぼ直方体
状のセラミックス等よりなるキャリアである。キャリア
10の上側面には、受光素子1-1 数に等しい本数の平行す
る出力パターン11が形成され、出力パターン11に平行し
て上面の端部に他の共通パターン5aが形成されている。
【０００５】また、キャリア10の前側面のほぼ全面に共
通電極５が形成され、この共通電極５上に受光素子アレ
イ１が実装されている。そして、この共通電極５に共通
パターン5aの前部が接続している。
通電極５が形成され、この共通電極５上に受光素子アレ
イ１が実装されている。そして、この共通電極５に共通
パターン5aの前部が接続している。
【０００６】20は、キャリア10の後方でパッケージ底板
15-1に一体に固着形成された金属ベースである。30は、
前部表面に受光素子1-1 数に等しい並列パターン31が形
成され、後部表面に並列して個別出力パターン35が形成
された回路基板である。
15-1に一体に固着形成された金属ベースである。30は、
前部表面に受光素子1-1 数に等しい並列パターン31が形
成され、後部表面に並列して個別出力パターン35が形成
された回路基板である。
【０００７】回路基板30は、それぞれの個別出力パター
ン35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するように
金属ベース20上に密着して搭載されている。この回路基
板30の表面で共通パターン5aに対応する位置に、角形の
グランド導体膜39が形成され、このグランド導体膜39は
回路基板30の側面及び底面に延伸していて、金属ベース
20に電気的に導通している。
ン35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するように
金属ベース20上に密着して搭載されている。この回路基
板30の表面で共通パターン5aに対応する位置に、角形の
グランド導体膜39が形成され、このグランド導体膜39は
回路基板30の側面及び底面に延伸していて、金属ベース
20に電気的に導通している。
【０００８】また、個別出力パターン35の前端部と並列
パターン31の後端部との間の領域に左右方向に長い矩形
状の共通電極パターン81が形成され、この共通電極パタ
ーン81の一端は、Ｌ形に屈曲して個別出力パターン35に
平行し回路基板30の後端部に導出されている。
パターン31の後端部との間の領域に左右方向に長い矩形
状の共通電極パターン81が形成され、この共通電極パタ
ーン81の一端は、Ｌ形に屈曲して個別出力パターン35に
平行し回路基板30の後端部に導出されている。
【０００９】80は、個々の受光素子1-1 の光電流を増幅
すべく、個別出力パターン35と並列パターン31の間の共
通電極パターン81上に実装されたアンプ集積回路であ
る。アンプ集積回路80の入力側電極は、ボンデングワイ
ヤを介してそれぞれの並列パターン31の後端部に接続さ
れ、並列パターン31の前端部はボンデングワイヤを介し
て出力パターン11に接続されている。
すべく、個別出力パターン35と並列パターン31の間の共
通電極パターン81上に実装されたアンプ集積回路であ
る。アンプ集積回路80の入力側電極は、ボンデングワイ
ヤを介してそれぞれの並列パターン31の後端部に接続さ
れ、並列パターン31の前端部はボンデングワイヤを介し
て出力パターン11に接続されている。
【００１０】アンプ集積回路80の出力側電極は、ボンデ
ングワイヤを介して個別出力パターン35の前端部に接続
されている。また、グランド導体膜39はボンデングワイ
ヤを介してキャリア10の共通パターン5aに接続され、さ
らにまたグランド導体膜39は他のボンデングワイヤを介
してアンプ集積回路80の表面のグランド電極に接続され
ている。
ングワイヤを介して個別出力パターン35の前端部に接続
されている。また、グランド導体膜39はボンデングワイ
ヤを介してキャリア10の共通パターン5aに接続され、さ
らにまたグランド導体膜39は他のボンデングワイヤを介
してアンプ集積回路80の表面のグランド電極に接続され
ている。
【００１１】一方、共通電極パターン81の後端部とパッ
ケージ底板15-1との間に、バイアス電源６を挿入してい
る。上述の受光素子アレイモジュールは、図４に図示し
たように、光ファイバアレイ60と受光素子アレイ１との
光軸を一致させた後に、光ファイバアレイ60のそれぞれ
の光ファイバ60-1から光信号を出射させると、受光素子
1-1 により光・電変換され光電流が発生し、その光電流
はアンプ集積回路80により増幅され、図４のに図示した
ようにＨ（一定の高電圧）電圧部とＬ（一定の低電圧）
電圧部とからなる矩形波電圧として、個別出力パターン
35から取り出される。
ケージ底板15-1との間に、バイアス電源６を挿入してい
る。上述の受光素子アレイモジュールは、図４に図示し
たように、光ファイバアレイ60と受光素子アレイ１との
光軸を一致させた後に、光ファイバアレイ60のそれぞれ
の光ファイバ60-1から光信号を出射させると、受光素子
1-1 により光・電変換され光電流が発生し、その光電流
はアンプ集積回路80により増幅され、図４のに図示した
ようにＨ（一定の高電圧）電圧部とＬ（一定の低電圧）
電圧部とからなる矩形波電圧として、個別出力パターン
35から取り出される。
【００１２】なお、光軸調整時には、図２及び図４に図
示したように、個別出力パターン35とパッケージ15との
間に電圧計９を挿入し、Ｈ電圧となるように光ファイバ
アレイ60側をＸ軸，Ｙ軸方向に位置調整を行なうもので
ある。
示したように、個別出力パターン35とパッケージ15との
間に電圧計９を挿入し、Ｈ電圧となるように光ファイバ
アレイ60側をＸ軸，Ｙ軸方向に位置調整を行なうもので
ある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】アンプ集積回路を備え
ていない受光素子アレイモジュールは、図３に図示した
ように光軸調整時に、共通電極５接続したバイアス電源
６の陰極と受光素子1-1の電極４との間に電流計７を接
続する。
ていない受光素子アレイモジュールは、図３に図示した
ように光軸調整時に、共通電極５接続したバイアス電源
６の陰極と受光素子1-1の電極４との間に電流計７を接
続する。
【００１４】そして、光ファイバアレイ（即ち光ファイ
バ60-1）をＸ軸，Ｙ軸方向に微細に移動すると、その光
電流は、図３のに図示したように山形に変化する。した
がって、山形の最大値の位置で光ファイバアレイの位置
を固定するものである。
バ60-1）をＸ軸，Ｙ軸方向に微細に移動すると、その光
電流は、図３のに図示したように山形に変化する。した
がって、山形の最大値の位置で光ファイバアレイの位置
を固定するものである。
【００１５】この光電流が最大値の位置が、受光素子と
光ファイバとの結合度が最高な状態であることは勿論で
ある。ところで前述のように受光素子アレイとアンプ集
積回路がパッケージ内に収容された従来の受光素子アレ
イモジュールは、パッケージの外で計測し得る光電圧
は、図４に図示したようにＨ電圧部とＬ電圧部とからな
る矩形状に変化する。
光ファイバとの結合度が最高な状態であることは勿論で
ある。ところで前述のように受光素子アレイとアンプ集
積回路がパッケージ内に収容された従来の受光素子アレ
イモジュールは、パッケージの外で計測し得る光電圧
は、図４に図示したようにＨ電圧部とＬ電圧部とからな
る矩形状に変化する。
【００１６】したがって、矩形のＨ電圧部の位置で光フ
ァイバアレイを固定しても、その位置が光結合度が最高
の位置とは限らない。即ち、従来の受光素子アレイモジ
ュールは光ファイバアレイの光軸調整が困難で、これに
伴い光結合度が低いという恐れがあった。
ァイバアレイを固定しても、その位置が光結合度が最高
の位置とは限らない。即ち、従来の受光素子アレイモジ
ュールは光ファイバアレイの光軸調整が困難で、これに
伴い光結合度が低いという恐れがあった。
【００１７】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、光ファイバアレイとの光結合度が高い受光素子
アレイモジュールを提供することを目的としている。
もので、光ファイバアレイとの光結合度が高い受光素子
アレイモジュールを提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に例示したように、前側面に共通電
極５を有し上側面に配列した出力パターン11を有する、
パッケージ底板15-1に搭載されるキャリア10と、光ファ
イバアレイ60に光結合すべく、逆バイアスが印加される
よう共通電極５上に実装される受光素子アレイ１と、キ
ャリア10の後方でパッケージ底板15-1に一体に固着形成
される金属ベース20とを有する。
めに本発明は、図１に例示したように、前側面に共通電
極５を有し上側面に配列した出力パターン11を有する、
パッケージ底板15-1に搭載されるキャリア10と、光ファ
イバアレイ60に光結合すべく、逆バイアスが印加される
よう共通電極５上に実装される受光素子アレイ１と、キ
ャリア10の後方でパッケージ底板15-1に一体に固着形成
される金属ベース20とを有する。
【００１９】さらに、並列して形成された個別出力パタ
ーン35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するよう
金属ベース20上に密着して搭載される回路基板30と、回
路基板30上に搭載され入力側電極が出力パターン11を介
して受光素子アレイ１の対応する電極に接続され、出力
側電極が対応する個別出力パターン35の前端部に接続さ
れる、個々の受光素子1-1 の光電流を増幅するアンプ集
積回路80と、ボンデングワィヤを介して共通電極５に接
続すべく回路基板30の表面に形成した電極用グランド導
体膜36と、他のボンデングワィヤを介してアンプ集積回
路80のグランド電極に接続すべく電極用グランド導体膜
36に並列して回路基板30の表面に形成さるアンプ用グラ
ンド導体膜37とを備える。
ーン35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するよう
金属ベース20上に密着して搭載される回路基板30と、回
路基板30上に搭載され入力側電極が出力パターン11を介
して受光素子アレイ１の対応する電極に接続され、出力
側電極が対応する個別出力パターン35の前端部に接続さ
れる、個々の受光素子1-1 の光電流を増幅するアンプ集
積回路80と、ボンデングワィヤを介して共通電極５に接
続すべく回路基板30の表面に形成した電極用グランド導
体膜36と、他のボンデングワィヤを介してアンプ集積回
路80のグランド電極に接続すべく電極用グランド導体膜
36に並列して回路基板30の表面に形成さるアンプ用グラ
ンド導体膜37とを備える。
【００２０】さらに、回路基板30を貫通して設けられ、
上端面がアンプ用グランド導体膜37に接続し下端部が金
属ベース20に接続する端子27と、金属ベース20の孔18に
嵌入固着する絶縁筒52及び絶縁筒52の軸心を貫通し上端
面が電極用グランド導体膜36に接続し、下端部がパッケ
ージ底板15-1側に突出する導体ピン51からなる端子体50
とを備える。
上端面がアンプ用グランド導体膜37に接続し下端部が金
属ベース20に接続する端子27と、金属ベース20の孔18に
嵌入固着する絶縁筒52及び絶縁筒52の軸心を貫通し上端
面が電極用グランド導体膜36に接続し、下端部がパッケ
ージ底板15-1側に突出する導体ピン51からなる端子体50
とを備える。
【００２１】そして、光ファイバアレイ60との光軸調整
時には端子体50の導体ピン51の下端部に電流計７が接続
され、光軸調整終了後は孔18の下部に導体剤が充填され
て、導体ピン51と金属ベース20とが接続される構成とす
る。
時には端子体50の導体ピン51の下端部に電流計７が接続
され、光軸調整終了後は孔18の下部に導体剤が充填され
て、導体ピン51と金属ベース20とが接続される構成とす
る。
【００２２】
【作用】本発明は、導体ピンの上端面が電極用グランド
導体膜を介して受光素子アレイの共通電極に接続される
端子体を設け、端子体を介して受光素子の共通電極がパ
ッケージに接続されるように構成されている。
導体膜を介して受光素子アレイの共通電極に接続される
端子体を設け、端子体を介して受光素子の共通電極がパ
ッケージに接続されるように構成されている。
【００２３】よって、受光素子アレイと光ファイバアレ
イとの光軸調整時に、端子体の導体ピンとパッケージ間
に電流計を挿入することで、図３(B) に図示したような
光ファイバアレイを移動調整すると光電流は山形に変化
する。
イとの光軸調整時に、端子体の導体ピンとパッケージ間
に電流計を挿入することで、図３(B) に図示したような
光ファイバアレイを移動調整すると光電流は山形に変化
する。
【００２４】したがって、この山形の山頂部になるよう
に、光ファイバアレイを位置調整することで、受光素子
アレイと光ファイバアレイとの光結合度が最高となる。
また、光軸調整実施後に、孔18の下部に例えば半田のよ
うな導体剤を充填することで、受光素子アレイの共通電
極とパッケージとの接続回路が構成されるので、受光素
子アレイモジュールの使用に何ら支障がない。
に、光ファイバアレイを位置調整することで、受光素子
アレイと光ファイバアレイとの光結合度が最高となる。
また、光軸調整実施後に、孔18の下部に例えば半田のよ
うな導体剤を充填することで、受光素子アレイの共通電
極とパッケージとの接続回路が構成されるので、受光素
子アレイモジュールの使用に何ら支障がない。
【００２５】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００２６】図１は、本発明の実施例の一部破断斜視図
である。図１に図示したように、所望数の受光素子1-1
が横一列に配列して、逆バイアスが印加された受光素子
アレイ１は、表面側に個々の受光素子1-1 の受光面を取
り囲むように電極が配列形成され、裏面の全面にカソー
ド電極膜が形成されている。
である。図１に図示したように、所望数の受光素子1-1
が横一列に配列して、逆バイアスが印加された受光素子
アレイ１は、表面側に個々の受光素子1-1 の受光面を取
り囲むように電極が配列形成され、裏面の全面にカソー
ド電極膜が形成されている。
【００２７】左右方向に長いほぼ直方体状のセラミック
ス等よりなるキャリア10を、前側面が窓16に対向するよ
うにパッケージ底板15-1に固着し、このキャリア10の上
側面に、受光素子1-1 数に等しい本数の平行する出力パ
ターン11を形成し、出力パターン11に平行して上面の端
部に他の共通パターン5aが形成している。
ス等よりなるキャリア10を、前側面が窓16に対向するよ
うにパッケージ底板15-1に固着し、このキャリア10の上
側面に、受光素子1-1 数に等しい本数の平行する出力パ
ターン11を形成し、出力パターン11に平行して上面の端
部に他の共通パターン5aが形成している。
【００２８】また、キャリア10の前側面のほぼ全面に共
通電極５を形成し、この共通電極５と共通パターン5aの
前部とを接続している。キャリア10のこの共通電極５上
に受光素子アレイ１が実装され、受光素子1-1の個々の
電極はボンデングワイヤを関して対応する出力パターン
11に接続されている。
通電極５を形成し、この共通電極５と共通パターン5aの
前部とを接続している。キャリア10のこの共通電極５上
に受光素子アレイ１が実装され、受光素子1-1の個々の
電極はボンデングワイヤを関して対応する出力パターン
11に接続されている。
【００２９】光ファイバアレイ60は、図示省略したベー
ス基板上で窓16を介して受光素子アレイ１に対向する位
置に装着されるようになっている。キャリア10の後方で
パッケージ底板15-1に一体に金属ベース20を固着形成
し、この金属ベース20上にそれぞれの個別出力パターン
35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するように回
路基板30を密着して搭載している。
ス基板上で窓16を介して受光素子アレイ１に対向する位
置に装着されるようになっている。キャリア10の後方で
パッケージ底板15-1に一体に金属ベース20を固着形成
し、この金属ベース20上にそれぞれの個別出力パターン
35の後端部が、パッケージ15の後方に突出するように回
路基板30を密着して搭載している。
【００３０】回路基板30は、前部表面に受光素子1-1 数
に等しい並列パターン31が形成され、後部表面に並列し
て個別出力パターン35が形成されており、個別出力パタ
ーン35の前端部と並列パターン31の後端部との間の領域
に左右方向に長い矩形状の共通電極パターン81が形成さ
れ、この共通電極パターン81の一端は、Ｌ形に屈曲して
個別出力パターン35に平行し回路基板30の後端部に導出
されている。
に等しい並列パターン31が形成され、後部表面に並列し
て個別出力パターン35が形成されており、個別出力パタ
ーン35の前端部と並列パターン31の後端部との間の領域
に左右方向に長い矩形状の共通電極パターン81が形成さ
れ、この共通電極パターン81の一端は、Ｌ形に屈曲して
個別出力パターン35に平行し回路基板30の後端部に導出
されている。
【００３１】個々の受光素子1-1 の光電流を増幅するア
ンプ集積回路80は、個別出力パターン35と並列パターン
31の間の共通電極パターン81上に実装されている。アン
プ集積回路80の入力側電極は、ボンデングワイヤを介し
てそれぞれの並列パターン31の後端部に接続され、並列
パターン31の前端部はボンデングワイヤを介して出力パ
ターン11に接続されている。
ンプ集積回路80は、個別出力パターン35と並列パターン
31の間の共通電極パターン81上に実装されている。アン
プ集積回路80の入力側電極は、ボンデングワイヤを介し
てそれぞれの並列パターン31の後端部に接続され、並列
パターン31の前端部はボンデングワイヤを介して出力パ
ターン11に接続されている。
【００３２】アンプ集積回路80の出力側電極は、ボンデ
ングワイヤを介して個別出力パターン35の前端部に接続
されている。一方、共通電極パターン81の後端部とパッ
ケージ底板15-1との間に、バイアス電源６を挿入してい
る。
ングワイヤを介して個別出力パターン35の前端部に接続
されている。一方、共通電極パターン81の後端部とパッ
ケージ底板15-1との間に、バイアス電源６を挿入してい
る。
【００３３】上述までの構成は従来の受光素子アレイモ
ジュールと同じであるが、本発明は下記のことが従来と
異なる。36は、キャリア10の共通パターン5aに対応する
回路基板30の表面に形成された角形の電極用グランド導
体膜である。電極用グランド導体膜36と共通パターン5a
とはボンデングワイヤを介して接続されている。
ジュールと同じであるが、本発明は下記のことが従来と
異なる。36は、キャリア10の共通パターン5aに対応する
回路基板30の表面に形成された角形の電極用グランド導
体膜である。電極用グランド導体膜36と共通パターン5a
とはボンデングワイヤを介して接続されている。
【００３４】37は、電極用グランド導体膜36に平行し
て、回路基板30上に形成された角形のアンプ用グランド
導体膜である。アンプ用グランド導体膜37は、ボンデン
グワイヤを介してアンプ集積回路80の表面のグランド電
極に接続されている。
て、回路基板30上に形成された角形のアンプ用グランド
導体膜である。アンプ用グランド導体膜37は、ボンデン
グワイヤを介してアンプ集積回路80の表面のグランド電
極に接続されている。
【００３５】27は、回路基板30を貫通し、上端面がアン
プ用グランド導体膜37に半田付け等されて接続した丸棒
形の端子である。回路基板30の下面から突出した端子27
の下先端部は、金属ベース20の孔に圧入されている。
プ用グランド導体膜37に半田付け等されて接続した丸棒
形の端子である。回路基板30の下面から突出した端子27
の下先端部は、金属ベース20の孔に圧入されている。
【００３６】したがって、アンプ用グランド導体膜37は
端子27及び金属ベース20を介してパッケージ15に接続し
ている。50は、長さが金属ベース20の厚さにほぼ等しい
かそれよりも短い円筒形の絶縁筒52と、絶縁筒52の中空
孔を貫通する銅系金属よりなる導体ピン51と、からなる
端子体である。
端子27及び金属ベース20を介してパッケージ15に接続し
ている。50は、長さが金属ベース20の厚さにほぼ等しい
かそれよりも短い円筒形の絶縁筒52と、絶縁筒52の中空
孔を貫通する銅系金属よりなる導体ピン51と、からなる
端子体である。
【００３７】回路基板30の電極用グランド導体膜36の下
方に、導体ピン51が貫通する孔を設けて、さらに金属ベ
ース20及びパッケージ底板15-1には、前述の孔に同心で
絶縁筒52が圧入される孔18を設けてある。
方に、導体ピン51が貫通する孔を設けて、さらに金属ベ
ース20及びパッケージ底板15-1には、前述の孔に同心で
絶縁筒52が圧入される孔18を設けてある。
【００３８】端子体50は、絶縁筒52がこの孔18に圧入
し、導体ピン51の上部が回路基板30の孔を貫通し、その
上端面は半田付け等されて電極用グランド導体膜36に接
続されている。
し、導体ピン51の上部が回路基板30の孔を貫通し、その
上端面は半田付け等されて電極用グランド導体膜36に接
続されている。
【００３９】なお、絶縁筒52の下方に突出した導体ピン
51の下先端部と孔18の内壁との間には、半田等を流し込
む空間がある。上述のように構成された受光素子アレイ
モジュールと光ファイバアレイ60との光軸調整を行なう
には、まず端子体50の導体ピン51の下先端とパッケージ
底板15-1間に電流計７を挿入する。
51の下先端部と孔18の内壁との間には、半田等を流し込
む空間がある。上述のように構成された受光素子アレイ
モジュールと光ファイバアレイ60との光軸調整を行なう
には、まず端子体50の導体ピン51の下先端とパッケージ
底板15-1間に電流計７を挿入する。
【００４０】そして光ファイバアレイ60の出射端面を窓
16に十分に近づけ、それぞれの光ファイバ60-1を対応す
る受光素子1-1 に位置合わせする。そして、電流計７を
見ながら図３に図示したように光ファイバアレイ60側を
Ｘ軸，Ｙ軸方向に微細に移動する。そして、電流計７に
より光電流を計測してその最大値の位置で光ファイバア
レイ60を、ベース基板等に固着するものとする。
16に十分に近づけ、それぞれの光ファイバ60-1を対応す
る受光素子1-1 に位置合わせする。そして、電流計７を
見ながら図３に図示したように光ファイバアレイ60側を
Ｘ軸，Ｙ軸方向に微細に移動する。そして、電流計７に
より光電流を計測してその最大値の位置で光ファイバア
レイ60を、ベース基板等に固着するものとする。
【００４１】そして、光軸調整実施後に、孔18の下部に
例えば半田のような導体剤を充填して導体ピン51と金属
ベース20（即ちパッケージ15）とを接続する。このよう
に孔18に導電剤を充填することで、パッケージ15，導体
ピン51，電極用グランド導体膜36，ボンデングワイヤ，
共通パターン5a，共通電極５，受光素子アレイ１のカソ
ード電極の回路が構成されるので、受光素子アレイ１に
バイアス電圧が印加される。
例えば半田のような導体剤を充填して導体ピン51と金属
ベース20（即ちパッケージ15）とを接続する。このよう
に孔18に導電剤を充填することで、パッケージ15，導体
ピン51，電極用グランド導体膜36，ボンデングワイヤ，
共通パターン5a，共通電極５，受光素子アレイ１のカソ
ード電極の回路が構成されるので、受光素子アレイ１に
バイアス電圧が印加される。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アンプ集
積回路と受光素子アレイとがパッケージ内に封止された
受光素子アレイモジュールにおいて、パッケージのパッ
ケージ底板部分に端子体を設け、受光素子アレイの共通
電極側に光電流を計測する電流計を接続できるようにし
たもので、受光素子アレイと光ファイバアレイとの光軸
合わせを容易に且つ高精度に実施することができ、光結
合度が向上するという効果を有する。
積回路と受光素子アレイとがパッケージ内に封止された
受光素子アレイモジュールにおいて、パッケージのパッ
ケージ底板部分に端子体を設け、受光素子アレイの共通
電極側に光電流を計測する電流計を接続できるようにし
たもので、受光素子アレイと光ファイバアレイとの光軸
合わせを容易に且つ高精度に実施することができ、光結
合度が向上するという効果を有する。
【図１】 本発明の実施例の一部破断斜視図
【図２】 従来例の一部破断斜視図
【図３】 受光素子モジュールの光軸調整を説明する図
で (A) は構成図 (B) は光電流を示す図
で (A) は構成図 (B) は光電流を示す図
【図４】 他の受光素子モジュールの光軸調整を説明す
る図で (A) は構成図 (B) は光電圧を示す図
る図で (A) は構成図 (B) は光電圧を示す図
１ 受光素子アレイ 1-1 受光
素子 2,10 キャリア ３ 受光
面 ４ 電極 ５ 共通
電極 ６ バイアス電源 ７ 電流計 ８ アンプ
回路 ９ 電圧計 15 パッケ
ージ 15-1 パッケージ底板 16 窓 18 孔 11 出力パ
ターン 20 金属ベース 27 端子 30 回路基板 31 並列パ
ターン 35 個別出力パターン 36 電極用
グランド導体膜 37 アンプ用グランド導体膜 39 グラン
ド導体膜 50 端子体 51 導体ピ
ン 52 絶縁筒 60 光ファ
イバアレイ 60-1 光ファイバ 80 アンプ
集積回路 81 共通電極パターン
素子 2,10 キャリア ３ 受光
面 ４ 電極 ５ 共通
電極 ６ バイアス電源 ７ 電流計 ８ アンプ
回路 ９ 電圧計 15 パッケ
ージ 15-1 パッケージ底板 16 窓 18 孔 11 出力パ
ターン 20 金属ベース 27 端子 30 回路基板 31 並列パ
ターン 35 個別出力パターン 36 電極用
グランド導体膜 37 アンプ用グランド導体膜 39 グラン
ド導体膜 50 端子体 51 導体ピ
ン 52 絶縁筒 60 光ファ
イバアレイ 60-1 光ファイバ 80 アンプ
集積回路 81 共通電極パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小畑 美豊 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 岸田 俊哉 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 前側面に共通電極(5) を有し上側面に配
列した出力パターン(11)を有する、パッケージ底板に搭
載するキャリア(10)と、 光ファイバアレイ(60)に光結合すべく、逆バイアスが印
加されるよう該共通電極(5) 上に実装される受光素子ア
レイ(1) と、 該キャリア(10)の後方で該パッケージ底板に一体に固着
形成される金属ベース(20)上に密着して搭載され、表面
に並列して形成した個別出力パターン(35)の後端部が、
パッケージ(15)の後方に突出する回路基板(30)と、 該受光素子アレイ(1) の個々の受光素子の光電流を増幅
すべく、該回路基板(30)上に搭載されるアンプ集積回路
(80)と、 ボンデングワィヤを介して該共通電極(5) に接続すべ
く、該回路基板(30)の表面に形成した電極用グランド導
体膜(36)と、 他のボンデングワィヤを介して該アンプ集積回路(80)の
グランド電極に接続すべく、該電極用グランド導体膜(3
6)に並列して該回路基板(30)の表面に形成したアンプ用
グランド導体膜(37)と、 該回路基板(30)を貫通して設けられ、上端面が該アンプ
用グランド導体膜(37)に接続され、下端部が該金属ベー
ス(20)に接続された端子(27)と、 該金属ベース(20)の孔(18)に絶縁筒(52)が嵌入固着さ
れ、該絶縁筒(52)の軸心を貫通する導体ピン(51)の上端
面が該電極用グランド導体膜(36)に接続し、該導体ピン
(51)の下端部が該パッケージ底板側に突出する端子体(5
0)とを備え、 該端子体(50)は、該光ファイバアレイ(60)との光軸調整
時に、下端部が該導体ピン(51)の下部が電流計(7) に接
続されるものであり、光軸調整終了後は、該孔(18)の下
部に充填された導体剤を介して、該導体ピン(51)と該金
属ベース(20)とが接続されるものであることを特徴とす
る受光素子アレイモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154002A JPH0730131A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 受光素子アレイモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154002A JPH0730131A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 受光素子アレイモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730131A true JPH0730131A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15574772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154002A Withdrawn JPH0730131A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 受光素子アレイモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068592A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光デバイス |
| JP2007027507A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sony Corp | 光モジュール |
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154002A patent/JPH0730131A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
| WO2004068592A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光デバイス |
| US7287915B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| JP2007027507A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sony Corp | 光モジュール |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |