JPH07286831A - パターン比較検査方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、光学干渉を用いたパターン比較検査
装置に於いて、その目的は、欠陥検出のＳ／Ｎを改善す
ることにより微小欠陥の検出を行うことにある。 【構成】対象物をコヒーレントまたはパーシャルコヒー
レントに照明する照明光学系と照明による反射検出光を
干渉させてパターンの差を取る干渉光学系３とそのパタ
ーン差と干渉を行う前の画像をセンサで検出し、得られ
た画像より位相情報画像の復元を行う画像復元部、復元
画像のパターン差情報より欠陥を検出する欠陥検出部よ
りなる。 【効果】本発明により光学干渉によるパターン比較検査
等に於いて干渉光学系の消光比の改善が可能となり、微
細欠陥の安定した検出が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、干渉を用いてパターン
の欠陥を比較検出する装置に係り、例えばＬＳＩウェー
ハやＴＦＴなどの繰り返しを持つパターンの欠陥を比較
検出する方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】第１の従来技術は、特開平２−２４５３
９号公報、及び特開平４−１１１３３６号公報等に記載
されているように、単一可干渉光を図１に示すようにハ
ーフミラー５ｂで２分割し、同一である事が期待される
２つの対象物に照射し、双方からの反射光をハーフミラ
ー５ａで合成し、センサ４で検出する。このときレーザ
光源２２からセンサ４にいたる光路長の差を光源のλ／
２またはλ×（ｎ＋１）／２、（ｎ＝０，１，２，３，
・・・）だけ変えることにより光学干渉を生じせしめ、
２カ所のパターンの差分検出をし、２カ所の対象物が同
一のパターンである場合に差分検出信号が０となり、パ
ターンが違うとき即ち欠陥部で検出信号が発生するよう
になっていた。この第１の従来技術においては、干渉に
より得られる振幅強度信号のみから欠陥の検出を行って
おり、微細欠陥の検出に必要不可欠な照明光源の輝度分
布の影響、光学系の収差詳細は後述する非干渉成分等の
別光学系の画像を干渉させることの欠点に関する配慮が
されていなかった。

【０００３】第２の従来技術は比較検査方式に関するも
のではなく、微分干渉顕微鏡に関するものであるが、特
開平４−３３５３１５号公報に記載されているように、
図２に示すようにレーザ光源２２を出た検査光をエキス
パンダ４１、偏光板４３を介して紙面に対し４５°の傾
きをもつ直線偏光し、ハーフミラー５を介して複屈折素
子４６に入射させる。複屈折素子４６を通過した検査光
は偏光の成分方向に応じて図中の実線と点線で示した光
路をたどり対物レンズ７によって被検査物体２４上にレ
ーザスポットＰ1，Ｐ2を形成する。被検査物体で反射し
た検査光は同じ光路をたどり複屈折素子で再び一つにな
るここで２つの偏向にたいしてそれぞれ４５°の角度を
なす向きにある偏光ビームスプリッタで分離する。これ
らの透過光と反射光をあらかじめ決められた相対関係式
により演算を行うことで検査物体の位相分布あるいは強
度分布のみを取り出し、観察できるようにしていた。こ
の技術は光源の輝度分布を考慮した位相差情報を抽出し
ているため安定した欠陥検出が行うことが可能である特
徴がある。しかし系を構成する光源は可干渉性の高いレ
ーザ等に限られ、可干渉性に関する視野内の均一性の配
慮がなされていなかった。

【０００４】干渉光学系を用いた比較検査では、それま
で演算回路により行っていた画像の差分検出を光学系に
より行うため検査の高速化が計れることと欠陥として検
出する像が輝点であり欠陥以外のパターン密度に対する
解像度の制約が緩やかになるため高密度パターン中の微
細欠陥の検出が可能である点が特徴である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】第一の従来技術は上記
のように安定した検出が困難であり、これに対して第２
の従来技術においては、第１の従来の技術の問題を解決
するために干渉信号から形状差の情報である位相情報を
とりだすことで照明光源の影響を除去している。しかし
ながらこの技術においては、光学系の光源の可干渉度が
十分に高いことが前提条件となるため、光源の種類はレ
ーザに限定され、可干渉度が低い一般の光源の場合に干
渉信号に現れる非干渉成分については実用的でない。
（この非干渉成分についての詳細は作用の説明で式を用
いて説明する。）また、いずれの技術においても検査と
して微小欠陥の検出を行う場合には光学系にかなりの精
度が要求される。

【０００６】一般に干渉光学系において系の性能を計る
指標となる消光比と呼ばれるものがある。消光比とは干
渉系に於いて分割された２光束の位相差を変化させたと
きに得られる最大値と最小値の比であり、具体的には干
渉縞の明部と暗部の比より求める。

【０００７】従来方式において欠陥の判定は差分画像に
於ける正常部の残留ノイズレベルＮと欠陥部の信号レベ
ルＳとの比であるＳ／Ｎ比を求めることにより行ってい
る。検出欠陥が小さくなればなるほど正常部との形状差
は小さくなるため検出Ｓ／Ｎ比は小さくなる。微小欠陥
検出時のＳ／Ｎを高くするためには、系の消光比を高く
できれば欠陥検出Ｓ／Ｎのダイナミックレンジも高くな
り微小欠陥の検出性能の向上に有効である。ところが、
この消光比は干渉系内の光学素子の精度に大きく依存し
ており改善は容易ではない。

【０００８】また干渉系では系内部の光学素子の収差、
照明光源の輝点位置の変動等より、視野全体を均一に保
つ事が困難である。

【０００９】本発明の目的は、干渉の条件を変えた複数
の画像から物体の形状差情報を抽出するとともに光学系
の収差情報を含めた理想差分画像を合成することにより
微小欠陥の安定検出と視野の均一性の確保を行えるパタ
ーン比較検査方法及びその装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、着目パターンと該着目パターンと同一であ
るはずのパターン光学像を合成せしめて生じる干渉信号
及び干渉条件を変えた画像より、光学的、あるいはあら
かじめ定められた関係式に基づいて合成した理想差分画
像を光電変換手段で信号として検出し、該信号から欠陥
等のパターンの情報を検出または観測する事を特徴とす
るパターン検出方法である。

【００１１】また本発明は、あらかじめ一定パターンの
画像を検出しておくことにより光学系の収差情報を含ん
だ理想差分画像の合成を行う特徴を持つパターン比較検
査方法である。

【００１２】

【作用】本発明の検査対象としては、メモリ用ＬＳＩな
どの半導体ウェーハのパターンや、ＴＦＴ（Thin Film
Transister）のパターンや、プリント配線板のパターン
や、セラミック基板のパターンや、それらを製造する工
程で用いるマスクやレチクルなどのパターンである。こ
こでは一例として半導体ウェーハのパターンについて説
明するが、他のパターンに対しても同じ事が成り立つ。

【００１３】半導体ウェハのパターンは図３（ａ）に示
すように最終的に切り放されて個別製品となる数十個の
チップが一枚のウェハに載っていて、それらは互いに同
じパターンを持っている。チップ内はメモリセル部分３
２（図３（ｂ）はメモリセル部Ａの拡大図である。）な
どのように一定の周期で繰り返し性を持った部分と周辺
部（周辺回路部）３１などのように周期性の乏しい部分
がある。

【００１４】図３を用いて従来の技術と対比させて本発
明の作用を説明する。対象物はセルピッチｄの繰り返し
形状になっており、例えば図３で示す断面形状となって
いる。平面波を入射すると断面形状に応じて、振幅及び
位相の異なった波面の反射光となり欠陥などのパターン
情報を含んでいる。波面の表現は、反射光の位相が進ん
でいる場所は光の進行方向の前に記し、位相が遅れてい
る場所は後に記している。この反射光を干渉光学系３に
入れる。干渉光学系３では、光を分割し、一方をもう一
つの光に対して位相を、例えばπ変え、波面の位置αを
セルピッチｄだけずらし（以下、このずらし量の事をシ
ェア量、ずらす事をシェアと呼ぶ））、２つの光を合成
する。この合成により干渉が起こる。図３では従来技術
として、照明光学系に十分に可干渉度の高いものを用い
る事を前提としており、実際の検出光量は式(1)で与え
られる。

【００１５】 ｆ(x,y)＝|exp(ａ1(x,y)+ｇ(x,y,h))＋exp(ａ2(x,y)+ｇ(x+δ,y,h)|) +γ{|exp(ａ1(x,y)+ｇ(x,y,h))+exp(ａ2(x,y)+ｇ(x+δ,y,h))|} (1) ここで、(x,y)は対象物上の位置、ｆ(x,y)はセンサでの
検出光量、ａ1(x,y)は１つの干渉光路を辿ったときの光
源からセンサまでの透過特性、ａ2はもう１つの干渉光
路の透過特性、ｇ(x,y,h)は対象物の反射特性、hは偏光
特性、γ(x,y)は可干渉度を表わす。ａ1，ａ2，ｇはい
ずれも複素数である。

【００１６】初めに式(1)を基に干渉光学系の消光比と
微細欠陥検出時のＳ／Ｎとの関係を考えてみる。

【００１７】いま、理想光学系でａ1とａ2の位相がπず
れているのみで、偏光特性が２つの光学系で等しいとす
ると、式(2)と簡単化される。

【００１８】 ｆ(x,y)＝exp(ａ1(x,y))| {|exp(ｇ(x,y,h))-exp(ｇ(x+δ,y,h))| ＋γ(x,y){|exp(ｇ(x,y,h))| +|exp(ｇ(x+δ,y,h))| }} (2) ここで、干渉光学系の消光比μは式(2)でｇ(x,y,h)がｇ
(x+δ,y,h)に対して位相を変えたときに得られる最大値
と最小値の比であり、式(3)で与えられる。

【００１９】 μ＝（γ＋２）／γ (3) また、微小なパターン欠陥がある場所では欠陥部のエッ
ジが傾斜しており、反射光がほとんど対物レンズに入射
せず、欠陥部では検出光量が極めて小さいと仮定でき
る。これは式(2)でｅｘｐ（ｇ(x+δ,y)）＝０と置いた
ときに相当し、欠陥部の信号Ｓと考えることができる。
一方、正常部の残留ノイズＮはｇ(x,y)とｇ(x+δ,y)が
等しいとき、即ち対象物の反射特性が等しいときの検出
光量と考えることができ、Ｓ/Ｎ比は式３．４で与えら
れる。

【００２０】 Ｓ/Ｎ＝（γ＋１）／２γ (4) 式(3)と式(4)より式(5)を得る。

【００２１】 Ｓ/Ｎ＝（μ＋１）／４ (5) 式(5)により微小欠陥に対する検出Ｓ/Ｎは干渉光学系消
光比μの関数として求められることがわかる。

【００２２】次に、差分画像ｓ(x,y)と明視野画像ｆ(x,
y)の２枚の画像より消光比を改善したの差分画像ｓo(x,
y)を復元する原理を示す。

【００２３】式(2)の右辺第１項は干渉項であり、理想
的な干渉系の場合の検出光量を表しており、ｓo(x,y)と
置く。第２項は非干渉項であり、ｆ(x,y)，ｆ(x+δ,y)
である。これらを式(2)に代入して式(6)を得る。従来技
術においてはこの非干渉光に関する考慮がなされていな
いため干渉光学系の消光比は素子精度に依存していた。

【００２４】 ｓo(x,y)＝ｓ(x,y)−γ(x,y)×｛ｆ(x,y)＋ｆ(x+δ,y)｝ (6) ここで、全くパターンがない場所でｓc(x,y)，ｆc(x,y)
を検出しておき、パターンがない場合はｓo(x,y)＝０で
あることを利用して、あらかじめ可干渉度γ(x,y)を算
出して置くことができる。このとき可干渉度は該光学系
の収差情報を含んだ情報である。

【００２５】 γ(x,y)＝ｓc(x,y)／｛ｆc(x,y)＋ｆc(x+δ,y)｝ (7) パターンを検出するときにはｓ(x,y),ｆ(x,y),ｆ(x+δ,
y)を検出し、(6)に代入してｓ0(x,y)を計算する。また
Ｓ／Ｎの算出のみが目的の場合ノイズレベルＮはｆc(x,
y)＝ｆc(x+δ,y)の時の値であるため(7)式は(8)と書く
こともできる。この場合検出すべき非干渉成分は一つで
よい。

【００２６】 γ(x,y)＝ｓc(x,y)／２ｆc(x,y) (8) ただし、この補正式が成立するのはａ1とａ2が等しく、
偏光特性が２つの光学系で等しい時であり、光学系の波
長特性、偏光特性は十分注意する必要がある。

【００２７】上記は干渉の関係式に基づいてＳ／Ｎの改
善を行う方式を示したが、他の手段として光学系のみで
非干渉項を求める場合の作用についても説明する。

【００２８】理想的な干渉項が(6)式で求められること
は先述した通りである。ここで実際の対象物について考
えてみると、(6)式での非干渉項はもとの繰り返しパタ
ーンと同様である繰り返しを持つパターンであることに
なる。このためこの繰り返しパターン部の除去が行えれ
ばＳ／Ｎは改善されることになる。

【００２９】そのため光学的に繰り返しパターンを除去
するのに空間フィルタリング等の手法を用いれば非干渉
項は除去されＳ／Ｎの改善が行える。

【００３０】

【実施例】本発明の第１の実施例を図５に基づいて説明
する。図５はＬＳＩウェハ比較検査装置の全体構成図で
ある。

【００３１】検査装置は、検査対象物のウェーハ１を位
置決めするＸＹステージ２０とコヒーレントまたはパー
シャルコヒーレントに照明する照明光学系２と照明によ
る反射検出光をシェアさせて干渉せしめてパターンの差
を取る干渉光学系３と該干渉差分信号をセンサ４で検出
し、干渉を行う前の明視野画像をセンサ群４ａ，４ｂで
検出し、センサ４，４ａ，４ｂで得られた画像より位相
情報画像の演算を行う画像復元部８、位相情報画像より
パターン差より欠陥を抽出する欠陥検出部９、得られた
欠陥画像を観察するモニタ４７、及び明視野画像の観察
を行うモニタ４７ａからなる。

【００３２】装置の各部は以下のように動作するもので
ある。まずＸＹステージ２０を移動させ視野をウェハ１
の検査エリアであるメモリセル部にあわせ、干渉光学系
を調整して２つの光束のシェア量をセルピッチに一致さ
せ干渉を起こさせる。この段階でセンサ４における干渉
画像の検出信号より従来技術であるパターン比較検査が
行える。本発明においては、作用の項で述べた可干渉度
の演算を行うために以下の初期動作を必要とする。ま
ず、該ウェーハの無パターン部分にステージを移動し、
干渉系の調整は固定したままで無パターン部干渉画像ｓ
c(x,y)（x,yは視野内の座標）及び干渉光学系の分割さ
れた２つの光路上の明視野画像ｆ(x,y)，ｆ(x+δ,y)を
それぞれ検出する。これら３つの信号より画像演算部で
式(7)の演算を行い、視野における可干渉度分布を算出
する。以上で初期動作が完了となる。

【００３３】次に検査に入るために再度ステージ２０を
検査対象位置に合わせて、センサ４より干渉画像ｓ(x,
y)、センサ４ａ，４ｂより干渉前の明視野画像ｆ(x,
y)，ｆ(x+δ,y)の検出を行い初期動作で求めた可干渉度
と合わせて、式(6)にて画像演算部８で演算を行い、理
想差分画像の合成を行う。無論、(8)式を用いる場合は
明視野画像は一方だけで良い。この該理想差分画像を用
いて欠陥判定部９にて欠陥を検出する。

【００３４】次に本実施例の構成例を図６により説明す
る。図では光源２１を干渉光学系３を介してウェーハ１
をクリティカル照明で照明する。この照明により光源２
１を対象物上に結像させ、同一の光路を通って反射光を
検出することにより、光源２１からウェーハ１上の干渉
せしめる２点そしてセンサまでの光路を等しく保つこと
で干渉性を上げている。干渉光学系２は光源２１の偏光
方向を変える偏光板４３と入射光を分割するＰＢＳ２
３、シェア量を決めるミラー６ａ、往復することで２つ
の偏光方向を入れ換えるλ／４板４６、検出倍率を決め
る対物レンズ７からなる。検出系は干渉光学系２を通っ
てきた反射光をさらにハーフミラーで分割し、一方は偏
光板を介してセンサ４で直接検出され、他方はさらにＰ
ＢＳで分割されセンサ４ａ，４ｂで検出される。

【００３５】この系において照明光は偏光板４３を介し
て４５度の直線偏光になり干渉光学系３に入射する。干
渉光学系３ではＰＢＳ２７ａによりＰ，Ｓ、２つの偏光
成分に分割され、Ｐ偏光成分は通過してハーフミラーで
シェア量ｄだけシェアされ(ウェーハ１上での変位
量）、Ｓ偏光は反射方向に進みともにウェーハ１を照明
する。シェアされた光はλ／４板４６、対物レンズ７を
介して、互いにシェア量ｄだけ離れた場所を照明する。
ウェーハからの反射光は入射時と同じ光路をたどり再び
ＰＢＳ２７ｂへたどりつくがこの段階ではλ／４板を往
復したためにＰ，Ｓの偏光は丁度入れ替わりセンサのあ
る検出系へ射出される。

【００３６】本実施例によると以下の効果がある。

【００３７】（１）干渉光学系において偏光を用いてい
るため検出系でそれぞれの光路の光束を観察することが
できる。

【００３８】（２）初期化時にシェア量の補正を行って
いるため、セルピッチの異なる対象物に対して容易に対
応できる。

【００３９】（３）λ／４板により対象物に入射時は楕
円偏光となり反射光は対象物による偏光への影響を受け
ない。

【００４０】（４）λ／４板により干渉光学系２内で往
路と復路で同じ光路をたどった光束だけがＰＢＳ２３を
介して検出系へたどり着く。

【００４１】（５）検出系ではハーフミラーにより分割
され直接、偏光板を通りセンサ４に検出される成分と、
さらにＰＢＳを介してセンサ４ａ，４ｂでそれぞれ光路
１，光路２を通過した画像が検出させる。

【００４２】次に本実施例の第一の変形を図７を用いて
示す。この系でも照明はクリティカル照明で照明であ
る。構成は干渉光学系２は反射光を２つに分割するハー
フミラーとそれぞれの光路の画像を分割，合成するため
のハーフミラー、光路長の調整とシェア量の調整を行う
平行回転プリズムよりなる。

【００４３】動作について説明する。図８にスリットを
用いて消光比の改善を行う原理を示す。光源２１をでた
光束は結像位置のスリット２５に入射してスリット幅の
光束となる。この光束ハーフミラー５ｃで２つに分割さ
れ一方はミラー６ａでシェアされる。この２光束がウェ
ーハを照明し戻るが、反射光ではそれぞれがハーフミラ
ー５ｂで２分割されるため合計４つの光束となる。しか
しこのうち２光束は干渉を行いＰ２の位置に現れる、残
りのＰ１、Ｐ３の位置に現れる光束は非干渉成分であ
る。ここで３つのセンサ４，４ａ，４ｂはそれぞれＰ
１，Ｐ２，Ｐ３の画像を検出している。もしスリットに
より光束の幅を変えておかなければ、Ｐ２の位置ではＰ
１での光束とＰ３における非干渉成分を含んだ干渉信号
が検出され系の消光比は低いものとなる。

【００４４】この方式では偏光を用いないため対象物に
よる偏光への影響を考慮する必要がない特徴がある。な
おスリットにより干渉光学系の消光比の向上を計る手段
は１つめの実施例の変形にとしても適用できる。

【００４５】本発明の第２の実施例の構成を図９に基づ
いて説明する。装置は、検査対象物のウェハ１を位置決
めするＸＹステージ２０とコヒーレントに照明する照明
光学系２による反射検出光を介してシェアさせて干渉せ
しめてパターンの差を取る干渉光学系３、該干渉差分信
号をセンサ５とフーリエ変換面にある空間フィルタ６へ
２分割するＰＢＳ２７ａと空間フィルタリング後の画像
をリレーレンズ４２を介してセンサ７で画像の検出を行
い、欠陥判定部９で欠陥判定を行い得られた欠陥画像を
観察するモニタ４７からなる。

【００４６】装置の各部は以下のように動作するもので
ある。まずステージ８を移動させ視野をウェハ１の検査
エリアであるメモリセル部にあわせ、干渉光学系を調整
して２つの光束のシェア量をセルピッチに一致させ干渉
を起こさせる。（干渉によるパターン比較検査は公知技
術のため調整方法の詳細はここでは省略する。）この段
階で得られる画像は非干渉成分を含んだ画像である。こ
のため、得られた画像にセルピッチに合わせた空間フィ
ルタに掛けることで非干渉成分を除去する。

【００４７】この構成における効果は以下の通りであ
る。

【００４８】（１）空間フィルタを対象ウェーハのセル
ピッチに合わせて作成することで任意のピッチに対応で
きる。

【００４９】（２）画像処理を光学的により行っている
ため光量の確保を行えば、高速な検査が可能であり、装
置の小型化が可能である。

【００５０】

【発明の効果】本発明により光学干渉によるパターン比
較検査等に於いて干渉光学系の消光比の改善が可能とな
り、微細欠陥の安定した検出が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光学干渉によるパターン検査の従来の技術例を
示す図である。

【図２】微分干渉顕微鏡の従来の技術例を示す図であ
る。

【図３】検査対象の例で、（ａ）はウェーハパターンを
示す図、（ｂ）はＡ部拡大図である。

【図４】本発明の原理を説明するための図である。

【図５】本発明の第１の実施例の全体構成図である。

【図６】本発明の第１の実施例の構成例を示す図であ
る。

【図７】本発明の第１の実施例の変形例を示す図であ
る。

【図８】本発明においてスリットの効果を示す図であ
る。

【図９】本発明の第２の実施例の全体構成図である。

【符号の説明】 １…ウェーハ、１ａ…マスク、１ｂ…マスク、２…照明
光学系、３…干渉光学系、４…センサ、４ａ…センサ、
４ｂ…センサ、５…ハーフミラー、５ａ…ハーフミラ
ー、５ｂ…ハーフミラー、６ａ…ミラー、６ｂ…ミラ
ー、６ｃ…ミラー、６ｄ…ミラー、７…対物レンズ、７
ａ…対物レンズ、７ｂ…対物レンズ、８…画像演算部、
９…欠陥検出部、１０…全体制御部、２０…ステージ、
２１…光源、２２…レーザ、２３ａ…平行回転プリズ
ム、２３ｂ…平行回転プリズム、２４…空間フィルタ、
２５…スリット、２６…レンズ、４１…ビームエクスパ
ンダ、４２…リレーレンズ、４３，４４…偏光板、４５
…λ／４板、４６…複屈折素子、４７…画像モニタ。４
７ａ…画像モニタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧平 坦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 窪田 仁志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】同一パターンであるはずの対象物の２つの
   パターンを干渉を用いて比較検査する方法に於いて、欠
   陥検出のＳ／Ｎを改善することを特徴とするパターン比
   較検査方法。
2. 【請求項２】同一パターンであるはずの対象物の２つの
   パターンを干渉を用いて自動で比較検査する装置に於い
   て、欠陥検出Ｓ／Ｎを改善することを特徴とするパター
   ン比較検査装置。
3. 【請求項３】請求項１において、干渉画像及び干渉条件
   を変えた複数の画像により光学的あるいはデジタル信号
   の演算により理想差分画像を合成することを特徴とする
   パターン比較検査方法。
4. 【請求項４】請求項３において、光学的とは空間フィル
   タなどのフィルタリングによる光学的な演算により理想
   差分画像を合成することを特徴とするパターン比較検査
   方法。
5. 【請求項５】請求項１において、あらかじめ一定パター
   ンの画像を検出しておくことにより、光学系の収差情報
   を検出器上での分布を含んだ理想差分画像の合成を行う
   ことを特徴とするパターン比較検査方法。
6. 【請求項６】同一パターンであるはずの対象物の２つの
   パターンを干渉を用いて比較検査を行う方法において、
   コヒーレント光またはパーシャルコーヒレーント光で照
   明する光源のいづれを用いても欠陥検出Ｓ／Ｎの改善が
   行えることを特徴とするパターン比較検査方法。
7. 【請求項７】同一パターンであるはずの対象物の２つの
   パターンを干渉を用いて自動で比較検査する装置に於い
   て、干渉系とその干渉画像及び条件を変えた干渉画像を
   複数のセンサで検出し理想差分画像を求める画像演算部
   を備え該理想差分画像からパターンの形状差の違いを検
   出あるいは観察できることを特徴とするパターン比較検
   査装置。
8. 【請求項８】同一パターンであるはずの対象物の２つの
   パターンを干渉を用いて比較検査する装置に於いて、同
   じ条件下で干渉画像と非干渉画像を同時にモニタできる
   機能を特徴とするパターン比較検査装置。