JPH07296431A - 成膜用マスク - Google Patents
成膜用マスクInfo
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- JPH07296431A JPH07296431A JP8853194A JP8853194A JPH07296431A JP H07296431 A JPH07296431 A JP H07296431A JP 8853194 A JP8853194 A JP 8853194A JP 8853194 A JP8853194 A JP 8853194A JP H07296431 A JPH07296431 A JP H07296431A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- magnetic material
- holder
- substrate
- outer peripheral
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】小径のターゲットおよび小型のスパッタ装置を
使用して、基板の中心部および外周部の成膜速度の向
上、面内の膜厚分布の改善、記録特性の均一化を図る。 【構成】透明基板上に少なくとも誘電体層を１層以上有
する光情報記録媒体において、誘電体層を含む記録膜の
成膜時に装着する内周マスクまたは外周マスクが、非磁
性材料のみか、または非磁性材料と磁性材料の組み合わ
せから成る成膜用マスク。
使用して、基板の中心部および外周部の成膜速度の向
上、面内の膜厚分布の改善、記録特性の均一化を図る。 【構成】透明基板上に少なくとも誘電体層を１層以上有
する光情報記録媒体において、誘電体層を含む記録膜の
成膜時に装着する内周マスクまたは外周マスクが、非磁
性材料のみか、または非磁性材料と磁性材料の組み合わ
せから成る成膜用マスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体の誘電
体層や磁性層の薄膜形成時に用いられる成膜用マスクに
関するものである。
体層や磁性層の薄膜形成時に用いられる成膜用マスクに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報記録媒体の記録膜を構成する誘電
体層や磁性層の薄膜形成は殆どスパッタリング法によ
り、装置としてはマグネトロン型スパッタ装置が用いら
れている。光情報記録媒体はガラス基板上またはポリカ
ーボネート等のプラスチック基板上に記録膜を形成する
が、その際基板の中心部および外周端面部は製造時のハ
ンドリングから傷が付き易く、このため腐食等の不具合
の発生原因になることが懸念され、予め中心部および外
周端面部にはマスキングを行った後、記録膜を成膜して
いる。このマスキングは円板状基板をホルダーに載せ、
内周マスクおよび外周マスクを図４または図５に示した
様に取り付けるが、マスクの固定はマスクを磁性材料で
作製し、アルミニウム製のホルダーに埋設された磁石に
磁着させて固定する。
体層や磁性層の薄膜形成は殆どスパッタリング法によ
り、装置としてはマグネトロン型スパッタ装置が用いら
れている。光情報記録媒体はガラス基板上またはポリカ
ーボネート等のプラスチック基板上に記録膜を形成する
が、その際基板の中心部および外周端面部は製造時のハ
ンドリングから傷が付き易く、このため腐食等の不具合
の発生原因になることが懸念され、予め中心部および外
周端面部にはマスキングを行った後、記録膜を成膜して
いる。このマスキングは円板状基板をホルダーに載せ、
内周マスクおよび外周マスクを図４または図５に示した
様に取り付けるが、マスクの固定はマスクを磁性材料で
作製し、アルミニウム製のホルダーに埋設された磁石に
磁着させて固定する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録膜
を形成する場合、記録膜の特性確保の面からこの膜厚分
布をある一定値以内に制御する必要があり、ターゲット
の直径、基板とターゲット間の距離、成膜時のガス圧力
等のスパッタ条件を変化させることで膜厚分布の確保を
図っている。しかし、このような方法では基板に対する
ターゲットの直径が大きくなり過ぎるため、被成膜基板
をターゲットに対して自転および公転させて膜厚分布の
確保を行ってきたが、この自公転式スパッタ方式はター
ゲットの直径は小さく出来るが、自公転の機構を成膜室
内に設けることで装置が大きくなり、設備費が嵩む欠点
があった。
を形成する場合、記録膜の特性確保の面からこの膜厚分
布をある一定値以内に制御する必要があり、ターゲット
の直径、基板とターゲット間の距離、成膜時のガス圧力
等のスパッタ条件を変化させることで膜厚分布の確保を
図っている。しかし、このような方法では基板に対する
ターゲットの直径が大きくなり過ぎるため、被成膜基板
をターゲットに対して自転および公転させて膜厚分布の
確保を行ってきたが、この自公転式スパッタ方式はター
ゲットの直径は小さく出来るが、自公転の機構を成膜室
内に設けることで装置が大きくなり、設備費が嵩む欠点
があった。
【０００４】また、マグネトロン型スパッタ装置の電極
部は図８に示すように、ターゲット背面に永久磁石また
は電磁石を備えてターゲット表面上に漏れ磁場を発生さ
せており、成膜速度を向上させるためにターゲットと基
板間の距離を小さくする傾向にあるが、マスクに磁性材
料を使い、基板ホルダーに磁石を埋設するとターゲット
近傍に磁性材料が存在することになり、ターゲット表面
上の漏れ磁場に影響を与えると共に、基板表面上の磁場
分布が局所的に変化し、基板表面上に成膜された薄膜が
磁性材料の近傍でその膜厚の変化が大きくなるという欠
点があった。本発明の目的は、このような問題点を解決
し、小径のターゲットおよび小型のスパッタ装置によっ
ても均一な膜厚分布が確保できる成膜方法を提供するこ
とにある。
部は図８に示すように、ターゲット背面に永久磁石また
は電磁石を備えてターゲット表面上に漏れ磁場を発生さ
せており、成膜速度を向上させるためにターゲットと基
板間の距離を小さくする傾向にあるが、マスクに磁性材
料を使い、基板ホルダーに磁石を埋設するとターゲット
近傍に磁性材料が存在することになり、ターゲット表面
上の漏れ磁場に影響を与えると共に、基板表面上の磁場
分布が局所的に変化し、基板表面上に成膜された薄膜が
磁性材料の近傍でその膜厚の変化が大きくなるという欠
点があった。本発明の目的は、このような問題点を解決
し、小径のターゲットおよび小型のスパッタ装置によっ
ても均一な膜厚分布が確保できる成膜方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、かかる課
題を解決するためには、マスクの固定に磁性材料を使用
しないで済む方式を開発することに着目し、鋭意検討し
た結果、成膜時に用いるマスクを非磁性材料または非磁
性材料と磁性材料の組み合わせで作製したマスクを使用
すれば良いことを見出し、諸条件を確立して本発明を完
成させた。その要旨は、透明基板上に少なくとも誘電体
層を１層以上有する光情報記録媒体において、誘電体層
を含む記録膜の成膜時に装着する内周マスクまたは外周
マスクが、非磁性材料のみか或は磁性材料と非磁性材料
の組み合わせから成ることを特徴とする成膜用マスクに
ある。
題を解決するためには、マスクの固定に磁性材料を使用
しないで済む方式を開発することに着目し、鋭意検討し
た結果、成膜時に用いるマスクを非磁性材料または非磁
性材料と磁性材料の組み合わせで作製したマスクを使用
すれば良いことを見出し、諸条件を確立して本発明を完
成させた。その要旨は、透明基板上に少なくとも誘電体
層を１層以上有する光情報記録媒体において、誘電体層
を含む記録膜の成膜時に装着する内周マスクまたは外周
マスクが、非磁性材料のみか或は磁性材料と非磁性材料
の組み合わせから成ることを特徴とする成膜用マスクに
ある。
【０００６】
【作用】従来マスクは通常磁性材料、例えばSUS403の単
一材料で一体構成となっているため、ターゲット表面上
の漏れ磁場に影響を与えると共に、基板表面上の磁場分
布が局所的に変化し、基板表面上に成膜された薄膜が磁
性材料の近傍でその膜厚の変化が大きくなるという欠点
があった。本発明では、基板と接触もしく近傍にあるマ
スクを非磁性材料のみで作製するか、または非磁性材料
と磁性材料との組み合わせとすることで前記悪影響が排
除され、基板上に堆積する薄膜の膜厚を均一化すること
が可能となり、その結果膜厚分布の狭い薄膜形成が達成
される。
一材料で一体構成となっているため、ターゲット表面上
の漏れ磁場に影響を与えると共に、基板表面上の磁場分
布が局所的に変化し、基板表面上に成膜された薄膜が磁
性材料の近傍でその膜厚の変化が大きくなるという欠点
があった。本発明では、基板と接触もしく近傍にあるマ
スクを非磁性材料のみで作製するか、または非磁性材料
と磁性材料との組み合わせとすることで前記悪影響が排
除され、基板上に堆積する薄膜の膜厚を均一化すること
が可能となり、その結果膜厚分布の狭い薄膜形成が達成
される。
【０００７】本発明のマスクの材質および具体的な形
状、配置について以下図面に基づいて詳細に説明する。
マスクの材質は非磁性材料としては、SUS304、 耐熱性プ
ラスチック、例えばポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リスルフォン等の他セラミックスとしてアルミナ等が挙
げられる。磁性材料としてはSUS403、 SUS410、 S30C等が
例示され、非磁性材料と磁性材料とを接合したマスクの
場合は、溶接可能な材料が好ましい。
状、配置について以下図面に基づいて詳細に説明する。
マスクの材質は非磁性材料としては、SUS304、 耐熱性プ
ラスチック、例えばポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リスルフォン等の他セラミックスとしてアルミナ等が挙
げられる。磁性材料としてはSUS403、 SUS410、 S30C等が
例示され、非磁性材料と磁性材料とを接合したマスクの
場合は、溶接可能な材料が好ましい。
【０００８】マスクの形状には基板の内周中心孔用内周
マスク３（図１、図２、図３（ｂ）、図６（ａ）、図７
（ａ））および外周用外周マスク４（図１、図２、図３
（ａ）、図６（ｂ）、図７（ｂ））があり、前者は基板
の中心孔に嵌め込んで内周の帯状無記録部をマスクし、
後者は基板外周の帯状無記録部と基板の外周側面をマス
クするものである。マスクの役割の一つとして基板１を
ホルダー２に装着し固定するために、マスク全体を非
磁性材料で製作する場合は、内周マスク３Ｎ（図７
（ａ））も外周マスク４Ｎ（図３、図７（ｂ））もホル
ダー２の周縁を係止する爪または突起６をマスクの周縁
に数箇所設け、これらの爪または突起を受け止める凹部
をホルダー２の周縁に数箇所設けるのが良い。爪または
突起と凹部の位置関係は前記の逆であっても良い。非
磁性材料製マスクの係止方法には図２のようにホルダー
２側にボール７とバネ８を埋め込みバネ８の付勢力を利
用してマスク３Ｎ、４Ｎを係止しても良い。また、図
３の合成樹脂製の場合は、樹脂の弾性を利用し、切れ込
み10を設けて係止しても良い。従来通りホルダー２に
埋設した磁石５で磁着固定する場合には、ホルダー２に
埋設された磁石５と相対する内周中心孔を覆う部分３Ｍ
（図１、図６（ａ））および外周上面部４Ｍ（図１、図
６（ｂ））のみを磁性材料で作製し、中心孔嵌入部３Ｎ
（図１、図６（ａ））と基板外周側面部４Ｎ（図１、図
６（ｂ））は非磁性材料で作製し、基板の固定は磁性材
料と磁石で、磁力線の乱れ防止は非磁性材料で受け持つ
ようにした。
マスク３（図１、図２、図３（ｂ）、図６（ａ）、図７
（ａ））および外周用外周マスク４（図１、図２、図３
（ａ）、図６（ｂ）、図７（ｂ））があり、前者は基板
の中心孔に嵌め込んで内周の帯状無記録部をマスクし、
後者は基板外周の帯状無記録部と基板の外周側面をマス
クするものである。マスクの役割の一つとして基板１を
ホルダー２に装着し固定するために、マスク全体を非
磁性材料で製作する場合は、内周マスク３Ｎ（図７
（ａ））も外周マスク４Ｎ（図３、図７（ｂ））もホル
ダー２の周縁を係止する爪または突起６をマスクの周縁
に数箇所設け、これらの爪または突起を受け止める凹部
をホルダー２の周縁に数箇所設けるのが良い。爪または
突起と凹部の位置関係は前記の逆であっても良い。非
磁性材料製マスクの係止方法には図２のようにホルダー
２側にボール７とバネ８を埋め込みバネ８の付勢力を利
用してマスク３Ｎ、４Ｎを係止しても良い。また、図
３の合成樹脂製の場合は、樹脂の弾性を利用し、切れ込
み10を設けて係止しても良い。従来通りホルダー２に
埋設した磁石５で磁着固定する場合には、ホルダー２に
埋設された磁石５と相対する内周中心孔を覆う部分３Ｍ
（図１、図６（ａ））および外周上面部４Ｍ（図１、図
６（ｂ））のみを磁性材料で作製し、中心孔嵌入部３Ｎ
（図１、図６（ａ））と基板外周側面部４Ｎ（図１、図
６（ｂ））は非磁性材料で作製し、基板の固定は磁性材
料と磁石で、磁力線の乱れ防止は非磁性材料で受け持つ
ようにした。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施態様を実施例を挙げて具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （実施例１）本発明に基づくマスクの内、内周非磁性
（非磁性材料および磁性材料併用内周マスク３）、外周
磁性材料材をテストした。内周マスク３は図６（ａ）に
示したように基板内周中心孔を覆う部分３Ｍを磁性材料
ＭのSUS403で作製し、中心孔嵌入部３Ｎを非磁性材料Ｎ
のSUS304で作製し、両者をスポット溶接で接合する構造
とした。外周マスク４（図４の４Ｍ）は全体を従来通り
磁性材料ＭのSUS403で作製した。図８に示したマグネト
ロン型スパッタ装置に前記内周マスク３および外周マス
ク４を装着した直径3.5 インチのガラス製基板をセット
し、直径６インチのＳi ターゲットを用い、、ターゲッ
ト−基板間距離を40mm、Ａr ガスを15cc/min(N.T.P.)お
よびＮ2 ガスを30cc/min(N.T.P.)の割合で供給し、スパ
ッタ出力６kWで９秒間静止対向スパッタを実施して、誘
電体層Ｓi ＮX 薄膜を成膜した。この時の径方向のＳi
ＮX 薄膜の膜厚分布を図９に示す。膜厚分布（全面）の
計算式を次式で表すと、本例の分布は± 2.5％となっ
た。 分布（±％）＝（Max − Min）× 100／（Max ＋ Min） また、膜厚分布のマスク近傍での改善率（％）を次式で
表すと、本例では 3.1％（内周部）であった。 改善率（％）＝（非磁性の膜厚比−磁性の膜厚比）× 1
00／磁性の膜厚比 ここに非磁性：非磁性材料マスク使用時、磁性：磁性材
料マスク使用時をいう。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （実施例１）本発明に基づくマスクの内、内周非磁性
（非磁性材料および磁性材料併用内周マスク３）、外周
磁性材料材をテストした。内周マスク３は図６（ａ）に
示したように基板内周中心孔を覆う部分３Ｍを磁性材料
ＭのSUS403で作製し、中心孔嵌入部３Ｎを非磁性材料Ｎ
のSUS304で作製し、両者をスポット溶接で接合する構造
とした。外周マスク４（図４の４Ｍ）は全体を従来通り
磁性材料ＭのSUS403で作製した。図８に示したマグネト
ロン型スパッタ装置に前記内周マスク３および外周マス
ク４を装着した直径3.5 インチのガラス製基板をセット
し、直径６インチのＳi ターゲットを用い、、ターゲッ
ト−基板間距離を40mm、Ａr ガスを15cc/min(N.T.P.)お
よびＮ2 ガスを30cc/min(N.T.P.)の割合で供給し、スパ
ッタ出力６kWで９秒間静止対向スパッタを実施して、誘
電体層Ｓi ＮX 薄膜を成膜した。この時の径方向のＳi
ＮX 薄膜の膜厚分布を図９に示す。膜厚分布（全面）の
計算式を次式で表すと、本例の分布は± 2.5％となっ
た。 分布（±％）＝（Max − Min）× 100／（Max ＋ Min） また、膜厚分布のマスク近傍での改善率（％）を次式で
表すと、本例では 3.1％（内周部）であった。 改善率（％）＝（非磁性の膜厚比−磁性の膜厚比）× 1
00／磁性の膜厚比 ここに非磁性：非磁性材料マスク使用時、磁性：磁性材
料マスク使用時をいう。
【００１０】（実施例２）本発明に基づくマスクの内、
内周磁性、外周非磁性材料材（非磁性材料および磁性材
料併用外周マスク４）をテストした。外周マスク４は図
６（ｂ）に示したように基板外周上面部４Ｍを磁性材料
ＭのSUS403で作製し、基板外周側面部４Ｎを非磁性材料
ＮのSUS304で作製し、両者をスポット溶接で接合した。
内周マスク３（図４の３Ｍ）は全体を従来通り磁性材料
ＭのSUS403で作製した。前記内外周マスクを装着した以
外は実施例１と同様の条件で直径3.5 インチのガラス製
基板に静止対向スパッタを実施した。この時の径方向の
膜厚分布を図１０に示す。本例の分布は± 2.0％とな
り、改善率は外周部で 3.2％となった。
内周磁性、外周非磁性材料材（非磁性材料および磁性材
料併用外周マスク４）をテストした。外周マスク４は図
６（ｂ）に示したように基板外周上面部４Ｍを磁性材料
ＭのSUS403で作製し、基板外周側面部４Ｎを非磁性材料
ＮのSUS304で作製し、両者をスポット溶接で接合した。
内周マスク３（図４の３Ｍ）は全体を従来通り磁性材料
ＭのSUS403で作製した。前記内外周マスクを装着した以
外は実施例１と同様の条件で直径3.5 インチのガラス製
基板に静止対向スパッタを実施した。この時の径方向の
膜厚分布を図１０に示す。本例の分布は± 2.0％とな
り、改善率は外周部で 3.2％となった。
【００１１】（実施例３）内周マスク３および外周マス
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎ（SUS304）＋磁性材料
Ｍ（SUS403）の組み合わせで構成したマスク（図１、図
６（ａ）（ｂ））を用いた以外は実施例１と同様の条件
で直径3.5 インチガラス基板に静止対向スパッタを実施
した。この時の径方向の膜厚分布を図１１に示す。本例
の分布は±1.5％となり、改善率は内周部で2.1 ％、外
周部で 3.2％となった。
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎ（SUS304）＋磁性材料
Ｍ（SUS403）の組み合わせで構成したマスク（図１、図
６（ａ）（ｂ））を用いた以外は実施例１と同様の条件
で直径3.5 インチガラス基板に静止対向スパッタを実施
した。この時の径方向の膜厚分布を図１１に示す。本例
の分布は±1.5％となり、改善率は内周部で2.1 ％、外
周部で 3.2％となった。
【００１２】（実施例４）内周マスク３および外周マス
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎ（SUS304）のみで構成
したマスク（図７（ａ）（ｂ））を用いた以外は実施例
１と同様の条件で直径3.5 インチガラス基板に静止対向
スパッタを実施した。この時の径方向の膜厚分布を図１
１に示す。本例の分布は± 1.5％となり、改善率は内周
部で2.1 ％、外周部で 3.2％となった。
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎ（SUS304）のみで構成
したマスク（図７（ａ）（ｂ））を用いた以外は実施例
１と同様の条件で直径3.5 インチガラス基板に静止対向
スパッタを実施した。この時の径方向の膜厚分布を図１
１に示す。本例の分布は± 1.5％となり、改善率は内周
部で2.1 ％、外周部で 3.2％となった。
【００１３】（実施例５）内周マスク３および外周マス
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎであるプラスチックの
みで構成したマスク（図３（ａ）（ｂ））を用いた以外
は実施例１と同様の条件で直径3.5 インチガラス基板に
静止対向スパッタを実施した。この時の径方向の膜厚分
布を図１１に示す。本例の分布は± 1.5％となり、改善
率は内周部で 2.1％、外周部で 3.2％となった。
ク４を共に本発明の非磁性材料Ｎであるプラスチックの
みで構成したマスク（図３（ａ）（ｂ））を用いた以外
は実施例１と同様の条件で直径3.5 インチガラス基板に
静止対向スパッタを実施した。この時の径方向の膜厚分
布を図１１に示す。本例の分布は± 1.5％となり、改善
率は内周部で 2.1％、外周部で 3.2％となった。
【００１４】（比較例１）従来型（内外周磁性材マス
ク）の磁性材料SUS403で作製した内周マスク３および外
周マスク４を用いた以外は実施例１と同様の条件で直径
3.5 インチガラス基板に静止対向スパッタを実施した。
この時の径方向の膜厚分布を図１２に示す。本例の分布
は± 2.5％となった。
ク）の磁性材料SUS403で作製した内周マスク３および外
周マスク４を用いた以外は実施例１と同様の条件で直径
3.5 インチガラス基板に静止対向スパッタを実施した。
この時の径方向の膜厚分布を図１２に示す。本例の分布
は± 2.5％となった。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、基板の内周中心部およ
び外周部に非磁性材料マスクまたは非磁性材料−磁性材
料併用マスクを用いることで中心部および外周部の成膜
速度の向上、面内の膜厚分布の改善、記録特性の均一化
が図れ、さらに品質の向上が可能となり、産業上その利
用価値は極めて高い。
び外周部に非磁性材料マスクまたは非磁性材料−磁性材
料併用マスクを用いることで中心部および外周部の成膜
速度の向上、面内の膜厚分布の改善、記録特性の均一化
が図れ、さらに品質の向上が可能となり、産業上その利
用価値は極めて高い。
【図１】本発明の非磁性材料−磁性材料併用型内外周マ
スクを装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
スクを装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
【図２】本発明の非磁性材料のみで構成した内外周マス
クを装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
クを装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
【図３】本発明の非磁性材料（合成樹脂）のみで構成し
た内外周マスクを示す縦断面図である。（ａ）外周マス
ク、（ｂ）内周マスク
た内外周マスクを示す縦断面図である。（ａ）外周マス
ク、（ｂ）内周マスク
【図４】従来の磁性材料のみで構成された内外周マスク
を装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
を装着した基板とホルダーを示す縦断面図である。
【図５】別の従来例の内外周マスクを装着した基板とホ
ルダーを示す縦断面図である。
ルダーを示す縦断面図である。
【図６】本発明の非磁性材料−磁性材料併用マスクの縦
断面図である。 （ａ）内周マスク （ｂ）外周マスク
断面図である。 （ａ）内周マスク （ｂ）外周マスク
【図７】本発明の非磁性材料マスクの縦断面図である。 （ａ）内周マスク （ｂ）外周マスク
【図８】本発明で使用されるマグネトロン型スパッタ装
置の概念図である。
置の概念図である。
【図９】実施例１（内周非磁性、外周磁性材料マスク）
のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
【図１０】実施例２（内周磁性、外周非磁性材料マス
ク）のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
ク）のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
【図１１】実施例３、４、５（内外周非磁性材料マス
ク）のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
ク）のＳi Ｎx 薄膜膜厚分布図である。
【図１２】比較例１（内外周磁性材料マスク）のＳi Ｎ
x 薄膜膜厚分布図である。
x 薄膜膜厚分布図である。
１ 基板 ２ ホルダー ３ 内周マスク ４ 外周マスク ５ 磁石 ６ 爪または突起 ７ 電極磁場用磁石 ８ ターゲット ９ シールドリング 10 切れ込み Ｍ 磁性材料 Ｎ 非磁性材料
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に少なくとも誘電体層を１層以
上有する光情報記録媒体において、誘電体層を含む記録
膜の成膜時に装着する内周または外周マスクが、非磁性
材料のみか、或は非磁性材料と磁性材料の組み合わせか
ら成ることを特徴とする成膜用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8853194A JPH07296431A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 成膜用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8853194A JPH07296431A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 成膜用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296431A true JPH07296431A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13945428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8853194A Pending JPH07296431A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 成膜用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036633A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un film sur un disque optique |
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1994
- 1994-04-26 JP JP8853194A patent/JPH07296431A/ja active Pending
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