JPH07286300A - Plating method and device therefor - Google Patents

Plating method and device therefor

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JPH07286300A
JPH07286300A JP8059094A JP8059094A JPH07286300A JP H07286300 A JPH07286300 A JP H07286300A JP 8059094 A JP8059094 A JP 8059094A JP 8059094 A JP8059094 A JP 8059094A JP H07286300 A JPH07286300 A JP H07286300A
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JP
Japan
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plating
plated
rotary
transfer
transfer path
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Pending
Application number
JP8059094A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukio Tanaka
雪夫 田中
Kunihiko Hamada
邦彦 浜田
Kimiharu Anafuto
公治 穴太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP8059094A priority Critical patent/JPH07286300A/en
Publication of JPH07286300A publication Critical patent/JPH07286300A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a plating device capable of automatically and continuously plating many materials to be plated. CONSTITUTION:This plating device 21 consists of the rotary member 23 provided with a transfer line 27 for spirally transferring a material 20 to be plated to the bottom where a plating soln. 26 is stored and discharging the material from the edge of the periphery, a vibrator 25 to vibrate the member 23 and an anode 29 arranged in the soln. 26.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、被メッキ物に電気メッ
キによりメッキ膜を形成するためのメッキ装置及びメッ
キ方法に関し、特に、多数の被メッキ物を移送しつつ連
続的にメッキすることを可能とするメッキ装置及びメッ
キ方法に関する。また、本発明は、メッキ膜を形成する
必要がある金属部品などの種々の被メッキ物へのメッキ
に利用することができるが、特に、多数のチップ型電子
部品の外部電極上にメッキ膜を形成するのに好適に用い
ることができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus and a plating method for forming a plating film on an object to be plated by electroplating, and more particularly to transferring a large number of objects to be plated continuously. The present invention relates to a plating device and a plating method that enable the plating. Further, the present invention can be utilized for plating on various objects to be plated such as metal parts for which it is necessary to form a plating film, but in particular, the plating film is formed on the external electrodes of many chip type electronic parts. It can be suitably used for forming.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば積層コンデンサなどのチップ型電
子部品では、外部電極上に1層以上のメッキ層を形成す
ることが多い。図1を参照して、従来の積層コンデンサ
の外部電極及びその上に形成されるメッキ層の構造を説
明する。
2. Description of the Related Art In a chip type electronic component such as a multilayer capacitor, one or more plating layers are often formed on an external electrode. Referring to FIG. 1, the structure of the external electrode of the conventional multilayer capacitor and the plating layer formed thereon will be described.

【0003】積層コンデンサ1は、誘電体セラミックス
よりなる焼結体2内に複数の内部電極3〜8を形成した
構造を有する。セラミック焼結体2の両端面には、外部
電極9,10が形成されている。内部電極3〜8は、通
常、Pd、Ag−Pd、Niなどからなり、該内部電極
3〜8と外部電極9,10との電気的接続を確保するた
め、並びに外部電極9,10の導電性を高めるために、
外部電極9,10はAgペーストあるいはCuペースト
を塗布し、焼き付けることにより形成されている。
The multilayer capacitor 1 has a structure in which a plurality of internal electrodes 3 to 8 are formed in a sintered body 2 made of dielectric ceramics. External electrodes 9 and 10 are formed on both end surfaces of the ceramic sintered body 2. The internal electrodes 3 to 8 are usually made of Pd, Ag-Pd, Ni or the like, and are used to secure electrical connection between the internal electrodes 3 to 8 and the external electrodes 9 and 10 and to conduct the external electrodes 9 and 10. To improve
The external electrodes 9 and 10 are formed by applying Ag paste or Cu paste and baking.

【0004】しかしながら、Agよりなる外部電極9,
10は、はんだ付けに際し、はんだ喰われ現象を引き起
こす。そこで、はんだ喰われ現象を防止するために、外
部電極9,10の外表面に、Niからなる第1のメッキ
層11,12を形成している。さらに、半田付け性を高
めるためにNiからなるメッキ層11,12上に、Sn
または半田により構成される第2のメッキ層13,14
を形成している。
However, the external electrode 9 made of Ag,
No. 10 causes a solder leaching phenomenon during soldering. Therefore, in order to prevent the solder leaching phenomenon, the first plating layers 11 and 12 made of Ni are formed on the outer surfaces of the external electrodes 9 and 10. Further, Sn is added on the plating layers 11 and 12 made of Ni to enhance solderability.
Alternatively, the second plated layers 13 and 14 made of solder
Is formed.

【0005】上記のような第1,第2のメッキ層11〜
14は、従来、単純な電気メッキ法により形成されてい
る。この電気メッキに際しては、図2に示す円筒型ある
いは多角筒形のバレル15と称されているメッキ容器が
用いられている。すなわち、バレル15内に、メッキ液
16、並びにメディアと称されている多数の鋼球17及
びチップ型電子部品18を投入し、陰極19を上記鋼球
17に電気的に接続し、他方メッキ液16側を陽極とし
て通電することによりメッキ層を形成していた。実際に
は、図示しないメッキ液槽中にバレル15を浸漬するこ
とによりメッキが行われる。
The first and second plating layers 11 to 11 as described above
Conventionally, 14 is formed by a simple electroplating method. At the time of this electroplating, a plating container called a barrel 15 of a cylindrical type or a polygonal tube shown in FIG. 2 is used. That is, the plating solution 16 and a large number of steel balls 17 and chip type electronic components 18 called media are put in the barrel 15, the cathode 19 is electrically connected to the steel balls 17, and the plating solution is The plating layer was formed by energizing the 16 side as an anode. Actually, plating is performed by immersing the barrel 15 in a plating solution tank (not shown).

【0006】ところで、バレル15を用いたメッキ方法
では、メッキ液16の下方において埋まっているチップ
型電子部品18の外部電極にはメッキ膜が十分に形成さ
れない。すなわち、チップ型電子部品18の外部電極上
に確実にメッキ膜を形成するには、チップ型電子部品1
8がメッキ液16の液面近傍に位置される必要がある。
そこで、バレル15を図示の矢印方向に回転し、内部の
チップ型電子部品18を攪拌し、それによって投入され
ている多数のチップ型電子部品18へのメッキ層の形成
を図っていた。
By the way, in the plating method using the barrel 15, the plating film is not sufficiently formed on the external electrodes of the chip type electronic component 18 buried below the plating solution 16. That is, in order to surely form the plating film on the external electrodes of the chip-type electronic component 18, the chip-type electronic component 1
8 must be located near the surface of the plating solution 16.
Therefore, the barrel 15 is rotated in the direction of the arrow shown in the drawing to stir the chip-type electronic components 18 inside, and a plating layer is formed on a large number of the chip-type electronic components 18 that have been thrown therein.

【0007】他方、上記バレル15を用いたメッキ方法
の他、導電性のかごに多数のチップ型電子部品を投入
し、該かごをメッキ浴に浸漬し、かつかごを陰極として
用いてメッキする方法も採用されている。
On the other hand, in addition to the plating method using the barrel 15, a method in which a large number of chip type electronic components are put into a conductive car, the car is immersed in a plating bath, and the car is used as a cathode for plating. Has also been adopted.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たバレル15を用いたメッキ方法及びかごをメッキ浴に
浸漬してメッキする方法は、何れもバッチ処理により多
数の電子部品をメッキするものである。すなわち、多数
のチップ型電子部品をバレル15やかご内に投入し、メ
ッキ処理が完了した後に、バレル15やかごからメッキ
された電子部品を取り出すといった工程を繰り返すこと
により、多数のチップ型電子部品にメッキを施すもので
あった。
However, both the plating method using the barrel 15 and the method of plating a car by immersing it in a plating bath described above are for plating a large number of electronic components by batch processing. That is, a large number of chip-type electronic components are put into the barrel 15 or the cage, and after the plating process is completed, the process of taking out the plated electronic component from the barrel 15 or the cage is repeated to obtain a large number of chip-type electronic components. Was to be plated.

【0009】そのため、チップ型電子部品をバレル15
やかごから出し入れする作業を避けることができず、こ
の工程の自動化が困難であった。そのため、多数のチッ
プ型電子部品を連続的にメッキすることができなかっ
た。
Therefore, the chip-type electronic component is mounted on the barrel 15
The work of putting in and out of the basket was unavoidable, and automation of this process was difficult. Therefore, many chip type electronic components cannot be plated continuously.

【0010】なお、上記問題は、チップ型電子部品の外
部電極上にメッキ膜を形成する場合に限らず、種々の被
メッキ物の外表面にメッキ膜を形成する場合でも同様で
あった。
The above problem is not limited to the case where the plating film is formed on the external electrodes of the chip type electronic component, and is the same when the plating film is formed on the outer surface of various objects to be plated.

【0011】よって、本発明の目的は、多数の被メッキ
物にメッキ膜を形成するに際し、バッチ処理によらず、
該多数の被メッキ物を連続的にメッキすることを可能と
するメッキ装置及びメッキ方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to form a plated film on a large number of objects to be plated, regardless of batch processing.
It is an object of the present invention to provide a plating apparatus and a plating method capable of continuously plating a large number of objects to be plated.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明のメッキ装置は、
上方に開いておりかつメッキ液が貯留されているメッキ
液貯留部と、前記メッキ液貯留部の底面において、外部
から与えられる振動により被メッキ物が渦巻き状方向に
移送されかつ外周縁側で外部に排出されるように形成さ
れた回転式移送経路を有する回転式被メッキ物移送・メ
ッキ部材と、前記回転式被メッキ物移送・メッキ部材の
少なくとも前記移送経路において、上面に被メッキ物が
接触されるように設けられた陰極と、前記回転式被メッ
キ物移送・メッキ部材に連結されておりかつ該回転式被
メッキ物移送・メッキ部材に振動を与える振動手段とを
備えることを特徴とするメッキ装置である。
The plating apparatus of the present invention comprises:
At the plating liquid storage portion that is open upward and stores the plating liquid, and at the bottom surface of the plating liquid storage portion, the object to be plated is transferred in a spiral direction by the vibration applied from the outside and is externally exposed at the outer peripheral edge side. A rotary object to be plated transfer / plating member having a rotary transfer path formed so as to be discharged, and an object to be plated is brought into contact with an upper surface of at least the transfer path of the rotary object to be plated / plating member. And a vibrating means that is connected to the rotary object-transferring object-plating member and that vibrates the rotary object-transferring object-plating member. It is a device.

【0013】また、本発明のメッキ方法は、請求項1に
記載の前記回転式被メッキ物移送・メッキ部材の前記メ
ッキ液貯留部の上方から複数の被メッキ物を投入し、前
記回転式被メッキ物移送・メッキ部材に振動を与えて前
記被メッキ物を前記移送経路に沿って移送しつつ、少な
くとも移送経路において被メッキ物に接触するように配
置された陰極を利用して被メッキ物を電気メッキする、
メッキ方法である。
Further, the plating method of the present invention is characterized in that a plurality of objects to be plated are introduced from above the plating solution storage portion of the rotary object transfer / plating member according to claim 1, and the rotary object to be plated. Transferring a plated object ・ Vibration is applied to a plated member to transfer the plated object along the transfer path, and at least the transfer path is used to remove the plated object by using a cathode arranged to contact the plated object. Electroplating,
It is a plating method.

【0014】上記回転式被メッキ物移送・メッキ部材
は、上記特定の構造を有するが、この回転式移送経路
は、例えば、従来より公知の回転式部品移送装置すなわ
ちボールフィーダーと称されている構造を応用すること
により構成される。すなわち、回転式部品移送装置は、
外部から与えられる振動により内部に投入された部品が
渦巻き状に配置された移送経路に沿って中心側から外周
縁側に移送され、外周縁側で排出されるものである。本
発明のメッキ装置及びメッキ方法では、この回転式部品
移送装置と同様に、上記回転移送経路を有しており、従
って、被メッキ物が、上記回転式移送経路に沿って移送
され、外周縁側で排出される。
The rotary object transfer / plating member has the above-mentioned specific structure, and this rotary transfer path is, for example, a conventionally known rotary component transfer device, that is, a ball feeder. It is configured by applying. That is, the rotary component transfer device is
The components introduced into the inside by the vibration given from the outside are transferred from the center side to the outer peripheral edge side along the transfer path arranged in a spiral shape, and are discharged on the outer peripheral edge side. The plating apparatus and the plating method of the present invention have the rotary transfer path as in the rotary component transfer apparatus. Therefore, the object to be plated is transferred along the rotary transfer path to the outer peripheral side. Is discharged in.

【0015】また、本発明において用いられる上記振動
手段としては、回転式部品移送装置において、従来より
振動源として用いられている任意の振動源を用いること
ができる。
As the vibrating means used in the present invention, any vibrating source conventionally used as a vibrating source in a rotary component transfer device can be used.

【0016】また、本発明では、電気メッキにより被メ
ッキ物に対してのメッキが行われるが、陽極は必ずしも
必要ではない。すなわち、上記回転式被メッキ物移送・
メッキ部材内に貯留されたメッキ液に浸漬するように陽
極を配置してもよいが、陽極に代えて、金属イオンを被
メッキ物近傍に供給する金属イオン含有水溶液供給手段
をメッキ液内に配置してもよい。
In the present invention, the object to be plated is plated by electroplating, but the anode is not always necessary. That is, the rotary type object to be plated
The anode may be arranged so as to be immersed in the plating solution stored in the plating member, but instead of the anode, a metal ion-containing aqueous solution supply means for supplying metal ions to the vicinity of the object to be plated is arranged in the plating solution. You may.

【0017】[0017]

【作用】本発明のメッキ装置及びメッキ方法では、上記
回転式被メッキ物移送・メッキ部材に振動が与えられた
状態で、回転式移送経路に投入された被メッキ物が該移
送経路内を移送され、外周縁側で外部に排出される。そ
して、この移送工程の間に、上記陰極を用いて電気メッ
キすることにより被メッキ物にメッキが施される。
In the plating apparatus and the plating method of the present invention, the object to be plated introduced into the rotary transfer path is transferred in the transfer path while the rotary object to be transferred and the plating member is vibrated. And is discharged to the outside at the outer peripheral edge side. Then, during this transfer step, the object to be plated is plated by electroplating using the cathode.

【0018】従って、被メッキ物は、回転式被メッキ物
移送・メッキ部材に投入された後に、移送されつつメッ
キが施され、メッキ完了後に回転式被メッキ物移送・メ
ッキ部材から排出される。従って、多数の被メッキ物を
連続的に電気メッキすることができる。
Therefore, the object to be plated is introduced into the rotary object to be plated / plated member, is plated while being transferred, and is discharged from the rotary object to be plated / plated member after completion of plating. Therefore, a large number of objects to be plated can be continuously electroplated.

【0019】すなわち、本発明は、回転式部品移送装置
のような移送経路を有する上記回転式被メッキ物移送・
メッキ部材を用い、被メッキ物を回転式移送経路を移送
させつつメッキを施すことに特徴を有し、それによって
多数の被メッキ物の連続的なメッキを可能としたことに
特徴を有する。
That is, according to the present invention, the above-mentioned rotary object transfer / plating object transfer system having a transfer path such as a rotary component transfer device is used.
It is characterized by using a plating member to carry out plating while moving the object to be plated through a rotary transfer path, thereby enabling continuous plating of a large number of objects to be plated.

【0020】[0020]

【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be clarified by describing embodiments with reference to the drawings.

【0021】図3は、本発明の一実施例に係るメッキ装
置を示す断面図である。メッキ装置21は、リニアフィ
ーダ22と回転式被メッキ物移送・メッキ部材23と被
メッキ物排出コンベア24と、振動装置25とを有す
る。
FIG. 3 is a sectional view showing a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. The plating apparatus 21 includes a linear feeder 22, a rotary type object-to-be-plated transfer / plating member 23, an object-to-be-plated discharge conveyor 24, and a vibration device 25.

【0022】リニアフィーダ22は、被メッキ物を、回
転式被メッキ物移送・メッキ部材23に供給するために
設けられている。このリニアフィーダ22は、従来より
公知のリニアフィーダ、すなわち直線状の移送経路を有
する部材と、該移送経路を有する部材に振動を与える振
動源とにより構成されている。
The linear feeder 22 is provided to supply the object to be plated to the rotary type object transfer / plating member 23. The linear feeder 22 is configured by a conventionally known linear feeder, that is, a member having a linear transfer path and a vibration source that vibrates the member having the transfer path.

【0023】もっとも、本実施例では、リニアフィーダ
22が用いられているが、被メッキ物を回転式被メッキ
物移送・メッキ部材23に供給する手段としては、ベル
トコンベアなどの多数の被メッキ物を搬送する搬送装置
を用いることができる。また、搬送装置を用いずに、多
数の被メッキ物を回転式被メッキ物移送・メッキ部材2
3の投入部23aの上方に配置されたホッパーから供給
してもよい。あるいは、作業者が、手により上記投入部
23a上から多数の被メッキ物を投入するようにしても
よい。
In this embodiment, however, the linear feeder 22 is used, but as means for feeding the object to be plated to the rotary type object to be transferred / plating member 23, a large number of objects to be plated such as a belt conveyor are used. It is possible to use a carrying device for carrying the. In addition, a large number of objects to be plated can be transferred and plated by the rotary member 2 without using a transfer device.
It may be supplied from a hopper arranged above the charging section 23a of No. 3 of FIG. Alternatively, an operator may manually insert a large number of objects to be plated from the above-mentioned input part 23a.

【0024】本実施例では、上記リニアフィーダにより
被メッキ物としての積層コンデンサ20が供給される。
図3では、複数の積層コンデンサ20がリニアフィーダ
22上で所定距離を隔てて搬送されているが、実際に
は、多数の積層コンデンサ20が、リニアフィーダ22
上に無秩序に配置されかつ搬送される。
In the present embodiment, the linear feeder supplies the monolithic capacitor 20 as an object to be plated.
In FIG. 3, a plurality of multilayer capacitors 20 are conveyed on the linear feeder 22 at a predetermined distance, but in reality, a large number of multilayer capacitors 20 are fed by the linear feeder 22.
It is randomly placed and transported on.

【0025】上記積層コンデンサ20は、図1に示した
積層コンデンサ1におけるメッキ膜11〜14が形成さ
れていない構造に相当する。回転式被メッキ物移送・メ
ッキ部材23は、上方に開いた開口23bを有する。開
口23b内に設けられた凹部にメッキ液26が貯留され
ている。
The multilayer capacitor 20 corresponds to the structure of the multilayer capacitor 1 shown in FIG. 1 in which the plating films 11 to 14 are not formed. The rotary object-transferring / plating member 23 has an opening 23b opened upward. The plating liquid 26 is stored in the recess provided in the opening 23b.

【0026】また、上記メッキ液26が貯留されている
凹部の底面23cには、移送経路27が設けられてい
る。移送経路27は、回転式被メッキ物移送・メッキ部
材23に振動が与えられた際に、投入された積層コンデ
ンサ20を移送し得るように構成されている。すなわ
ち、図4に模式的平面図で示すように、上記積層コンデ
ンサ20が、図示の渦巻き状の曲線Aに沿って移送され
るように、上記移送経路27が構成されている。この移
送経路27は、回転式被メッキ物移送・メッキ部材23
の上記凹部底面23cの端面形状を工夫することにより
構成され、従来より公知の回転式部品移送装置と同様に
して構成される。
A transfer path 27 is provided on the bottom surface 23c of the recess in which the plating solution 26 is stored. The transfer path 27 is configured to transfer the inserted multilayer capacitor 20 when the rotary object transfer / plating member 23 is vibrated. That is, as shown in the schematic plan view of FIG. 4, the transfer path 27 is configured such that the multilayer capacitor 20 is transferred along the illustrated spiral curve A. This transfer path 27 is used for the rotary object transfer / plating member 23.
It is configured by devising the shape of the end face of the recess bottom surface 23c, and is configured in the same manner as a conventionally known rotary component transfer device.

【0027】回転式被メッキ物移送・メッキ部材23の
外周縁には、排出口23dが設けられている。上記移送
経路27の排出端は、排出口23dに連ねられている。
また、前述した部品投入部23aは、回転式被メッキ物
移送・メッキ部材23を平面視した場合の中央部に配置
されることになる。
A discharge port 23d is provided at the outer peripheral edge of the rotary object-transferring / plating member 23. The discharge end of the transfer path 27 is connected to the discharge port 23d.
In addition, the above-mentioned component insertion portion 23a is arranged at the central portion when the rotary type object-transferring / plating member 23 is viewed in plan.

【0028】上記排出口23dにおいては、開口23b
の外周縁から外側下方に延ばされた排出プレート28が
設けられている。この排出プレート28の先端の下方に
は、前述した被メッキ物排出コンベア24が配置されて
いる。コンベア24は、ベルトコンベアなどの適宜の搬
送装置により構成することができ、あるいは前述したリ
ニアフィーダ22と同様に外部から振動を与えられるこ
とにより、積層コンデンサ20を直線状に移送し得る部
品移送装置により構成されていてもよい。
At the outlet 23d, the opening 23b is formed.
A discharge plate 28 extending downward from the outer peripheral edge of the discharge plate 28 is provided. Below the tip of the discharge plate 28, the above-described object discharge conveyor 24 is arranged. The conveyor 24 can be configured by an appropriate transfer device such as a belt conveyor, or like the linear feeder 22 described above, a component transfer device that can linearly transfer the multilayer capacitor 20 by externally applying vibration. It may be configured by.

【0029】次に、回転式被メッキ物移送・メッキ部材
23におけるメッキを施すための構成につき説明する。
上記メッキ液26内には、陽極29が配置されている。
図5に示すように、陽極29は、本実施例では、中央に
開口29aを有する。開口29aは、積層コンデンサ2
0を投入部23aから移送経路27に投入することに支
障を与えないために設けられている。従って、中央の投
入部23aから移送経路27に積層コンデンサ20を投
入する作業を妨げない限り、上記開口29aの形状は、
図示の円形に限らず、適宜の形状に変更され得る。ま
た、本実施例では、陽極29は、円形の開口29aを有
し、かつ外周縁も円形とされているが、陽極29の外形
についても、円形に限らず、矩形等の適宜の形状に変更
し得る。
Next, a configuration for carrying out plating on the rotary type object to be plated / plating member 23 will be described.
An anode 29 is arranged in the plating solution 26.
As shown in FIG. 5, the anode 29 has an opening 29a at the center in this embodiment. The opening 29a is for the multilayer capacitor 2
It is provided so as not to hinder the input of 0 into the transfer path 27 from the input section 23a. Therefore, unless the operation of charging the multilayer capacitor 20 from the central charging unit 23a to the transfer path 27 is disturbed, the shape of the opening 29a is
The shape is not limited to the illustrated circle and may be changed to an appropriate shape. Further, in the present embodiment, the anode 29 has the circular opening 29a and the outer peripheral edge is also circular, but the outer shape of the anode 29 is not limited to the circular shape, but may be changed to an appropriate shape such as a rectangular shape. You can

【0030】さらに、陽極29は、図示のように単一の
部材で構成される必要は必ずしもなく、複数の陽極をメ
ッキ液26内において所定距離を隔てて配置してもよ
い。さらに、本実施例では、陽極29を用いているが、
陽極29に代えて、積層コンデンサ20の外部電極上に
メッキされる金属のイオンを含有する金属イオン水溶液
を、上記陽極29が設けられている位置、すなわち移送
経路27内の積層コンデンサ20近傍に供給することに
より、陽極29を省略してもよい。このような金属イオ
ン水溶液を供給する手段は、金属イオン供給液容器及び
ポンプから延ばされた導管を上記移送経路27の上方に
配置することにより構成し得る。
Further, the anode 29 does not necessarily have to be composed of a single member as shown in the figure, and a plurality of anodes may be arranged in the plating solution 26 at a predetermined distance. Further, although the anode 29 is used in this embodiment,
Instead of the anode 29, a metal ion aqueous solution containing metal ions to be plated on the external electrode of the multilayer capacitor 20 is supplied to the position where the anode 29 is provided, that is, in the vicinity of the multilayer capacitor 20 in the transfer path 27. By doing so, the anode 29 may be omitted. Such means for supplying the metal ion aqueous solution may be configured by disposing a metal ion supply container and a conduit extending from the pump above the transfer path 27.

【0031】他方、上記回転式被メッキ物移送・メッキ
部材23は、本実施例では、ステンレス、Cu、Al、
Niなどの比較的耐食性に優れた金属により構成されて
いる。すなわち、メッキ浴が酸性であるため、上記のよ
うな耐食性に優れた金属により回転式被メッキ物移送・
メッキ部材23を構成することが好ましい。
On the other hand, the rotary type object transfer / plating member 23 is made of stainless steel, Cu, Al,
It is made of a metal such as Ni having a relatively excellent corrosion resistance. In other words, since the plating bath is acidic, the metal that has excellent corrosion resistance as described above can be used to transfer rotary objects to be plated.
It is preferable to configure the plated member 23.

【0032】さらに、本実施例では、上記回転式被メッ
キ物移送・メッキ部材23が陰極としても機能する。す
なわち、回転式被メッキ物移送・メッキ部材23が金属
により構成されており、導電性を有するため、図3に略
図的に示すように、電気メッキに際しては、マイナスの
電位に、回転式被メッキ物移送・メッキ部材23が陰極
として機能し、上記陽極29との間の電位差により積層
コンデンサ20が電気メッキされる。
Further, in this embodiment, the rotary object-transferring / plating member 23 also functions as a cathode. That is, since the rotary type object-transferring / plating member 23 is made of metal and has conductivity, as shown schematically in FIG. The material transfer / plating member 23 functions as a cathode, and the multilayer capacitor 20 is electroplated due to the potential difference between it and the anode 29.

【0033】もっとも、回転式被メッキ物移送・メッキ
部材23では、移送経路27の上面に、すなわち底面2
3cのうち、移送経路27を構成している部分の上面に
積層コンデンサ20が接触される。従って、この積層コ
ンデンサ20の外部電極が接触される部分のみが陰極と
して機能されればよい。よって、回転式被メッキ物移送
・メッキ部材23全体が導電性材料で構成される必要は
必ずしもない。例えば、回転式被メッキ物移送・メッキ
部材23は、絶縁性材料、例えば合成樹脂等により構成
されていてもよく、その場合には、上記底面23cをC
u、Al、ステンレスなどの導電性材料で被覆してもよ
く、あるいは、上記移送経路27を構成している部分の
みにおいて底面23c上に上記のような導電性材料層を
設けてもよい。
However, in the rotary type object-transferring / plating member 23, the upper surface of the transfer path 27, that is, the bottom surface 2
The multilayer capacitor 20 is brought into contact with the upper surface of the part of the transfer path 27 that constitutes the transfer path 27. Therefore, only the portion of the multilayer capacitor 20 in contact with the external electrode needs to function as the cathode. Therefore, it is not always necessary that the entire rotary object-transferring / plating member 23 is made of a conductive material. For example, the rotary object to be plated transfer / plating member 23 may be made of an insulating material such as synthetic resin. In that case, the bottom surface 23c is covered with C.
It may be coated with a conductive material such as u, Al or stainless steel, or the conductive material layer as described above may be provided on the bottom surface 23c only in the portion forming the transfer path 27.

【0034】なお、上記メッキ液26が貯留されている
凹部は、通常のパーツフィーダとして用いられている回
転式部品移送装置に比べてその深さをかなり深くし、そ
れによって十分な量のメッキ液26が貯留されるように
構成することが好ましい。
The recess in which the plating solution 26 is stored has a considerably deeper depth than that of a rotary type component transfer device used as a normal parts feeder, so that a sufficient amount of the plating solution can be obtained. 26 is preferably stored.

【0035】また、図3に略図的に示した振動装置25
は、従来より回転式部品移送装置に用いられている適宜
の振動源、例えば電磁石式振動などにより構成すること
ができる。
Further, the vibration device 25 shown schematically in FIG.
Can be constituted by an appropriate vibration source conventionally used in a rotary component transfer device, such as an electromagnet type vibration.

【0036】次に、具体的な実験例につき説明すること
により、本発明のメッキ方法をより具体的に説明する。
積層コンデンサ20として、外径寸法が2.0×1.2
5×厚み1.0mmの大きさを有し、両端面に外部電極
が形成されたものを用意した。この積層コンデンサ20
の外部電極上に、上記実施例のメッキ装置21を用いて
Niメッキ膜を形成した。使用した回転式被メッキ物移
送・メッキ部材23は、開口23bの中央に投入部23
aを有し、上記開口23bの径は、300mm、メッキ
液26が貯留されている部分の深さは図3の矢印Bで示
す部分において20mm、矢印Cで示す部分において3
0mmであり、メッキ液26として、ワット浴が1.0
リットル貯留されているものを用意した。また、陽極2
9としては、Niよりなり、内径25mm、外径50m
m及び厚さ2mmのNi板を用いた。
Next, the plating method of the present invention will be explained more concretely by explaining concrete experimental examples.
The outer diameter of the multilayer capacitor 20 is 2.0 × 1.2.
There was prepared a product having a size of 5 × 1.0 mm and having external electrodes formed on both end faces. This multilayer capacitor 20
A Ni plating film was formed on the external electrodes of the above using the plating apparatus 21 of the above-described embodiment. The rotary type object transfer / plating member 23 used is placed at the center of the opening 23b.
a, the diameter of the opening 23b is 300 mm, the depth of the portion where the plating liquid 26 is stored is 20 mm in the portion indicated by the arrow B in FIG. 3, and 3 in the portion indicated by the arrow C.
It is 0 mm, and the plating solution 26 has a Watt bath of 1.0 mm.
I prepared the one that was stored in liters. Also, the anode 2
9 is made of Ni and has an inner diameter of 25 mm and an outer diameter of 50 m.
A Ni plate with m and a thickness of 2 mm was used.

【0037】メッキ液26の液温を室温とし、リニアフ
ィーダ22から多数の積層コンデンサ20を投入部23
aに投入し、かつ振動装置25により回転式被メッキ物
移送・メッキ部材23に振動を与え、投入された積層コ
ンデンサ20を図4に矢印Aで示すように移送した。こ
の移送に際し、陽極29と回転式被メッキ物移送・メッ
キ部材23との間に1Vの電圧を印加し、積層コンデン
サ20の外部電極上に電気メッキを施した。
The temperature of the plating solution 26 is set to room temperature, and a large number of multilayer capacitors 20 are inserted from the linear feeder 22 into the charging section 23.
Then, the laminated type capacitor 20 was charged into the apparatus a, and vibration was applied to the rotary type object to be plated / plating member 23 by the vibration device 25, and the charged multilayer capacitor 20 was transferred as indicated by an arrow A in FIG. At the time of this transfer, a voltage of 1 V was applied between the anode 29 and the rotary-type plated object transfer / plating member 23, and the external electrodes of the multilayer capacitor 20 were electroplated.

【0038】上記積層コンデンサ20は、投入部23a
から投入されてから、排出口23dまで約5分間で移動
し、その間に、上記電圧を印加されることによりメッキ
膜が形成された。得られたメッキ膜の厚みを測定したと
ころ、1.2μmであった。
The multilayer capacitor 20 has a loading portion 23a.
Then, it moved to the discharge port 23d in about 5 minutes, and the plating film was formed by applying the above voltage during that time. The thickness of the obtained plated film was measured and found to be 1.2 μm.

【0039】また、上記実験例と同様にして、ただし、
積層コンデンサ20に代えて、上記上記実験例によりN
iメッキ膜が形成された積層コンデンサを用い、かつメ
ッキ液として硫酸錫メッキ液を用い、陽極をNi板から
Sn板に代え、上記と同様にしてSnメッキを施した。
その結果、投入部23aから排出口23dまで排出され
る間(すなわち約5分間)で、厚さ4μmのSnのメッ
キ膜の形成されることが確かめられた。
Further, as in the above experimental example,
Instead of the multilayer capacitor 20, N
Using the laminated capacitor having the i-plated film formed thereon, and using the tin sulfate plating solution as the plating solution, the anode was changed from the Ni plate to the Sn plate, and Sn plating was performed in the same manner as above.
As a result, it was confirmed that the Sn plating film having a thickness of 4 μm was formed during the discharging from the charging part 23a to the discharging port 23d (that is, for about 5 minutes).

【0040】従来のバレルメッキでは、上記膜厚のSn
メッキ膜を形成するには、約50分必要であったのに対
し、本実施例では、上記のように約5分で厚さ4μmの
Snメッキ膜が形成された。従って、本実施例のメッキ
装置によれば、従来のバレルメッキに比べて、より短時
間で所望の膜厚のメッキ膜を形成し得ることがわかる。
In the conventional barrel plating, Sn having the above film thickness is used.
It took about 50 minutes to form the plated film, whereas in this example, the Sn plated film having a thickness of 4 μm was formed in about 5 minutes as described above. Therefore, it can be seen that the plating apparatus of the present embodiment can form a plating film having a desired film thickness in a shorter time than the conventional barrel plating.

【0041】上記のようにして形成されたSnメッキ膜
のはんだ付け性及びはんだ溶食性は、従来のバレルメッ
キを用いて形成されたSn膜と同様であることが確かめ
られた。さらに、上記のようにしてNiメッキ膜及びS
nメッキ膜が形成された積層コンデンサの電気的及び機
械的特性も、従来のバレルメッキにより得られたものと
同等であることが確かめられた。
It was confirmed that the Sn plating film formed as described above has the same solderability and solder corrosion resistance as those of the Sn film formed by conventional barrel plating. Further, as described above, the Ni plating film and the S
It was also confirmed that the electrical and mechanical characteristics of the multilayer capacitor having the n-plated film formed were equivalent to those obtained by conventional barrel plating.

【0042】なお、メッキ膜の膜厚をより均一にするた
めに、上記移送経路27において、移送されている被メ
ッキ物を転動させてもよい。この転動は、所定のタイミ
ングで移送経路27を一旦遮断するような機構を設けて
行ったり、振動装置25から与えられる振動の強度や振
幅を大きくしたり、あるいは他の振動源から別の振動を
与えたりすることにより引き起こすことができる。
In order to make the thickness of the plated film more uniform, the object to be plated being transferred may be rolled in the transfer path 27. This rolling is performed by providing a mechanism for temporarily blocking the transfer path 27 at a predetermined timing, increasing the intensity or amplitude of the vibration given from the vibrating device 25, or another vibration from another vibration source. Can be caused by giving.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明のメッキ装置及びメッキ方法によ
れば、回転式被メッキ物移送・メッキ部材の回転式移送
経路内を被メッキ物が移送されつつ、その間に電気メッ
キが施される。この回転式被メッキ物移送・メッキ部材
は、従来より公知の回転式部品移送装置と同様に、振動
を与えられることにより、部品を移送するものである。
従って、従来のバレルメッキやかごを用いたメッキ方法
のようなバッチ式のメッキ方法とは異なり、多数の被メ
ッキ物を連続的にメッキすることができる。すなわち、
回転式被メッキ物移送・メッキ部材に被メッキ物を投入
し、上記のように振動を与えて移送しつつ電気メッキす
ることによりメッキが完了された被メッキ物が、順次、
回転式被メッキ物移送・メッキ部材から排出される。よ
って、メッキ工程の自動化を容易に図ることができる。
According to the plating apparatus and the plating method of the present invention, while the object to be plated is transferred in the rotary transfer path of the rotary object to be transferred and the plating member, electroplating is performed therebetween. This rotary type object-to-be-plated transferring / plating member transfers a part by being vibrated like a conventionally known rotary part transferring device.
Therefore, unlike a batch-type plating method such as a conventional barrel plating method or a plating method using a basket, a large number of objects to be plated can be continuously plated. That is,
Rotary type object transfer ・ Putting the object on the plating member, and applying the vibration as described above, the object to be plated by electroplating while transferring,
Rotating object to be plated and discharged from plating member. Therefore, the plating process can be easily automated.

【0044】しかも、上記実験例から明らかなように、
従来のバレルを用いたメッキ方法に比べ、同程度の膜厚
のメッキ膜を形成する際に、メッキに必要な時間を大幅
に短縮することができる。
Moreover, as is clear from the above experimental example,
Compared with the conventional plating method using a barrel, the time required for plating can be greatly shortened when forming a plating film having a similar film thickness.

【0045】また、本発明では、回転式被メッキ物移送
・メッキ部材の回転式移送経路内を移送される被メッキ
物は、メッキ液による制動作用を幾分受け、隣合う被メ
ッキ物同士が接触してメッキが不充分となることがな
い。ただし、仮に被メッキ物同士が接触して移送されて
も、本質的にはメッキ状態には殆ど問題となることはな
い。
Further, according to the present invention, the object to be plated transferred in the rotary transfer path of the rotary object to be plated and the plating member is subjected to some braking action by the plating solution so that adjacent objects to be plated are Contact does not cause insufficient plating. However, even if the objects to be plated come into contact with each other and are transferred, there is essentially no problem in the plated state.

【0046】よって、本発明のメッキ装置及びメッキ方
法によれば、所望の膜厚のメッキ膜をより短時間で形成
することができ、かつメッキ工程の自動化を促進するこ
とが可能となる。
Therefore, according to the plating apparatus and the plating method of the present invention, a plating film having a desired film thickness can be formed in a shorter time, and automation of the plating process can be promoted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】被メッキ物の一例を説明するための積層コンデ
ンサの断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a multilayer capacitor for explaining an example of an object to be plated.

【図2】従来のバレルを用いたメッキ方法を説明するた
めの部分切欠斜視図。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view for explaining a conventional plating method using a barrel.

【図3】本発明の一実施例に係るメッキ装置を説明する
ための断面図。
FIG. 3 is a sectional view for explaining a plating apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】実施例のメッキ装置における被メッキ物の移送
方向を説明するための模式的平面図。
FIG. 4 is a schematic plan view for explaining a transfer direction of an object to be plated in the plating apparatus of the embodiment.

【図5】回転式被メッキ物移送・メッキ部材の平面図。FIG. 5 is a plan view of a rotary type object-transferring / plating member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20…積層コンデンサ(被メッキ物) 21…メッキ装置 22…リニアフィーダ 23…回転式被メッキ物移送・メッキ部材 25…振動装置 26…メッキ液 27…移送経路 29…陽極 20 ... Multilayer capacitor (object to be plated) 21 ... Plating device 22 ... Linear feeder 23 ... Rotary type object transfer / plating member 25 ... Vibration device 26 ... Plating liquid 27 ... Transfer path 29 ... Anode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上方に開いておりかつメッキ液が貯留さ
れているメッキ液貯留部と、前記メッキ液貯留部の底面
において、外部から与えられる振動により被メッキ物が
渦巻き状方向に移送されかつ外周縁側で外部に排出され
るように形成された回転式移送経路を有する回転式被メ
ッキ物移送・メッキ部材と、 前記回転式被メッキ物移送・メッキ部材の少なくとも前
記移送経路において、上面に被メッキ物が接触されるよ
うに設けられた陰極と、 前記回転式被メッキ物移送・メッキ部材に連結されてお
りかつ該回転式被メッキ物移送・メッキ部材に振動を与
える振動手段とを備えることを特徴とするメッキ装置。
1. A plating solution storage section which is open upward and stores a plating solution, and an object to be plated is transferred in a spiral direction by vibration applied from the outside in a bottom surface of the plating solution storage section, A rotary-type object transfer / plating member having a rotary transfer path formed so as to be discharged to the outside on the outer peripheral side, and an upper surface of at least the transfer path of the rotary object-transfer object / plating member. A cathode arranged to contact the plated object; and a vibrating means connected to the rotary object to be plated / plated member and vibrating the rotary object to be plated / plated member. Plating equipment characterized by.
【請求項2】 請求項1に記載の前記回転式被メッキ物
移送・メッキ部材の前記メッキ液貯留部の上方から複数
の被メッキ物を投入し、前記回転式被メッキ物移送・メ
ッキ部材に振動を与えて前記被メッキ物を前記移送経路
に沿って移送しつつ、少なくとも移送経路において被メ
ッキ物に接触するように配置された陰極を利用して被メ
ッキ物を電気メッキする、メッキ方法。
2. The rotary type object transfer / plating member according to claim 1, wherein a plurality of objects to be plated are charged from above the plating solution storage portion of the rotary type object transfer / plating member. A plating method, wherein an object to be plated is electroplated by using a cathode arranged to contact the object to be plated at least in the transfer path while transferring the object to be plated along the transfer path by applying vibration.
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