JPH0730047A - Lead frame of semiconductor device, and equipment and method for manufacturing same - Google Patents
Lead frame of semiconductor device, and equipment and method for manufacturing sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のリードフ
レーム並びにその製造装置及び方法に関し、特に、半導
体装置のリードフレームにおけるリードバンプの構造の
改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame of a semiconductor device, and an apparatus and method for manufacturing the same, and more particularly to improvement of a lead bump structure in a lead frame of a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路（以下ＩＣと呼
ぶ）の組立では、ワイヤーボンディングに代って、ワイ
ヤレスボンディング、特に、テープオートメイティッド
ボンディング（ＴＡＢ）が注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, in the assembly of semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as IC), wireless bonding, particularly tape automated bonding (TAB), has been attracting attention instead of wire bonding.
【０００３】図６に、ＴＡＢ方式のボンディングで採用
される一般的なリードフレームの平面図を示す。同図に
おいて、リードフレームは、絶縁フィルム４の１コマ毎
にその１組が配置されて、全体としてフィルムキャリア
テープとして形成される。絶縁フィルム４は、ポリイミ
ド膜又はポリエステル膜から形成され、搬送及び位置決
め用のスプロケットホール１と、組立て時に半導体チッ
プ６が配置されるデバイスホール３とを有し、半導体チ
ップ６に接続される多数のリード２をその表面に支持す
る。リード２は、その製作時において、絶縁フィルム４
上に接着した金属箔からエッチング処理により形成され
る。FIG. 6 is a plan view of a general lead frame used in TAB bonding. In the figure, the lead frame is arranged as a set for each frame of the insulating film 4, and is formed as a film carrier tape as a whole. The insulating film 4 is formed of a polyimide film or a polyester film, has a sprocket hole 1 for carrying and positioning, and a device hole 3 in which a semiconductor chip 6 is arranged at the time of assembly, and is connected to the semiconductor chip 6. The lead 2 is supported on its surface. The lead 2 has an insulating film 4 when it is manufactured.
It is formed by etching from a metal foil adhered on top.
【０００４】図７は、図６のリードフレームの部分詳細
を示すもので、半導体チップとリード（インナーリー
ド）との接続部分の断面図である。半導体チップ６の主
面には、電極パッド５が形成されており、インナーリー
ド２ｂと電極パッド５とは、突起電極（バンプ）７ａを
介して接続される。ＴＡＢ方式によるボンディングの特
徴としては、このように、半導体チップ６の電極パッド
５とフィルムキャリアテープのリード２ｂとの間にバン
プ７ａを設ける必要のあることが挙げられる。従来は、
同図に示したように、リード２ｂの先端部分に例えばＡ
ｕから成るバンプ７ａを接合していた。しかし、Ａｕバ
ンプの形成には多くの工程が必要なため、より簡素な工
程でバンプを設けるための種々の手法が提案されてい
る。FIG. 7 shows the details of the lead frame shown in FIG. 6, and is a cross-sectional view of the connecting portion between the semiconductor chip and the leads (inner leads). Electrode pads 5 are formed on the main surface of the semiconductor chip 6, and the inner leads 2b and the electrode pads 5 are connected via bump electrodes (bumps) 7a. As a characteristic of the bonding by the TAB method, it is necessary to provide the bump 7a between the electrode pad 5 of the semiconductor chip 6 and the lead 2b of the film carrier tape as described above. conventionally,
As shown in the figure, for example, A
The bump 7a made of u was bonded. However, since many steps are required to form the Au bumps, various methods for providing the bumps by simpler steps have been proposed.
【０００５】図８は提案された１つの形態のバンプの形
状を、図９はそのバンプを形成する様子を夫々示してい
る。インナーリード２ｃの先端部分の近傍に、プレス型
１０ａによってプレス成形を施してネック８ａを形成す
る。これにより、ネック８ａよりも先端のリード部分
を、ネック８ａよりも相対的に電極パッド５側に突出す
るバンプ７ｂとして構成し、この相対的に突出するバン
プ７ｂを電極パッド５にボンディングする。FIG. 8 shows the shape of a proposed bump, and FIG. 9 shows how the bump is formed. A neck 8a is formed in the vicinity of the tip portion of the inner lead 2c by press molding with a press die 10a. As a result, the lead portion at the tip of the neck 8a is formed as the bump 7b protruding relatively to the electrode pad 5 side from the neck 8a, and the bump 7b relatively protruding is bonded to the electrode pad 5.
【０００６】上記手法によると、リード本体にプレス加
工を施すのみでバンプが形成されるので、従来のＡｕ接
合のバンプの場合に必要であったメッキ工程、或いは他
の手法の場合に必要なエッチング工程が不要なため、バ
ンプの形成が安価に行われる利点がある。なお、プレス
型により成形されるバンプを、本明細書の以下の記述で
は特にメサバンプと呼ぶ。従来のメサバンプは、例えば
特開昭６３−２２８６３４号公報に記載されている。According to the above method, the bumps are formed only by pressing the lead body. Therefore, the plating process required for the conventional Au-bonded bumps or the etching required for other methods is performed. Since the process is unnecessary, there is an advantage that the bumps can be formed at low cost. It should be noted that the bump formed by the press die is particularly referred to as a mesa bump in the following description of this specification. The conventional mesa bump is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-228634.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】メサバンプは、従前の
突起形状のバンプに比してその製作コストが低い利点が
あるものの、その表面がフラットな構造のために、例え
ばアルミニウムから成る電極パッドとの接合の際に、そ
の表面に形成される酸化膜を破壊してアルミニウムの新
生面と直接に接合することが困難であり、そのため、ボ
ンディング部分で機械的及び電気的な信頼性に欠けると
いう問題がある。Although the mesa bump has an advantage that the manufacturing cost thereof is lower than that of the bump having a conventional projection shape, the mesa bump has a flat surface structure, and therefore, the mesa bump has a structure with an electrode pad made of, for example, aluminum. During bonding, it is difficult to destroy the oxide film formed on the surface and directly bond to the new surface of aluminum, so that there is a problem that mechanical and electrical reliability is lacking at the bonding portion. .
【０００８】また、メサバンプは、プレス型によってネ
ックを形成することで相対的な突出部として形成される
構造のため、その高さは元のリード本体の厚み以上には
なり得ない。バンプとリード本体との厚みに差がないこ
とから、ボンディング工程の際にバンプが変形すると、
半導体チップのエッヂ部分とリード本体とが接触して配
線ショートを生ずるおそれがある。Further, since the mesa bump is formed as a relative projecting portion by forming a neck by a press die, its height cannot exceed the thickness of the original lead body. Since there is no difference in thickness between the bump and the lead body, if the bump is deformed during the bonding process,
The edge portion of the semiconductor chip may come into contact with the lead body to cause a wiring short circuit.
【０００９】上記の如く、従来のメサバンプは、信頼性
の高いボンディングを得ることが困難なため、現在のと
ころ、半導体装置のリードフレームでは、メサバンプは
殆ど採用されていないのが実情である。As described above, since it is difficult to obtain reliable bonding with the conventional mesa bumps, at present, most of the mesa bumps are not used in the lead frame of the semiconductor device.
【００１０】本発明は、上記従来のメサバンプを有する
半導体装置のリードフレームの実情に鑑み、信頼性の高
いボンディングが可能な、改良されたメサバンプを有す
る半導体装置のリードフレーム、並びにその製造装置及
び方法を提供し、もって半導体装置のリードフレームの
コスト低減を図ることを目的とする。In view of the actual situation of the conventional lead frame of a semiconductor device having a mesa bump, the present invention provides a lead frame of a semiconductor device having an improved mesa bump capable of highly reliable bonding, and a manufacturing apparatus and method thereof. And to reduce the cost of the lead frame of the semiconductor device.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置のリードフレームは、リード本
体と該リード本体の所定部分に形成されたリードバンプ
とを備える半導体装置のリードフレームにおいて、前記
リードバンプが、前記リード本体のプレス加工により形
成された、前記リード本体の厚み方向に該リード本体よ
りも突出するテーパー状の突起として形成されることを
特徴とする。In order to achieve the above object, a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is a lead frame for a semiconductor device comprising a lead body and lead bumps formed at predetermined portions of the lead body. The lead bump is formed as a tapered protrusion formed by pressing the lead body and protruding in the thickness direction of the lead body from the lead body.
【００１２】また、本発明のリードフレームの製造装置
は、リード本体の所定部分にリードバンプを形成するた
めのプレス型を備えるリードフレームの製造装置におい
て、前記プレス型が、押圧方向に突出する縁部と、該縁
部に囲まれ中心方向に向かってテーパー状に後退する凹
部とを有することを特徴とする。The lead frame manufacturing apparatus of the present invention is a lead frame manufacturing apparatus including a press die for forming a lead bump on a predetermined portion of a lead body, wherein the press die has an edge protruding in a pressing direction. And a concave portion that is surrounded by the edge portion and recedes in a tapered shape toward the center.
【００１３】更に、本発明のリードフレームの製造方法
は、リード本体と該リード本体の所定部分に形成された
リードバンプとを備えるリードフレームの製造方法にお
いて、前記リード本体の所定部分をプレス成形すること
により、前記リードバンプを、前記リード本体の厚み方
向に該リード本体よりも突出するテーパー状の突起とし
て形成することを特徴とする。Furthermore, the lead frame manufacturing method of the present invention is a lead frame manufacturing method comprising a lead body and lead bumps formed on predetermined portions of the lead body, wherein predetermined portions of the lead body are press-molded. As a result, the lead bump is formed as a taper-shaped protrusion protruding from the lead body in the thickness direction of the lead body.
【００１４】[0014]
【作用】本発明のリードフレームでは、プレス成形によ
り、リード本体の所定部分にリード本体よりも突出する
テーパー状の突起としてリードバンプを形成するので、
その形成工程が簡素であると共に、リードバンプを電極
パッドにボンディングする際に、電極パッドに突起が直
接に接触するので、電極パッドの酸化膜等に起因する接
触不良を防止することが容易であり、また、そのボンデ
ィングの際にリード本体等に変形が生じても、半導体チ
ップのエッヂ部分とリード本体とが接触するおそれが小
さい。In the lead frame of the present invention, the lead bump is formed as a taper-shaped projection protruding from the lead body at a predetermined portion of the lead body by press molding.
The forming process is simple, and when the lead bump is bonded to the electrode pad, the projection directly contacts the electrode pad, so that it is easy to prevent the contact failure due to the oxide film of the electrode pad or the like. Further, even if the lead body or the like is deformed during the bonding, the edge portion of the semiconductor chip and the lead body are less likely to come into contact with each other.
【００１５】本発明のリードフレームの製造装置では、
押圧方向に突出する縁部と、この縁部に囲まれ中心方向
に向かってテーパー状に後退する凹部とを有するプレス
型を有するので、このプレス型でリード本体をプレス成
形してリードバンプを形成すると、得られるリードバン
プは、リード本体の厚み方向にリード本体よりも突出す
る突起として形成されるので、前記利点を有する本発明
のリードフレームが得られる。In the lead frame manufacturing apparatus of the present invention,
Since there is a press die having an edge portion protruding in the pressing direction and a concave portion surrounded by the edge portion and receding in a taper shape toward the center direction, the lead body is press-formed by this press die to form a lead bump. Then, the obtained lead bump is formed as a protrusion protruding from the lead body in the thickness direction of the lead body, so that the lead frame of the present invention having the above advantages can be obtained.
【００１６】また、本発明のリードフレームの製造方法
によると、同様に、前記利点を有するリードフレームが
製造できる。According to the lead frame manufacturing method of the present invention, a lead frame having the above advantages can be manufactured in the same manner.
【００１７】[0017]
【実施例】図面を参照して本発明を更に詳しく説明す
る。図１は、本発明の一実施例のリードフレームの要部
構造を示す断面図である。なお、本発明のリードフレー
ムの全体構成は、図６を参照して説明したリードフレー
ムと同様の構成を有しており、重複を避けるためその詳
細な説明を省略する。The present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a main part of a lead frame according to an embodiment of the present invention. The overall structure of the lead frame of the present invention has the same structure as the lead frame described with reference to FIG. 6, and detailed description thereof is omitted to avoid duplication.
【００１８】図１に示したように、この実施例のリード
フレームでは、インナーリードの先端部には、リード本
体２ａと一体のリードバンプ７が、リード本体２ａの所
定部分を押圧するプレス成形により形成され、バンプ７
の近傍がリード本体２ａよりも薄いネック部分８として
形成される。バンプ７は、リード本体２ａの厚み方向に
リード本体２ａよりも突出する突起構造を有する。As shown in FIG. 1, in the lead frame of this embodiment, a lead bump 7 integral with the lead body 2a is formed at the tip of the inner lead by press molding for pressing a predetermined portion of the lead body 2a. Formed, bump 7
Is formed as a neck portion 8 thinner than the lead body 2a. The bump 7 has a protruding structure that projects more than the lead body 2a in the thickness direction of the lead body 2a.
【００１９】リードバンプ７が突起構造を有するので、
リードバンプ７と電極パッド５とがボンディングされる
際に、この突起７によりアルミニウムから成る電極パッ
ド５に形成される酸化膜を破ることで、電極パッド５の
新生面を出すことが容易である。従って、信頼性の高い
電気的及び機械的接続が得られる。また、リードバンプ
７がリード本体２ａよりもその厚み方向に突出する突起
形状を有するので、半導体チップ６のエッヂとリード本
体２ａとが接触する可能性は充分に低い。Since the lead bump 7 has a protruding structure,
When the lead bump 7 and the electrode pad 5 are bonded to each other, the oxide film formed on the electrode pad 5 made of aluminum is broken by the protrusion 7 so that a new surface of the electrode pad 5 can be easily formed. Therefore, reliable electrical and mechanical connections are obtained. Further, since the lead bump 7 has a protrusion shape that protrudes in the thickness direction of the lead body 2a, the possibility that the edge of the semiconductor chip 6 and the lead body 2a contact each other is sufficiently low.
【００２０】図２（ａ）及び（ｂ）は夫々、上記実施例
のリードフレームにおけるバンプを形成するためのプレ
ス型を成すシングルポイントツールを示し、同図（ａ）
はその中心を通る断面図、同図（ｂ）はその断面から見
た斜視図である。プレス型１０は、全体として、その押
圧方向と直交方向の断面が円形を有する円錐台の形状を
有する。プレス型１０のプレス面を成す下面には、押圧
方向に最も突出する位置に在る環状の縁部１１と、この
縁部１１の半径方向内側に位置するすりばち状の凹部１
２と、凹部１２の中心部に位置する空気抜き穴１３とが
形成されている。FIGS. 2A and 2B respectively show a press-type single-point tool for forming bumps in the lead frame of the above embodiment, and FIG.
Is a cross-sectional view passing through the center, and FIG. 6B is a perspective view seen from the cross-section. The press die 10 has the shape of a truncated cone having a circular cross section in the direction orthogonal to the pressing direction as a whole. On the lower surface forming the pressing surface of the press die 10, an annular edge portion 11 located at the most protruding position in the pressing direction and a recessed portion 1 in the shape of a serpentine located radially inside the edge portion 11 are formed.
2 and an air vent hole 13 located at the center of the recess 12.
【００２１】縁部１１は、全体として緩やかな傾斜の環
状の凸部を形成している。すりばち状の凹部１２は、環
状の縁部１１に連続して形成され、より急勾配の斜面を
形成して縁部１２から後退している。凹部１２には、プ
レス成形時におけるリード材料との摩擦係数を小さく
し、且つ、プレス型の摩耗を抑えるためにテフロン又は
ボロンナイトライド等から成るコーティングを施しても
よい。The edge portion 11 forms an annular convex portion having a gentle slope as a whole. The brim-shaped recess 12 is formed continuously with the annular edge 11, forms a steeper slope, and recedes from the edge 12. The recess 12 may be coated with Teflon, boron nitride, or the like in order to reduce the coefficient of friction with the lead material during press molding and suppress wear of the press die.
【００２２】図２（ｃ）は、上記プレス型の変形例を示
す図２（ｂ）と同様な図である。同図のプレス型は、そ
の押圧方向と直交方向の断面が略４角形状であり、プレ
ス面を成す下面には、緩やかな凸部を成す略平行な２つ
の縁部１１ａと、２つの縁部１１ａに挟まれて該縁部に
連続する、より急勾配の凹部１２ａと、中心の空気抜き
穴１３ａとが形成されている。この構造を有するプレス
型は、より幅の広いリード本体及び電極パッドに適合
し、リード本体の幅方向に長いリードバンプを形成す
る。FIG. 2 (c) is a view similar to FIG. 2 (b) showing a modified example of the press die. The press die shown in the figure has a substantially quadrangular cross section in a direction orthogonal to the pressing direction, and the lower surface forming the pressing surface has two substantially parallel edge portions 11a forming a gentle convex portion and two edge portions. A steeper concave portion 12a sandwiched by the portion 11a and continuous to the edge portion, and a central air vent hole 13a are formed. The press die having this structure is suitable for a wider lead body and electrode pad, and forms a lead bump long in the width direction of the lead body.
【００２３】図３（ａ）〜（ｃ）は夫々、上記シングル
ポイントツールによりプレス成形する際の原理を示す工
程順の断面図である。同図（ａ）において、リード本体
２ａはステージ９上に固定され、このリード本体２ａに
向かってシングルポイントツール１０が下降してリード
本体２ａをプレスする。ツール１０の下面がリード本体
２ａを押圧し始めると、ツール１０のプレス面の形状の
ために、リード本体２ａを構成するリード材料が、ツー
ル１０の縁部１１から凹部を成す中心部に向かって押し
やられる。3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views in the order of steps showing the principle of press molding with the single point tool. In FIG. 3A, the lead body 2a is fixed on the stage 9, and the single point tool 10 descends toward the lead body 2a to press the lead body 2a. When the lower surface of the tool 10 starts to press the lead body 2a, due to the shape of the pressing surface of the tool 10, the lead material forming the lead body 2a moves from the edge 11 of the tool 10 toward the center of the concave portion. Be pushed away.
【００２４】更にツール１０が下降すると、リード材料
は、その行き先を失ってすりばち状の凹部１２表面に沿
って上へ押し上げられる（同図（ｂ））。このとき、空
気抜き穴１３は、すりばち状の凹部１２に閉じ込められ
た空気を排出することで、リード材料の盛り上がりを補
助する。かくて、ツール１０によって排除されたリード
材料は、その体積に相当する盛り上がり部分を有する突
起状のバンプ７として形成される。このため、バンプ７
はリード本体２ａの厚み方向に該リード本体２ａよりも
寸法Ｌだけ突出する（同図（ｃ））。When the tool 10 is further lowered, the lead material loses its destination and is pushed up along the surface of the recess 12 in the shape of a slit (FIG. 2 (b)). At this time, the air vent hole 13 assists the swelling of the lead material by discharging the air trapped in the recess 12 having the shape of a skirt. Thus, the lead material removed by the tool 10 is formed as a bump 7 having a raised portion corresponding to its volume. Therefore, bump 7
Protrudes by a dimension L from the lead body 2a in the thickness direction of the lead body 2a (FIG. 7C).
【００２５】図２（ａ）及び（ｂ）に示したプレス型に
より、厚みが３５μmで幅が５５μmのリード本体に、上
記方法により、リードバンプを実際に形成したところ、
縁部での押圧により形成されたネック８の厚みが１５〜
２０μmで、突起７の盛り上がり寸法Ｌとして約１０〜
１５μmのリードバンプが形成されたリードを製造する
ことが出来た。When lead bumps were actually formed by the above method on a lead body having a thickness of 35 μm and a width of 55 μm by the press die shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b),
The thickness of the neck 8 formed by pressing at the edge is 15 to
20 μm, the protrusion size L of the protrusion 7 is about 10
It was possible to manufacture a lead on which a 15 μm lead bump was formed.
【００２６】プレス加工時の効率を考慮すると、プレス
型の横断面が前記の如く円形であることが好ましいが、
４角形でも相当の効果がある。また、プレス型のすりば
ち面は、滑らかな曲面とすることが好ましく、コーティ
ング等を施すことが良好である。更に、プレス加工を容
易にするために、そのプレス加工中に、超音波振動の印
加、或いはプレス型の加熱等を併用してもよい。Considering the efficiency at the time of press working, it is preferable that the cross section of the press die is circular as described above.
Even a quadrilateral has a considerable effect. In addition, it is preferable that the press-type sill surface has a smooth curved surface, and it is preferable to apply a coating or the like. Further, in order to facilitate the press working, application of ultrasonic vibration or heating of the press die may be used together during the press working.
【００２７】図４は、シングルポイント方式のプレス加
工により突起を形成する本発明の実施例のリードフレー
ムの製造方法を示すための断面図である。フィルムキャ
リアテープを、ポリイミド膜４がリード本体２ａの上に
なるようにステージ９に固定する。固定の方法として
は、真空吸着或いはクランパー方式等が採用される。シ
ングルポイントツール１０を制御するコンピュータは、
リード位置を認識してリード本体２ａの任意の点にツー
ルを下降させて、リード本体１本毎に突起７を１つ形成
する。リード本体２ａの塑性変形を容易にするために、
平面ステージ９に熱を加えることも好ましい態様であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention in which a protrusion is formed by a single point press working. The film carrier tape is fixed to the stage 9 so that the polyimide film 4 is on the lead body 2a. As a fixing method, a vacuum suction method or a clamper method is adopted. The computer that controls the single point tool 10
The lead position is recognized and the tool is lowered to an arbitrary point on the lead body 2a to form one protrusion 7 for each lead body. In order to facilitate the plastic deformation of the lead body 2a,
It is also a preferable embodiment to apply heat to the flat stage 9.
【００２８】図５は、図４に示した方法の変形例であ
る。この方法は、インナーリード２ａがポリイミド膜４
に形成されたデバイスホール３内に突出しておらず、半
導体チップが、リード本体２ａのポリイミド膜４と接着
された面と反対側の面に接続される型式のフィルキャリ
アテープの場合に採用される。ポリイミド膜４がリード
本体２ａの下側となるように、平面ステージ９上にフィ
ルムキャリアテープを固定して、リード本体２ａに対し
てプレス型により突起７を形成する。FIG. 5 is a modification of the method shown in FIG. In this method, the inner lead 2a is made of the polyimide film 4
It is adopted in the case of a type of fill carrier tape in which the semiconductor chip does not project into the device hole 3 formed in the above and is connected to the surface of the lead body 2a opposite to the surface bonded to the polyimide film 4. . A film carrier tape is fixed on the flat stage 9 so that the polyimide film 4 is on the lower side of the lead body 2a, and the projection 7 is formed on the lead body 2a by a press die.
【００２９】上記シングルポイント方式のプレス加工に
よるバンプの形成は、既存のシングルポイント方式のイ
ンナーリードボンディング装置を僅かに改造して行うこ
とが出来るので、特に新しい設備を必要とすることな
く、簡素な設備により簡素な工程でバンプ形成が可能で
ある。この場合、バンプの形成及びその電極パッドとの
接続を同種類の設備を使用して連続的に行うことも出来
る。The formation of bumps by the above-mentioned single-point type press working can be carried out by slightly modifying the existing single-point type inner lead bonding apparatus, so that no new equipment is required and the method is simple. Bumps can be formed by a simple process using equipment. In this case, the bump formation and the connection with the electrode pad can be continuously performed using the same kind of equipment.
【００３０】なお、上記実施例のリードフレーム並びに
その製造装置及び方法では、本発明の好適な例を示した
が、本発明の半導体装置のリードフレーム、その製造装
置及び方法は、上記実施例のリードフレーム並びにその
製造装置及び方法から種々の修正及び変形が可能であ
り、特に上記実施例の構成にのみ限定されるものではな
い。例えば、プレス加工は、シングルポイント方式のも
のに限られず、ＧＡＮＧ方式を採用して、多数のリード
本体に対して同時プレス加工をおこなってバンプを形成
することも出来る。Although the lead frame of the above embodiment and the manufacturing apparatus and method thereof are shown as preferred examples of the present invention, the lead frame of the semiconductor device of the present invention and the manufacturing apparatus and method thereof are the same as those of the above embodiment. Various modifications and variations can be made from the lead frame and the manufacturing apparatus and method thereof, and are not particularly limited to the configuration of the above embodiment. For example, the press working is not limited to the single point method, and the GANG method may be adopted to simultaneously press the many lead bodies to form bumps.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置のリードフレームによると、簡素な工程で形成される
バンプによって、半導体チップのエッヂとリード本体と
の接触の防止が図られると共に、電極パッドとリードバ
ンプとの接続において電気的及び機械的信頼性が向上す
るので、信頼性が高い半導体装置を安価に製造できると
いう顕著な効果を奏する。As described above, according to the lead frame of the semiconductor device of the present invention, the bumps formed in a simple process prevent contact between the edge of the semiconductor chip and the lead body, and the electrode is formed. Since the electrical and mechanical reliability is improved in the connection between the pad and the lead bump, there is a remarkable effect that a highly reliable semiconductor device can be manufactured at low cost.
【００３２】また、本発明の半導体装置のリードフレー
ムの製造装置及び方法によると、上記利点を有するリー
ドフレームを製造できる。According to the apparatus and method for manufacturing a lead frame of a semiconductor device of the present invention, a lead frame having the above advantages can be manufactured.
【図１】本発明の一実施例の半導体装置のリードフレー
ムの構成を示す要部断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts showing the configuration of a lead frame of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｃ）は夫々、本発明の一実施例及び
変形例のリードフレームの製造装置におけるプレス型の
形状を示す断面図及びその斜視図。2A to 2C are a cross-sectional view and a perspective view showing a shape of a press die in a lead frame manufacturing apparatus according to an embodiment and a modified example of the present invention, respectively.
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示したリードバンプ
を形成する方法の原理を示す断面図。3A to 3C are cross-sectional views showing the principle of the method of forming the lead bump shown in FIG.
【図４】図１のリードバンプを形成するための、本発明
の一実施例のリードフレームの製造方法を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the lead frame of the embodiment of the present invention for forming the lead bump of FIG.
【図５】図４の方法の変形例を示す断面図。5 is a cross-sectional view showing a modified example of the method of FIG.
【図６】本発明及び従来のリードフレームの全体構成を
示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing the overall configurations of the present invention and a conventional lead frame.
【図７】従来のＡｕバンプを有するリードフレームの接
続部分を示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a connection portion of a lead frame having a conventional Au bump.
【図８】従来のメサバンプを有するリードフレームの接
続部分を示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a connection portion of a lead frame having a conventional mesa bump.
【図９】従来のメサバンプを形成する方法を示す断面
図。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a conventional method for forming a mesa bump.
１ スプロケットホール ２ リード ２ａ、２ｂ、２ｃ リード本体 ３ デバイスホール ４ 絶縁フィルム（ポリイミド膜） ５ 電極パッド ６ 半導体チップ ７、７ａ、７ｂ リードバンプ ８、８ａ ネック ９ ステージ １０ シングルポイントツール １１ 縁部 １２ 凹部 １３ 空気抜き穴 1 Sprocket Hole 2 Lead 2a, 2b, 2c Lead Body 3 Device Hole 4 Insulating Film (Polyimide Film) 5 Electrode Pad 6 Semiconductor Chip 7, 7a, 7b Lead Bump 8, 8a Neck 9 Stage 10 Single Point Tool 11 Edge 12 Recess 13 Air vent hole
Claims (6)
形成されたリードバンプとを備える半導体装置のリード
フレームにおいて、 前記リードバンプが、前記リード本体のプレス加工によ
り形成された、前記リード本体の厚み方向に該リード本
体よりも突出するテーパー状の突起として形成されるこ
とを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame of a semiconductor device comprising a lead body and a lead bump formed in a predetermined portion of the lead body, wherein the lead bump is formed by pressing the lead body. A lead frame, which is formed as a taper-shaped projection protruding in the thickness direction from the lead body.
形成するためのプレス型を備えるリードフレームの製造
装置において、 前記プレス型が、押圧方向に突出する縁部と、該縁部に
囲まれ中心方向に向かってテーパー状に後退する凹部と
を有することを特徴とするリードフレームの製造装置。2. A lead frame manufacturing apparatus including a press die for forming a lead bump on a predetermined portion of a lead body, wherein the press die has an edge protruding in a pressing direction and a center surrounded by the edge. An apparatus for manufacturing a lead frame, comprising: a concave portion that recedes in a tapered shape in a direction.
されることを特徴とする請求項２に記載のリードフレー
ムの製造装置。3. The lead frame manufacturing apparatus according to claim 2, wherein a coating film is formed on at least the surface of the recess.
ライドから選択される材料で形成されることを特徴とす
る請求項３に記載のリードフレームの製造装置。4. The lead frame manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the coating film is formed of a material selected from Teflon and boron nitride.
成されることを特徴とする請求項２乃至４の一に記載の
リードフレームの製造装置。5. The lead frame manufacturing apparatus according to claim 2, wherein an air vent hole is formed near the center of the recess.
形成されたリードバンプとを備えるリードフレームの製
造方法において、 前記リード本体の所定部分をプレス成形することによ
り、前記リードバンプを、前記リード本体の厚み方向に
該リード本体よりも突出するテーパー状の突起として形
成することを特徴とするリードフレームの製造方法。6. A method of manufacturing a lead frame comprising a lead body and a lead bump formed on a predetermined portion of the lead body, wherein the lead bump is formed on the lead bump by press-molding the predetermined portion of the lead body. A method of manufacturing a lead frame, which is characterized in that the lead frame is formed as a taper-shaped projection that protrudes in the thickness direction of the main body.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173020A JP2590691B2 (en) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | Lead frame for semiconductor device and apparatus and method for manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730047A true JPH0730047A (en) | 1995-01-31 |
| JP2590691B2 JP2590691B2 (en) | 1997-03-12 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005153014A (en) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Amada Co Ltd | Projecting part forming method, and die used for the same |
| JP2006186229A (en) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame and semiconductor apparatus using the same |
| JP2007116080A (en) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Dowa Holdings Co Ltd | Heat radiation plate for semiconductor substrate having projection |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03198934A (en) * | 1989-12-26 | 1991-08-30 | Orient Watch Co Ltd | Manufacturing device of metallic lead having bump |
| JPH03290937A (en) * | 1989-12-29 | 1991-12-20 | Orient Watch Co Ltd | Bumped metallic lead and its manufacture |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5173020A patent/JP2590691B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP2590691B2 (en) | 1997-03-12 |
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