JPH07282736A - 進行波管の遅波回路構体及びその製造方法 - Google Patents
進行波管の遅波回路構体及びその製造方法Info
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- JPH07282736A JPH07282736A JP7708094A JP7708094A JPH07282736A JP H07282736 A JPH07282736 A JP H07282736A JP 7708094 A JP7708094 A JP 7708094A JP 7708094 A JP7708094 A JP 7708094A JP H07282736 A JPH07282736 A JP H07282736A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、組立て性にすぐれるとともに、誘
電体支持棒の表面への帯電を効果的に防止もしくは低減
する進行波管の遅波回路構体及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】この発明は、遅波線路１５を支持する誘電体支
持棒１６が、窒化硼素（ＢＮ）を母材２０としその表面
に母材の比抵抗よりも小さい比抵抗の例えばチタン、若
しくはチタンの窒化物、炭化物又は硼化物の被膜２１が
被着されてなる進行波管の遅波回路構体である。製造方
法の特徴は、遅波線路を支持する窒化硼素からなる誘電
体支持棒の母材の表面に、真空若しくは不活性ガスを含
む混合ガス中の放電により被膜を付着させることにあ
る。
電体支持棒の表面への帯電を効果的に防止もしくは低減
する進行波管の遅波回路構体及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】この発明は、遅波線路１５を支持する誘電体支
持棒１６が、窒化硼素（ＢＮ）を母材２０としその表面
に母材の比抵抗よりも小さい比抵抗の例えばチタン、若
しくはチタンの窒化物、炭化物又は硼化物の被膜２１が
被着されてなる進行波管の遅波回路構体である。製造方
法の特徴は、遅波線路を支持する窒化硼素からなる誘電
体支持棒の母材の表面に、真空若しくは不活性ガスを含
む混合ガス中の放電により被膜を付着させることにあ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、進行波管の遅波回路
構体及びその製造方法に係わり、とくにその遅延線路を
支持する誘電体支持棒及びその製造方法に関する。
構体及びその製造方法に係わり、とくにその遅延線路を
支持する誘電体支持棒及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波の増幅に用いられる進行波管
は、周知のように、集束された電子ビ−ムと例えばらせ
ん状遅波線路との相互作用を利用する電子管である。す
なわちこれは、マイクロ波がらせん状遅波線路を伝搬す
る時、マイクロ波がらせん状遅波線路に隣接する電子ビ
−ムと相互作用をして電子ビ−ムのエネルギ−の一部が
マイクロ波に伝達され、マイクロ波は増幅される。した
がって、陰極に近接したらせん状遅波線路の入力端に加
えられたマイクロ波は、増幅されてらせん状遅波線路の
出力端から外部回路に取り出される。そして、マイクロ
波と相互作用した電子ビ−ムはコレクタ電極に集めら
れ、主に熱に変換される。
は、周知のように、集束された電子ビ−ムと例えばらせ
ん状遅波線路との相互作用を利用する電子管である。す
なわちこれは、マイクロ波がらせん状遅波線路を伝搬す
る時、マイクロ波がらせん状遅波線路に隣接する電子ビ
−ムと相互作用をして電子ビ−ムのエネルギ−の一部が
マイクロ波に伝達され、マイクロ波は増幅される。した
がって、陰極に近接したらせん状遅波線路の入力端に加
えられたマイクロ波は、増幅されてらせん状遅波線路の
出力端から外部回路に取り出される。そして、マイクロ
波と相互作用した電子ビ−ムはコレクタ電極に集めら
れ、主に熱に変換される。
【０００３】細長いらせん状遅波線路は、通常、金属製
の細長いパイプ状真空容器の中に挿入され、両端が入
力、出力同軸線路の中心導体に電気的に接続されてい
る。真空容器の中に挿入されたらせん状遅波線路が、安
定して支持されるように、真空容器の内面とらせん状遅
波線路の外面に囲まれた空間部分に、これら真空容器内
面及びらせん状遅波線路の外面に同時に接するように、
誘電体支持棒が配置されている。この誘電体支持棒は、
電気的特性・機械的特性・熱的特性などの要求から、通
常、酸化ベリリウムや、酸化アルニウム、或いは石英な
どの物質が使用されている。これらの中で、毒性があり
機械的に脆い欠点はあるものの、電気絶縁性に優れ、誘
電体損失も少なく、且つ耐熱性、熱伝導特性が良い酸化
ベリリウムが広く使用されている。
の細長いパイプ状真空容器の中に挿入され、両端が入
力、出力同軸線路の中心導体に電気的に接続されてい
る。真空容器の中に挿入されたらせん状遅波線路が、安
定して支持されるように、真空容器の内面とらせん状遅
波線路の外面に囲まれた空間部分に、これら真空容器内
面及びらせん状遅波線路の外面に同時に接するように、
誘電体支持棒が配置されている。この誘電体支持棒は、
電気的特性・機械的特性・熱的特性などの要求から、通
常、酸化ベリリウムや、酸化アルニウム、或いは石英な
どの物質が使用されている。これらの中で、毒性があり
機械的に脆い欠点はあるものの、電気絶縁性に優れ、誘
電体損失も少なく、且つ耐熱性、熱伝導特性が良い酸化
ベリリウムが広く使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】進行波管の陰極から射
出された電子ビ−ムは、進行波管の外部に配設された磁
石の集束作用により、らせん状遅波線路の中空部分を通
過し、コレクタ電極に到達する。しかし、電子ビ−ムは
速度分布を有し有限の広がりを持って進行するので、ら
せん状遅波線路及び誘電体支持棒に衝突したりする。こ
れらの現象により、誘電体支持棒の表面が、正もしくは
負に帯電し、帯電量が著しく大きければ、進行波管の正
常な動作を妨げる原因になる。なお、電子が誘電体支持
棒に衝突した場合、誘電体支持棒の二次電子放出係数の
大小により、正負のどちらかに帯電する。細長い誘電体
支持棒の表面に局所的に電荷が帯電した場合、静電集束
作用や静電偏向作用などにより、電子ビ−ムが変動を受
け、マイクロ波との相互作用が不十分でマイクロ波の増
幅が十分行われなかったり、電子ビ−ムがらせん状遅波
線路や誘電体支持棒に衝突する確率が増大する。らせん
状遅波線路及び誘電体支持棒への電子の衝突は、帯電の
増加を促進するともに、らせん状遅波線路に流れる電流
を増大させ、進行波管内の温度上昇をもたらす。
出された電子ビ−ムは、進行波管の外部に配設された磁
石の集束作用により、らせん状遅波線路の中空部分を通
過し、コレクタ電極に到達する。しかし、電子ビ−ムは
速度分布を有し有限の広がりを持って進行するので、ら
せん状遅波線路及び誘電体支持棒に衝突したりする。こ
れらの現象により、誘電体支持棒の表面が、正もしくは
負に帯電し、帯電量が著しく大きければ、進行波管の正
常な動作を妨げる原因になる。なお、電子が誘電体支持
棒に衝突した場合、誘電体支持棒の二次電子放出係数の
大小により、正負のどちらかに帯電する。細長い誘電体
支持棒の表面に局所的に電荷が帯電した場合、静電集束
作用や静電偏向作用などにより、電子ビ−ムが変動を受
け、マイクロ波との相互作用が不十分でマイクロ波の増
幅が十分行われなかったり、電子ビ−ムがらせん状遅波
線路や誘電体支持棒に衝突する確率が増大する。らせん
状遅波線路及び誘電体支持棒への電子の衝突は、帯電の
増加を促進するともに、らせん状遅波線路に流れる電流
を増大させ、進行波管内の温度上昇をもたらす。
【０００５】ところで近来は、酸化ベリリウムに比べて
機械的なしなやかさに富み、組立て性にすぐれた材料と
して、窒化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；以
下、ＢＮと記す）が注目され、進行波管の誘電体支持棒
に用いられ始めている。そして、ＢＮ製支持棒への帯電
を防止するため、表面に酸化マグネシウムや、酸化チタ
ン、或いは酸化ベリリウムの被膜を付着することが知ら
れている。しかしながら、これらの被膜は、最大二次電
子放出係数が１よりも相当大きく、支持棒の表面が帯電
する傾向が強い。
機械的なしなやかさに富み、組立て性にすぐれた材料と
して、窒化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；以
下、ＢＮと記す）が注目され、進行波管の誘電体支持棒
に用いられ始めている。そして、ＢＮ製支持棒への帯電
を防止するため、表面に酸化マグネシウムや、酸化チタ
ン、或いは酸化ベリリウムの被膜を付着することが知ら
れている。しかしながら、これらの被膜は、最大二次電
子放出係数が１よりも相当大きく、支持棒の表面が帯電
する傾向が強い。
【０００６】この発明は、以上のような不都合を解消
し、組立て性にすぐれるとともに、誘電体支持棒の表面
への帯電を効果的に防止もしくは低減する進行波管の遅
波回路構体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
し、組立て性にすぐれるとともに、誘電体支持棒の表面
への帯電を効果的に防止もしくは低減する進行波管の遅
波回路構体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、遅波線路を
支持する誘電体支持棒が、窒化硼素（ＢＮ）を母材とし
その表面に常温での比抵抗が１×１０8 乃至１×１０13
Ω・ｃｍの範囲となる被膜が被着されてなる進行波管の
遅波回路構体である。また、誘電体支持棒が窒化硼素を
母材とし、その表面に、チタン、若しくはチタンの窒化
物、炭化物又は硼化物の被膜が被着されてなる進行波管
の遅波回路構体である。さらにまた、この発明の製造方
法の特徴は、遅波線路を支持する窒化硼素（ＢＮ）から
なる誘電体支持棒の母材の表面に、真空若しくは不活性
ガスを含む混合ガス中の放電により被膜を付着させるこ
とにある。
支持する誘電体支持棒が、窒化硼素（ＢＮ）を母材とし
その表面に常温での比抵抗が１×１０8 乃至１×１０13
Ω・ｃｍの範囲となる被膜が被着されてなる進行波管の
遅波回路構体である。また、誘電体支持棒が窒化硼素を
母材とし、その表面に、チタン、若しくはチタンの窒化
物、炭化物又は硼化物の被膜が被着されてなる進行波管
の遅波回路構体である。さらにまた、この発明の製造方
法の特徴は、遅波線路を支持する窒化硼素（ＢＮ）から
なる誘電体支持棒の母材の表面に、真空若しくは不活性
ガスを含む混合ガス中の放電により被膜を付着させるこ
とにある。
【０００８】
【作用】この発明によれば、窒化硼素（ＢＮ）からなる
誘電体支持棒の母材の表面に被着させた母材の常温での
比抵抗よりも小さい比抵抗の被膜により、遅波線路を支
持する表面への帯電を確実に防止することができる。し
たがって、進行波管の組立て性を向上できるとともに、
安定な動作を維持することができる。
誘電体支持棒の母材の表面に被着させた母材の常温での
比抵抗よりも小さい比抵抗の被膜により、遅波線路を支
持する表面への帯電を確実に防止することができる。し
たがって、進行波管の組立て性を向上できるとともに、
安定な動作を維持することができる。
【０００９】
【実施例】以下この発明の実施例を図１及び図２により
説明する。図１はらせん形遅波回路構体を有する進行波
管の概略縦断面図であり、図２はその要部の拡大横断面
図である。内部が真空とされる細長いパイプ状真空容器
１１の一端部に陰極１２、他端部にコレクタ電極１３が
あり、陰極１２に近接してこの陰極から射出された電子
ビ−ムｅを集束し且つ加速するための集束電極１４が配
置され、この集束電極とコレクタ電極との間の空間に、
モリブデンのテープを多数回巻いたらせん状遅波線路１
５が３本の誘電体支持棒２１により支持された遅波回路
構体が設けられている。遅波回路構体の主要部品である
らせん状遅波線路１５の一端は、入力同軸線路の中心導
体１７に、他端は出力同軸線路の中心導体１８に結合さ
れている。
説明する。図１はらせん形遅波回路構体を有する進行波
管の概略縦断面図であり、図２はその要部の拡大横断面
図である。内部が真空とされる細長いパイプ状真空容器
１１の一端部に陰極１２、他端部にコレクタ電極１３が
あり、陰極１２に近接してこの陰極から射出された電子
ビ−ムｅを集束し且つ加速するための集束電極１４が配
置され、この集束電極とコレクタ電極との間の空間に、
モリブデンのテープを多数回巻いたらせん状遅波線路１
５が３本の誘電体支持棒２１により支持された遅波回路
構体が設けられている。遅波回路構体の主要部品である
らせん状遅波線路１５の一端は、入力同軸線路の中心導
体１７に、他端は出力同軸線路の中心導体１８に結合さ
れている。
【００１０】陰極１２から射出された電子ビ−ムｅは、
集束電極１４により集束、加速され、らせん状遅波線路
１５の中空部分に入射する。らせん状遅波線路１５の中
空部分に入った電子ビ−ムｅは、真空容器１１の外周に
長手方向に沿って設置された永久磁石１９によって発生
する磁界により磁気集束を受け、らせん状遅波線路１５
の中心軸上を進行してコレクタ電極１３に到達する。
集束電極１４により集束、加速され、らせん状遅波線路
１５の中空部分に入射する。らせん状遅波線路１５の中
空部分に入った電子ビ−ムｅは、真空容器１１の外周に
長手方向に沿って設置された永久磁石１９によって発生
する磁界により磁気集束を受け、らせん状遅波線路１５
の中心軸上を進行してコレクタ電極１３に到達する。
【００１１】そこで、らせん状遅波線路１５を支持する
誘電体支持棒１６は、横断面が長方形で、真空容器内に
中心角１２０度の間隔で３ケ所に配置され、らせん状遅
波線路の外面及び真空容器の内面に機械的及び熱的に接
触又はろう接により接合されている。これら誘電体支持
棒１６は、熱ＣＶＤ法で製造した窒化ホウ素（Ｐｙｒｏ
ｌｙｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；以下、ＰＢ
Ｎと記す）を母材２０とし、その表面に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）の被膜２１が被覆されている。ＰＢＮは、六方晶
形で、機械的、熱的、及び電気的特性に強い方向性を持
った異方性の層状窒化ホウ素である。したがってこのＰ
ＢＮは、電気的に高抵抗で且つ低誘電損失の特徴があ
り、さらに熱伝導性にすぐれて、機械強度にしなやかで
折れにくい特長を有する。ＴｉＮ被膜２１は、後述する
方法により、５〜１５ｎｍの範囲の厚さ、例えば１０ｎ
ｍの厚さに被着されている。
誘電体支持棒１６は、横断面が長方形で、真空容器内に
中心角１２０度の間隔で３ケ所に配置され、らせん状遅
波線路の外面及び真空容器の内面に機械的及び熱的に接
触又はろう接により接合されている。これら誘電体支持
棒１６は、熱ＣＶＤ法で製造した窒化ホウ素（Ｐｙｒｏ
ｌｙｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ；以下、ＰＢ
Ｎと記す）を母材２０とし、その表面に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）の被膜２１が被覆されている。ＰＢＮは、六方晶
形で、機械的、熱的、及び電気的特性に強い方向性を持
った異方性の層状窒化ホウ素である。したがってこのＰ
ＢＮは、電気的に高抵抗で且つ低誘電損失の特徴があ
り、さらに熱伝導性にすぐれて、機械強度にしなやかで
折れにくい特長を有する。ＴｉＮ被膜２１は、後述する
方法により、５〜１５ｎｍの範囲の厚さ、例えば１０ｎ
ｍの厚さに被着されている。
【００１２】ＰＢＮ母材２０の表面にＴｉＮ被膜２１を
被着する方法としては、不活性ガスを含む混合ガス雰囲
気中での直流グロ−放電による反応性スパッタ−法が適
している。この直流スパッタリングの装置は、タ−ゲッ
トである陰極にＴｉを用い、この陰極に対向する陽極に
近い空間部分に支持棒であるＰＢＮ母材を配置し、アル
ゴンと窒素の混合ガスで直流グロ−放電を発生させ、そ
のイオンによりＴｉをスパッタリングさせてＰＢＮ母材
の表面にＴｉＮ被膜を形成する。
被着する方法としては、不活性ガスを含む混合ガス雰囲
気中での直流グロ−放電による反応性スパッタ−法が適
している。この直流スパッタリングの装置は、タ−ゲッ
トである陰極にＴｉを用い、この陰極に対向する陽極に
近い空間部分に支持棒であるＰＢＮ母材を配置し、アル
ゴンと窒素の混合ガスで直流グロ−放電を発生させ、そ
のイオンによりＴｉをスパッタリングさせてＰＢＮ母材
の表面にＴｉＮ被膜を形成する。
【００１３】この直流スパッタ−法は、とくに再現性が
良く、他の例えば真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、或い
はイオンプレ−ティング法などに比べて成膜速度が遅
く、１０ｎｍ前後の膜厚に被覆するのに都合が良い。ま
た、真空蒸着法よりも被膜の密着強度が強く、直流スパ
ッタリングのための陽極及び陰極間に印加する電圧やガ
スの圧力を適当に調整することにより、成膜速度を容易
に高精度に制御することが可能である。
良く、他の例えば真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、或い
はイオンプレ−ティング法などに比べて成膜速度が遅
く、１０ｎｍ前後の膜厚に被覆するのに都合が良い。ま
た、真空蒸着法よりも被膜の密着強度が強く、直流スパ
ッタリングのための陽極及び陰極間に印加する電圧やガ
スの圧力を適当に調整することにより、成膜速度を容易
に高精度に制御することが可能である。
【００１４】こうして、ＰＢＮ母材の全表面にＴｉＮ被
膜を被覆した後、３本の支持棒の内側にらせん状遅波線
路を保持して真空容器内に挿入して遅波回路構体を組立
てる。
膜を被覆した後、３本の支持棒の内側にらせん状遅波線
路を保持して真空容器内に挿入して遅波回路構体を組立
てる。
【００１５】ＴｉＮ被膜は、一方において、二次電子放
出係数が１よりも小さい被膜自身による二次電子放出の
抑制効果、及びＰＢＮ母材表面のごく浅い場所で発生し
た二次電子の表面への脱出距離の長距離化の相乗効果に
より、二次電子放出係数が小さくなる。他方において、
ＴｉＮはわずかな導電性を有し、前記のような薄いＴｉ
Ｎ被膜をＰＢＮ母材の外面に被覆することにより、支持
棒の表面に帯電した電子が除去されることが見出だされ
た。これはＴｉＮ被膜により支持棒表面部が低抵抗化し
たため、浮遊電子が支持棒表面に衝突しても、電子がら
せん状遅波線路もしくはパイプ状真空容器に流れて消散
させられて蓄積しないためであると考えられる。また、
誘電体支持棒に浮遊電子が衝突した場合は、ＴｉＮ被膜
の二次電子放出抑制効果により、支持棒表面の二次電子
放出係数が１よりも小さくなるもののその値が１に近い
ために帯電しないものと考えられる。
出係数が１よりも小さい被膜自身による二次電子放出の
抑制効果、及びＰＢＮ母材表面のごく浅い場所で発生し
た二次電子の表面への脱出距離の長距離化の相乗効果に
より、二次電子放出係数が小さくなる。他方において、
ＴｉＮはわずかな導電性を有し、前記のような薄いＴｉ
Ｎ被膜をＰＢＮ母材の外面に被覆することにより、支持
棒の表面に帯電した電子が除去されることが見出だされ
た。これはＴｉＮ被膜により支持棒表面部が低抵抗化し
たため、浮遊電子が支持棒表面に衝突しても、電子がら
せん状遅波線路もしくはパイプ状真空容器に流れて消散
させられて蓄積しないためであると考えられる。また、
誘電体支持棒に浮遊電子が衝突した場合は、ＴｉＮ被膜
の二次電子放出抑制効果により、支持棒表面の二次電子
放出係数が１よりも小さくなるもののその値が１に近い
ために帯電しないものと考えられる。
【００１６】このことについて詳述すると、ＰＢＮ支持
棒表面に衝突する電子に関しては、衝突する電子の運動
エネルギ−の大小により一般に二次電子放出の機構が３
つに分けられる。衝突する電子の運動エネルギ−がごく
小さい場合は、発生する二次電子の数が少ないので、こ
の運動エネルギ−の領域では二次電子放出係数は１より
も小さい。衝突する電子の運動エネルギ−が中程度の場
合、電子はＰＢＮ母材表面のごく浅い場所に侵入するの
で、発生した二次電子はほとんど散乱、吸収されること
なくＰＢＮ母材表面に出てくる。したがって、この運動
エネルギ−の領域では二次電子放出係数は１よりも大き
くなる。衝突する電子の運動エネルギ−が大きい場合、
電子はＰＢＮ母材表面の深い場所まで侵入する。深い場
所で発生した二次電子はＰＢＮ母材の表面に出てくる途
中で散乱、吸収などで減衰するので、この運動エネルギ
−の領域では二次電子放出係数は１よりも小さい。
棒表面に衝突する電子に関しては、衝突する電子の運動
エネルギ−の大小により一般に二次電子放出の機構が３
つに分けられる。衝突する電子の運動エネルギ−がごく
小さい場合は、発生する二次電子の数が少ないので、こ
の運動エネルギ−の領域では二次電子放出係数は１より
も小さい。衝突する電子の運動エネルギ−が中程度の場
合、電子はＰＢＮ母材表面のごく浅い場所に侵入するの
で、発生した二次電子はほとんど散乱、吸収されること
なくＰＢＮ母材表面に出てくる。したがって、この運動
エネルギ−の領域では二次電子放出係数は１よりも大き
くなる。衝突する電子の運動エネルギ−が大きい場合、
電子はＰＢＮ母材表面の深い場所まで侵入する。深い場
所で発生した二次電子はＰＢＮ母材の表面に出てくる途
中で散乱、吸収などで減衰するので、この運動エネルギ
−の領域では二次電子放出係数は１よりも小さい。
【００１７】因みに、この発明によるＴｉＮ被膜を被着
した誘電体支持棒と、ＴｉＮ被膜を被着しない支持棒と
を、電子顕微鏡内に設置して加速電圧を１５ｋＶにし、
それぞれの支持棒に電子ビ−ムを５分間照射し続けて帯
電の有無を定性的に調べた結果、ＴｉＮ被膜を被着しな
い支持棒に比べて、ＴｉＮ被膜を被着したこの発明の支
持棒は５分後もほとんど帯電しないか、若しくは著しく
帯電量が少なかった。
した誘電体支持棒と、ＴｉＮ被膜を被着しない支持棒と
を、電子顕微鏡内に設置して加速電圧を１５ｋＶにし、
それぞれの支持棒に電子ビ−ムを５分間照射し続けて帯
電の有無を定性的に調べた結果、ＴｉＮ被膜を被着しな
い支持棒に比べて、ＴｉＮ被膜を被着したこの発明の支
持棒は５分後もほとんど帯電しないか、若しくは著しく
帯電量が少なかった。
【００１８】なお、ＴｉＮはバルクの状態では導電体な
ので、誘電体支持棒への被覆量が多いと高周波抵抗損失
が大きくなり誘電体支持棒が発熱する。そして、ＴｉＮ
被膜を例えば１０００ｎｍというように厚く被覆した場
合は、ＰＢＮ支持棒の表面抵抗が小さくなりすぎ、絶縁
体としての働きを損なってしまうとともに二次電子放出
抑制効果が損なわれる。それに対してＴｉＮ被膜の厚さ
を上記の範囲内に設定することにより、すぐれた帯電防
止効果が得られる。すなわち、前記膜厚範囲のＴｉＮ被
膜の比抵抗は、ＰＢＮ自体の比抵抗よりも小さいので、
浮遊電子はＰＢＮ表面に吸着しにくくなる。
ので、誘電体支持棒への被覆量が多いと高周波抵抗損失
が大きくなり誘電体支持棒が発熱する。そして、ＴｉＮ
被膜を例えば１０００ｎｍというように厚く被覆した場
合は、ＰＢＮ支持棒の表面抵抗が小さくなりすぎ、絶縁
体としての働きを損なってしまうとともに二次電子放出
抑制効果が損なわれる。それに対してＴｉＮ被膜の厚さ
を上記の範囲内に設定することにより、すぐれた帯電防
止効果が得られる。すなわち、前記膜厚範囲のＴｉＮ被
膜の比抵抗は、ＰＢＮ自体の比抵抗よりも小さいので、
浮遊電子はＰＢＮ表面に吸着しにくくなる。
【００１９】上述の実施例は、ＢＮ母材の表面にＴｉＮ
薄膜を被着させた例であるが、それに限らず、誘電体支
持棒であるＢＮ母材の表面に、このＢＮ母材の常温（２
５度Ｃ）での比抵抗よりも小さい比抵抗の被膜として、
表面の常温での比抵抗が１×１０8 乃至１×１０13Ω・
ｃｍの範囲、とくに好ましくは５×１０8 乃至５×１０
12・ｃｍの範囲となるように被膜を被着してもよい。
薄膜を被着させた例であるが、それに限らず、誘電体支
持棒であるＢＮ母材の表面に、このＢＮ母材の常温（２
５度Ｃ）での比抵抗よりも小さい比抵抗の被膜として、
表面の常温での比抵抗が１×１０8 乃至１×１０13Ω・
ｃｍの範囲、とくに好ましくは５×１０8 乃至５×１０
12・ｃｍの範囲となるように被膜を被着してもよい。
【００２０】また、ＢＮ母材の表面に、チタン、若しく
はチタンの窒化物、炭化物又は硼化物の被膜を被着して
もよい。なお、チタンの薄膜は、真空中で蒸着又はイオ
ンプレーティングしてもよい。さらにまた、これらの中
から選択された薄膜により支持棒の表面の常温での比抵
抗が上記の範囲になるように被着させることが望まし
い。
はチタンの窒化物、炭化物又は硼化物の被膜を被着して
もよい。なお、チタンの薄膜は、真空中で蒸着又はイオ
ンプレーティングしてもよい。さらにまた、これらの中
から選択された薄膜により支持棒の表面の常温での比抵
抗が上記の範囲になるように被着させることが望まし
い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
遅波線路を支持する誘電体支持棒の表面への帯電をより
確実に防止でき、進行波管の組立て性にすぐれ、且つ安
定な動作を維持することができる。
遅波線路を支持する誘電体支持棒の表面への帯電をより
確実に防止でき、進行波管の組立て性にすぐれ、且つ安
定な動作を維持することができる。
【図１】この発明の実施例を示す概略縦断面図。
【図２】図１の要部拡大横断面図。
１５…遅波線路、１６…誘電体支持棒、２０…支持棒の
母材、２１…被膜。
母材、２１…被膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 遅波線路を誘電体支持棒により支持する
進行波管の遅波回路構体において、上記誘電体支持棒が
窒化硼素を母材としその表面に該表面の常温での比抵抗
が１×１０8 乃至１×１０13Ω・ｃｍの範囲となる被膜
が被着されてなることを特徴とする進行波管の遅波回路
構体。 - 【請求項２】 遅波線路を誘電体支持棒により支持する
進行波管の遅波回路構体において、上記誘電体支持棒が
窒化硼素を母材とし、その表面に、チタン、若しくはチ
タンの窒化物、炭化物又は硼化物の被膜が被着されてな
ることを特徴とする進行波管の遅波回路構体。 - 【請求項３】 被膜は、５〜１５ｎｍの範囲の厚さであ
る請求項２記載の進行波管の遅波回路構体。 - 【請求項４】 遅波線路を支持する窒化硼素からなる誘
電体支持棒の母材の表面に、真空、若しくは不活性ガス
を含む混合ガス中の放電によりチタン、若しくはチタン
の窒化物、炭化物又は硼化物の被膜を付着させることを
特徴とする進行波管の遅波回路構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7708094A JPH07282736A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 進行波管の遅波回路構体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7708094A JPH07282736A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 進行波管の遅波回路構体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282736A true JPH07282736A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13623809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7708094A Pending JPH07282736A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 進行波管の遅波回路構体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2883409A1 (fr) * | 2005-03-18 | 2006-09-22 | Thales Sa | Procede de fabrication d'un top avec effet de charge reduit |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP7708094A patent/JPH07282736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2883409A1 (fr) * | 2005-03-18 | 2006-09-22 | Thales Sa | Procede de fabrication d'un top avec effet de charge reduit |
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