JPH07226475A - Semiconductor device, its manufacturing method and lead frame - Google Patents

Semiconductor device, its manufacturing method and lead frame

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JPH07226475A
JPH07226475A JP6017550A JP1755094A JPH07226475A JP H07226475 A JPH07226475 A JP H07226475A JP 6017550 A JP6017550 A JP 6017550A JP 1755094 A JP1755094 A JP 1755094A JP H07226475 A JPH07226475 A JP H07226475A
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resin
protrusion
mold
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Abstract

PURPOSE:To enable the package process to be performed without fail in a simple manufacturing steps while cutting down the product cost in relation to the semiconductor device wherein the connecting part connecting to an outer terminal is formed on a package bottom surface and manufacturing method as well as lead frame. CONSTITUTION:In the semiconductor device formed of a resin package 13 where a semiconductor chip 11, lead part 12 connecting to this semiconductor chip 11 are internally installed as well as a connecting part 20 comprising a part of the lead part 12 and the exposed surface 20a respectively exposed to the outer part and outer surface 13a of the resin package 13 to be flush, a protrusion 21 protruding outward from the outer surface 13a is integrally formed with the connecting part 20.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法及びリードフレームに係り、特にパッケージ底面に
外部端子と接続される接続部が形成された半導体装置及
びその製造方法及びリードフレームに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a lead frame, and more particularly, to a semiconductor device having a connection portion connected to an external terminal on the bottom surface of a package, a method of manufacturing the same, and a lead frame.

【0002】近年の電子機器の小型化,高速化,更には
高機能化に伴い、それらに用いられる半導体装置につい
ても同様の要求がある。
With the recent trend toward miniaturization, higher speed, and higher functionality of electronic equipment, there is a similar demand for semiconductor devices used therein.

【0003】また、このような半導体装置自体に対する
要求に加え、半導体装置を基板に実装する時の実装効率
の改善,及び実装構造の簡単化も望まれている。
In addition to the demands on the semiconductor device itself, it is also desired to improve the mounting efficiency when mounting the semiconductor device on a substrate and to simplify the mounting structure.

【0004】そこで、リードを実装基板の表面で接続す
る表面実装型の半導体装置が現在主流をなしているが、
更に実装効率の向上及び実装構造の簡単化を図った半導
体装置が望まれている。
Therefore, the surface mount type semiconductor device in which the leads are connected on the surface of the mount board is currently in the mainstream.
Further, there is a demand for a semiconductor device having improved packaging efficiency and a simplified packaging structure.

【0005】[0005]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化に伴い、電子
機器に配設される半導体装置の高密度化が図られ、これ
に伴い半導体装置に設けられるリード数も増大する傾向
にある。このように多数のリードを有する半導体装置を
表面実装するパッケージ構造としてパッケージの4側面
からリードを外方にガルウイング形状をなすよう延出し
た構成のQFP(Quad Flat Package) 型のパッケージが
知られている。
2. Description of the Related Art As electronic devices have become more sophisticated in recent years, the density of semiconductor devices provided in the electronic devices has been increased, and the number of leads provided in the semiconductor devices has tended to increase accordingly. A QFP (Quad Flat Package) type package having a structure in which leads are extended outward from four sides of the package so as to form a gull wing shape is known as a package structure for surface-mounting a semiconductor device having a large number of leads. There is.

【0006】しかるに、パッケージの4側面からリード
を外方に延出させるQFP型のパッケージ構造では、リ
ード数が増大すると必然的にリードの厚さが薄くなり機
械的強度が低下すると共に、隣接するリード間ピッチが
狭くなりリード間干渉が発生するおそれがある。
However, in the QFP type package structure in which the leads are extended outward from the four side surfaces of the package, an increase in the number of leads inevitably reduces the thickness of the leads, lowers the mechanical strength, and adjoins them. The lead pitch may be narrowed and lead interference may occur.

【0007】これを解決する表面実装構造としてBGA
(Ball Grid Array) 型のパッケージ構造が知られてい
る。このBGA型のパッケージ構造を図15に示す。同
図に示すBGA型のパッケージ構造を採用した半導体装
置1は、基板2の上部に半導体チップ3がダイス付け剤
4により接合されると共に、基板2の上面に配設された
電極部と半導体チップ3との間はワイヤ5により電気的
接続が行われている。また、基板2の上部にはモールド
樹脂が配設されることにより樹脂パッケージ6(梨地で
示す)が形成されており、この樹脂パッケージ6により
半導体チップ3は外界に対して保護されている。
BGA as a surface mount structure that solves this problem
A (Ball Grid Array) type package structure is known. This BGA type package structure is shown in FIG. In the semiconductor device 1 adopting the BGA type package structure shown in the same drawing, the semiconductor chip 3 is bonded to the upper part of the substrate 2 by the die attaching agent 4, and the electrode portion and the semiconductor chip arranged on the upper surface of the substrate 2 An electrical connection is made between the wire 3 and the wire 3. A resin package 6 (shown in satin) is formed by disposing a mold resin on the substrate 2, and the resin package 6 protects the semiconductor chip 3 from the outside.

【0008】また、基板2にはスルーホール或いはビア
等(図示せず)が形成されており、このスルーホール或
いはビア等により、半導体チップ3とワイヤ5により接
続された電極部は基板2の背面側に電気的に引き出さ
れ、この引き出された部位には外部接続用電極(図示せ
ず)が形成されている。また、外部接続用電極には半田
ボール7が設けられており、この半田ボール7を実装基
板8に配設された電極部9に接合することにより、半導
体装置1を実装基板8に実装する構成とされていた。
A through hole, a via or the like (not shown) is formed in the substrate 2, and the electrode portion connected to the semiconductor chip 3 by the wire 5 is formed on the back surface of the substrate 2 by the through hole, the via or the like. It is electrically drawn to the side, and an external connection electrode (not shown) is formed at the drawn-out portion. Further, a solder ball 7 is provided on the external connection electrode, and the semiconductor device 1 is mounted on the mounting substrate 8 by joining the solder ball 7 to the electrode portion 9 provided on the mounting substrate 8. Was said.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記した従
来構成の半導体装置1では、樹脂パッケージ6を形成す
る樹脂パッケージ形成工程を実施した後に半田ボール7
を基板2に配設する半田ボール配設工程を行わなければ
ならず、また半導体装置1の製造工程とは別個に半田ボ
ール7の製造工程も必要となり、半導体装置1を製造す
るための工程が複雑になってしまい、またこれに伴い半
導体装置1の製品コストが上昇してしまうという問題点
があった。
However, in the above-described semiconductor device 1 having the conventional structure, the solder balls 7 are formed after the resin package forming step of forming the resin package 6 is performed.
The solder ball arranging step of arranging the solder balls on the substrate 2 must be performed, and the solder ball 7 manufacturing step is required separately from the semiconductor device 1 manufacturing step. There is a problem in that it becomes complicated and the product cost of the semiconductor device 1 increases accordingly.

【0010】また、半導体装置1を実装基板8に確実に
電気的に接続するためには、半導体装置1に配設される
多数の半田ボール7の径寸法を正確に一致させる必要が
ある。これは、半田ボール7の径寸法にバラツキが有る
と、径寸法の小さい半田ボール7においては電極部9と
の間に間隙が発生してしまい、半田ボール7と電極部9
との電気的接続が確実に行われないおそれがあるからで
ある。しかるに、多数の半田ボール7を正確にその径寸
法が一致するよう製造するのは困難であり、よって半導
体装置1を実装基板8に実装する際の実装歩留りが低下
してしまうという問題点があった。
Further, in order to reliably electrically connect the semiconductor device 1 to the mounting substrate 8, it is necessary to accurately match the diameter dimensions of the numerous solder balls 7 arranged in the semiconductor device 1. This is because if there are variations in the diameter of the solder balls 7, a gap is generated between the solder balls 7 having a small diameter and the electrode portions 9, and the solder balls 7 and the electrode portions 9 have a gap.
This is because there is a possibility that the electrical connection with will not be performed reliably. However, it is difficult to manufacture a large number of solder balls 7 so that their diameters are exactly the same, and therefore, there is a problem that the mounting yield when mounting the semiconductor device 1 on the mounting substrate 8 decreases. It was

【0011】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、簡単な製造工程で確実な実装実装処理を行えると
共に製品コストの低減を図るうる半導体装置及びその製
造方法及びリードフレームを提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above points, and provides a semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a lead frame capable of performing reliable mounting processing by a simple manufacturing process and reducing product cost. The purpose is to

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の課題は下記の各手
段を講じることにより解決することができる。
[Means for Solving the Problems] The above problems can be solved by taking the following means.

【0013】請求項1の発明では、半導体チップと、こ
の半導体チップと接続されたリード部が樹脂パッケージ
に内設されると共に、このリード部の一部が樹脂パッケ
ージの外部にその露出面が樹脂パッケージの外面と面一
となるよう露出し接続部を形成してなる半導体装置にお
いて、上記接続部に、上記樹脂パッケージの外面より外
側に向け突出した突出部をリード部と一体的に形成して
なることを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention, the semiconductor chip and the lead portion connected to the semiconductor chip are internally provided in the resin package, and a part of the lead portion is outside the resin package and the exposed surface thereof is the resin. In a semiconductor device, which is exposed so as to be flush with an outer surface of a package and has a connection portion formed therein, a protrusion protruding outward from an outer surface of the resin package is integrally formed with a lead portion at the connection portion. It is characterized by becoming.

【0014】また、請求項2の発明では、上記突出部の
厚さ寸法を、突出部を除くリード部の厚さ寸法に比べて
薄く形成したことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 2 is characterized in that the thickness of the projecting portion is formed thinner than the thickness of the lead portion excluding the projecting portion.

【0015】また、請求項3の発明では、上記突出部
を、上記接続部を塑性変形することにより外側に向け突
出した構成としたことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 3 is characterized in that the projecting portion is configured to project outwardly by plastically deforming the connecting portion.

【0016】また、請求項4の発明では、上記リード部
が、リードフレームの一部を構成することを特徴とする
ものである。
In the invention of claim 4, the lead portion constitutes a part of the lead frame.

【0017】また、請求項5の発明では、上記リード部
が、TAB(Tape Automated Bonding)テープの一部を構
成することを特徴とするものである。
In the invention of claim 5, the lead portion constitutes a part of a TAB (Tape Automated Bonding) tape.

【0018】また、請求項6の発明方法では、半導体チ
ップと接続されると共に外部端子と接続させる接続部を
有したリード部を形成するリード部形成工程と、上記リ
ード部形成工程により形成されたリード部と、搭載され
た半導体チップとを電気的に接続する半導体チップ搭載
工程と、上記半導体チップが搭載されたリード部を金型
内に装着すると共にこの金型内に樹脂を充填して上記半
導体チップ及びリード部を樹脂内に埋設し、かつリード
部の一部に形成された接続部の表面が樹脂の外面と面一
となる構成で露出するよう樹脂パッケージを形成する樹
脂モールド工程と、この樹脂モールド工程実施時に同時
に実施され、上記樹脂が金型に充填されることにより発
生する内圧力により上記接続部を塑性変形させて外側に
向け突出させて突出部を形成する突出部形成工程とを有
することを特徴とするものである。
Further, in the method of the present invention according to claim 6, it is formed by a lead portion forming step of forming a lead portion having a connecting portion connected to the semiconductor chip and connected to an external terminal, and the lead portion forming step. The semiconductor chip mounting step of electrically connecting the lead portion and the mounted semiconductor chip, the lead portion mounted with the semiconductor chip is mounted in a mold, and the mold is filled with a resin. A resin molding step of embedding the semiconductor chip and the lead portion in the resin, and forming a resin package so that the surface of the connection portion formed in a part of the lead portion is exposed so as to be flush with the outer surface of the resin, It is performed at the same time as this resin molding process, and the internal pressure generated by filling the mold with the resin causes the connecting portion to plastically deform and protrude outward. It is characterized in that it has a projecting portion forming step of forming a section.

【0019】また、請求項7の発明方法では、上記リー
ド部形成工程において、上記リード部に形成される接続
部にハーフエッチングを実施し、後に実施される突出部
形成工程においてこの突出部が形成される部位を、他の
部位に対して肉薄としたことを特徴とするものである。
According to the seventh aspect of the present invention, in the lead portion forming step, half-etching is performed on the connecting portion formed in the lead portion, and the protruding portion is formed in the protruding portion forming step performed later. It is characterized in that the part to be cut is thinner than the other parts.

【0020】また、請求項8の発明方法では、上記樹脂
モールド工程において、上記樹脂パッケージを成形する
際に用いる金型の突出部形成位置と対向する部位に、突
出部の形状に対応した凹部を形成したことを特徴とする
ものである。
Further, in the method of the present invention according to claim 8, in the resin molding step, a concave portion corresponding to the shape of the protruding portion is formed at a portion facing a protruding portion forming position of the mold used for molding the resin package. It is characterized by being formed.

【0021】また、請求項9の発明方法では、上記樹脂
モールド工程において、上記樹脂パッケージを成形する
際に用いる金型の突出部が形成される部位に、上記接続
部を外側に向け吸引する吸引装置を設け、この吸引装置
の発生する吸引力を補助力として上記突出部を外側に向
け突出させることを特徴とするものである。
Further, in the method of the present invention as claimed in claim 9, in the resin molding step, suction for sucking the connecting portion toward the outside at a portion where a protruding portion of a mold used for molding the resin package is formed. A device is provided, and the projecting portion is projected outward with the suction force generated by the suction device as an auxiliary force.

【0022】また、請求項10の発明では、半導体チッ
プが搭載されるとチップ搭載部と、この半導体チップと
接続されるインナーリード部と、樹脂パッケージ内に埋
設された際にこの樹脂パッケージの外部に露出する接続
部が形成されたアウターリード部とを具備するリードフ
レームにおいて、上記接続部に突出部を形成したことを
特徴とするものである。
Further, according to the invention of claim 10, when the semiconductor chip is mounted, the chip mounting portion, the inner lead portion connected to the semiconductor chip, and the outside of the resin package when embedded in the resin package. In a lead frame having an outer lead portion having a connection portion exposed to the outside, a protrusion is formed at the connection portion.

【0023】また、請求項11の発明では、上記突出部
の厚さ寸法を、この突出部を除くアウターリード部の厚
さ寸法に比べて薄く形成したことを特徴とするものであ
る。
The invention according to claim 11 is characterized in that the thickness of the above-mentioned protruding portion is formed thinner than the thickness of the outer lead portion excluding this protruding portion.

【0024】更に、請求項12の発明では、上記突出部
を、上記接続部を塑性変形することにより外側に向け突
出した構成としたことを特徴とするものである。
Further, the invention of claim 12 is characterized in that the projecting portion is configured to project outward by plastically deforming the connecting portion.

【0025】[0025]

【作用】上記した各手段は下記のように作用する。The above-mentioned means operate as follows.

【0026】請求項1の発明によれば、リード部に形成
された接続部に、樹脂パッケージの外面より外側に向け
突出した突出部を形成することにより、この突出部を従
来における半田ボールと同等の機能を持たせることがで
きる。また、突出部はリード部と一体的に形成されてい
るため、従来構成の半導体装置では必要であった半田ボ
ールを不要とすることができ、これにより部品点数の削
減及び製造工程が簡単化を図ることができる。
According to the first aspect of the present invention, the connecting portion formed on the lead portion is formed with the protruding portion protruding outward from the outer surface of the resin package, so that this protruding portion is equivalent to a conventional solder ball. Can have the function of. Further, since the projecting portion is formed integrally with the lead portion, it is possible to eliminate the need for solder balls which were required in the semiconductor device having the conventional configuration, thereby reducing the number of parts and simplifying the manufacturing process. Can be planned.

【0027】また、請求項2及び請求項11の発明によ
れば、突出部の厚さ寸法を、突出部を除くリード部の厚
さ寸法に比べて薄く形成したことにより、突出部の形成
を容易に行うことができる。また、樹脂パッケージを製
造する際に金型内で発生する内圧力により突出部を突出
させることが可能となり、製造工程の簡単化を図ること
ができる。
According to the second and eleventh aspects of the present invention, the protrusion is formed by making the thickness of the protrusion thinner than the thickness of the lead portion excluding the protrusion. It can be done easily. Further, it becomes possible to cause the protruding portion to protrude due to the internal pressure generated in the mold when manufacturing the resin package, and the manufacturing process can be simplified.

【0028】また、請求項3及び請求項12の発明によ
れば、接続部を塑性変形することにより突出部が外側に
向け突出するよう構成したことにより、塑性加工は従来
のように半田ボールを径寸法が均一となるように精度よ
く製造するのに比べて高い精度で加工をおこなえめた
め、多数形成される突出部の突出量の均一化を容易に行
うことが可能となる。
According to the third and twelfth aspects of the present invention, the projecting portion is projected outward by plastically deforming the connecting portion, so that the plastic ball is soldered as in the conventional plastic working. Since it is possible to perform processing with higher accuracy than manufacturing with high accuracy so that the diameter dimension is uniform, it is possible to easily uniformize the amount of protrusion of a large number of protruding portions.

【0029】また、請求項4及び請求項5の発明によれ
ば、半導体装置を構成する部材として一般に用いられて
いるリードフレーム或いはTABテープによりリード部
を構成することにより、部品点数を増大させることなく
突出部を形成することができる。
Further, according to the inventions of claims 4 and 5, the number of parts is increased by forming the lead portion by a lead frame or a TAB tape which is generally used as a member constituting a semiconductor device. It is possible to form the protruding portion without any.

【0030】また、請求項6の発明方法によれば、樹脂
が金型に充填される際発生する内圧力により接続部を塑
性変形させて外側に向け突出させて突出部を形成する突
出部形成工程を樹脂モールド工程実施時に同時に実施さ
れるため、一般に半導体装置の製造方法において実施さ
れている製造工程を変更或いは新たな工程の追加を行う
ことなく、請求項1記載の半導体装置を製造することが
できる。従って、請求項1記載の半導体装置を低コスト
で製造することが可能となる。
Further, according to the method of the invention as defined in claim 6, the connecting portion is plastically deformed by the internal pressure generated when the resin is filled in the mold, and the connecting portion is protruded outward to form the protruding portion. Since the steps are performed at the same time as the resin molding step, the semiconductor device according to claim 1 is manufactured without changing a manufacturing step or adding a new step that is generally performed in a method for manufacturing a semiconductor device. You can Therefore, the semiconductor device according to claim 1 can be manufactured at low cost.

【0031】また、請求項7の発明方法によれば、突出
部が形成される部位を他の部位に対して肉薄としたこと
により、接続部を突出させて突出部を形成する際実施さ
れる塑性加工を小さな加工力により行うことが可能とな
り、樹脂が金型に充填される際発生する内圧力により確
実に接続部を塑性変形させることができる。また、突出
部が形成される部位を他の部位に対して肉薄とする手段
としてハーフエッチングを用いているため肉薄部の形成
を容易に行うことができ、更にリード部形成工程におい
てリード部を成形する方法としてエッチングを用いるこ
とにより、上記肉薄部の形成とリード部の成形をリード
部形成工程において一括的に行うことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the portion where the protruding portion is formed is thinner than the other portion, it is carried out when the connecting portion is protruded to form the protruding portion. The plastic working can be performed with a small working force, and the internal pressure generated when the resin is filled in the mold can surely plastically deform the connecting portion. Further, since half etching is used as a means for thinning the portion where the protruding portion is formed with respect to other portions, the thin portion can be easily formed, and the lead portion is formed in the lead portion forming step. By using etching as a method, the thin portion and the lead portion can be collectively formed in the lead portion forming step.

【0032】また、請求項8の発明方法によれば、樹脂
パッケージを成形する際に用いる金型の突出部形成位置
と対向する部位に突出部の形状に対応した凹部を形成す
ることにより、金型構造に小変更を加えるのみで突出部
形成工程を樹脂モールド工程実施時と同時に実施するこ
とが可能となる。また、形成される突出部の形状は凹部
の形状により決められるため、金型に形成される複数の
凹部を高精度に形成しておくことにより、この金型によ
り形成される突出部の形状を均一化することができる。
Further, according to the method of the invention as defined in claim 8, by forming a concave portion corresponding to the shape of the protruding portion in a portion of the mold used for molding the resin package, the portion facing the protruding portion forming position, The projecting portion forming step can be performed at the same time as the resin molding step by only making a small change to the mold structure. In addition, the shape of the protrusion formed is determined by the shape of the recess, so by forming a plurality of recesses formed in the mold with high accuracy, the shape of the protrusion formed by this mold can be changed. It can be made uniform.

【0033】また、請求項9の発明方法によれば、金型
の突出部が形成される部位に接続部を外側に向け吸引す
る吸引装置を設け、この吸引装置の発生する吸引力を補
助力として上記突出部を外側に向け突出させることによ
り、樹脂が金型に充填される際発生する内圧力力に加え
て吸引装置の発生する吸引力により突出部の形成が行わ
れるため、確実にかつ加工効率よく突出部を形成するこ
とができる。
Further, according to the method of the present invention, a suction device for sucking the connecting portion toward the outside is provided at a portion of the mold where the protruding portion is formed, and the suction force generated by the suction device is used as an auxiliary force. As the above-mentioned protruding portion is projected outward, the protruding portion is formed by the suction force generated by the suction device in addition to the internal pressure force generated when the resin is filled in the mold, so that The protruding portion can be formed with high processing efficiency.

【0034】また、請求項10の発明によれば、半導体
チップが搭載されるとチップ搭載部と、この半導体チッ
プと接続されるインナーリード部と、樹脂パッケージ内
に埋設された際にこの樹脂パッケージの外部に露出する
接続部が形成されたアウターリード部とを具備するリー
ドフレームにおいて、上記接続部に突出部を形成するこ
とにより、当該リードフレームが樹脂パッケージ内に装
着された際、突出部は樹脂パッケージの外部に突出する
ため外部接続端子として機能させることができる。
Further, according to the invention of claim 10, when the semiconductor chip is mounted, the chip mounting portion, the inner lead portion connected to the semiconductor chip, and the resin package when embedded in the resin package. A lead frame having an outer lead portion having a connection portion exposed to the outside, and by forming a protrusion on the connection portion, when the lead frame is mounted in a resin package, the protrusion is Since it projects to the outside of the resin package, it can function as an external connection terminal.

【0035】[0035]

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0036】図1は本発明の一実施例である半導体装置
10を示す断面図であり、図2は本発明の一実施例であ
る半導体装置10の底面を示す斜視図である。半導体装
置10は、大略すると半導体チップ11,リード部12
及び樹脂パッケージ13等により構成されている。
FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a bottom surface of the semiconductor device 10 according to an embodiment of the present invention. The semiconductor device 10 roughly includes a semiconductor chip 11 and lead portions 12.
And a resin package 13 and the like.

【0037】半導体チップ11は、ダイパッド14の上
部にダイ付け剤15を用いて接合されている。この半導
体チップ11の上面には複数のチップ側電極16が形成
されている。また、半導体チップ11の側方対向位置に
は複数のリード部12が半導体チップ11を囲繞するよ
う配設されている。
The semiconductor chip 11 is bonded to the upper part of the die pad 14 using a die attaching agent 15. A plurality of chip-side electrodes 16 are formed on the upper surface of the semiconductor chip 11. In addition, a plurality of lead portions 12 are arranged so as to surround the semiconductor chip 11 at laterally opposite positions of the semiconductor chip 11.

【0038】リード部12は、例えばコバール,42a
lloy或いは銅(Cu)合金等のリードフレーム材料
により形成されており、インナーリード部17及びアウ
ターリード部18とにより構成されている。インナーリ
ード部17とアウターリード部18とは一体的に連続し
て1本のリードを構成している。このインナーリード部
17と半導体チップ11の上面に形成されたチップ側電
極16との間はワイヤボンディング処理が行われること
によりワイヤ19が橋架され、チップ側電極16とイン
ナーリード部17とは電気的に接続される構成とされて
いる。
The lead portion 12 is, for example, Kovar, 42a.
It is made of a lead frame material such as alloy or copper (Cu) alloy, and is composed of an inner lead portion 17 and an outer lead portion 18. The inner lead portion 17 and the outer lead portion 18 integrally and continuously form one lead. A wire 19 is bridged between the inner lead portion 17 and the chip-side electrode 16 formed on the upper surface of the semiconductor chip 11 by a wire bonding process, so that the chip-side electrode 16 and the inner lead portion 17 are electrically connected to each other. It is configured to be connected to.

【0039】上記の半導体チップ11及びリード部12
は、樹脂パッケージ13内に樹脂封止された構成とされ
ている。このように樹脂パッケージ13に半導体チップ
11及びリード部12が封止されることにより、半導体
チップ11及びリード部12が空気と触れることによる
酸化の発生を防止できると共に、水,塵埃等が半導体チ
ップ11及びリード部12に付着するのを防止すること
ができる。
The semiconductor chip 11 and the lead portion 12 described above.
Are resin-sealed in the resin package 13. By thus encapsulating the semiconductor chip 11 and the lead portion 12 in the resin package 13, it is possible to prevent generation of oxidation due to the contact of the semiconductor chip 11 and the lead portion 12 with air, and to prevent water, dust, etc. It is possible to prevent them from adhering to 11 and the lead portion 12.

【0040】また、図1及び図2に示されるように、リ
ード部12を構成するアウターリード部18は、その一
部が樹脂パッケージ13の外部に露出した構成とされて
いる尚、以下このアウターリード部18の樹脂パッケー
ジ13の外部に露出した部分を接続部20という。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the outer lead portion 18 constituting the lead portion 12 is configured such that a part thereof is exposed to the outside of the resin package 13. A portion of the lead portion 18 exposed to the outside of the resin package 13 is called a connection portion 20.

【0041】ここで、上記接続部20に注目し、図1,
図2に加えて図3及び図4を用いて以下説明する。尚、
図3は半導体装置10に複数形成された接続部20のひ
とつを拡大して示す図であり、図4は図3におけるA−
A線に沿う断面図である。
Here, paying attention to the connecting portion 20, as shown in FIG.
This will be described below with reference to FIGS. 3 and 4 in addition to FIG. still,
FIG. 3 is an enlarged view showing one of the connecting portions 20 formed in the semiconductor device 10, and FIG.
It is sectional drawing which follows the A line.

【0042】接続部20は、その表面20aが樹脂パッ
ケージ13の底面13aに露出しており、また接続部2
0の表面20aと樹脂パッケージ13の底面13aとは
略面一となるよう構成されている。また、接続部20の
略中央位置には半球状に突出した突出部21が形成され
ている。この突出部21は接続部20の表面20a(即
ち、樹脂パッケージ13の底面13a)から、接続部2
0に塑性加工を行うことにより外側に向け突出するよう
形成されている。従って、突出部21は接続部20に一
体的に、即ちリード部12に一体的に形成された構成と
なる。
The surface 20a of the connecting portion 20 is exposed to the bottom surface 13a of the resin package 13, and the connecting portion 2
The surface 20a of 0 and the bottom surface 13a of the resin package 13 are substantially flush with each other. Further, a hemispherical projecting portion 21 is formed at a substantially central position of the connecting portion 20. The protrusion 21 extends from the surface 20a of the connecting portion 20 (that is, the bottom surface 13a of the resin package 13) to the connecting portion 2
It is formed so as to project outward by performing plastic working on 0. Therefore, the projecting portion 21 is formed integrally with the connecting portion 20, that is, integrally with the lead portion 12.

【0043】更に、図4に示されるように、突出部21
の厚さ寸法(同図中、矢印hで示す)は、突出部21の
形成位置を除くリード部12の厚さ寸法(同図中、矢印
Hで示す)に比べて薄くなるよう構成されている(h<
H)。具体的に、例えばリード部12の厚さ寸法HをH
=70μmに設定した場合には、突出部21の厚さ寸法
hは約h=20μm程度となるよう構成されている。
Further, as shown in FIG.
Is thinner than the thickness dimension (indicated by an arrow H in the figure) of the lead portion 12 excluding the position where the protruding portion 21 is formed. (H <
H). Specifically, for example, the thickness dimension H of the lead portion 12 is set to H
= 70 μm, the thickness h of the protrusion 21 is configured to be about h = 20 μm.

【0044】このように、突出部21の厚さ寸法hを突
出部21の形成位置を除く他の部位のリード部12の厚
さ寸法Hに比べて小さく設定することにより、突出部2
1を塑性加工し易い構成とすることができる。また、突
出部21の肉厚を薄くすることにより、突出部21の機
械的強度が低下することが考えられるが、図4に示され
るように、樹脂パッケージ13を構成する樹脂は塑性変
形され半球形状とされた突出部21の内部にまで充填さ
れた構成とされているため、この樹脂パッケージ13が
突出部21の補強材として機能し、よって突出部21の
機械的強度は維持される。
As described above, by setting the thickness dimension h of the protruding portion 21 smaller than the thickness dimension H of the lead portion 12 other than the formation position of the protruding portion 21, the protruding portion 2
1 can be configured to be easily plastically worked. Further, although it is conceivable that the mechanical strength of the protruding portion 21 is reduced by reducing the wall thickness of the protruding portion 21, as shown in FIG. 4, the resin forming the resin package 13 is plastically deformed to form a hemisphere. The resin package 13 functions as a reinforcing member for the protruding portion 21 because the shape of the protruding portion 21 is filled even inside the protruding portion 21, so that the mechanical strength of the protruding portion 21 is maintained.

【0045】続いて、突出部21が形成された半導体装
置10を実装基板22に実装する方法について図1を用
いて説明する。
Next, a method of mounting the semiconductor device 10 having the protrusion 21 formed on the mounting substrate 22 will be described with reference to FIG.

【0046】上記のように、接続部20の表面20aと
樹脂パッケージ13の底面13aとは略面一となるよう
構成されており、突出部21は面一とされた表面20a
及び底面13aから外側に向け突出した構成とされてい
るため、半導体装置10の底面においては突出部21の
みが下方(図1における下方)に突出した構成とされて
いる。また、突出部21はリード部12に一体的に形成
されているため、半導体チップ11と電気的に接続され
ている。従って、突出部21は、従来における半田ボー
ル7(図15参照)と同様に外部接続用の端子として機
能させることができる。
As described above, the surface 20a of the connecting portion 20 and the bottom surface 13a of the resin package 13 are configured to be substantially flush with each other, and the protruding portion 21 is flush with the surface 20a.
Also, since it is configured to project outward from the bottom surface 13a, only the projecting portion 21 is projected downward (downward in FIG. 1) on the bottom surface of the semiconductor device 10. Further, since the protruding portion 21 is formed integrally with the lead portion 12, it is electrically connected to the semiconductor chip 11. Therefore, the protruding portion 21 can function as a terminal for external connection like the conventional solder ball 7 (see FIG. 15).

【0047】具体的には、実装基板22の所定位置に基
板側電極23を突出部21の形成位置に対応させて形成
すると共に、基板側電極23の上部にプリセット半田
(図示せず)を配設しておく。そして、半導体装置10
を突出部21と基板側電極23とを位置合わせした上で
実装基板22にフェイスダウンし、続いてリフロー炉を
通すことにより基板側電極23と突出部21とを半田付
けする。
Specifically, the board-side electrode 23 is formed at a predetermined position of the mounting board 22 so as to correspond to the position where the protruding portion 21 is formed, and preset solder (not shown) is arranged on the board-side electrode 23. Set up. Then, the semiconductor device 10
After aligning the projecting portion 21 with the board-side electrode 23, the board-side electrode 23 and the projecting portion 21 are soldered by facing down to the mounting board 22 and then passing through a reflow furnace.

【0048】上記のように、本実施例に係る半導体装置
10では、突出部21が半田バンプと同様の機能を奏す
るため、半導体装置10を実装基板22に表面実装する
ことができ、また半導体チップ11が多数のチップ側電
極16を有する構成のものであっても実装基板22との
接続を確実に行うことができる。
As described above, in the semiconductor device 10 according to the present embodiment, since the protrusion 21 has the same function as the solder bump, the semiconductor device 10 can be surface-mounted on the mounting substrate 22 and the semiconductor chip can be mounted. Even if 11 has a configuration having a large number of chip-side electrodes 16, the connection with the mounting substrate 22 can be reliably performed.

【0049】また、突出部21はリード部12と一体的
に形成されているため、従来構成の半導体装置1では必
要であった半田ボール7を不要とすることができる。こ
れにより、従来構成の半導体装置1に比べて部品点数の
削減及び製造工程が簡単化を図ることができ、製品コス
トの低減を図ることができる。更に、半導体装置10を
実装基板22に実装する作業は、従来から一般に行われ
ているフェイスダウンボンディング技術をそのまま利用
して実装できるため、実装作業についても容易に行うこ
とができる。
Further, since the projecting portion 21 is formed integrally with the lead portion 12, the solder ball 7 which is required in the semiconductor device 1 having the conventional structure can be eliminated. As a result, the number of parts can be reduced and the manufacturing process can be simplified as compared with the semiconductor device 1 having the conventional configuration, and the product cost can be reduced. Further, since the work of mounting the semiconductor device 10 on the mounting substrate 22 can be carried out by directly using the face-down bonding technique which has been generally performed conventionally, the work of mounting can be easily performed.

【0050】次に、上記構成を有する半導体装置10の
製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device 10 having the above structure will be described.

【0051】図5乃至図8は、本発明方法の一実施例で
ある半導体装置10の製造方法を説明するための図であ
る。半導体装置10を製造するには、先ずリードフレー
ム25を作成するためのリード部形成工程を行う。図5
はリード部形成工程を実施することにより形成されたリ
ードフレーム25を示している。
5 to 8 are views for explaining a method of manufacturing the semiconductor device 10 which is an embodiment of the method of the present invention. In order to manufacture the semiconductor device 10, first, a lead portion forming step for forming the lead frame 25 is performed. Figure 5
Shows the lead frame 25 formed by carrying out the lead portion forming step.

【0052】図5(A)はリードフレーム25の平面図
であり、このリードフレーム25は例えばコバール,4
2alloy或いはCu合金等のリードフレーム材料よ
りなる平板状基材に対しエッチング処理を行うことによ
り、リード部12,ダイパッド14が形成された同図に
示す所定の形状に成形される。また、この状態において
は、リード部12及びダイパッド14は枠体26と一体
的な構成とされており、この枠体26に保持されてい
る。また、枠体26には位置決めを行うための位置決め
孔27が穿設されている。尚、図5(A)に示す破線
は、樹脂パッケージ13が配設された場合における樹脂
パッケージ13の外形を示している。従って、この破線
より内側位置が樹脂パッケージ13に封止される部分で
ある。
FIG. 5A is a plan view of the lead frame 25. The lead frame 25 is, for example, Kovar, 4
By etching a flat plate-shaped base material made of a lead frame material such as 2 alloy or Cu alloy, the lead portion 12 and the die pad 14 are formed into a predetermined shape shown in FIG. Further, in this state, the lead portion 12 and the die pad 14 are configured integrally with the frame body 26 and are held by the frame body 26. Further, the frame 26 has a positioning hole 27 for positioning. The broken line shown in FIG. 5A shows the outer shape of the resin package 13 when the resin package 13 is provided. Therefore, the position inside the broken line is the portion sealed by the resin package 13.

【0053】また、リードフレーム25に形成される複
数のリード部12の所定位置には夫々ハーフエッチング
部28が形成されている。このハーフエッチング部28
は、後に前記した突出部21の形成位置に形成されてい
る。図5(B)はハーフエッチング部28の配設位置近
傍を拡大して示す斜視図であり、また図5(C)は図5
(B)におけるB−B線に沿う断面図を示している。ハ
ーフエッチング部28の形成は、リードフレーム25を
所定形状にエッチングする際に同時に行うことができ
る。一般にリードフレーム25を所定形状にエッチング
する際、その両面から食刻処理が行われる。具体的に
は、先ず平板状基材にリード部12(ハーフエッチング
部28を含む),ダイパッド14,枠体26等がエッチ
ングされないよう所定パターンのマスクを平板状基材の
両側面に配設して所定時間エッチング処理を行う。
Half-etched portions 28 are formed at predetermined positions of the lead portions 12 formed on the lead frame 25. This half etching part 28
Are formed at the positions where the protrusions 21 are formed later. 5B is an enlarged perspective view showing the vicinity of the position where the half-etched portion 28 is provided, and FIG.
The sectional view which follows the BB line in (B) is shown. The half-etched portion 28 can be formed at the same time when the lead frame 25 is etched into a predetermined shape. Generally, when the lead frame 25 is etched into a predetermined shape, etching processing is performed from both sides thereof. Specifically, first, masks having a predetermined pattern are provided on both side surfaces of the flat base material so that the lead portion 12 (including the half etching portion 28), the die pad 14, the frame 26, etc. are not etched on the flat base material. Etching is performed for a predetermined time.

【0054】この際、ハーフエッチング部28の形成位
置には上記マスクを両面に配設するのではなく、片面の
みに配設する。これにより、図5(A)に示す形状のリ
ードフレーム25が形成された段階で、リード部12に
は他の部分に比べて肉厚が薄い構成とされたハーフエッ
チング部28が形成される。このハーフエッチング部2
8の厚さ寸法hは、例えばリード部12の厚さ寸法Hが
H=70μmである場合には約h=20μm程度となる
よう構成されている(図5(C)及び図4参照)。この
ハーフエッチング部28の形成は、単にマスクを平板状
基材の片側面に配設するのみであり、他は通常のエッチ
ング処理と変わるところはなく容易に形成することがで
きる。
At this time, the mask is not provided on both sides at the formation position of the half etching portion 28, but is provided on only one side. As a result, at the stage where the lead frame 25 having the shape shown in FIG. 5A is formed, the half-etched portion 28 having a smaller thickness than the other portions is formed in the lead portion 12. This half etching part 2
The thickness h of No. 8 is, for example, about h = 20 μm when the thickness H of the lead portion 12 is H = 70 μm (see FIGS. 5C and 4). The half-etched portion 28 is simply formed by disposing the mask on one side surface of the flat substrate, and the rest is the same as the ordinary etching process and can be easily formed.

【0055】このように他の部分に比べて肉厚の薄いハ
ーフエッチング部28を形成することにより、このハー
フエッチング部28に対して塑性加工を行おうとした場
合、小さな加工力で塑性変形を発生させることが可能と
なる。また、ハーフエッチング処理によりハーフエッチ
ング部28が形成されるため、リード部形成工程におい
て同時にハーフエッチング部28を形成することが可能
となる。
By forming the half-etched portion 28 having a smaller wall thickness than the other portions in this way, when the half-etched portion 28 is subjected to the plastic working, the plastic deformation is generated with a small working force. It becomes possible. Further, since the half-etched portion 28 is formed by the half-etching process, the half-etched portion 28 can be simultaneously formed in the lead portion forming step.

【0056】仮にハーフエッチング部28の肉薄部分を
形成するのに切削加工等を用いた場合を想定すると、リ
ードフレーム25の形成(エッチング処理)とハーフエ
ッチング部28となる肉薄部分の切削加工等は同一工程
で行うことはできず、ハーフエッチング部28を形成す
るためのみに新たに切削工程が必要となってしまう。し
かるに、上記のようにハーフエッチング処理によりハー
フエッチング部28を形成することにより、リード部形
成工程において同時にハーフエッチング部28を形成す
ることが可能となり、製造工程の簡単化を図ることがで
きる。
Assuming that a cutting process or the like is used to form the thin portion of the half-etched portion 28, the formation (etching process) of the lead frame 25 and the cutting process of the thin portion to be the half-etched portion 28 will not be performed. It cannot be performed in the same process, and a new cutting process is required only to form the half-etched portion 28. However, by forming the half-etched portion 28 by the half-etching process as described above, it is possible to form the half-etched portion 28 at the same time in the lead portion forming step, and the manufacturing process can be simplified.

【0057】尚、上記したリード部形成工程において
は、エッチング処理によりリードフレーム25及びハー
フエッチング部28を同時形成する例を示したが、リー
ドフレーム25の形成方法としてプレス加工を用いるこ
とにより、リードフレーム25と肉薄部分(ハーフエッ
チング部28)を同時形成することも可能である。
In the lead portion forming step described above, the lead frame 25 and the half-etched portion 28 are simultaneously formed by the etching process. However, the lead frame 25 can be formed by press working. It is also possible to form the frame 25 and the thin portion (half-etched portion 28) at the same time.

【0058】即ち、リード部12,ダイパッド14の形
成においてはカッタを用いて平板状基材を切断して所定
形状のリード部12及びダイパッド14を形成し、肉薄
部分はポンチ等の治具を用いて押圧処理することにより
肉薄部分(ハーフエッチング部28)を形成する。カッ
タ及びポンチ等の治具はプレス装置により同時に駆動す
ることができるため、よってプレス加工を用いることに
よりリードフレーム25の形成と肉薄部分(ハーフエッ
チング部28)の形成とを同時に実施することができ
る。
That is, in forming the lead portion 12 and the die pad 14, the flat base material is cut by using a cutter to form the lead portion 12 and the die pad 14 having a predetermined shape, and the thin portion is formed by a jig such as a punch. A thin portion (half-etched portion 28) is formed by pressing with a pressure. Since a jig such as a cutter and a punch can be simultaneously driven by a pressing device, the lead frame 25 and the thin portion (half-etched portion 28) can be formed at the same time by using pressing. .

【0059】上記の如くリードフレーム25が製造され
ると、続いて半導体チップ搭載工程が実施される。半導
体チップ搭載工程では、先ずリードフレーム25に形成
されたダイパッド14上にダイ付け剤15を用いて半導
体チップ11を搭載固定する。続いて、半導体チップ1
1の上部に配設されているチップ側電極16とリード部
12との間にワイヤボンディング処理を行うことにより
ワイヤ19を配設する。上記のようにチップ側電極16
とリード部12との間にワイヤ19が配設されると、リ
ードフレーム25にはプレス処理が行われることによ
り、リード部12は所定形状に形成される。
After the lead frame 25 is manufactured as described above, a semiconductor chip mounting process is subsequently performed. In the semiconductor chip mounting process, first, the semiconductor chip 11 is mounted and fixed on the die pad 14 formed on the lead frame 25 by using the die attaching agent 15. Then, the semiconductor chip 1
A wire 19 is provided by performing a wire bonding process between the chip-side electrode 16 and the lead portion 12 provided on the upper part of 1. As described above, the chip side electrode 16
When the wire 19 is disposed between the lead portion 12 and the lead portion 12, the lead frame 25 is subjected to a pressing process, so that the lead portion 12 is formed into a predetermined shape.

【0060】上記の半導体チップ搭載工程が終了する
と、半導体チップ11が搭載されたリードフレーム25
は金型29に装着され樹脂モールド工程が実施される。
When the above semiconductor chip mounting process is completed, the lead frame 25 on which the semiconductor chip 11 is mounted is mounted.
Is attached to the mold 29 and a resin molding process is performed.

【0061】図6は、半導体チップ11が搭載されたリ
ードフレーム25を金型29に装着した状態を示してい
る。金型29は上型30及び下型31とにより構成され
ており、リードフレーム25は上型30と下型31との
間に挟持された構成で金型29内に保持される。
FIG. 6 shows a state in which the lead frame 25 on which the semiconductor chip 11 is mounted is mounted on the mold 29. The die 29 is composed of an upper die 30 and a lower die 31, and the lead frame 25 is held in the die 29 by being sandwiched between the upper die 30 and the lower die 31.

【0062】また、下型31には複数の凹部32が形成
されている。この凹部32の形成位置は、上記したリー
ド部形成工程においてリード部12に形成されたハーフ
エッチング部28の形成位置と対応するよう形成されて
おり、リードフレーム25が金型29に装着された状態
において図6に示されるようにハーフエッチング部28
は凹部32と対向するよう構成されている。また、凹部
32の形状は前記した突出部21の半球状形状と対応し
た凹形状とされている。尚、上型30には樹脂パッケー
ジ13を構成するモールド樹脂をキャビティ33内に導
入るすためのランナ34が配設されている。
A plurality of recesses 32 are formed on the lower die 31. The formation position of the recess 32 is formed so as to correspond to the formation position of the half-etched portion 28 formed on the lead portion 12 in the above-described lead portion forming step, and the lead frame 25 is attached to the mold 29. As shown in FIG.
Are configured to face the recess 32. The shape of the concave portion 32 is a concave shape corresponding to the hemispherical shape of the protruding portion 21 described above. The upper mold 30 is provided with a runner 34 for introducing the molding resin forming the resin package 13 into the cavity 33.

【0063】リードフレーム25が金型29内に装着さ
れると、続いて図7に示すようにランナ34よりモール
ド樹脂13-1(梨地で示す)がキャビティ33内に導入
される。キャビティ33内にモールド樹脂13-1が導入
されることにより、キャビティ33内の内圧は上昇し、
この内圧はキャビティ33の内面全体に印加される。
When the lead frame 25 is mounted in the mold 29, subsequently, the mold resin 13-1 (shown in satin) is introduced into the cavity 33 from the runner 34, as shown in FIG. By introducing the mold resin 13-1 into the cavity 33, the internal pressure in the cavity 33 rises,
This internal pressure is applied to the entire inner surface of the cavity 33.

【0064】ここで、ハーフエッチング部28に注目す
ると、前記したようにハーフエッチング部28はリード
部12の他の部分に比べて厚さ寸法が小さくなっている
ため、塑性変形し易い構成とされている、また、ハーフ
エッチング部28と対向する下型31には凹部32が形
成されている。従って、モールド樹脂13-1の導入によ
りキャビィティ33内に発生する内圧及びモールド樹脂
13-1の移動力(以下、この内圧及び移動力を含めて内
圧力Fという)は、ハーフエッチング部28を外側に向
け(下型31に向け)変形させようとする力として作用
し、この内圧力Fによりハーフエッチング部28は外側
に向け塑性変形され、これにより突出部21が形成され
る。
Here, paying attention to the half-etched portion 28, since the thickness dimension of the half-etched portion 28 is smaller than that of the other portions of the lead portion 12 as described above, the half-etched portion 28 is configured to be easily plastically deformed. Further, the lower die 31 facing the half-etched portion 28 has a recess 32 formed therein. Therefore, the internal pressure generated in the cavity 33 due to the introduction of the mold resin 13-1 and the moving force of the mold resin 13-1 (hereinafter, the internal pressure and the moving force will be referred to as the internal pressure F) are outside the half etching portion 28. Acting as a force to deform toward the lower mold 31 (toward the lower mold 31), and the internal pressure F plastically deforms the half-etched portion 28 toward the outside, thereby forming the protruding portion 21.

【0065】図7はキャビィティ33内に完全にモール
ド樹脂13-1が充填されて樹脂パッケージ13が形成さ
れた状態を示している。このように、樹脂パッケージ1
3が形成された状態においては、複数のリード部12に
夫々形成されていたハーフエッチング部28は全て外側
に向け塑性変形され突出部21が形成される。このよう
に突出部21の形成は、金型29の下型31の構造に小
変更を加えるのみで、具体的には下型29に凹部32を
形成するのみで、樹脂モールド工程の実施時に同時に形
成することができる。
FIG. 7 shows a state in which the cavity 33 is completely filled with the mold resin 13-1 to form the resin package 13. In this way, the resin package 1
In the state in which 3 is formed, all the half-etched portions 28 formed on the plurality of lead portions 12 are plastically deformed outward to form the protruding portions 21. As described above, the formation of the protruding portion 21 is performed only by making a small modification to the structure of the lower die 31 of the die 29, specifically, only forming the recess 32 in the lower die 29, and simultaneously performing the resin molding process. Can be formed.

【0066】また、形成される突出部21の形状は凹部
32の形状により決められるため、下型31に形成され
る複数の凹部32の形状を高精度に形成しておくことに
より、金型29により形成される突出部21の突出量及
び形状を容易に均一化することができる。このように突
出部21の突出量が均一化しバラツキがなくなることに
より、図1を用いて説明した半導体装置10を実装基板
22に実装する際、突出部21と基板側電極23との間
に浮きが発生することがなくなり、突出部21と基板側
電極23との接合(半田接合)を確実に行うことが可能
となり、実装基板22に対する半導体装置10の実装性
を向上させることができる。
Further, since the shape of the protrusion 21 formed is determined by the shape of the recess 32, the shape of the plurality of recesses 32 formed in the lower die 31 is formed with high precision, so that the mold 29 is formed. The protrusion amount and shape of the protrusion 21 formed by can be easily made uniform. In this way, the amount of protrusion of the protrusions 21 is made uniform and there is no variation, so that when the semiconductor device 10 described with reference to FIG. 1 is mounted on the mounting substrate 22, the protrusions 21 and the substrate-side electrodes 23 float between the protrusions 21. Does not occur, the bonding (solder bonding) between the protrusion 21 and the board-side electrode 23 can be reliably performed, and the mountability of the semiconductor device 10 on the mounting board 22 can be improved.

【0067】また、前記したように突出部21の肉厚を
薄くすることにより突出部21の機械的強度が低下する
ことが考えられるが、図8に示されるようにモールド樹
脂13-1は突出部21の内部にまで充填された構成とさ
れ突出部21の補強材として機能しているため突出部2
1の機械的強度は維持されている。
Although it is considered that the mechanical strength of the protruding portion 21 is lowered by reducing the wall thickness of the protruding portion 21 as described above, the mold resin 13-1 is protruded as shown in FIG. Since the inside of the portion 21 is filled up and functions as a reinforcing material for the protruding portion 21, the protruding portion 2
The mechanical strength of 1 is maintained.

【0068】上記のように樹脂パッケージ13が形成さ
れると、樹脂パッケージ13が形成されたリードフレー
ム25は金型29から離型され、枠体26等の不要部分
が除去されることにより、図1に示す半導体装置10が
形成される。上記してきた半導体装置10の製造方法で
は、一般に行われている半導体製造方法と大きく変わる
ところはなく、また既存の設備を用いて従来の半導体製
造工程と略同一工程により半導体装置10を製造するこ
とができるため、半導体装置10の製品コストを上昇さ
せることなく半導体装置10を製造することができる。
When the resin package 13 is formed as described above, the lead frame 25 on which the resin package 13 is formed is released from the mold 29, and unnecessary portions such as the frame 26 are removed. The semiconductor device 10 shown in 1 is formed. The manufacturing method of the semiconductor device 10 described above is not much different from the generally used semiconductor manufacturing method, and the semiconductor device 10 can be manufactured by using the existing equipment in the substantially same process as the conventional semiconductor manufacturing process. Therefore, the semiconductor device 10 can be manufactured without increasing the product cost of the semiconductor device 10.

【0069】図9は樹脂モールド工程において使用され
る金型の変形例を示している。同図に示す金型35は、
凹部32の形成位置に吸引装置38(例えば真空ポンプ
等)に接続された吸引配管36,37を配設し、ハーフ
エッチング部28を吸引装置38が発生する吸引力によ
り外側に向け(下型に向け)吸引できるよう構成したこ
とを特徴とするものである。
FIG. 9 shows a modification of the mold used in the resin molding process. The mold 35 shown in FIG.
Suction pipes 36 and 37 connected to a suction device 38 (for example, a vacuum pump) are arranged at the position where the recess 32 is formed, and the half etching portion 28 is directed to the outside by a suction force generated by the suction device 38 (to a lower die). It is characterized by being configured so that suction can be performed.

【0070】上記の構成とされた金型35を用いること
により、ハーフエッチング部28を塑性変形させる力と
して、キャビィティ33内で発生する内圧力Fに加えて
吸引装置38が発生する吸引力fが塑性変形のための補
助力として作用するため、ハーフエッチング部28を凹
部32により強い力で押圧されるため、形成される突出
部21の形状を凹部32の形状に応じて精度よく成形す
ることが可能となる。これにより、形成される突出部2
1の突出高さ及び形状の均一性をより高めることがで
き、実装基板22に対する実装性を向上させることがで
きる。また、塑性変形に要する力が強くなるため、突出
部21を塑性変形するのに要する時間が短縮され、突出
部21を加工効率よく形成することができる。
By using the mold 35 configured as described above, the suction force f generated by the suction device 38 in addition to the internal pressure F generated in the cavity 33 is used as the force for plastically deforming the half-etched portion 28. Since it acts as an assisting force for plastic deformation, the half-etched portion 28 is pressed by the recess 32 with a strong force, so that the shape of the protruding portion 21 to be formed can be accurately formed according to the shape of the recess 32. It will be possible. Thereby, the protrusion 2 formed
It is possible to further enhance the uniformity of the protrusion height and the shape of No. 1 and improve the mountability on the mounting substrate 22. Further, since the force required for the plastic deformation is increased, the time required for plastically deforming the protrusion 21 is shortened, and the protrusion 21 can be formed efficiently.

【0071】図10乃至図12は、樹脂モールド工程に
おいて突出部21を形成する方法の変形例を示す図であ
る。上記した実施例においては、ハーフエッチング部2
8を塑性変形させ突出部21を形成するのに、モールド
樹脂13-1を金型25内に導入することによりキャビィ
ティ33内に発生する内圧力Fを用いていた。本変形例
では、治具を用いて直接的にハーフエッチング部28を
塑性変形させ突出部21を形成することを特徴とするも
のである。以下、具体的な突出部21の形成方法につい
て説明する。
10 to 12 are views showing a modification of the method of forming the protrusion 21 in the resin molding process. In the embodiment described above, the half-etched portion 2
In order to plastically deform 8 to form the protrusion 21, the internal pressure F generated in the cavity 33 by introducing the mold resin 13-1 into the mold 25 was used. This modification is characterized in that the half-etched portion 28 is directly plastically deformed using a jig to form the protruding portion 21. Hereinafter, a specific method of forming the protrusion 21 will be described.

【0072】図10は、半導体チップ11が搭載された
リードフレーム25を金型39に装着した状態を示して
いる。本実施例に係る金型39は、その上型40にプレ
スロッド41を配設した構成とされている。このプレス
ロッド41は図示しない昇降装置により図中上下方向に
移動可能な構成とされている。
FIG. 10 shows a state in which the lead frame 25 on which the semiconductor chip 11 is mounted is mounted on the mold 39. The mold 39 according to the present embodiment has a structure in which a press rod 41 is arranged on an upper mold 40 thereof. The press rod 41 is configured to be movable in the vertical direction in the figure by an elevator device (not shown).

【0073】また、プレスロッド41の下端部は半球形
状とされており、その形状は凹部32の半球形状(即
ち、形成しようとする突出部21の形状)に対応するよ
う構成されている。このプレスロッド41は、下型31
に形成されている凹部32と対向するよう上型40に配
設されている。尚、リードフレーム25を金型39に装
着する時には、各プレスロッド41は図10に示される
ように上動した位置(以下、この位置を初期位置とい
う)にあるよう構成されている。
The lower end of the press rod 41 has a hemispherical shape, and its shape is configured to correspond to the hemispherical shape of the recess 32 (that is, the shape of the protruding portion 21 to be formed). This press rod 41 has a lower mold 31.
It is arranged in the upper mold 40 so as to face the concave portion 32 formed in. When the lead frame 25 is mounted on the mold 39, each press rod 41 is configured to be in the upwardly moved position (hereinafter, this position is referred to as an initial position) as shown in FIG.

【0074】金型39にリードフレーム25が装着され
ると、続いて図11に示すように、昇降装置によりプレ
スロッド41は下動してハーフエッチング部28と当接
すると共に、更にプレスロッド41は下動してハーフエ
ッチング部28を凹部32に押圧する。このプレスロッ
ド41がハーフエッチング部28を凹部32に押圧する
押圧力により、ハーフエッチング部28は塑性変形され
突出部21が形成される。
When the lead frame 25 is mounted on the mold 39, subsequently, as shown in FIG. 11, the press rod 41 is moved downward by the elevating device to come into contact with the half-etched portion 28, and the press rod 41 is further removed. It moves downward to press the half-etched portion 28 against the recess 32. Due to the pressing force of the press rod 41 pressing the half-etched portion 28 against the recess 32, the half-etched portion 28 is plastically deformed to form the protruding portion 21.

【0075】上記のように突出部21が形成されると、
プレスロッド41は昇降装置により上動し再び初期位置
に戻る。この状態でキャビティ33内にランナ34を介
してモールド樹脂13-1が導入され、樹脂パッケージ1
3が製造される(図12参照)。このモールド樹脂13
-1が導入される時、プレスロッド41は初期位置に戻っ
ているため、樹脂パッケージ13の製造に当たりプレス
ロッド41が邪魔になるようなことはない。
When the protrusion 21 is formed as described above,
The press rod 41 moves up by the lifting device and returns to the initial position again. In this state, the mold resin 13-1 is introduced into the cavity 33 through the runner 34, and the resin package 1
3 is manufactured (see FIG. 12). This mold resin 13
When -1 is introduced, since the press rod 41 has returned to the initial position, the press rod 41 does not interfere with the production of the resin package 13.

【0076】また、樹脂モールド装置には、成形された
樹脂生成品を金型から離型するための離型用ロッドが配
設されたものがあるが、この離型用ロッドは本変形例で
示したプレスロッド41と似た構成とされており、離型
時には下方に移動するとにより金型内に形成された樹脂
生成品を押圧し金型から離型させる構成とされている。
従って、既存の離型用ロッドを昇降させる昇降装置を利
用してプレスロッド41を駆動できるよう構成すること
もできる。
Some resin molding apparatuses are provided with a releasing rod for releasing the molded resin product from the mold. This releasing rod is used in this modification. The press rod 41 has a configuration similar to that of the illustrated press rod 41, and when the mold is released, by moving downward, the resin product formed in the mold is pressed and released from the mold.
Therefore, the press rod 41 can be configured to be driven by using an existing lifting device for lifting the existing release rod.

【0077】上記のように、本変形例においては、プレ
スロッド41がハーフエッチング部28を凹部32に向
け押圧することにより、ハーフエッチング部28を塑性
変形し突出部21を形成する構成とされている。従っ
て、内圧力Fを用いてハーフエッチング部28を塑性変
形する前記実施例に比べて、ハーフエッチング部28に
印加される加工力が安定化するため、本実施例によって
も形成される突出部21の形状を凹部32の形状に応じ
て精度よく成形することが可能となる。よって、形成さ
れる突出部21の突出高さ及び形状の均一性をより高め
ることができ、これにより実装基板22に対する実装性
を向上させることができる。
As described above, in the present modification, the press rod 41 presses the half-etched portion 28 toward the recess 32, whereby the half-etched portion 28 is plastically deformed to form the protruding portion 21. There is. Therefore, as compared with the above-described embodiment in which the half-etched portion 28 is plastically deformed using the internal pressure F, the processing force applied to the half-etched portion 28 is stabilized, so that the protruding portion 21 also formed in this embodiment. It is possible to accurately shape the shape according to the shape of the recess 32. Therefore, it is possible to further improve the uniformity of the protruding height and the shape of the formed protruding portion 21, and thus it is possible to improve the mountability on the mounting substrate 22.

【0078】尚、突出部21の塑性加工はプレスロッド
41の1回の昇降動作により形成されるため、突出部2
1を塑性変形するのに要する時間は短く、突出部21を
加工効率よく形成することができる。
Since the plastic working of the protrusion 21 is formed by one elevating operation of the press rod 41, the protrusion 2
The time required for plastically deforming 1 is short, and the protrusion 21 can be formed efficiently.

【0079】また、プレスロッド41は上記のようにハ
ーフエッチング部28を塑性変形して突出部21を形成
する機能の他、樹脂パッケージ13が形成された後に、
これを金型39から離型させる離型用ロッドとしても用
いることができ、プレスロッド41の多機能化を図るこ
ともできる。上記してきた各実施例においては、リード
部12としてリードフレーム25を加工形成した例を示
したが、本発明に係る半導体装置は、リード部12とし
てTAB(Tape Automated Bonding)テープを用いること
も可能である。図13及び図14は、リード部12とし
てTABテープ42を用いた例を示している。
Further, the press rod 41 has the function of plastically deforming the half-etched portion 28 to form the protruding portion 21 as described above, and after the resin package 13 is formed,
This can also be used as a release rod for releasing from the mold 39, and the press rod 41 can be made multifunctional. In each of the embodiments described above, the lead frame 25 is processed and formed as the lead portion 12, but the semiconductor device according to the present invention may use a TAB (Tape Automated Bonding) tape as the lead portion 12. Is. 13 and 14 show an example in which the TAB tape 42 is used as the lead portion 12.

【0080】TABテープ42は、ポリイミド等の樹脂
製テープ43の上面に例えば銅箔等よりなるリードパタ
ーン44を所定の形状でプリント形成した構成とされて
いる。半導体チップ11は、このTABテープ42上に
取り付けられ、ワイヤ19或いは半田バンプ等を用いて
リードパターン44と電気的に接続されいる(図13及
び図14はワイヤ19を用いた例を示している)。尚、
リードパターン44の膜厚は約30〜40μm程度が一
般的である。
The TAB tape 42 has a structure in which a lead pattern 44 made of, for example, a copper foil is printed and formed in a predetermined shape on the upper surface of a resin tape 43 made of polyimide or the like. The semiconductor chip 11 is mounted on the TAB tape 42 and is electrically connected to the lead pattern 44 by using the wire 19 or a solder bump (FIGS. 13 and 14 show an example using the wire 19). ). still,
The film thickness of the lead pattern 44 is generally about 30 to 40 μm.

【0081】図13は半導体チップ11が搭載されたT
ABテープ42を金型29に装着した状態を示してい
る。TABテープ42を構成する樹脂製テープ43の突
出部21の形成位置は、所定範囲にわたり樹脂製テープ
43が除去されて孔45が形成された構成とされてお
り、よってTABテープ42を金型29に装着した状態
においてリードパターン44は凹部32と直接対向した
状態となっている。また、前記したように、リードパタ
ーン44の膜厚寸法は約30〜40μm程度であり、そ
のままで塑性変形しうる膜厚とされているため、リード
フレーム25を用いた場合と異なりハーフエッチング部
は形成されていない。
FIG. 13 shows a T on which the semiconductor chip 11 is mounted.
The state where the AB tape 42 is attached to the mold 29 is shown. At the formation position of the protruding portion 21 of the resin tape 43 constituting the TAB tape 42, the resin tape 43 is removed over a predetermined range to form the holes 45. Therefore, the TAB tape 42 is formed in the mold 29. The lead pattern 44 directly faces the recess 32 in the state of being mounted on. Further, as described above, the thickness of the lead pattern 44 is about 30 to 40 μm, and the thickness is such that it can be plastically deformed as it is. Therefore, unlike the case where the lead frame 25 is used, the half etching portion is Not formed.

【0082】TABテープ42が金型29内に装着され
ると、続いて図14に示すようにランナ34よりモール
ド樹脂13-1(梨地で示す)がキャビティ33内に導入
され樹脂パッケージ13が形成される。この際、キャビ
ティ33内にモールド樹脂13-1が導入されることによ
り発生する内圧力FはTABテープ42の上面全体に印
加される。
When the TAB tape 42 is mounted in the mold 29, subsequently, as shown in FIG. 14, the mold resin 13-1 (shown in satin) is introduced into the cavity 33 from the runner 34 to form the resin package 13. To be done. At this time, the internal pressure F generated by introducing the mold resin 13-1 into the cavity 33 is applied to the entire upper surface of the TAB tape 42.

【0083】ここで、TABテープ42の孔5の形成位
置(即ち、突出部21の形成位置)に注目すると、前記
したようにリードパターン44の膜厚寸法は約30〜4
0μmと塑性変形可能な膜厚とされており、かつ孔5が
形成されることによりリードパターン44は露出された
構成されている。更に、リードパターン44は露出され
た部位と対向する下型31には凹部32が形成されてい
る。従って、モールド樹脂13-1が導入されることによ
り発生する内圧力Fによりリードパターン44は外側に
向け(凹部32に向け)塑性変形され、これにより突出
部21が形成される。
Here, paying attention to the position where the hole 5 of the TAB tape 42 is formed (that is, the position where the protruding portion 21 is formed), the thickness of the lead pattern 44 is about 30 to 4 as described above.
The thickness is 0 μm and the film thickness is plastically deformable, and the lead pattern 44 is exposed by forming the holes 5. Further, a recess 32 is formed in the lower die 31 facing the exposed portion of the lead pattern 44. Therefore, the lead pattern 44 is plastically deformed outward (toward the concave portion 32) by the internal pressure F generated by the introduction of the mold resin 13-1, whereby the protruding portion 21 is formed.

【0084】上記の製造方法により形成される半導体装
置においては、半導体装置の底面部分に突出部21のみ
が突出する構成となる。しかるに、TABテープ42の
形成工程において、予め突出部21が形成される部分を
突出部21が形成される面積よりも広い面積にわたりプ
レス加工等により外側に向け突出させ、樹脂パッケージ
13の底面と面一となるよう形成しておき、このTAB
テープ42を金型29に装着して上記の樹脂モールド工
程を実施することにより、樹脂パッケージ13の底面と
面一とされた接続部20に突出部21が形成された構成
の、図1に示す半導体装置10と等価形状の半導体装置
を製造することも可能である。
In the semiconductor device formed by the above manufacturing method, only the projecting portion 21 projects from the bottom surface of the semiconductor device. However, in the step of forming the TAB tape 42, the portion where the protrusion 21 is formed is protruded outward by pressing or the like over an area larger than the area where the protrusion 21 is formed, and the bottom surface and the surface of the resin package 13 are formed. This TAB is formed so that it becomes one.
By mounting the tape 42 on the mold 29 and carrying out the above resin molding process, the projecting portion 21 is formed in the connecting portion 20 which is flush with the bottom surface of the resin package 13, and is shown in FIG. It is also possible to manufacture a semiconductor device having a shape equivalent to that of the semiconductor device 10.

【0085】上記のように、TABテープ42を用いた
構成の半導体装置であっても、図1に示したリードフレ
ーム25を用いた半導体装置10と同様の効果を実現で
き、部品点数の削減及び製造工程の簡単化を図ることが
できる。
As described above, even in the semiconductor device having the TAB tape 42, the same effects as those of the semiconductor device 10 using the lead frame 25 shown in FIG. 1 can be realized, and the number of parts can be reduced and The manufacturing process can be simplified.

【0086】尚、上記した各実施例においては、突出部
21の形状として半球形状としたものを例に挙げて説明
したが、突出部21の形状はこれに限定されるものでは
なく、例えば平面的に見た形状で楕円状,矩形状等の形
状としてもよく、また全体形状としては円錐状,円錐台
状,角錐状等の形状としてもよい。この突出部21の形
状は、実装密度や実装基板22に配設される基板側電極
23の配設ピッチ等により任意に決定することができ
る。
In each of the above-described embodiments, the hemispherical shape of the protruding portion 21 has been described as an example, but the shape of the protruding portion 21 is not limited to this and may be, for example, a flat surface. The shape may be an elliptical shape, a rectangular shape, or the like, or the overall shape may be a conical shape, a truncated cone shape, a pyramid shape, or the like. The shape of the protruding portion 21 can be arbitrarily determined by the mounting density, the arrangement pitch of the board-side electrodes 23 arranged on the mounting board 22, and the like.

【0087】また、上記した図3乃至図5を用いて説明
した例においては、突出部21の形成を容易とする構成
として、ハーフエッチング部28を設けた構成を示し
た。しかるに、リード部12の幅寸法を薄くして塑性加
工を行い易くできる構成であれば、特にハーフエッチン
グ部28に限定されるものではなく、上記した説明で例
に挙げた切削加工,プレス加工等により肉薄部分を形成
する構成としてもよい。
Further, in the example described with reference to FIGS. 3 to 5, the half-etched portion 28 is provided to facilitate the formation of the protrusion 21. However, the structure is not particularly limited to the half-etched portion 28 as long as the width of the lead portion 12 can be made thin to facilitate the plastic working, and the cutting work, the press work, etc. exemplified in the above description. The thin portion may be formed by.

【0088】[0088]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次のような
種々の効果を実現することができる。
As described above, according to the present invention, the following various effects can be realized.

【0089】請求項1の発明によれば、リード部に形成
された接続部に、樹脂パッケージの外面より外側に向け
突出した突出部を形成することにより、この突出部を従
来における半田ボールと同等の機能を持たせることがで
きる。また、突出部はリード部と一体的に形成されてい
るため、従来構成の半導体装置では必要であった半田ボ
ールを不要とすることができ、これにより部品点数の削
減及び製造工程が簡単化を図ることができる。
According to the first aspect of the present invention, the connecting portion formed on the lead portion is formed with the protruding portion protruding outward from the outer surface of the resin package, so that this protruding portion is equivalent to a conventional solder ball. Can have the function of. Further, since the projecting portion is formed integrally with the lead portion, it is possible to eliminate the need for solder balls which were required in the semiconductor device having the conventional configuration, thereby reducing the number of parts and simplifying the manufacturing process. Can be planned.

【0090】また、請求項2及び請求項11の発明によ
れば、突出部の厚さ寸法を、突出部を除くリード部の厚
さ寸法に比べて薄く形成したことにより、突出部の形成
を容易に行うことができる。また、樹脂パッケージを製
造する際に金型内で発生する内圧力により突出部を突出
させることが可能となり、製造工程の簡単化を図ること
ができる。
According to the second and eleventh aspects of the present invention, the protrusion is formed by making the thickness of the protrusion thinner than the thickness of the lead portion excluding the protrusion. It can be done easily. Further, it becomes possible to cause the protruding portion to protrude due to the internal pressure generated in the mold when manufacturing the resin package, and the manufacturing process can be simplified.

【0091】また、請求項3及び請求項12の発明によ
れば、接続部を塑性変形することにより突出部が外側に
向け突出するよう構成したことにより、塑性加工は従来
のように半田ボールを径寸法が均一となるように精度よ
く製造するのに比べて高い精度で加工をおこなえめた
め、多数形成される突出部の突出量の均一化を容易に行
うことが可能となる。
Further, according to the inventions of claims 3 and 12, the projecting portion is configured to project outward by plastically deforming the connecting portion, so that the plastic working is performed by using the solder ball as in the conventional case. Since it is possible to perform processing with higher accuracy than manufacturing with high accuracy so that the diameter dimension is uniform, it is possible to easily uniformize the amount of protrusion of a large number of protruding portions.

【0092】また、請求項4及び請求項5の発明によれ
ば、半導体装置を構成する部材として一般に用いられて
いるリードフレーム或いはTABテープによりリード部
を構成することにより、部品点数を増大させることなく
突出部を形成することができる。
Further, according to the inventions of claims 4 and 5, the number of parts is increased by forming the lead portion by a lead frame or TAB tape which is generally used as a member constituting a semiconductor device. It is possible to form the protruding portion without any.

【0093】また、請求項6の発明方法によれば、樹脂
が金型に充填される際発生する内圧力により接続部を塑
性変形させて外側に向け突出させて突出部を形成する突
出部形成工程を樹脂モールド工程実施時に同時に実施さ
れるため、一般に半導体装置の製造方法において実施さ
れている製造工程を変更或いは新たな工程の追加を行う
ことなく、請求項1記載の半導体装置を製造することが
できる。従って、請求項1記載の半導体装置を低コスト
で製造することが可能となる。
Further, according to the method of the sixth aspect of the present invention, the internal pressure generated when the resin is filled in the mold plastically deforms the connecting portion to protrude outward to form a protruding portion. Since the steps are performed at the same time as the resin molding step, the semiconductor device according to claim 1 is manufactured without changing a manufacturing step or adding a new step that is generally performed in a method for manufacturing a semiconductor device. You can Therefore, the semiconductor device according to claim 1 can be manufactured at low cost.

【0094】また、請求項7の発明方法によれば、突出
部が形成される部位を他の部位に対して肉薄としたこと
により、接続部を突出させて突出部を形成する際実施さ
れる塑性加工を小さな加工力により行うことが可能とな
り、樹脂が金型に充填される際発生する内圧力により確
実に接続部を塑性変形させることができる。また、突出
部が形成される部位を他の部位に対して肉薄とする手段
としてハーフエッチングを用いているため肉薄部の形成
を容易に行うことができ、更にリード部形成工程におい
てリード部を成形する方法としてエッチングを用いるこ
とにより、上記肉薄部の形成とリード部の成形をリード
部形成工程において一括的に行うことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the portion where the protruding portion is formed is thinner than the other portion, it is carried out when the connecting portion is protruded to form the protruding portion. The plastic working can be performed with a small working force, and the internal pressure generated when the resin is filled in the mold can surely plastically deform the connecting portion. Further, since half etching is used as a means for thinning the portion where the protruding portion is formed with respect to other portions, the thin portion can be easily formed, and the lead portion is formed in the lead portion forming step. By using etching as a method, the thin portion and the lead portion can be collectively formed in the lead portion forming step.

【0095】また、請求項8の発明方法によれば、樹脂
パッケージを成形する際に用いる金型の突出部形成位置
と対向する部位に突出部の形状に対応した凹部を形成す
ることにより、金型構造に小変更を加えるのみで突出部
形成工程を樹脂モールド工程実施時と同時に実施するこ
とが可能となる。また、形成される突出部の形状は凹部
の形状により決められるため、金型に形成される複数の
凹部を高精度に形成しておくことにより、この金型によ
り形成される突出部の形状を均一化することができる。
Further, according to the method of the invention as defined in claim 8, by forming a concave portion corresponding to the shape of the protruding portion at a portion opposite to the protruding portion forming position of the mold used for molding the resin package, The projecting portion forming step can be performed at the same time as the resin molding step by only making a small change to the mold structure. In addition, the shape of the protrusion formed is determined by the shape of the recess, so by forming a plurality of recesses formed in the mold with high accuracy, the shape of the protrusion formed by this mold can be changed. It can be made uniform.

【0096】また、請求項9の発明方法によれば、金型
の突出部が形成される部位に接続部を外側に向け吸引す
る吸引装置を設け、この吸引装置の発生する吸引力を補
助力として上記突出部を外側に向け突出させることによ
り、樹脂が金型に充填される際発生する内圧力力に加え
て吸引装置の発生する吸引力により突出部の形成が行わ
れるため、確実にかつ加工効率よく突出部を形成するこ
とができる。
According to the method of the present invention as defined in claim 9, a suction device for sucking the connecting portion toward the outside is provided at a portion of the mold where the protruding portion is formed, and the suction force generated by the suction device is used as an auxiliary force. As the above-mentioned protruding portion is projected outward, the protruding portion is formed by the suction force generated by the suction device in addition to the internal pressure force generated when the resin is filled in the mold, so that The protruding portion can be formed with high processing efficiency.

【0097】また、請求項10の発明によれば、半導体
チップが搭載されるとチップ搭載部と、この半導体チッ
プと接続されるインナーリード部と、樹脂パッケージ内
に埋設された際にこの樹脂パッケージの外部に露出する
接続部が形成されたアウターリード部とを具備するリー
ドフレームにおいて、上記接続部に突出部を形成するこ
とにより、当該リードフレームが樹脂パッケージ内に装
着された際、突出部は樹脂パッケージの外部に突出する
ため外部接続端子として機能させることができる。
According to the invention of claim 10, when the semiconductor chip is mounted, the chip mounting portion, the inner lead portion connected to the semiconductor chip, and the resin package when embedded in the resin package. A lead frame having an outer lead portion having a connection portion exposed to the outside, and by forming a protrusion on the connection portion, when the lead frame is mounted in a resin package, the protrusion is Since it projects to the outside of the resin package, it can function as an external connection terminal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device that is an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例である半導体装置の底面を示
す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a bottom surface of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図3】半導体装置に複数形成された接続部のひとつを
拡大して示す図である。
FIG. 3 is an enlarged view showing one of a plurality of connecting portions formed in a semiconductor device.

【図4】図3におけるA−A線に沿う断面図である。4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.

【図5】本発明の一実施例であるリードフレームの平面
図である。
FIG. 5 is a plan view of a lead frame that is an embodiment of the present invention.

【図6】半導体チップが搭載されたリードフレームを金
型に装着した状態を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a state in which a lead frame on which a semiconductor chip is mounted is mounted on a mold.

【図7】キャビィティ内にモールド樹脂が充填されてい
る状態を示す図である。
FIG. 7 is a view showing a state where mold resin is filled in the cavity.

【図8】キャビィティ内に完全にモールド樹脂が充填さ
れて樹脂パッケージ形成された状態を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a state in which a cavity is completely filled with a mold resin to form a resin package.

【図9】樹脂モールド工程において使用される金型の変
形例を示す図である。
FIG. 9 is a view showing a modified example of a mold used in a resin molding process.

【図10】樹脂モールド工程において突出部を形成する
方法の変形例を示す図であり、半導体チップが搭載され
たリードフレームを金型に装着した状態を示す図であ
る。
FIG. 10 is a view showing a modified example of the method of forming the protruding portion in the resin molding step, and is a view showing a state where the lead frame on which the semiconductor chip is mounted is mounted on the mold.

【図11】樹脂モールド工程において突出部を形成する
方法の変形例を示す図であり、プレスロッドが下動して
ハーフエッチング部を塑性加工している状態を示す図で
ある。
FIG. 11 is a view showing a modified example of the method of forming the protrusion in the resin molding step, and is a view showing a state in which the press rod is moved downward to plastically process the half-etched portion.

【図12】樹脂モールド工程において突出部を形成する
方法の変形例を示す図であり、樹脂パッケージが形成さ
れた状態を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a modified example of the method of forming the protrusion in the resin molding step, and is a diagram showing a state in which the resin package is formed.

【図13】半導体チップが搭載されたTABテープを金
型に装着した状態を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a state in which a TAB tape on which a semiconductor chip is mounted is mounted on a mold.

【図14】TABテープを用いて構成において、樹脂パ
ッケージが形成された状態を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a state in which a resin package is formed in the configuration using the TAB tape.

【図15】従来の一例である半導体装置の断面図であ
る。
FIG. 15 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体装置 11 半導体チップ 12 リード部 13 樹脂パッケージ 13a 底面 13-1 モールド樹脂 16 チップ側電極 17 インナーリード部 18 アウターリード部 19 ワイヤ 20 接続部 20a 表面 21 突出部 22 実装基板 23 基板側電極 25 リードフレーム 26 枠体 27 位置決め孔 28 ハーフエッチング部 29,35,39 金型 30,40 上型 31 下型 32 凹部 33 キャビィティ 36,37 吸引配管 38 吸引装置 41 プレスロッド 42 TABテープ 43 樹脂製テープ 44 リードパターン 45 孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 semiconductor device 11 semiconductor chip 12 lead part 13 resin package 13a bottom surface 13-1 mold resin 16 chip side electrode 17 inner lead part 18 outer lead part 19 wire 20 connection part 20a surface 21 protrusion part 22 mounting substrate 23 board side electrode 25 lead Frame 26 Frame 27 Positioning hole 28 Half etching part 29, 35, 39 Mold 30, 40 Upper mold 31 Lower mold 32 Recessed portion 33 Cavity 36, 37 Suction pipe 38 Suction device 41 Press rod 42 TAB tape 43 Resin tape 44 Lead Pattern 45 holes

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップ(11)と、該半導体チッ
プ(11)と接続されたリード部(12,44)が樹脂
パッケージ(13)に内設されると共に、該リード部
(12,44)の一部が該樹脂パッケージ(13)の外
部にその露出面(20a)が該樹脂パッケージ(13)
の外面(13a)と面一となるよう露出し接続部(2
0)を形成してなる半導体装置において、 該接続部(20)に、該樹脂パッケージ(13)の外面
(13a)より外側に向け突出した突出部(21)を該
リード部(12,44)と一体的に形成してなることを
特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor chip (11) and lead portions (12, 44) connected to the semiconductor chip (11) are internally provided in a resin package (13), and the lead portions (12, 44) are also provided. A part of the outside of the resin package (13) has an exposed surface (20a) on the resin package (13).
Exposed so as to be flush with the outer surface (13a) of the connecting portion (2)
0) is formed on the connecting portion (20), the protruding portion (21) protruding outward from the outer surface (13a) of the resin package (13) is provided on the lead portion (12, 44). A semiconductor device, which is formed integrally with a semiconductor device.
【請求項2】 該突出部(21)の厚さ寸法(h)は、
該突出部(21)を除くリード部(12)の厚さ寸法
(H)に比べて薄く形成されていることを特徴とする請
求項1記載の半導体装置。
2. The thickness dimension (h) of the protrusion (21) is
The semiconductor device according to claim 1, wherein the lead portion (12) excluding the protruding portion (21) is formed thinner than the thickness dimension (H).
【請求項3】 該突出部(21)は、該接続部(20)
を塑性変形させることにより外側に向け突出させたこと
を特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
3. The protrusion (21) is provided with the connecting portion (20).
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is plastically deformed to be projected outward.
【請求項4】 該リード部(12)は、リードフレーム
(25)の一部を構成することを特徴とする請求項1乃
至3のいずれかに記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the lead portion (12) constitutes a part of the lead frame (25).
【請求項5】 該リード部(44)は、TAB(Tape Au
tomated Bonding)テープ(42)の一部を構成すること
を特徴とする請求項1または3記載の半導体装置。
5. The lead portion (44) is formed of TAB (Tape Au).
4. The semiconductor device according to claim 1, which constitutes a part of a tomated bonding tape (42).
【請求項6】 半導体チップ(11)と接続されると共
に外部端子(23)と接続させる接続部(20)を有し
たリード部(12,44)を形成するリード部形成工程
と、 該リード部形成工程により形成されたリード部(12,
44)と、搭載された該半導体チップ(11)とを電気
的に接続する半導体チップ搭載工程と、 該半導体チップ(11)が搭載されたリード部(12,
44)を金型(29,35,39)内に装着すると共に
該金型(29,35,39)内に樹脂(13-1)を充填
して該半導体チップ(11)及び該リード部(12,4
4)を該樹脂(13-1)内に埋設し、かつ該リード部
(12,44)の一部に形成された接続部(20)の表
面(20a)が該樹脂の外面と面一となる構成で露出す
るよう樹脂パッケージ(13)を形成する樹脂モールド
工程と、 該樹脂モールド工程実施時に同時に実施され、該樹脂
(13-1)が該金型(29,35,39)に充填される
ことにより発生する内圧力(F)により該接続部(2
0)を塑性変形させて外側に向け突出させて突出部(2
1)を形成する突出部形成工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
6. A lead portion forming step of forming a lead portion (12, 44) having a connecting portion (20) connected to a semiconductor chip (11) and connected to an external terminal (23), and the lead portion. The lead portion formed by the forming process (12,
44) and a semiconductor chip mounting step of electrically connecting the mounted semiconductor chip (11), and a lead portion (12, 12) on which the semiconductor chip (11) is mounted.
44) is mounted in the mold (29, 35, 39), and the mold (29, 35, 39) is filled with resin (13-1) to form the semiconductor chip (11) and the lead portion (14). 12, 4
4) is embedded in the resin (13-1), and the surface (20a) of the connecting portion (20) formed in a part of the lead portion (12, 44) is flush with the outer surface of the resin. And a resin molding step of forming a resin package (13) so that the resin package (13) is exposed at the same time, and the resin (13-1) is filled in the mold (29, 35, 39). The internal pressure (F) generated by the
0) is plastically deformed and is projected outward so that the projection (2)
1) The method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of forming a protrusion.
【請求項7】 該リード部形成工程において、該リード
部(12)に形成される接続部(20)にハーフエッチ
ングを実施し、後に実施される突出部形成工程において
該突出部(21)が形成される部位を、他の部位に対し
て肉薄とすることを特徴とする請求項6記載の半導体装
置の製造方法。
7. The connecting portion (20) formed in the lead portion (12) is half-etched in the lead portion forming step, and the protruding portion (21) is formed in a protruding portion forming step performed later. 7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the formed part is thinner than the other parts.
【請求項8】 該樹脂モールド工程において、該樹脂パ
ッケージ(13)を成形する際に用いる該金型(29,
35,39)の該突出部形成位置と対向する部位に、該
突出部(21)の形状に対応した凹部(32)を形成し
たことを特徴とする請求項6または7記載の半導体装置
の製造方法。
8. The mold (29, 29) used when molding the resin package (13) in the resin molding step.
8. A manufacturing method of a semiconductor device according to claim 6, wherein a recess (32) corresponding to the shape of the protrusion (21) is formed at a portion of the protrusion (35, 39) facing the protrusion forming position. Method.
【請求項9】 該樹脂モールド工程において、該樹脂パ
ッケージ(13)を成形する際に用いる該金型(35)
の該突出部(21)が形成される部位に、該接続部(3
0)を外側に向け吸引する吸引装置(38)を接続し、
該吸引装置(38)の発生する吸引力を補助力として該
突出部(21)を外側に向け突出させることを特徴とす
る請求項6乃至8のいずれか記載の半導体装置の製造方
法。
9. The mold (35) used in molding the resin package (13) in the resin molding step.
At the site where the protrusion (21) is formed,
0) is connected to a suction device (38) for sucking outward,
9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the projection (21) is projected outward by using a suction force generated by the suction device (38) as an auxiliary force.
【請求項10】 半導体チップ(11)が搭載されると
チップ搭載部(14)と、該半導体チップ(11)と接
続されるインナーリード部(17)と、樹脂パッケージ
(13)内に埋設された際に該樹脂パッケージ(13)
の外部に露出する接続部(20)が形成されたアウター
リード部(18)とを具備するリードフレームにおい
て、 該接続部(20)に突出部(21)を形成してなること
を特徴とするリードフレーム。
10. A chip mounting part (14) when a semiconductor chip (11) is mounted, an inner lead part (17) connected to the semiconductor chip (11) and a resin package (13) embedded therein. When the resin package (13)
A lead frame having an outer lead part (18) having a connection part (20) exposed to the outside, characterized in that a protrusion part (21) is formed on the connection part (20). Lead frame.
【請求項11】 該突出部(21)の厚さ寸法は、該突
出部(21)を除くアウターリード部(18)の厚さ寸
法に比べて薄く形成されていることを特徴とする請求項
10記載のリードフレーム。
11. The thickness dimension of the projecting portion (21) is formed thinner than the thickness dimension of the outer lead portion (18) excluding the projecting portion (21). 10. The lead frame described in 10.
【請求項12】 該突出部(21)は、該接続部(2
0)を塑性変形させることにより外側に向け突出させた
ことを特徴とする請求項10または11記載のリードフ
レーム。
12. The protrusion (21) is provided with the connecting portion (2).
The lead frame according to claim 10 or 11, wherein the lead frame (0) is plastically deformed to be projected outward.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0773584A2 (en) 1995-11-08 1997-05-14 Fujitsu Limited Device having resin package and method of producing the same
US6329711B1 (en) 1995-11-08 2001-12-11 Fujitsu Limited Semiconductor device and mounting structure
JP2007266385A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp Mounting structure of electronic device
JP2007288222A (en) * 2007-08-06 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin-sealed semiconductor device
US7595548B2 (en) 2004-10-08 2009-09-29 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
JP2009283870A (en) * 2008-05-26 2009-12-03 Nec Electronics Corp Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and molding die
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
WO2022195757A1 (en) * 2021-03-17 2022-09-22 三菱電機株式会社 Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0773584A2 (en) 1995-11-08 1997-05-14 Fujitsu Limited Device having resin package and method of producing the same
US6329711B1 (en) 1995-11-08 2001-12-11 Fujitsu Limited Semiconductor device and mounting structure
EP1284502A1 (en) * 1995-11-08 2003-02-19 Fujitsu Limited Device having resin package and method of producing the same
US7144754B2 (en) 1995-11-08 2006-12-05 Fujitsu Limited Device having resin package and method of producing the same
EP0773584B1 (en) * 1995-11-08 2015-04-15 Fujitsu Semiconductor Limited Device having resin package and method of producing the same
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
US7595548B2 (en) 2004-10-08 2009-09-29 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
US7727793B2 (en) 2004-10-08 2010-06-01 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
JP4561670B2 (en) * 2006-03-29 2010-10-13 株式会社デンソー Electronic device mounting structure and electronic device mounting method
JP2007266385A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp Mounting structure of electronic device
JP2007288222A (en) * 2007-08-06 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin-sealed semiconductor device
JP4705614B2 (en) * 2007-08-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 Resin-sealed semiconductor device
JP2009283870A (en) * 2008-05-26 2009-12-03 Nec Electronics Corp Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and molding die
WO2022195757A1 (en) * 2021-03-17 2022-09-22 三菱電機株式会社 Semiconductor device and method for producing semiconductor device

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