JPH07297327A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

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JPH07297327A
JPH07297327A JP6089497A JP8949794A JPH07297327A JP H07297327 A JPH07297327 A JP H07297327A JP 6089497 A JP6089497 A JP 6089497A JP 8949794 A JP8949794 A JP 8949794A JP H07297327 A JPH07297327 A JP H07297327A
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JP
Japan
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heat
semiconductor device
heat sink
semiconductor chip
envelope
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JP6089497A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuyoshi Takeuchi
強 武内
Shinya Shimizu
真也 清水
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To expect a sufficient heat dissipation effect and to cope flexibly with the change in the mounting space in a ceramic package provided with a heat sink. CONSTITUTION:For example, a plurality of thin pure copper wires 12a of a heat sink 12 for heat dissipation of a PGA are fixed with a solder 12b each at one end. The other end of each wire is spread in the radiation pattern, so that the heat sink 12 is formed. The heat sink 12 is fixed to the surface of a ceramic case 11 of the PGA with the solder 12b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、たとえば放熱体を設
けてなる半導体装置およびその製造方法に関するもの
で、特にセラミックパッケージ装置などに用いられるも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device provided with a radiator, for example, and a method for manufacturing the same, and is particularly used for a ceramic package device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、発熱が問題となる、たとえばセラ
ミックパッケージ装置の場合、図3に示すように、パッ
ケージ1上にヒートシンク2を設けることで、発熱の問
題を解決している。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the case of a ceramic package device in which heat generation is a problem, a heat sink 2 is provided on a package 1 as shown in FIG. 3 to solve the heat generation problem.

【0003】セラミックパッケージ装置に用いられるヒ
ートシンクとしては、図に示したような、機械的加工に
より形成された下駄歯形状のもののほか、円板形状のも
のが一般的となっている。また、多数の円柱形状体を林
立してなるヒートシンクも考案されている。
As a heat sink used in a ceramic package device, a disk-shaped heat sink is generally used in addition to a geta-shaped heat sink formed by mechanical processing as shown in the figure. Also, a heat sink formed by arranging a large number of cylindrical bodies has been devised.

【0004】しかしながら、ヒートシンクは、その表面
積が放熱効果に影響するため、ある程度の放熱効果を得
ようとする場合には大型化が避けられないという問題が
あった。
However, since the surface area of the heat sink affects the heat radiation effect, there is a problem that the size of the heat sink must be increased in order to obtain a heat radiation effect to some extent.

【0005】また、十分な放熱効果を得ようとする場合
にはヒートシンクの表面積をかせぐ必要がある反面、セ
ラミックパッケージの実装スペースによってはヒートシ
ンクの表面積を必要以上にかせぐことができず、したが
って十分な放熱効果を得るのがむずかしという問題があ
った。
Further, in order to obtain a sufficient heat radiation effect, the surface area of the heat sink needs to be increased, while the surface area of the heat sink cannot be increased more than necessary depending on the mounting space of the ceramic package, and therefore it is sufficient. There was a problem that it was difficult to obtain the heat dissipation effect.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ある程度の放熱効果を得ようとする場合に
はヒートシンクの大型化が避けられない反面、実装スペ
ースによってはヒートシンクの表面積を十分にかせぐこ
とができないなどの問題があった。
As described above, in the prior art, in order to obtain a certain amount of heat dissipation effect, the heat sink must be increased in size, but the surface area of the heat sink may be sufficient depending on the mounting space. There were problems such as being unable to earn money.

【0007】そこで、この発明は、十分な放熱効果が期
待でき、実装スペースの変化にも柔軟に対応することが
可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを
目的としている。
Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor device which can expect a sufficient heat dissipation effect and can flexibly cope with a change in mounting space, and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、半導体チップ
を収納する外囲器の表面上に、放熱性の優れた金属細線
の集合体よりなる放熱体を設けた構成とされている。
In order to achieve the above object, in the semiconductor device of the present invention, an assembly of fine metal wires having excellent heat dissipation is provided on the surface of the envelope for housing the semiconductor chip. It is configured to have a heat radiator made of a body.

【0009】また、この発明の半導体装置にあっては、
半導体チップを収納する外囲器の表面上に、複数の、放
熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着し、他端を放
射状に配置してなる放熱体を設けた構成とされている。
Further, according to the semiconductor device of the present invention,
On the surface of the envelope that houses the semiconductor chip, a plurality of thin metal wires having excellent heat dissipation properties are bundled and fixed at one end, and the other end is arranged radially to provide a radiator. .

【0010】さらに、この発明の半導体装置にあって
は、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、放熱性
の優れた金属細線を金属タワシ状に形成してなる放熱体
を設けた構成とされている。
Further, in the semiconductor device of the present invention, a heat dissipating member is provided on the surface of an envelope for accommodating a semiconductor chip, the heat dissipating member being formed by forming fine metal wires having excellent heat dissipating properties in the shape of a metal scissor. It is said that.

【0011】同じく、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
固着剤により固着するようになっている。
Similarly, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a heat dissipating member composed of an assembly of fine metal wires having excellent heat dissipating property is fixed to the surface of the envelope housing the semiconductor chip with a fixing agent. It is supposed to do.

【0012】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上に、
複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固着剤
により固着し、その金属細線の他端を所定の長さに揃え
て切断した後、放射状に配置して放熱体を形成するよう
になっている。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, on the surface of the envelope for housing the semiconductor chip,
One end of a plurality of thin metal wires with excellent heat dissipation is bundled and fixed by a fixing agent, and the other ends of the thin metal wires are cut to a predetermined length and then arranged radially to form a heat radiator. It has become.

【0013】さらに、この発明の半導体装置の製造方法
にあっては、半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を固着剤により固着するようになっている。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a heat dissipating member is formed by forming thin metal wires having excellent heat dissipating properties in the form of a metal scissor on the surface of an envelope for housing a semiconductor chip. It is fixed by a fixing agent.

【0014】[0014]

【作用】この発明は、上記した手段により、同一体積あ
たりの表面積を増加できるようになるため、その分だけ
放熱効果またはコンパクト性を向上することが可能とな
るものである。また、上記した手段により、柔軟性をも
って形成できるようになるため、容易に変形させること
が可能となるものである。
According to the present invention, the surface area per unit volume can be increased by the above-mentioned means, so that the heat radiation effect or compactness can be improved accordingly. In addition, since the above-mentioned means enables flexible formation, it can be easily deformed.

【0015】[0015]

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は、第1の実施例にかかるセラミッ
クパッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、
同図(a)はセラミックパッケージ装置の概略構成を示
す外観斜視図であり、同図(b)は同じく断面図であ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a ceramic package device according to the first embodiment. In addition,
FIG. 1A is an external perspective view showing a schematic configuration of the ceramic package device, and FIG. 1B is a sectional view of the same.

【0016】すなわち、このセラミックパッケージ装置
は、たとえばPGA(Pin Grid Array)
のパッケージ(外囲器)を形成するセラミックケース1
1の表面に、放熱体としてのヒートシンク12が設けら
れた構成とされている。
That is, this ceramic package device is, for example, a PGA (Pin Grid Array).
Case 1 forming a package (enclosure)
A heat sink 12 as a radiator is provided on the surface of 1.

【0017】PGAは、たとえば上記セラミックケース
11内に半導体チップ13を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子14が並んで突き出した構成とさ
れている。
The PGA has a structure in which the semiconductor chip 13 is housed in the ceramic case 11, for example, and a large number of lead terminals 14 are juxtaposed from the back surface of the semiconductor chip 13.

【0018】PGAの、各リード端子14は、半導体チ
ップ13上の電極パッド(図示していない)のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ15を介して電気的に接続され
ている。
Each lead terminal 14 of the PGA is electrically connected to each electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 13 via a bonding wire 15.

【0019】ヒートシンク12は、たとえば複数本の細
い純銅線(金属細線)12aの一端を固着剤としての半
田12bによりまとめ、それぞれの他端を放射状に拡げ
てなる構成とされている。
The heat sink 12 is constructed, for example, such that one end of a plurality of thin pure copper wires (thin metal wires) 12a is put together by a solder 12b as a fixing agent, and the other ends thereof are radially spread.

【0020】このヒートシンク12は、たとえば上記半
田12bにより、PGAのセラミックケース11の表面
に固着されるようになっている。ここで、ヒートシンク
12の形成方法について説明する。
The heat sink 12 is fixed to the surface of the PGA ceramic case 11 by the solder 12b, for example. Here, a method of forming the heat sink 12 will be described.

【0021】たとえば、複数本の純銅線12aの一端
が、束ねられるようにして半田12bに固着される。そ
して、それぞれの純銅線12aが所定の長さに揃えられ
て切断された後、各純銅線12aの他端が放射状に拡げ
られる。
For example, one end of a plurality of pure copper wires 12a is fixed to the solder 12b in a bundled manner. Then, after each pure copper wire 12a is aligned and cut to a predetermined length, the other end of each pure copper wire 12a is radially expanded.

【0022】このようにして形成されるヒートシンク1
2は、半田12bにより固着させる純銅線12aの本数
を増やし、できるだけ密に固着させることにより、その
表面積をかせぐことが可能となる。
The heat sink 1 thus formed
For No. 2, it is possible to increase the surface area of the pure copper wire 12a by increasing the number of pure copper wires 12a fixed by the solder 12b and by fixing the pure copper wire 12a as closely as possible.

【0023】すなわち、このヒートシンク12の場合、
純銅線12aの本数を増やすことにより、同一体積あた
りの表面積を容易に増加することができる。これによ
り、従来の下駄歯構造のヒートシンクなどに比して、簡
単に、かつ格段に、その表面積を増大させることが可能
となる。したがって、熱抵抗を低下できるとともに、よ
り高い放熱効果が得られるようになるものである。
That is, in the case of this heat sink 12,
By increasing the number of pure copper wires 12a, the surface area per same volume can be easily increased. This makes it possible to increase the surface area easily and significantly compared with a conventional heat sink having a geta structure. Therefore, the thermal resistance can be reduced and a higher heat dissipation effect can be obtained.

【0024】しかも、半田12bに固着させる純銅線1
2aの本数や長さに応じて、ヒートシンク12の表面積
を自由に変えることができるものであり、放熱効果の調
整が容易に可能である。
Moreover, the pure copper wire 1 fixed to the solder 12b
The surface area of the heat sink 12 can be freely changed according to the number and length of the 2a, and the heat dissipation effect can be easily adjusted.

【0025】また、純銅線12aは柔軟性を有するもの
であるため、セラミックパッケージ装置の実装スペース
に応じて容易に変形できる。たとえば、実装スペースに
高さ方向の余裕がある場合には放射の角度を狭め、ま
た、横方向に余裕がある場合には逆に放射の角度を拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
Since the pure copper wire 12a has flexibility, it can be easily deformed according to the mounting space of the ceramic package device. For example, when the mounting space has a margin in the height direction, the radiation angle is narrowed, and when the mounting space has a margin in the lateral direction, the radiation angle is conversely widened to improve the mountability.

【0026】なお、あらかじめ所定の長さに切り揃えら
れた複数本の純銅線12aの一端を半田12bにより固
着させた後、他端を放射状に拡げることによっても同様
に形成できる。
It is also possible to form a plurality of pure copper wires 12a, which are cut into a predetermined length in advance, by fixing one end with solder 12b and then expanding the other end radially.

【0027】図2は、第2の実施例にかかるセラミック
パッケージ装置の概略構成を示すものである。なお、同
図(a)はセラミックパッケージ装置の概略構成を示す
外観斜視図であり、同図(b)は同じく断面図である。
FIG. 2 shows a schematic structure of a ceramic package device according to the second embodiment. It should be noted that FIG. 1A is an external perspective view showing a schematic configuration of the ceramic package device, and FIG. 1B is a sectional view of the same.

【0028】すなわち、このセラミックパッケージ装置
は、たとえばPGAのパッケージを形成するセラミック
ケース11の表面に、放熱体としてのヒートシンク22
が設けられた構成とされている。
That is, in this ceramic package device, for example, a heat sink 22 as a radiator is provided on the surface of a ceramic case 11 forming a PGA package.
Is provided.

【0029】PGAは、たとえば上記セラミックケース
11内に半導体チップ13を収納してなり、その裏面よ
り、多数のリード端子14が並んで突き出した構成とさ
れている。
The PGA has a structure in which the semiconductor chip 13 is housed in the ceramic case 11, for example, and a large number of lead terminals 14 are juxtaposed from the back surface of the semiconductor chip 13.

【0030】PGAの、各リード端子14は、半導体チ
ップ13上の電極パッド(図示していない)のそれぞれ
と、ボンディングワイヤ15を介して電気的に接続され
ている。
Each lead terminal 14 of the PGA is electrically connected to each electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 13 via a bonding wire 15.

【0031】ヒートシンク22は、たとえば細い純銅線
(金属細線)22aがくちゃくちゃに丸められて、所
謂、金属タワシ状に形成されてなり、固着剤としての半
田22bを介して、上記PGAのセラミックケース11
の表面に固着されるようになっている。
The heat sink 22 is, for example, a thin pure copper wire (thin metal wire) 22a rolled into a mess and formed into a so-called metal scissor shape.
It is fixed to the surface of the.

【0032】ここで、ヒートシンク22の形成方法につ
いて説明する。たとえば、細くて長い純銅線22aが不
規則的にまとめられて、金属タワシ状に形成される。こ
の場合、長い純銅線22aを、細い穴を通して所定形状
のケース(図示していない)内に押し込んでくちゃくち
ゃに丸めたり、純銅製の円柱体を細長く削るなどするこ
とによって形成できる。
Here, a method for forming the heat sink 22 will be described. For example, thin and long pure copper wires 22a are irregularly gathered and formed into a metal scourer. In this case, the long pure copper wire 22a can be formed by pushing the long pure copper wire 22a into a case (not shown) having a predetermined shape through a narrow hole to crush it into a long shape, or shaving a pure copper columnar body into an elongated shape.

【0033】こうして、所定長の純銅線22aによって
形成された純銅線22aのかたまりが、半田22bによ
り固着される。このようにして形成されるヒートシンク
22は、純銅線22aの長さを延ばし、できるだけ密に
まとめることにより、その表面積をかせぐことが可能と
なる。
In this way, the lump of the pure copper wire 22a formed by the pure copper wire 22a having the predetermined length is fixed by the solder 22b. In the heat sink 22 thus formed, the surface area of the pure copper wire 22a can be increased by extending the length of the pure copper wire 22a and assembling it as close as possible.

【0034】すなわち、このヒートシンク22の場合、
非常に長い純銅線22aを用いて小さく形成することに
より、同一体積あたりの表面積を容易に増加することが
できる。これにより、従来の下駄歯構造のヒートシンク
などに比して、簡単に、かつ格段に、その表面積を増大
させることが可能となる。したがって、熱抵抗を低下で
きるとともに、より高い放熱効果が得られるようになる
ものである。
That is, in the case of this heat sink 22,
By using a very long pure copper wire 22a and forming it small, the surface area per same volume can be easily increased. This makes it possible to increase the surface area easily and significantly compared with a conventional heat sink having a geta structure. Therefore, the thermal resistance can be reduced and a higher heat dissipation effect can be obtained.

【0035】しかも、純銅線22aの長さに応じて、ヒ
ートシンク22の表面積を自由に変えることができるも
のであり、放熱効果の調整が容易に可能である。また、
純銅線22aは柔軟性を有するものであるため、セラミ
ックパッケージ装置の実装スペースに応じて容易に変形
できる。たとえば、実装スペースに余裕がない場合には
押しつぶして小さくし、逆に、余裕がある場合には拡げ
るなど、実装性をも向上し得る。
Moreover, the surface area of the heat sink 22 can be freely changed according to the length of the pure copper wire 22a, and the heat dissipation effect can be easily adjusted. Also,
Since the pure copper wire 22a has flexibility, it can be easily deformed according to the mounting space of the ceramic package device. For example, the mountability can be improved by, for example, squeezing and reducing the size when there is no mounting space, and conversely expanding it when there is space.

【0036】なお、一端があらかじめ半田22bに固着
された複数本の純銅線22aをカールしてコイル状に巻
きつけ、それらを1つにまとめることによっても同様に
形成できる。
The same operation can be performed by curling a plurality of pure copper wires 22a, one end of which is fixed to the solder 22b in advance, and winding them into a coil, and then collecting them.

【0037】上記したように、同一体積あたりの表面積
を増加できるようにしている。すなわち、細い純銅線を
密にして設けることで、ヒートシンクを形成するように
している。これにより、ヒートシンクの表面積を簡単に
増加できるようになるため、その分だけ放熱効果または
コンパクト性を向上することが可能となる。したがっ
て、大型化を招くことなく、十分な放熱効果が期待でき
るようになるものである。
As described above, the surface area per unit volume can be increased. That is, the heat sink is formed by densely providing thin pure copper wires. As a result, the surface area of the heat sink can be easily increased, and the heat dissipation effect or compactness can be improved accordingly. Therefore, a sufficient heat dissipation effect can be expected without causing an increase in size.

【0038】また、柔軟性をもって形成できるようにな
るため、容易な変形が可能であり、実装スペースの変化
にも柔軟に対応することが可能となるものである。な
お、上記実施例においては、PGAを例に説明したが、
これに限らず、たとえば他のセラミックパッケージ装置
や発熱が問題となる各種のパッケージ装置にも同様に適
用できる。
Further, since it can be formed with flexibility, it can be easily deformed, and it is possible to flexibly cope with changes in the mounting space. In the above embodiment, the PGA is taken as an example,
The present invention is not limited to this, and can be similarly applied to, for example, other ceramic package devices and various package devices in which heat generation is a problem.

【0039】また、金属細線としては純銅線に限らず、
金などの放熱性の優れた細線を用いることもできる。さ
らに、半田の他、導熱性に優れた各種の固着剤を用いる
ことが可能である。その他、この発明の要旨を変えない
範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
The fine metal wire is not limited to pure copper wire,
It is also possible to use a fine wire having excellent heat dissipation such as gold. Further, other than solder, various adhesives having excellent heat conductivity can be used. Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、十分な放熱効果が期待でき、実装スペースの変化に
も柔軟に対応することが可能な半導体装置およびその製
造方法を提供できる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device which can expect a sufficient heat dissipation effect and can flexibly cope with a change in mounting space, and a manufacturing method thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例にかかるセラミックパ
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a ceramic package device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2の実施例にかかるセラミックパ
ッケージ装置を概略的に示す構成図。
FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a ceramic package device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来技術とその問題点を説明するために示すセ
ラミックパッケージ装置の概略構成図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a ceramic package device shown for explaining the related art and its problems.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…セラミックケース、12,22…ヒートシンク、
12a,22a…純銅線、12b,22b…半田、13
…半導体チップ、14…リード端子、15…ボンディン
グワイヤ。
11 ... Ceramic case, 12, 22 ... Heat sink,
12a, 22a ... Pure copper wire, 12b, 22b ... Solder, 13
... semiconductor chip, 14 ... lead terminal, 15 ... bonding wire.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
設けたことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising a heat radiator made of an assembly of fine metal wires having excellent heat radiation property provided on a surface of an envelope for housing a semiconductor chip.
【請求項2】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固
着し、他端を放射状に配置してなる放熱体を設けたこと
を特徴とする半導体装置。
2. A heat radiating body, in which one end of a plurality of thin metal wires having excellent heat dissipation is bundled and fixed and the other end is radially arranged on the surface of an envelope for housing a semiconductor chip. A semiconductor device characterized by the above.
【請求項3】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を設けたことを特徴とする半導体装置。
3. A semiconductor device comprising a heat radiator formed by forming thin metal wires having excellent heat radiation in a metal scissor shape on the surface of an envelope for housing a semiconductor chip.
【請求項4】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線の集合体よりなる放熱体を
固着剤により固着するようにしたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
4. A semiconductor device manufacturing method characterized in that a heat-dissipating member made of an assembly of fine metal wires having excellent heat-dissipating property is fixed on a surface of an envelope for accommodating a semiconductor chip by a fixing agent. Method.
【請求項5】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、複数の、放熱性の優れた金属細線の一端を束ねて固
着剤により固着し、その金属細線の他端を所定の長さに
揃えて切断した後、放射状に配置して放熱体を形成する
ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. A plurality of thin metal wires having excellent heat dissipation properties are bundled and fixed by a fixing agent on the surface of an envelope containing a semiconductor chip, and the other ends of the thin metal wires have a predetermined length. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: arranging and cutting the same, and arranging them radially to form a radiator.
【請求項6】 半導体チップを収納する外囲器の表面上
に、放熱性の優れた金属細線を金属タワシ状に形成して
なる放熱体を固着剤により固着するようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
6. A heat dissipating member comprising a metal scissor-like metal thin wire excellent in heat dissipating property fixed to the surface of an envelope accommodating a semiconductor chip by a fixing agent. Manufacturing method of semiconductor device.
JP6089497A 1994-04-27 1994-04-27 Semiconductor device and manufacture thereof Pending JPH07297327A (en)

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JP6089497A JPH07297327A (en) 1994-04-27 1994-04-27 Semiconductor device and manufacture thereof

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