JPH07297348A - Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPH07297348A
JPH07297348A JP8282594A JP8282594A JPH07297348A JP H07297348 A JPH07297348 A JP H07297348A JP 8282594 A JP8282594 A JP 8282594A JP 8282594 A JP8282594 A JP 8282594A JP H07297348 A JPH07297348 A JP H07297348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
wiring
semiconductor chip
tab
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8282594A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Mikino
博 三木野
Kunihiro Tsubosaki
邦宏 坪崎
Asao Matsuzawa
朝夫 松澤
Hiroshi Watanabe
宏 渡辺
Toshihiro Shiotsuki
敏弘 塩月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8282594A priority Critical patent/JPH07297348A/en
Publication of JPH07297348A publication Critical patent/JPH07297348A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor device excellent in multipin and fine pitch formation. CONSTITUTION:A lead frame 4, to which a rectangular-frame-shaped wiring board 4 is attached, is used to manufacture a semiconductor device 1. A tab 5, which supports a semiconductor chip 3, is made smaller than the semiconductor chip 3. A conductor wiring 8 is formed on the surface of the insulating resin in the wiring board 4. The electrode of the semiconductor chip 3 and a wiring pad 7 at the inner side of the conductor wiring 8 are connected with a wire 10. A wiring pad 11 at the outer side of the conductor wiring 8 is connected to the inner end of a lead 9 through a wire 12. The entire body other than the outer end part of the lead 9 is covered with a package 2 comprising resin. The wiring board 4 can form the conductor wiring 8 by etching. Therefore, the fine conductor wiring pattern can be formed, and the formations of the many pins and a fine pitch can be achieved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造に用いるリードフレームならびに半導体装置の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a lead frame used for manufacturing the same, and a method for manufacturing the semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化,小型化,薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態は材料が安くかつ生産性が良好な樹脂(レジ
ン)によるレジンパッケージ(プラスチックパッケー
ジ)が多用されている。小型・薄型のパッケージについ
ては、工業調査会発行「電子材料」1989年12月号、同年
12月1日発行、P37〜P43に記載されている。この文献
には、パッケージの動向において多ピン化,大チップ
化,小型・薄型化について記載され、技術的課題として
ワイヤボンディングに触れられ、パッドピッチ縮小化対
応,リードピッチ縮小化対応,ワイヤショート防止につ
いて記載されている。パッドピッチ縮小化対応の項を抜
粋すると以下のようになる。「ピン数が多くなると,チ
ップ周辺にパッドを配置するため,これだけでチップが
大形化するおそれがある。図5に示すように,単純化し
て概算してみる。近い将来出現すると予想されている3
00ピンクラスのものを例にとってみると,チップは正
方形と仮定して,パッド配列寸法aはパッドピッチ16
0μmの場合,12mmとなる。これが120μmにな
れば9mmとなり,効果は大きい。このためには接合ボ
ールの微小化が必要である。パッドピッチを120μm
とするとボンディング位置精度はおおむね±15〜20
μm程度であり,接合ボールの直径は80〜90μm以
下でなければならない。」旨記載されている。なお、図
5はパッドピッチ,リードピッチとワイヤ長の関係につ
いて記載されている。また、リードピッチ縮小化対応の
項を抜粋すると以下のようになる。「リードピッチは,
プレスにせよエッチングにせよt0.15mmの42N
iFe合金で0.2mmピッチあたりが限界と思われ
る。この板厚では,リード幅はこの半分の0.1mm程
度であり,この中に接合させるためには,やはりリード
接合幅を安定して小さくしなければならない。」旨記載
されている。
2. Description of the Related Art Electronic devices are required to have high-density mounting in terms of functions, and to be lightweight, compact, and thin in terms of mounting. Further, in order to reduce the manufacturing cost of electronic components, a resin package (plastic package) made of a resin (resin) that is inexpensive and has high productivity is often used as a package form. For small and thin packages, December 1989 issue of "Electronic Materials" published by the Industrial Research Group, the same year
Issued December 1, P37-P43. This document describes the trend of packages in terms of increasing the number of pins, increasing the size of chips, and reducing the size and thickness of wires, and touches on wire bonding as a technical issue. Is described. The following is an excerpt from the section for pad pitch reduction. "When the number of pins increases, the pads are placed around the chip, which may increase the size of the chip. As shown in Fig. 5, try to simplify and estimate. Expected to appear in the near future. There is 3
Taking the 00-pin class as an example, it is assumed that the chip is square and the pad arrangement dimension a is the pad pitch 16
In the case of 0 μm, it becomes 12 mm. If this becomes 120 μm, it becomes 9 mm, which is a great effect. For this purpose, it is necessary to miniaturize the bonding balls. Pad pitch is 120 μm
If so, the bonding position accuracy is approximately ± 15 to 20.
The diameter of the joining ball must be 80 to 90 μm or less. Is stated. " Note that FIG. 5 shows the relationship between the pad pitch, the lead pitch and the wire length. In addition, the following is an excerpt of the item corresponding to lead pitch reduction. "The lead pitch is
42N of t0.15mm whether pressing or etching
It seems that about 0.2 mm pitch is the limit for the iFe alloy. With this plate thickness, the lead width is about 0.1 mm, which is a half of this, and in order to bond into this, the lead bonding width must also be made stable and small. Is stated. "

【0003】一方、細緻なリードフレームの製造はより
困難となって来ており、その打開手段の一つとして、た
とえば特開昭58−192334号公報や実開昭64−
57641号公報に記載されているような複合リードフ
レームが知られている。この複合リードフレームは、ダ
イパッド上にポリイミド樹脂フィルムやエポキシ樹脂フ
ィルム等からなる絶縁基板が接合された構造となってい
る。この絶縁基板は、基板の表面に蒸着や箔の貼り付け
によって形成した導体層をエッチングして配線パターン
を形成することから、インナーリードの幅やピッチをよ
り小さくでき、リードパターンの微細化が可能となる。
On the other hand, it has become more difficult to manufacture a fine lead frame, and as one of the breakthrough means, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-192334 or Shokai 64-64.
A composite lead frame as described in Japanese Patent No. 57641 is known. This composite lead frame has a structure in which an insulating substrate made of a polyimide resin film, an epoxy resin film, or the like is bonded onto a die pad. In this insulating substrate, the conductor layer formed by vapor deposition or foil sticking on the surface of the substrate is etched to form the wiring pattern, so the width and pitch of the inner leads can be made smaller and the lead pattern can be miniaturized. Becomes

【0004】他方、半導体装置の製造においては、半導
体チップの電極とリードの内端とを導電性のワイヤで接
続するワイヤボンディング工程がある。このワイヤボン
ディング工程ではワイヤボンディング装置が使用され
る。ワイヤボンディング装置(ワイヤボンダ)について
は、工業調査会発行「電子材料」1991年11月22日発行、
P132〜P135に記載されている。この文献には半導体チッ
プやリードの認識について触れられ「ワイヤボンダにお
いては,半導体チップ上のボンディングパッドおよび外
部リードの位置を補正するために,10数年前にパター
ン認識装置を搭載した全自動式のワイヤボンダが市場に
投入され始めた。全自動式のワイヤボンダが登場した頃
は,1点を認識するのに0.25s程度要していたもの
が,現状では0.05s/1点を実現している。また多
ピン製品においては,ボンディングする前に個々の外部
リードの位置を補正するリードロケータという機能が必
要となってきている。このリードロケータが登場した頃
は,外部リード1本を認識するのにつき0.07s程度
要し,多ピン半導体デバイスの組立における生産性を著
しく低下させる原因となった。現状では,外部リード1
本を認識するのに所要する時間は,0.023sと高速
化され,生産性の向上に寄与している。」旨記載されて
いる。
On the other hand, in manufacturing a semiconductor device, there is a wire bonding step of connecting the electrodes of the semiconductor chip and the inner ends of the leads with a conductive wire. A wire bonding apparatus is used in this wire bonding process. Regarding the wire bonding equipment (wire bonder), "Electronic Materials" issued by the Industrial Research Committee, issued on November 22, 1991,
It is described in P132 to P135. This document touches on the recognition of semiconductor chips and leads. "In a wire bonder, a fully automatic system equipped with a pattern recognition device was installed several decades ago in order to correct the positions of bonding pads and external leads on the semiconductor chip. Wire bonders have begun to enter the market.When the fully automatic wire bonder was introduced, it took about 0.25s to recognize one point, but now it has achieved 0.05s / 1 point. In addition, in multi-pin products, it is necessary to have a function called a lead locator that corrects the position of each external lead before bonding.When this lead locator appeared, one external lead was recognized. It takes about 0.07 s to reduce the productivity in assembling a multi-pin semiconductor device significantly. De 1
The time required to recognize a book is increased to 0.023 s, which contributes to improved productivity. Is stated. "

【0005】また、ボンディングパッドの検出について
は、工業調査会発行「電子材料」1984年8月号、同年8
月1日発行P114〜P115に記載されている。この文献に
は、「ペレットの取り付け位置のずれの検出は,通常,
ペレット上の特定の点(複数)の位置を検出し,これと
正規の位置とを比較することにより行っている。この特
定の点として,特定個所のボンディングパッドを用いる
場合が多いのであるが,この場合,特にボンディングパ
ッドの数が多い場合には,多数のパッドの中から目標と
するパッドを選出するにはかなりの困難が伴う。このた
めの工夫を次に紹介する。図3に示した方法では,パッ
ドの中から特徴的な三角形を形成するパッドをあらかじ
め基準配列として選んでおく。そしてペレット上を光電
走査してパッド群を得,この中から任意に3個のパッド
を選び,これによって形成される三角形とあらかじめ選
んだ基準配列の三角形とを比較して,対応がとれれば,
パッドA,B,Cを求めるべき目標パッドと判定してい
る。」旨記載されている。
Regarding the detection of the bonding pad, "Electronic Materials" published by the Industrial Research Institute, August 1984, 8
It is described on pages 114-115 issued on the 1st of each month. In this document, "Detection of displacement of mounting position of pellets is usually
The position of specific points (plurality) on the pellet is detected, and this is compared with the normal position. As this particular point, bonding pads at specific locations are often used. In this case, in particular, when the number of bonding pads is large, it is quite difficult to select a target pad from a large number of pads. With difficulty. Here are some ideas for this. In the method shown in FIG. 3, pads that form a characteristic triangle are selected from the pads as a reference array in advance. Then, the pellet is photoelectrically scanned to obtain a pad group, three pads are arbitrarily selected from the pad group, the triangle formed by this is compared with the triangle of the preselected reference array, and if correspondence is found,
It is determined that the pads A, B and C are target pads to be obtained. Is stated. "

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記絶縁基板
の使用においては、通常の金属によるリードフレームの
場合に比較して製造歩留りや信頼性が低いということか
ら、本出願人においては、特殊構造のリードフレームお
よびそれを用いた半導体集積回路装置をすでに特許出願
(特願平4−208830号、平成4年8月5日出願)
している。本出願人提案の半導体装置の一実施例につい
て簡単に説明する。図14は半導体装置の一部を切り欠
いた平面図、図15は半導体チップの表面に設けられた
電極(配線パッド)と、半導体チップ用の位置認識マー
クを示す模式的平面図である。半導体装置1は、レジン
からなるパッケージ2と、このパッケージ2の中央に位
置する半導体チップ3と、前記半導体チップ3を離れて
囲むように配置される矩形枠状の配線基板4と、前記半
導体チップ3を支持する半導体チップ(チップ)3より
も小さなタブ5と、前記タブ5に連結されるとともに途
中部分で前記配線基板4を支持するタブ吊りリード6
と、前記パッケージ2の内外に亘って延在する複数のリ
ード9と、前記半導体チップ3の電極と配線基板4の内
側の配線パッド7を電気的に接続するワイヤ10と、前
記配線基板4の周囲の外側の配線パッド11と配線基板
4の周囲近傍に延在するリード9の内端とを電気的に接
続するワイヤ12とからなっている。前記配線基板4の
表面には、枠の内側から外側に向かって導体配線8が形
成されている。そして、導体配線8の内側および外側が
それぞれ内側の配線パッド7,外側の配線パッド11と
なる。前記リード9はガルウィング型となっている。前
記半導体チップ3の電極(配線パッド)16において、
図15に示すように、一部の電極16がチップ用の位置
認識マーク15として使用される。前記チップ用の位置
認識マーク15は、中央に十字状の表記がなされてい
る。前記チップ用の位置認識マーク15は、半導体チッ
プ3の上下の略中央に設けられている。
However, in the use of the insulating substrate, the manufacturing yield and reliability are lower than those in the case of the lead frame made of a normal metal, so that the applicant has a special structure. Already applied for a patent for the lead frame and semiconductor integrated circuit device using the same (Japanese Patent Application No. 4-208830, filed on August 5, 1992)
is doing. An example of the semiconductor device proposed by the present applicant will be briefly described. FIG. 14 is a plan view in which a part of the semiconductor device is cut away, and FIG. 15 is a schematic plan view showing electrodes (wiring pads) provided on the surface of the semiconductor chip and position recognition marks for the semiconductor chip. The semiconductor device 1 includes a package 2 made of a resin, a semiconductor chip 3 located at the center of the package 2, a rectangular frame-shaped wiring board 4 arranged so as to surround the semiconductor chip 3, and the semiconductor chip. A tab 5 that is smaller than a semiconductor chip (chip) 3 that supports 3 and a tab suspension lead 6 that is connected to the tab 5 and that supports the wiring board 4 in the middle thereof.
A plurality of leads 9 extending inside and outside the package 2, wires 10 electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip 3 and the wiring pads 7 inside the wiring board 4, and the wiring board 4 of the wiring board 4. It is composed of a wiring pad 11 on the outside of the periphery and a wire 12 that electrically connects the inner end of the lead 9 extending near the periphery of the wiring substrate 4. Conductor wirings 8 are formed on the surface of the wiring board 4 from the inside to the outside of the frame. The inside and outside of the conductor wiring 8 become the inside wiring pad 7 and the outside wiring pad 11, respectively. The lead 9 is a gull wing type. In the electrode (wiring pad) 16 of the semiconductor chip 3,
As shown in FIG. 15, some electrodes 16 are used as position recognition marks 15 for chips. The position recognition mark 15 for the chip has a cross-shaped notation at the center. The position recognizing mark 15 for the chip is provided in the upper and lower substantially central portions of the semiconductor chip 3.

【0007】このような半導体装置1の製造において、
前記タブ5に半導体チップ3を固定した後、半導体チッ
プ3の電極と配線基板4の内側の配線パッド7とを金線
からなるワイヤ10で接続するとともに、配線基板4の
外側の配線パッド11とリード9の内端を金線からなる
ワイヤ12で接続する。前記配線基板4は中継配線基板
となり、その使用によってワイヤ長さを長くする必要が
無くなるとともに、途中の配線も微細配線とすることが
できる。
In manufacturing such a semiconductor device 1,
After fixing the semiconductor chip 3 to the tab 5, the electrodes of the semiconductor chip 3 and the wiring pads 7 on the inner side of the wiring board 4 are connected by the wires 10 made of gold wires, and the wiring pads 11 on the outer side of the wiring board 4 are connected. The inner end of the lead 9 is connected by a wire 12 made of a gold wire. The wiring board 4 serves as a relay wiring board, and by using it, there is no need to increase the wire length, and the wiring in the middle can be fine wiring.

【0008】半導体チップ3には、図15に示されるよ
うに、チップ用の位置認識マーク15が電極(配線パッ
ド)16の一部を利用して形成されている(このチップ
用の位置認識マーク15は、半導体チップ3の上下の略
中央にそれぞれ一箇所設けられている)また、配線基板
においては、特定のリード部分を認識してチップと配線
基板とをワイヤ10で接続する。この結果、半導体チッ
プ3と導体配線8の内側の配線パッド7との接続の信頼
性が高い。しかし、配線基板4には特に位置認識マーク
が設けられていない。このため、配線基板4の外側の配
線パッド11とリード9との接続において、自動認識エ
ラーが多発し、ボンディング位置のズレによって接続不
良が発生することがわかった。
As shown in FIG. 15, on the semiconductor chip 3, a chip position identification mark 15 is formed by utilizing a part of an electrode (wiring pad) 16 (this chip position identification mark). (15 is provided in each of the upper and lower substantially central portions of the semiconductor chip 3). Further, in the wiring board, a specific lead portion is recognized and the chip and the wiring board are connected by the wire 10. As a result, the reliability of the connection between the semiconductor chip 3 and the wiring pad 7 inside the conductor wiring 8 is high. However, no particular position recognition mark is provided on the wiring board 4. Therefore, it was found that automatic recognition errors frequently occur in the connection between the wiring pad 11 on the outer side of the wiring board 4 and the lead 9, and the connection failure occurs due to the displacement of the bonding position.

【0009】本発明の目的は、中継基板となる配線基板
をリードフレームの中央に位置させたリードフレームを
使用して半導体装置を製造するに際して、前記配線基板
の取り付けによる位置姿勢を正確に把握することによっ
てワイヤボンディングを高歩留りで行い、安価な半導体
装置を製造することにある。本発明の前記ならびにその
ほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付
図面からあきらかになるであろう。
An object of the present invention is to accurately grasp the position and orientation of the wiring board when the semiconductor device is manufactured by using the lead frame in which the wiring board serving as the relay board is located at the center of the lead frame. Thus, wire bonding is performed with high yield, and an inexpensive semiconductor device is manufactured. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は以
下に記す配線基板付きのリードフレームを使用して製造
が行われる。そして、前記配線基板には配線基板用の位
置認識マークが複数設けられている。本発明のリードフ
レームは、矩形状の枠体と、前記枠体の中央に位置する
半導体チップを搭載する半導体チップよりも小さいタブ
と、前記枠体から延在しかつ前記タブを支持する複数の
タブ吊りリードと、表面に配線基板用の位置認識マーク
が複数設けられているとともに前記タブを離れて囲みか
つ前記タブ吊りリードに接着されさらに前記枠体の枠体
内径が前記半導体チップよりも大きくなる矩形枠状の配
線基板と、前記枠体の各辺の内周縁から前記配線基板の
周囲近傍に延在する複数のリードとからなる構造となっ
ている。そして、半導体装置の製造においては、前記タ
ブ上に半導体チップを固定した後、配線基板の表面に設
けられた配線基板用の位置認識マークを検出し、この検
出情報および半導体チップの位置認識マークの検出情報
ならびにリードの配列検出情報に基づいてワイヤボンデ
ィングを行う。すなわち、ワイヤボンディングは2回に
亘って行われる。1回目は半導体チップの電極と配線基
板の内側の配線パッドとのワイヤによる接続であり、2
回目は配線基板の外側の配線パッドとリードの内端との
ワイヤによる接続である。したがって、製造された半導
体装置は、パッケージと、このパッケージの中央に位置
する半導体チップと、前記半導体チップを離れて囲むよ
うに配置される矩形枠状の配線基板と、前記半導体チッ
プを支持するタブと、前記タブに連結されるとともに途
中部分で前記配線基板を支持するタブ吊りリードと、前
記パッケージの内外に亘って延在する複数のリードと、
前記半導体チップの電極と配線基板の配線パッドを電気
的に接続するワイヤと、配線基板の周囲の配線パッドと
配線基板の周囲近傍に延在するリードの内端とを電気的
に接続するワイヤとからなる半導体装置であって、前記
配線基板の表面には配線基板用の位置認識マークが複数
設けられている構造となっている。
The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the semiconductor device of the present invention is manufactured using a lead frame with a wiring board described below. A plurality of position recognition marks for the wiring board are provided on the wiring board. The lead frame of the present invention includes a rectangular frame body, a tab smaller than a semiconductor chip on which a semiconductor chip located in the center of the frame body is mounted, and a plurality of tabs extending from the frame body and supporting the tab. A tab suspension lead and a plurality of position recognition marks for a wiring board are provided on the surface, the tab surrounds the tab separately, and is bonded to the tab suspension lead, and the frame inner diameter of the frame is larger than that of the semiconductor chip. And a plurality of leads extending from the inner peripheral edge of each side of the frame body to the vicinity of the periphery of the wiring board. Then, in the manufacture of the semiconductor device, after fixing the semiconductor chip on the tab, the position recognition mark for the wiring board provided on the surface of the wiring board is detected, and the detection information and the position recognition mark of the semiconductor chip are detected. Wire bonding is performed based on the detection information and the lead array detection information. That is, wire bonding is performed twice. The first time is a wire connection between the electrodes of the semiconductor chip and the wiring pads inside the wiring board.
The turn is a wire connection between the wiring pad outside the wiring board and the inner end of the lead. Therefore, the manufactured semiconductor device includes a package, a semiconductor chip located at the center of the package, a rectangular frame-shaped wiring board arranged so as to surround the semiconductor chip, and a tab for supporting the semiconductor chip. A tab suspension lead that is connected to the tab and supports the wiring board at an intermediate portion; and a plurality of leads that extend inside and outside the package,
A wire for electrically connecting the electrode of the semiconductor chip and a wiring pad of the wiring board, and a wire for electrically connecting the wiring pad around the wiring board and the inner end of the lead extending near the periphery of the wiring board And a structure in which a plurality of position recognition marks for the wiring board are provided on the surface of the wiring board.

【0011】本発明の他の実施例による半導体装置は、
パッケージと、このパッケージの内外に亘って延在する
複数のリードと、前記パッケージ内に位置する配線基板
と、前記配線基板を支持するように固定される数本のリ
ードと、前記配線基板上に固定される少なくとも一つの
電子部品(すなわち、半導体チップ)の電極と配線基板
の配線パッドを電気的に接続するワイヤと、配線基板の
周囲の配線パッドと配線基板の周囲近傍に延在するリー
ドの内端とを電気的に接続するワイヤとからなる半導体
装置であって、前記配線基板の表面には配線基板用位置
認識マークが複数設けられている構造となっている。こ
のような半導体装置を製造するためのリードフレーム
は、矩形状の枠体の各辺の内周縁から枠の内方に延在す
る複数のリードと、前記枠の中央部分に所望の大きさで
拡がる配線基板とからなり、前記リードのうちの数本は
長く延在して前記配線基板に接続されて配線基板を支持
し、残りのリードの内端は前記配線基板の周囲近傍に延
在することを特徴とするリードフレームであって、前記
配線基板には配線基板用位置認識マークが複数設けられ
ている構造となっている。
A semiconductor device according to another embodiment of the present invention is
A package, a plurality of leads extending inside and outside of the package, a wiring board located in the package, several leads fixed to support the wiring board, and a wiring board on the wiring board. Wires that electrically connect the electrodes of at least one electronic component (that is, a semiconductor chip) to be fixed and the wiring pads of the wiring board, the wiring pads around the wiring board, and the leads extending near the periphery of the wiring board. A semiconductor device comprising a wire electrically connecting to an inner end, wherein a plurality of wiring board position recognition marks are provided on the surface of the wiring board. A lead frame for manufacturing such a semiconductor device has a plurality of leads extending inward from the inner peripheral edge of each side of a rectangular frame body and a desired size in the central portion of the frame. A plurality of leads, which are extended and connected to the wiring board to support the wiring board, and the inner ends of the remaining leads extend near the periphery of the wiring board. In the lead frame, a plurality of wiring board position recognition marks are provided on the wiring board.

【0012】[0012]

【作用】本発明の半導体装置の製造においては、中継基
板となる配線基板を取り付けたリードフレームを用い、
かつ半導体チップおよび配線基板にそれぞれ位置認識マ
ーク,配線基板用の位置認識マークを設けていることか
ら、これら位置認識マークの検出によって、半導体チッ
プの電極と配線基板の導体配線における内側の配線パッ
ドとのワイヤボンディング、配線基板の導体配線におけ
る外側の配線パッドとリード内端のワイヤボンディング
が高精度で行える。
In the manufacture of the semiconductor device of the present invention, the lead frame to which the wiring board serving as the relay board is attached is used,
Moreover, since the semiconductor chip and the wiring board are provided with the position recognition mark and the position recognition mark for the wiring board, respectively, the electrodes of the semiconductor chip and the inner wiring pad in the conductor wiring of the wiring board are detected by the detection of these position recognition marks. The wire bonding can be performed with high accuracy on the outer wiring pad and the inner end of the lead in the conductor wiring of the wiring board.

【0013】1枚の配線基板をリードフレームの中央部
分に位置させ、配線基板の中央に半導体チップを搭載
し、半導体チップの電極と配線基板の導体配線とをワイ
ヤボンディングし、かつ配線基板の周囲の導体配線とリ
ード内端をワイヤボンディングする他の実施例において
も、前記半導体チップの位置認識マークと配線基板用の
位置認識マークの検出によって、ワイヤボンディング位
置のずれがない高精度なワイヤボンディングが行えるよ
うになる。
One wiring board is positioned in the center of the lead frame, a semiconductor chip is mounted in the center of the wiring board, the electrodes of the semiconductor chip and the conductor wiring of the wiring board are wire-bonded, and the periphery of the wiring board is surrounded. Also in another embodiment in which the conductor wiring and the inner end of the lead are wire-bonded, by detecting the position recognition mark of the semiconductor chip and the position recognition mark for the wiring board, highly accurate wire bonding without deviation of the wire bonding position can be performed. You will be able to do it.

【0014】[0014]

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明の一実施例による一部を切り
欠いた半導体装置の模式的平面図、図2は配線基板用の
位置認識マーク等を示す模式的説明図、図3は図1のA
−A線に沿う断面図、図4は図1のB−B線に沿う断面
図、図5は本発明の一実施例によるリードフレームの模
式的平面図、図6は本発明の一実施例によるリードフレ
ームにおけるリードフレーム本体を示す平面図、図7は
本発明の一実施例によるリードフレームにおける配線基
板を示す模式的平面図、図8は半導体チップの電極(配
線パッド)の拡大模式的平面図、図9はチップボンディ
ング,ワイヤボンディングが行われたリードフレームの
模式的平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a schematic plan view of a partially cut-out semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a position recognition mark for a wiring board, and FIG. 3 is A of FIG.
-A sectional view taken along the line A, Fig. 4 is a sectional view taken along the line B-B in Fig. 1, Fig. 5 is a schematic plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention, and Fig. 6 is an embodiment of the present invention. 7 is a plan view showing a lead frame body in a lead frame according to FIG. 7, FIG. 7 is a schematic plan view showing a wiring board in a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an enlarged schematic plan view of electrodes (wiring pads) of a semiconductor chip. FIG. 9 and FIG. 9 are schematic plan views of a lead frame on which chip bonding and wire bonding are performed.

【0015】本発明のレジンパッケージ型半導体装置1
は、図1,図3および図4に示すように、矩形のパッケ
ージ2と、このパッケージ2の内外に亘って延在する複
数のリード9とからなっている。この例では、前記パッ
ケージ2から突出するリード9の形状はガルウィング型
となっている。
Resin package type semiconductor device 1 of the present invention
As shown in FIGS. 1, 3 and 4, the package includes a rectangular package 2 and a plurality of leads 9 extending inside and outside the package 2. In this example, the lead 9 protruding from the package 2 has a gull wing shape.

【0016】前記パッケージ2の内部には、タブ(支持
体)5が配設されている。このタブ5の上面には、銀ペ
ースト等からなる接合材20を介してLSIを構成する
半導体チップ(チップ)3が固定されている。前記タブ
5は半導体チップ3に比較して小さくかつ円形となり、
半導体チップ3との接触面積を小さくしてある。前記タ
ブ5は矩形状のパッケージ2の四隅から延在するタブ吊
りリード6によって支持されている。タブ吊りリード6
は半導体装置1の製造の最終段階でパッケージから突出
する部分で切断されたものである。また、前記半導体チ
ップ3においては、図8に示すように、4辺の周囲に2
列に亘って電極(配線パッド)16が設けられている。
そして、その内の2個の配線パッド16がチップ用の位
置認識マーク15となっている。前記チップ用の位置認
識マーク15は、その表面に十字状のマークが表記され
ている。このチップ用の位置認識マーク15は、半導体
チップ3の位置(姿勢)を認識するマークとして利用さ
れる。
A tab (support) 5 is arranged inside the package 2. A semiconductor chip (chip) 3 constituting an LSI is fixed to the upper surface of the tab 5 via a bonding material 20 made of silver paste or the like. The tab 5 is smaller and rounder than the semiconductor chip 3,
The contact area with the semiconductor chip 3 is reduced. The tab 5 is supported by tab suspension leads 6 extending from the four corners of the rectangular package 2. Tab suspension lead 6
Is cut at the portion protruding from the package at the final stage of manufacturing the semiconductor device 1. In addition, in the semiconductor chip 3, as shown in FIG.
Electrodes (wiring pads) 16 are provided across the columns.
Two of the wiring pads 16 are the position recognition marks 15 for the chip. The position recognition mark 15 for the chip has a cross-shaped mark on its surface. The chip position recognition mark 15 is used as a mark for recognizing the position (orientation) of the semiconductor chip 3.

【0017】また、前記半導体チップ3の外側には、半
導体チップ3を囲むような枠状の配線基板4が配置され
ている。前記配線基板4は絶縁基板21と、この絶縁基
板21の表面に設けられた導体配線8とからなってい
る。前記絶縁基板21は、図7に示すように、たとえば
厚さ50μm程度、外形寸法25mm×25mm程度の
枠体となっている。内側の大きさは、前記半導体チップ
3の外形よりも数mm程度離れる大きさとなっている。
前記絶縁基板21は、ポリイミド樹脂フィルムやエポキ
シ樹脂フィルムさらにはセラミック等の板材で形成され
ている。前記導体配線8は、18μm程度の厚さの銅箔
や蒸着によって形成された銅層を選択的にエッチングす
ることによって形成されている。各導体配線8は、枠体
の内側から外側に向かって延在し、内側および外側にそ
れぞれ内側の配線パッド7,外側の配線パッド11を有
する構造となっている。
On the outside of the semiconductor chip 3, a frame-shaped wiring board 4 surrounding the semiconductor chip 3 is arranged. The wiring board 4 comprises an insulating substrate 21 and conductor wiring 8 provided on the surface of the insulating substrate 21. As shown in FIG. 7, the insulating substrate 21 is, for example, a frame body having a thickness of about 50 μm and outer dimensions of about 25 mm × 25 mm. The inner size of the semiconductor chip 3 is separated from the outer shape of the semiconductor chip 3 by several mm.
The insulating substrate 21 is formed of a plate material such as a polyimide resin film, an epoxy resin film, or ceramic. The conductor wiring 8 is formed by selectively etching a copper foil having a thickness of about 18 μm or a copper layer formed by vapor deposition. Each conductor wiring 8 extends from the inner side to the outer side of the frame body, and has a structure having an inner wiring pad 7 and an outer wiring pad 11 on the inner side and the outer side, respectively.

【0018】また、これが本発明の特徴の一つである
が、前記配線基板4の表面には、配線基板用の位置認識
マーク22が複数設けられている。この例では、図7に
示すように、前記配線基板用の位置認識マーク22は右
上と左下の縁部分に2箇所設けられている。また、前記
配線基板用の位置認識マーク22は、図1および図2に
示すように、配線パッド23を利用して形成され、たと
えば、中央に十文字の表記がなされている。
Further, this is one of the features of the present invention. On the surface of the wiring board 4, a plurality of position recognition marks 22 for the wiring board are provided. In this example, as shown in FIG. 7, the position recognition marks 22 for the wiring board are provided at two positions on the upper right and lower left edge portions. The position recognition mark 22 for the wiring board is formed by using the wiring pad 23 as shown in FIGS. 1 and 2, and for example, a ten-character notation is provided in the center.

【0019】一方、図8に示すように、前記半導体チッ
プ3の電極(配線パッド)16と、配線基板4の内側の
配線パッド7は、図1,図3および図4に示すように、
金線からなるワイヤ10で電気的に接続されている。ま
た、配線基板4の周囲近傍には前記リード9の内端が位
置し、これらリード9の内端と前記配線基板4の外側の
配線パッド11とは金線からなるワイヤ12で電気的に
接続されている。前記タブ吊りリード6は、図1,図4
および図5に示すように、半導体チップ3や配線基板4
を支持する部分を含む中央部分が一段低くなっている。
配線基板4はエポキシ樹脂系の接着剤25でタブ吊りリ
ード6のアイランド26に接着されている。また、図6
に示すように、前記アイランド26は、細いタブ吊りリ
ード6では所望の接着性が得られないことから、タブ吊
りリード6の一部に側方に突出させた円形の張出部分で
形成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 8, the electrodes (wiring pads) 16 of the semiconductor chip 3 and the wiring pads 7 inside the wiring board 4 are as shown in FIGS. 1, 3 and 4.
It is electrically connected by a wire 10 made of a gold wire. The inner ends of the leads 9 are located near the periphery of the wiring board 4, and the inner ends of the leads 9 and the wiring pads 11 on the outer side of the wiring board 4 are electrically connected by a wire 12 made of a gold wire. Has been done. The tab suspension lead 6 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5 and FIG.
The central part including the part that supports is lowered.
The wiring board 4 is adhered to the island 26 of the tab suspension lead 6 with an epoxy resin adhesive 25. In addition, FIG.
As shown in FIG. 3, the island 26 is formed by a circular projecting portion that projects laterally from a part of the tab suspension lead 6 because the thin tab suspension lead 6 cannot obtain desired adhesiveness. There is.

【0020】前記配線基板用の位置認識マーク22は、
前記リード群に対する配線基板4の取り付けずれや半導
体チップ3との位置関係を知る認識パターン(マーク)
となる。この結果、ワイヤボンディング装置に入力され
たリード9のパターン,配線基板4の導体配線パター
ン,半導体チップ3の電極パターンと、半導体チップに
おけるチップ用の位置認識マーク15や配線基板4にお
ける配線基板用の位置認識マーク22の検出情報から、
高精度なワイヤボンディングが可能となる。すなわち、
本発明の半導体装置の製造方法、すなわち、ワイヤボン
ディング方法においては、半導体チップ3の電極16と
内側の配線パッド7を接続するワイヤ10の接続不良も
なく、かつまた外側の配線パッド11とリード9の内端
を接続するワイヤ12の接続不良も起き難いことにな
り、完成した本発明の半導体装置1におけるワイヤボン
ディング性の信頼性は高いものとなる。
The position recognition mark 22 for the wiring board is
A recognition pattern (mark) for knowing the misalignment of the wiring board 4 to the lead group and the positional relationship with the semiconductor chip 3.
Becomes As a result, the pattern of the leads 9 input to the wire bonding apparatus, the conductor wiring pattern of the wiring board 4, the electrode pattern of the semiconductor chip 3, the position recognition mark 15 for the chip on the semiconductor chip, and the wiring board on the wiring board 4 are used. From the detection information of the position recognition mark 22,
Highly accurate wire bonding becomes possible. That is,
In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, that is, the wire bonding method, there is no defective connection of the wire 10 connecting the electrode 16 of the semiconductor chip 3 and the inner wiring pad 7, and the outer wiring pad 11 and the lead 9 are also present. The poor connection of the wire 12 that connects the inner ends of the wires is unlikely to occur, and the reliability of the wire bonding property in the completed semiconductor device 1 of the present invention is high.

【0021】つぎに、このような半導体装置1の製造に
ついて説明する。本発明の半導体装置1を製造する場
合、図5に示すようなリードフレーム30が用意され
る。このリードフレーム30は、図6に示すリードフレ
ーム本体31と、このリードフレーム本体31の表面に
接着剤25(図4参照)を介して取り付けられる枠状の
配線基板4とからなっている。
Next, the manufacture of such a semiconductor device 1 will be described. When manufacturing the semiconductor device 1 of the present invention, a lead frame 30 as shown in FIG. 5 is prepared. The lead frame 30 includes a lead frame main body 31 shown in FIG. 6 and a frame-shaped wiring board 4 attached to the surface of the lead frame main body 31 with an adhesive 25 (see FIG. 4).

【0022】リードフレーム本体31は、厚さ0.15
mm程度のFe−Ni合金板やCu合金板等をエッチン
グによりまたはプレスによってパターニングすることに
よって製造される。リードフレーム本体31は図6に示
すように、一対の平行に延在する外枠32と、この一対
の外枠32を連結しかつ外枠32に直交する方向に延在
する一対の内枠33とによって形成される枠構造となっ
ている。また、前記枠の中央には半導体チップ3よりも
小径の円形のタブ(支持体)5が配置されているととも
に、このタブ5は枠体の隅の太幅部34から延在するタ
ブ吊りリード6によって支持されている。また、タブ吊
りリード6の途中には側方に張り出した円形状のアイラ
ンド26が設けられている。このアイランド26は、前
記配線基板4をエポキシ樹脂系の接着剤25でタブ吊り
リード6接着した際、細いタブ吊りリード6だけでは所
望の接着性が得られないことから設けられたものであ
る。また、前記内枠33および外枠32から前記配線基
板4に向かって複数のリード9が延在している。また、
相互に平行に延在するリード部分において、各リード9
はダム27によって連結されている。このダム27は、
前記内枠33または外枠32に平行に配置されるととも
に、枠の隅の太幅部34に連結されている。なお、リー
ドフレーム本体31の外枠32には、図示はしないが、
位置決めやガイド用に使用される孔や長孔等が設けられ
ている。
The lead frame body 31 has a thickness of 0.15.
It is manufactured by patterning a Fe-Ni alloy plate or a Cu alloy plate of about mm by etching or pressing. As shown in FIG. 6, the lead frame body 31 includes a pair of outer frames 32 extending in parallel with each other, and a pair of inner frames 33 connecting the pair of outer frames 32 and extending in a direction orthogonal to the outer frame 32. It has a frame structure formed by and. A circular tab (support) 5 having a diameter smaller than that of the semiconductor chip 3 is arranged in the center of the frame, and the tab 5 is a tab suspension lead extending from the wide width portion 34 at the corner of the frame. Supported by 6. In addition, a circular island 26 that projects laterally is provided in the middle of the tab suspension lead 6. The island 26 is provided because when the wiring board 4 is bonded to the tab suspension leads 6 with the epoxy resin adhesive 25, desired adhesiveness cannot be obtained only with the thin tab suspension leads 6. Further, a plurality of leads 9 extend from the inner frame 33 and the outer frame 32 toward the wiring board 4. Also,
In the lead portions extending parallel to each other, each lead 9
Are connected by a dam 27. This dam 27
It is arranged in parallel with the inner frame 33 or the outer frame 32 and is connected to the thick width portion 34 at the corner of the frame. Although not shown, the outer frame 32 of the lead frame body 31 is not shown.
Holes and slots used for positioning and guiding are provided.

【0023】配線基板4は、図7に示すように、矩形枠
状の絶縁基板21と、この表面に形成された導体配線8
とからなっている。絶縁基板21の内枠の径は、半導体
チップ3の径よりも大きくなり、半導体チップ3をタブ
5に取り付けた際支障が起きないようになっている。ま
た、絶縁基板21の外径は、リード9のリードパターン
によって決まるが、配線基板4の大きさが大きい程、導
体配線8の外側の配線パッド11のピッチやリード9の
内端のピッチが広くなり、ワイヤボンディングに余裕が
でるようになる。前記配線基板4は、たとえば18μm
程度の厚さのポリイミド樹脂フィルムやエポキシ樹脂フ
ィルムさらにはセラミック等で形成されている。絶縁基
板21の表面に設けられる導体配線8は、数10μmの
厚さの銅箔や蒸着によって形成された銅層を選択的にエ
ッチングすることによって形成されている。各導体配線
8は、枠体の内側から外側に向かって延在し、内側およ
び外側にそれぞれ内側の配線パッド7,外側の配線パッ
ド11を有する構造となっている。そして、一部の配線
パッド23を前述のように配線基板用の位置認識マーク
22に形成する。図では、配線基板用の位置認識マーク
22は、矩形枠状の配線基板4の右上と左下に設けられ
ている。
As shown in FIG. 7, the wiring board 4 has a rectangular frame-shaped insulating substrate 21 and conductor wirings 8 formed on the surface thereof.
It consists of The diameter of the inner frame of the insulating substrate 21 is larger than the diameter of the semiconductor chip 3 so that no trouble occurs when the semiconductor chip 3 is attached to the tab 5. The outer diameter of the insulating substrate 21 is determined by the lead pattern of the leads 9. The larger the size of the wiring substrate 4, the wider the pitch of the wiring pads 11 outside the conductor wiring 8 and the pitch of the inner ends of the leads 9. As a result, there is more room for wire bonding. The wiring board 4 is, for example, 18 μm.
It is formed of a polyimide resin film or an epoxy resin film having a certain thickness and further ceramics or the like. The conductor wiring 8 provided on the surface of the insulating substrate 21 is formed by selectively etching a copper foil having a thickness of several 10 μm or a copper layer formed by vapor deposition. Each conductor wiring 8 extends from the inner side to the outer side of the frame body, and has a structure having an inner wiring pad 7 and an outer wiring pad 11 on the inner side and the outer side, respectively. Then, a part of the wiring pads 23 is formed on the position recognition mark 22 for the wiring board as described above. In the figure, the position recognition marks 22 for the wiring board are provided on the upper right and lower left of the rectangular frame-shaped wiring board 4.

【0024】前記リードフレーム本体31に配線基板4
を接着剤25を使用して接着することによって、図5に
示すようなリードフレーム30が形成されることにな
る。
The wiring board 4 is mounted on the lead frame body 31.
The lead frame 30 as shown in FIG.

【0025】つぎに、このようなリードフレーム30に
対してチップボンディング,ワイヤボンディングが行わ
れる。すなわち、前記リードフレーム30のタブ5上に
接合材20(図3参照)を介して半導体チップ3が固定
される。その後、ワイヤボンディング装置によって、半
導体チップ3の位置認識マーク15および配線基板4の
位置認識マーク22を検出する。また、ワイヤボンディ
ング装置には、リード9のパターン,配線基板4の導体
配線パターン,半導体チップ3の電極パターンが入力さ
れている。したがって、入力情報と検出情報に基づいて
ワイヤボンディングは高精度に動作し、半導体チップ3
の電極16と内側の配線パッド7をワイヤ10で接続す
るとともに、配線基板4における外側の配線パッド11
とリード9の内端をワイヤ12で接続する。この結果、
ワイヤは各配線パッドに正確に接続されるため、本発明
の半導体装置1におけるワイヤボンディング性の信頼性
は高いものとなる。
Next, chip bonding and wire bonding are performed on such lead frame 30. That is, the semiconductor chip 3 is fixed onto the tab 5 of the lead frame 30 via the bonding material 20 (see FIG. 3). Then, the position recognition mark 15 of the semiconductor chip 3 and the position recognition mark 22 of the wiring board 4 are detected by the wire bonding device. The pattern of the leads 9, the conductor wiring pattern of the wiring board 4, and the electrode pattern of the semiconductor chip 3 are input to the wire bonding device. Therefore, the wire bonding operates with high accuracy based on the input information and the detection information, and the semiconductor chip 3
The electrode 16 and the inner wiring pad 7 are connected by the wire 10, and the outer wiring pad 11 on the wiring substrate 4 is connected.
And the inner end of the lead 9 is connected by a wire 12. As a result,
Since the wire is accurately connected to each wiring pad, the reliability of the wire bondability in the semiconductor device 1 of the present invention is high.

【0026】つぎに、組立が終了したリードフレーム3
0は、常用のトランスファモールド装置によって、所定
部がモールドされてパッケージ2が形成される(図9参
照)。その後、前記リードフレーム30はトランスファ
モールド型から取り外され、不要リードフレーム部分が
切断除去されるとともに、リード成形が行われ、図3に
示されるようなガルウィング型の半導体装置1が製造さ
れる。
Next, the lead frame 3 which has been assembled
In the case of 0, a predetermined portion is molded by a conventional transfer molding device to form the package 2 (see FIG. 9). After that, the lead frame 30 is removed from the transfer mold, the unnecessary lead frame portion is cut and removed, and lead molding is performed to manufacture the gull wing type semiconductor device 1 as shown in FIG.

【0027】[0027]

【発明の効果】【The invention's effect】

(1)本発明の半導体装置は、半導体チップの周囲に離
して配線基板を配置させた構造となり、半導体装置の製
造におけるワイヤボンディングにおいて、前記配線基板
の導体配線の内側の配線パッドと半導体チップの電極を
ワイヤで接続するとともに、前記導体配線の外側の配線
パッドとリード内端をワイヤで接続するため、前記配線
基板における導体配線の微細パターン化が可能となるこ
とから、リード(ピン)数の増大化が達成できるという
効果が得られる。
(1) The semiconductor device of the present invention has a structure in which the wiring board is arranged around the semiconductor chip so as to be separated from each other, and in wire bonding in manufacturing the semiconductor device, the wiring pad inside the conductor wiring of the wiring board and the semiconductor chip Since the electrodes are connected by wires and the wiring pads on the outside of the conductor wiring and the inner ends of the leads are connected by wires, it is possible to form a fine pattern of the conductor wiring in the wiring board. Therefore, the number of leads (pins) can be reduced. The effect that the increase can be achieved is obtained.

【0028】(2)本発明の半導体装置の製造に用いる
リードフレームにおいては、リードフレーム本体に枠状
の中継基板となる配線基板を取り付けた構造となってい
るが、配線基板に自動認識点である配線基板用の位置認
識マークが設けられていることから、リードフレーム本
体に対する配線基板の取付け位置精度が悪くても、配線
基板の位置姿勢が正確に認識できるという効果が得られ
る。
(2) In the lead frame used for manufacturing the semiconductor device of the present invention, the lead frame main body is attached with the wiring board serving as a frame-shaped relay board. Since the position recognition mark for a certain wiring board is provided, it is possible to obtain the effect that the position and orientation of the wiring board can be accurately recognized even if the mounting position accuracy of the wiring board with respect to the lead frame body is poor.

【0029】(3)本発明の半導体装置の製造において
は、上記(2)に示すように、配線基板用の位置認識マ
ークが設けられた配線基板をリードフレーム本体に取り
付けたリードフレームを使用することから、半導体チッ
プの電極と配線基板の配線パッドとのワイヤによる接続
が正確に行えるとともに、配線基板の配線パッドとリー
ド内端とのワイヤによる接続が正確に行えるため、ワイ
ヤボンディングの信頼性が高い半導体装置を提供するこ
とができるという効果が得られる。
(3) In the manufacturing of the semiconductor device of the present invention, as shown in (2) above, a lead frame in which a wiring board provided with a position recognition mark for the wiring board is attached to a lead frame body is used. Therefore, the electrodes of the semiconductor chip and the wiring pads of the wiring board can be accurately connected by the wires, and the wiring pads of the wiring board and the inner ends of the leads can be accurately connected by the wires. An effect that a high semiconductor device can be provided is obtained.

【0030】(4)上記(3)により、本発明の半導体
装置の製造方法によれば、ワイヤボンディングが正確に
行えるため、歩留りが高くなるという効果が得られる。
(4) According to the method (3) above, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, since wire bonding can be accurately performed, the yield can be increased.

【0031】(5)上記(1)〜(4)により、本発明
によれば多ピン化(入出力信号ピンが200ピン以上の
高集積度製品),ファインピッチ化に優れ,ワイヤボン
ディングの信頼性の高い半導体装置を安価に提供するこ
とができるという相乗効果が得られる。
(5) Due to the above (1) to (4), according to the present invention, the number of pins is increased (highly integrated product having 200 or more input / output signal pins), fine pitch is excellent, and reliability of wire bonding is high. A synergistic effect that a highly reliable semiconductor device can be provided at low cost is obtained.

【0032】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。図10〜図
13は本発明の他の実施例による図であり、図10は一
部を切り欠いた半導体装置を示す模式的平面図、図11
は図10のC−C線に沿う断面図、図12は図10のD
−D線に沿う断面図、図13はリードフレームを示す模
式的平面図である。この実施例は、中継基板としての配
線基板4上に半導体チップ3を固定し、半導体チップ3
の電極と導体配線8の内側の配線パッド7とをワイヤ1
0で接続するとともに、導体配線8の外側の配線パッド
11とリード9の内端をワイヤ12で接続したものであ
る。また、前記配線基板4は吊りリード35に接着剤2
5を介して接続されている。このような実施例において
も前記実施例同様な効果が得られる。なお、リードと配
線基板の配線パッドをワイヤで接続することなく、直接
リードを配線基板の配線パッドに接続する構造としても
良い。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. 10 to 13 are views according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a schematic plan view showing a semiconductor device with a part cut away, FIG.
Is a sectional view taken along the line CC of FIG. 10, and FIG. 12 is D of FIG.
FIG. 13 is a schematic plan view showing a lead frame, which is a cross-sectional view taken along the line D. In this embodiment, the semiconductor chip 3 is fixed on a wiring board 4 as a relay board,
Of the wire 1 and the wiring pad 7 inside the conductor wiring 8
The wiring pads 11 on the outside of the conductor wiring 8 and the inner ends of the leads 9 are connected to each other by the wires 12 as well. In addition, the wiring board 4 is attached to the suspension lead 35 with the adhesive 2
It is connected via 5. In such an embodiment, the same effect as the above embodiment can be obtained. The lead may be directly connected to the wiring pad of the wiring board without connecting the lead and the wiring pad of the wiring board with a wire.

【0033】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるLSI
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、配線基板に複数の
半導体チップやチップ抵抗等の受動部品を搭載した混成
集積回路装置の製造技術などにも適用できる。
In the above description, the invention which was mainly made by the present inventor is the background field of application of LSI.
However, the present invention is not limited to this, and is also applied to, for example, a manufacturing technology of a hybrid integrated circuit device in which a plurality of semiconductor chips or passive components such as chip resistors are mounted on a wiring board. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による一部を切り欠いた半導
体装置の模式的平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a partially cut-out semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例によるリードフレームにおけ
る配線基板用の位置認識マーク等を示す模式的説明図で
ある。
FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a position recognition mark and the like for a wiring board in a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図3】図1のA−A線に沿う断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図4】図1のB−B線に沿う断面図である。4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

【図5】本発明の一実施例によるリードフレームの模式
的平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view of a lead frame according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例によるリードフレームにおけ
るリードフレーム本体を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a lead frame body in a lead frame according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例によるリードフレームにおけ
る配線基板を示す模式的平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a wiring board in a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例における半導体チップの電極
(配線パッド)を示す模式的平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view showing electrodes (wiring pads) of a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例によるリードフレームにおい
てチップボンディング,ワイヤボンディングが行われた
図を示す模式的平面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view showing a diagram in which chip bonding and wire bonding are performed in the lead frame according to the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施例による一部を切り欠いた
半導体装置を示す模式的平面図である。
FIG. 10 is a schematic plan view showing a partially cut semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【図11】図10のC−C線に沿う断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【図12】図10のD−D線に沿う断面図である。12 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.

【図13】本発明の他の実施例によるリードフレームを
示す模式的平面図である。
FIG. 13 is a schematic plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.

【図14】本出願人提案による一部を切り欠いた半導体
装置を示す模式的平面図である。
FIG. 14 is a schematic plan view showing a partially cut semiconductor device proposed by the present applicant.

【図15】本出願人提案による半導体装置における半導
体チップに設けられた位置認識マークを示す模式的平面
図である。
FIG. 15 is a schematic plan view showing a position recognition mark provided on a semiconductor chip in a semiconductor device proposed by the present applicant.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体装置、2…パッケージ、3…半導体チップ、
4…配線基板、5…タブ、6…タブ吊りリード、7…配
線パッド、8…導体配線、9…リード、10…ワイヤ、
11…配線パッド、12…ワイヤ、15…チップ用の位
置認識マーク、16…電極(配線パッド)、20…接合
材、21…絶縁基板、22…配線基板用の位置認識マー
ク、23…配線パッド、25…接着剤、26…アイラン
ド、27…ダム、30…リードフレーム、31…リード
フレーム本体、32…外枠、33…内枠、34…太幅
部、35…吊りリード。
1 ... Semiconductor device, 2 ... Package, 3 ... Semiconductor chip,
4 ... Wiring board, 5 ... Tab, 6 ... Tab suspension lead, 7 ... Wiring pad, 8 ... Conductor wiring, 9 ... Lead, 10 ... Wire,
11 ... Wiring pad, 12 ... Wire, 15 ... Chip position recognition mark, 16 ... Electrode (wiring pad), 20 ... Bonding material, 21 ... Insulating substrate, 22 ... Wiring board position recognition mark, 23 ... Wiring pad , 25 ... Adhesive, 26 ... Island, 27 ... Dam, 30 ... Lead frame, 31 ... Lead frame main body, 32 ... Outer frame, 33 ... Inner frame, 34 ... Wide part, 35 ... Suspension lead.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松澤 朝夫 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 渡辺 宏 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 塩月 敏弘 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Asao Matsuzawa 5-22-1, Kamisuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hitachi Microcomputer System Ltd. (72) Inventor Hiroshi Watanabe 5-chome, Mizumizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo No. 20-1 Semiconductor Company, Hitachi, Ltd. Semiconductor Division (72) Inventor Toshihiro Shiogetsu 5-20-1, Kamisuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Within Hitachi Ltd., Semiconductor Division

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージと、このパッケージの中央に
位置する半導体チップと、前記半導体チップを離れて囲
むように配置される矩形枠状の配線基板と、前記半導体
チップを支持するタブと、前記タブに連結されるととも
に途中部分で前記配線基板を支持するタブ吊りリード
と、前記パッケージの内外に亘って延在する複数のリー
ドと、前記半導体チップの電極と配線基板の配線パッド
を電気的に接続するワイヤと、配線基板の周囲の配線パ
ッドと配線基板の周囲近傍に延在するリードの内端とを
電気的に接続するワイヤとからなる半導体装置であっ
て、前記配線基板の表面には配線基板用の位置認識マー
クが複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
1. A package, a semiconductor chip located at the center of the package, a rectangular frame-shaped wiring substrate arranged so as to surround the semiconductor chip, a tab for supporting the semiconductor chip, and the tab. Tab suspension leads that are connected to the wiring board and that support the wiring board at an intermediate portion, a plurality of leads that extend inside and outside the package, and electrically connect the electrodes of the semiconductor chip and the wiring pads of the wiring board. A wire for electrically connecting a wiring pad around the wiring board and an inner end of a lead extending near the circumference of the wiring board, wherein a wiring is provided on the surface of the wiring board. A semiconductor device comprising a plurality of position recognition marks for a substrate.
【請求項2】 矩形状の枠体と、前記枠体の中央に位置
する半導体チップを搭載するタブと、前記枠体から延在
しかつ前記タブを支持する複数のタブ吊りリードと、表
面に配線基板用の位置認識マークが複数設けられている
とともに前記タブを囲みかつ前記タブ吊りリードに接着
されさらに枠体内径が前記半導体チップよりも大きくな
る矩形枠状の配線基板と、前記枠体の各辺の内周縁から
前記配線基板の周囲近傍に延在する複数のリードとから
なることを特徴とするリードフレーム。
2. A rectangular frame body, a tab for mounting a semiconductor chip located at the center of the frame body, a plurality of tab suspension leads extending from the frame body and supporting the tab, and a surface thereof. A rectangular frame-shaped wiring board that is provided with a plurality of position recognition marks for the wiring board and that surrounds the tab and is bonded to the tab suspension leads, and has a frame inner diameter larger than that of the semiconductor chip; A lead frame comprising a plurality of leads extending from the inner peripheral edge of each side to the vicinity of the periphery of the wiring board.
【請求項3】 矩形状の枠体と、前記枠体の中央に位置
する半導体チップを搭載するタブと、前記枠体から延在
しかつ前記タブを支持する複数のタブ吊りリードと、表
面に配線基板用の位置認識マークが複数設けられている
とともに前記タブを囲みかつ前記タブ吊りリードに接着
されさらに枠体内径が前記半導体チップよりも大きくな
る矩形枠状の配線基板と、前記枠体の各辺の内周縁から
前記配線基板の周囲近傍に延在する複数のリードとから
なるリードフレームを用意する工程と、前記タブに半導
体チップを固定する工程と、前記半導体チップの電極と
配線基板の配線パッドをワイヤで電気的に接続する工程
と、前記配線基板の周囲近傍に位置するリードの内端と
配線基板の配線パッドとをワイヤで電気的に接続する工
程とを有する半導体装置の製造方法であって、ワイヤ接
続前に前記配線基板に設けられた前記配線基板用位置認
識マークを検出し、この検出情報を基にしてワイヤボン
ディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
3. A rectangular frame body, a tab for mounting a semiconductor chip located at the center of the frame body, a plurality of tab suspension leads extending from the frame body and supporting the tab, and a surface thereof. A rectangular frame-shaped wiring board that is provided with a plurality of position recognition marks for the wiring board and that surrounds the tab and is bonded to the tab suspension leads, and has a frame inner diameter larger than that of the semiconductor chip; A step of preparing a lead frame including a plurality of leads extending from the inner peripheral edge of each side to the vicinity of the periphery of the wiring board; a step of fixing a semiconductor chip to the tab; an electrode of the semiconductor chip and a wiring board; Semiconductor having a step of electrically connecting wiring pads with wires, and a step of electrically connecting the inner ends of leads located near the periphery of the wiring board and the wiring pads of the wiring board with wires A method of manufacturing a device, wherein the wiring board position recognition mark provided on the wiring board is detected before wire connection, and wire bonding is performed based on the detected information. Method.
【請求項4】 パッケージと、このパッケージの内外に
亘って延在する複数のリードと、前記パッケージ内に位
置する配線基板と、前記配線基板を支持するように固定
される数本のリードと、前記配線基板上に固定される少
なくとも一つの電子部品と、前記電子部品の電極と配線
基板の配線パッドを電気的に接続するワイヤと、配線基
板の周囲の配線パッドと配線基板の周囲近傍に延在する
リードの内端とを電気的に接続するワイヤとからなる半
導体装置であって、前記配線基板の表面には配線基板用
位置認識マークが複数設けられていることを特徴とする
半導体装置。
4. A package, a plurality of leads extending inside and outside of the package, a wiring board located in the package, and a plurality of leads fixed so as to support the wiring board. At least one electronic component fixed on the wiring board, a wire for electrically connecting an electrode of the electronic component and a wiring pad of the wiring board, a wiring pad around the wiring board, and a wire extending near the periphery of the wiring board. A semiconductor device comprising a wire electrically connecting an inner end of an existing lead, wherein a plurality of wiring board position recognition marks are provided on a surface of the wiring board.
【請求項5】 前記電子部品の少なくとも一つは半導体
チップであることを特徴とする請求項5記載の半導体装
置。
5. The semiconductor device according to claim 5, wherein at least one of the electronic components is a semiconductor chip.
【請求項6】 矩形状の枠体の各辺の内周縁から枠の内
方に延在する複数のリードと、前記枠の中央部分に所望
の大きさで拡がる配線基板とからなり、前記リードのう
ちの数本は長く延在して前記配線基板に接続されて配線
基板を支持し、残りのリードの内端は前記配線基板の周
囲近傍に延在することを特徴とするリードフレームであ
って、前記配線基板には配線基板用位置認識マークが複
数設けられていることを特徴とするリードフレーム。
6. A lead comprising a plurality of leads extending inward from the inner peripheral edge of each side of a rectangular frame, and a wiring board extending in a desired size in the central portion of the frame. Some of the lead frames are long and connected to the wiring board to support the wiring board, and the inner ends of the remaining leads extend to the vicinity of the periphery of the wiring board. The lead frame is characterized in that a plurality of wiring board position recognition marks are provided on the wiring board.
JP8282594A 1994-04-21 1994-04-21 Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device Withdrawn JPH07297348A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8282594A JPH07297348A (en) 1994-04-21 1994-04-21 Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8282594A JPH07297348A (en) 1994-04-21 1994-04-21 Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07297348A true JPH07297348A (en) 1995-11-10

Family

ID=13785186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8282594A Withdrawn JPH07297348A (en) 1994-04-21 1994-04-21 Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07297348A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2104142A2 (en) 2008-03-18 2009-09-23 MediaTek Inc. Semiconductor chip package
CN102082137A (en) * 2009-10-26 2011-06-01 佳能株式会社 Semiconductor device, print plate and semiconductor package
US8018037B2 (en) 2009-04-16 2011-09-13 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8106490B2 (en) 2008-03-18 2012-01-31 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
CN104798193A (en) * 2012-11-21 2015-07-22 三菱电机株式会社 Semiconductor device and method for producing same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2104142A2 (en) 2008-03-18 2009-09-23 MediaTek Inc. Semiconductor chip package
EP2104142A3 (en) * 2008-03-18 2010-10-13 MediaTek Inc. Semiconductor chip package
US7875965B2 (en) 2008-03-18 2011-01-25 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8106490B2 (en) 2008-03-18 2012-01-31 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8212343B2 (en) 2008-03-18 2012-07-03 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8018037B2 (en) 2009-04-16 2011-09-13 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8288848B2 (en) 2009-04-16 2012-10-16 Mediatek Inc. Semiconductor chip package including a lead frame
TWI401778B (en) * 2009-04-16 2013-07-11 Mediatek Inc Semiconductor chip package
CN102082137A (en) * 2009-10-26 2011-06-01 佳能株式会社 Semiconductor device, print plate and semiconductor package
CN104798193A (en) * 2012-11-21 2015-07-22 三菱电机株式会社 Semiconductor device and method for producing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004246B1 (en) Resin seal type semiconductor device
US5530282A (en) Semiconductor device having a multilayer interconnection structure
KR19990083550A (en) Molded semiconductor device and method for manufacturing the same, lead frame
JP2001015679A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
US20030209815A1 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
US7385298B2 (en) Reduced-dimension microelectronic component assemblies with wire bonds and methods of making same
EP0378209B1 (en) Hybrid resin-sealed semiconductor device
JPH01183837A (en) Semiconductor device
US7199469B2 (en) Semiconductor device having stacked semiconductor chips sealed with a resin seal member
WO1998043297A1 (en) Substrate for semiconductor device, lead frame, semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
EP0210371A1 (en) Semiconductor device having a plurality of leads
JP2893522B2 (en) BGA semiconductor package and manufacturing method thereof
JPH07297348A (en) Semiconductor device and lead frame used in manufacture thereof and manufacture of semiconductor device
JPH04233244A (en) Integrated-circuit assembly
JPS5998545A (en) Semiconductor device
US5728247A (en) Method for mounting a circuit
JP3529507B2 (en) Semiconductor device
EP1093165A1 (en) Integrated circuit assembly
JP2678696B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3398556B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3028153B2 (en) Lead frame manufacturing method
JPH07122701A (en) Semiconductor device, its manufacture, and lead frame for pga
JP2667901B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2536439B2 (en) Lead frame for semiconductor device and resin-sealed semiconductor device using the same
JP2784209B2 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010703