JPH07274586A - スイッチドリラクタンスモーターの駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 エネルギーを効率的に使用して逆相制動効果
を得ることができ、且つ電流の形を変化させてトルクリ
ップルを少なくする。 【構成】 スイッチング作動を行う第１スイッチング部
14と、第１スイッチングの作動により磁束を発生させる
磁束発生部13と、磁束発生部に流れる励磁電流を一方向
に伝えるダイオードアレー部15と、励磁電流を電気エネ
ルギーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵部16と、蓄積
された電気エネルギーを磁気エネルギーに転換するエネ
ルギー転換部17と、エネルギー転換部の作動を制御する
第２スイッチング部18と、エネルギー転換部の出力を電
気エネルギーとして貯蔵する第２エネルギー貯蔵部19
と、第２スイッチング部の作動を制御する周波数切り替
え部と、スイッチング信号を発生する制御部とで構成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はスイッチドリラクタンス
モーター（Switched Reluctance Motor；以下ＳＲＭと
略す）に関し、特にＳＲＭの駆動回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は一般的のＳＲＭの固定子及び回転
子の構成を示した図面である。図１に示した構成は固定
子のポール（１、２、３）にコイル（４、５、６）を巻
き付けて前記コイル（４、５、６）の相励磁信号を順に
印加することによって磁束を発生させて回転子（７）を
回転させる作動を有する。

【０００３】従来の３相ＳＲＭの駆動回路は添付の図面
に示されたようにＲダンプ（Dump）回路（図２）、ｑ＋
１回路（図３）、Ｃダンプ回路（図４）、非対称ブリッ
ジ（bridge）回路（図５）、ビファイラー巻き（Bifila
r Winding）回路（図６）等があり、前記３相ＳＲＭの
駆動回路は相励磁信号を前記コイル（４、５、６）に一
定の位相差を置いて印加してＳＲＭを駆動させ、コイル
（４、５、６）の磁気エネルギーを主電源にリターンで
きるようにした構成であり、以下図２に示されたＲダン
プ回路を中心に従来のＳＲＭの駆動回路の作動を説明す
る。

【０００４】従来のＲダンプ回路は相励磁信号の制御に
よって磁束を発生させてＳＲＭの回転子（７）を回転さ
せ、この回路は互いに並列に連結されたコイル（４、
５、６）、相励磁信号の制御によって前記コイル（４、
５、６）を通過した励磁電流を断続させるスィッチング
部（Ｔ₁、Ｔ₂、Ｔ₃）、前記コイル（４、５、６）に各
々に連結されたダイオード（Ｄ₁、Ｄ₂、Ｄ₃）、前記ダ
イオード（Ｄ₁、Ｄ₂、Ｄ₃）の各々に連結された抵抗
（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃）、前記抵抗（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃）に流れ
る電流を蓄積するためのキャパシター（Ｃ₁）で構成さ
れ、その作動は次の通りである。

【０００５】まず、主電源が印加される状態で第１相励
磁信号（Ｓａ）がスイッチング部（Ｔ₁）のトランジス
ターに印加されてトランジスターをターンオンさせると
電流が前記コイル（４）に流れて磁束を発生させる。前
記の過程の後、第１相励磁信号（Ｓａ）の供給を中断し
てスイッチング部（Ｔ₁）をターンオフさせ、第２相励
磁信号（Ｓｂ）を前記スイッチング部（Ｔ₂）に印加さ
せてスイッチング部（Ｔ₂）をターンオンさせると前記
コイル（４）に磁気エネルギーとして蓄積された励磁電
流がダイオード（Ｄ₁）及び前記抵抗（Ｒ₁）を介して前
記キャパシター（Ｃ₁）に流れて、そこに電気エネルギ
ーとして蓄積され、前記コイル（５）には電流が流れて
磁束を発生させる。また、第２相励磁信号（Ｓｂ）の供
給を中断して前記スイッシング部（Ｔ₂）をターンオフ
させ、第３相励磁信号（Ｓｃ）が前記スイッシング部
（Ｔ₃）に印加されて前記スイッシング部（Ｔ₃）をター
ンオンさせると、前記コイル（５）に磁気エネルギーと
して蓄積されていた励磁電流がダイオード（Ｄ₂）及び
前記抵抗（Ｒ₂）を通じて前記キャパシター（Ｃ₁）に流
れ、そこに電気エネルギーとして蓄積され、前記コイル
（６）には電流が流れて磁束を発生させる。

【０００６】前記のような作動で分かるように従来のＳ
ＲＭの駆動回路は前記の作動を連続的に繰り返して行
い、コイル（４、５、６）に蓄積されていた磁気エネル
ギーを前記キャパシター（Ｃ₁）に前記エネルギーとし
て蓄積するが、このとき前記の抵抗（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃）
を除去して前記主電源（Ｖｄｃ）とコイル（４、５、
６）の間にスイッチング部（Ｔ₄）を連結して前記スイ
ッチング部（Ｔ₄）がチョッピング（chopping）をする
ように構成したのが図３のｑ＋１回路である。

【０００７】なお、前記Ｒダンプ回路（図２）の相励磁
電流を１次的にキャパシター（Ｃｄ）に電気エネルギー
として蓄積した後、スイッチング部（Ｔ₅）のスイッチ
ング作用によってその電気エネルギーをコイル（Ｌｄ）
を通して前記キャパシター（Ｃ₁）に蓄積できるように
構成した構成がＣダンプ回路（図４）であり、前記の主
電源（Ｖｄｃ）とコイル（４、５、６）の間に各々スイ
ッチング部（Ｔ₄、Ｔ₅、Ｔ₆）を連結して相励磁電流が
ダイオード（Ｄ₁、Ｄ₂、Ｄ₃）を通じてキャパシター
（Ｃ₁）に電気エネルギーとして蓄積されるようにした
構成が非対称ブリッジ回路（図５）である。

【０００８】そして、前記コイル（４、５、６）が相励
磁電流を誘導結合回路（Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃）によって誘導
して誘導された相励磁電流の放電通路を形成するダイオ
ード（Ｄ₄、Ｄ₅、Ｄ₆）を通じてこれをキャパシター
（Ｃ₁）にリターンさせるにようにした構成がビファイ
ラー巻き回路（図６）である。しかし、Ｒダンプ回路は
エネルギーの損失が極めて多く、ｑ＋１回路は空間面で
スイッチング部（Ｔ₄）の負担が大きくなり高速作動の
際、相互インダクタンスの影響で使用が制限され、Ｃダ
ンプ回路は高速作動に不利な面がある。なお、非対称ブ
リッジ回路は製作単価が極めて高価であり、ビファイラ
ー巻き回路はモーターの体積が嵩ばって製作が困難であ
る。

【０００９】一般的にＳＲＭで位相差がないとき、即
ち、固定子のポール（１、２、３）と回転子（７）の突
出部が一致したときコイル（４、５、６）のインダクタ
ンスが最も大きく、固定子のポール（１、２、３）と回
転子（７）の突出部が４５°の位相差があるとき、コイ
ルのインダクタンスが最も少ない。

【００１０】普通、ＳＲＭでは位相差４５°のとき励磁
をさせるが、コイルのインダクタンスが増加する部分で
励磁を始める。若し、コイルのインダクタンスが減少す
る部分で励磁を始めると、制動がかかる。

【００１１】図７及び図８は従来の４相ＳＲＭの駆動回
路の回路図である。４相ＳＲＭの駆動回路は、図７に示
したように一対のＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁、
Ｍ₂）、（Ｍ₃、Ｍ₄）、（Ｍ₅、Ｍ₆）、（Ｍ₇、Ｍ₈）、
が直列接続し、第１Ｎ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₁）、（Ｍ₃）、（Ｍ₅）、（Ｍ₇）のソースと第２Ｎ
−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₂）、（Ｍ₄）、（Ｍ₆）、
（Ｍ₈）のドレーンの間にコイル（４、５、６、８）が
連結され、第１Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁）、
（Ｍ₃）、（Ｍ₅）、（Ｍ₇）のソースにカソードが接続
される第１ダイオード（Ｄ₈、Ｄ₁₀、Ｄ₁₂、Ｄ₁₄）があ
り、第２Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₂）、（Ｍ₄）、
（Ｍ₆）、（Ｍ₈）のドレーンにアノードが接続されてカ
ソードが電圧供給源（Ｖｄｃ）に接続する第２ダイオー
ド（Ｄ₉、Ｄ₁₁、Ｄ₁₃、Ｄ₁₅）がある。

【００１２】第１Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁、
Ｍ₃、Ｍ₅、Ｍ₇）のドレーンも電圧供給源（Ｖｃｄ）に
接続されている。一対のＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ
₁、Ｍ₂）のゲートにハイレベルのパルス幅変調（ＰＷ
Ｍ）信号が印加されると、Ｎ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₁、Ｍ₂）がターンオンされてコイル（４）に電流が
流れるようになる。

【００１３】一定の時間が経過した後、Ｎ−ＭＯＳトラ
ンジスター（Ｍ₁、Ｍ₂）のゲートにローレベルのパルス
幅変調信号が印加されると、Ｎ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₁、Ｍ₂）はターンオフされて第１ダイオード
（Ｄ₈）、コイル（４）及び第２ダイオード（Ｄ₉）の順
に電流放出通路を形成する。そうすると、コイル（４）
に磁気エネルギーとして蓄積されていた電流が前記電流
放出通路を通じて流れ始め、コイル（４）に磁気エネル
ギーとして蓄積されていた電流は次第に減少する。

【００１４】従って、磁気エネルギーは電流放出通路を
通じて電源供給源（Ｖｄｃ）の陽の端子と陰の端子の間
に接続されているキャパシター（Ｃ₁）に電気エネルギ
ーとして貯蔵される。

【００１５】また、制動をかけようとするとき、逆相制
動をかけると加えた電流よりもっと多い電流がコイル
（４）で第１及び第２ダイオード（Ｄ₈）（Ｄ₉）を通じ
てキャパシター（Ｃ₁）にリターンするのでキャパシタ
ー（Ｃ₁）にかかる電圧が上昇するようになる。

【００１６】従って、これを防止するため、キャパシタ
ー（Ｃ₁）と並列に電圧供給源（Ｖｄｃ）の陽端子と陰
の端子の間に直列接続の抵抗（Ｒ₄）及びＮ−ＭＯＳト
ランジスター（Ｍ₉）を連結した。キャパシター（Ｃ₁）
に大きい電圧がかかると、Ｎ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₉）のゲートにハイレベルの信号が加えられて抵抗
（Ｒ₄）に電圧がかかる。

【００１７】図９は図７の各部の波形図であり、（ａ）
の位相（Ｑ）に従うコイル（４）のインダクタンスの変
化図、（ｂ）コイル（４）に流れる相電流の変化図、
（ｃ）は一対のＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁、Ｍ₂）
に印加される相励磁信号の波形図である。また、（ｄ）
はトルク（Torque）の波形図である。

【００１８】図８は従来の４相ＳＲＭの駆動回路の他の
実施例の回路図である。図８の回路は図７の回路で第１
ダイオード（Ｄ₈、Ｄ₁₀、Ｄ₁₂、Ｄ₁₄）及び第１Ｎ−Ｍ
ＯＳトランジスター（Ｍ₁、Ｍ₃、Ｍ₅、Ｍ₇）を除いた構
成を有する。

【００１９】図１０は図８の回路の各部の波形図にし
て、（ａ）は位相（Ｑ）に従うコイル（４）のインダク
タンスの変化図、（ｂ）はコイル（４）に流れる相電流
の変化図、（ｃ）はＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₂）
に印加される相励磁信号の波形図であり、（ｄ）はトル
クの波形図である。

【００２０】図８及び図１０で、図１０の（ａ）のよう
なハイレベルの相励磁信号がＮ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₂）のゲートに印加されると、Ｎ−ＭＯＳトランジ
スター（Ｍ₂）のゲートにローレベルの相励磁信号が印
加されるとＮ−ＭＯＳトランジスタ（Ｍ₂）はターンオ
ンされてコイル（４）に電流が流れ始めて相励磁信号の
ハイレベル期間の間次第に増加する。電流が増加してか
らＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₂）はターンオフされ
てコイル（４）に磁気エネルギーとして蓄積されていた
電流はダイオード（Ｄ₉）を通じて閉ループ循環する。
従って、コイル（４）に流れる電流はＮ−ＭＯＳトラン
ジスター（Ｍ₂）のターンオン、オフ状態により図１０
の（ｂ）のように変化する。

【００２１】しかし、Ｎ−ＭＯＳトランジスター
（Ｍ₂）がターンオフ状態のとき、コイル（４）及びダ
イオード（Ｄ₉）による閉ループはコイル（４）に磁気
エネルギーとして貯蔵されていた電流が循環するので電
流の減少が早くなされず、インダクタンスが減少する区
間でもかなり高い電流が引き続き閉ループを循環するの
でＳＲＭに制動がかかって反対方向の力が生じ、図１０
の（ｄ）のような陰のトルクが発生する。即ち、図７の
回路は運転の際、効率はよいが、制動の際キャパシター
の電圧上昇を招くので過電圧保護回路が必要であり、図
８の回路は制御の際キャパシターの電圧を上昇させる恐
れはないが、運転時の効率が悪く速度も上がらない欠点
がある。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はコイル
に貯蔵されていた磁気エネルギーを種々のエネルギー変
化過程を経て電源供給源の陽の端子と陰の端子の間にあ
るキャパシターに供給してエネルギーを効率的に使用で
きるようにしたＳＲＭの駆動回路を提供することにあ
る。

【００２３】本発明の他の目的は制動の際、電圧供給源
の陽の端子と陰の端子の間にあるキャパシターに過電圧
がかかることを防止するＳＲＭの駆動回路を提供するこ
とにある。

【００２４】本発明の更に他の目的は、逆相制動効果が
得られるＳＲＭの駆動回路を提供することである。本発
明の更に他の目的はトルクリップルが最も少ないように
電流の形をつくるＳＲＭの駆動回路を提供することであ
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明によるＳＲＭ駆動回路は所定の電気信号
が印加されてスイッチング作動を行う第１スイッチング
手段と、前記第１スイッチング手段の作動により磁束を
発生させる磁束発生手段と、磁束発生手段に流れる励磁
電流を一方向に伝えるダイオードアレー手段と、前記ダ
イオードアレー手段を通過した励磁電流を電気エネルギ
ーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵手段と、前記第１
エネルギー貯蔵手段に蓄積された電気エネルギーを受け
て、磁気エネルギーに転換するエネルギー転換手段と、
前記エネルギー転換手段の作動を制御する第２スイッチ
ング手段と、前記エネルギー転換手段の出力を電気エネ
ルギーとして貯蔵する第２エネルギー貯蔵手段を含む。

【００２６】望ましくは、本発明によるＳＲＭ駆動回路
は第２スイッチング手段のスイッチング作動を制御する
周波数変換手段を更に含めることができる。より望まし
くは、本発明によるＳＲＭ駆動回路は前記所定の電気信
号を受けてスイッチング信号を発生する制御手段と、制
御手段より出力したスイッチング信号によりスイッチン
グ作動を行う第３スイッチング手段と、第３スイッチン
グ手段の作動の際、第１エネルギー貯蔵手段のエネルギ
ー逆流を防止するための逆流防止手段を更に含めること
ができる。

【００２７】

【作用】このように構成される本発明の回路において、
所定の電気信号を印加されてスイッチング作動を行う第
１スイッチング手段の作動により磁束発生手段が磁束を
発生させることになり、これによりこの磁束発生手段に
流れる励磁電流がダイオードアレー手段を通じて第１エ
ネルギー貯蔵手段に電気エネルギーとして蓄積される。
エネルギー転換手段は前記第１エネルギー貯蔵手段に蓄
積された電気エネルギーを再び磁気エネルギーに転換す
ることになるが、このときに第２スイッチング手段が前
記第１エネルギー貯蔵手段の作動を制御することにな
る。前記エネルギー貯蔵手段から出力される磁気エネル
ギーは第２エネルギー貯蔵手段に電気エネルギーとして
貯蔵される。

【００２８】

【実施例】図１１はＳＲＭの駆動回路の一実施例の回路
図である。図１１に示したＳＲＭの駆動回路は相励磁信
号が印加されてスイッチング作動を行う第１スイッチン
グ（１４）の作動により磁束を発生させる磁束発生部
（１３）、前記磁束発生部（１３）に流れる励磁電流を
一方向に伝えるダイオードアレー部（１５）、前記ダイ
オードアレー部（１５）を通過した励磁電流を電気的エ
ネルギーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵部（１
６）、第１エネルギー貯蔵部（１６）に蓄積された電気
的エネルギーを受けて、これを磁気エネルギーに転換す
るエネルギー転換部（１７）、前記エネルギー転換部
（１７）の作動を制御する第２スイッチング部（１
８）、前記エネルギー転換部（１７）の出力を電気エネ
ルギーとして貯蔵する第２エネルギー貯蔵部（１９）で
構成される。

【００２９】前記磁束発生部（１３）は、磁束を発生さ
せてＳＲＭの回転子（図１：７）を回転させ、互いに並
列に連結された多数のコイルで構成される。３相ＳＲＭ
の場合、三つのコイル（９、１０、１１）を有し、４相
ＳＲＭの場合四つのコイルを有する。前記第１スイッチ
ング部（１４）は、前記コイル（９、１０、１１）を通
過した相励磁電流を相励磁信号の制御により断続トラン
ジスター（Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃）で構成され、前記ダイオー
ドアレー部（１５）は一端が前記コイル（９、１０、１
１）に各々連結されたダイオード（Ｄ₁₆、Ｄ₁₇、Ｄ₁₈）
で構成される。又、第１エネルギー貯蔵部（１６）はキ
ャパシター（Ｃ₂）を含めてエネルギー転換部（１７）
は誘導結合回路（１７ａ）とダイオード（１７ｂ）を含
める。第２スイッチング部（１８）はトランジスター
（Ｑ₄）を含める。

【００３０】図１１を参照して説明すると、電圧供給源
（Ｖｄｃ）が印加された状態で第１相励磁信号（Ｓａ）
がトランジスター（Ｑ₁）のベースに印加されてトラン
ジスター（Ｑ₁）がターンオンされると、コイル（９）
に電流が流れて磁束を発生させる。前記トランジスター
（Ｑ₁）に第１相励磁信号（Ｓａ）の供給を中断してト
ランジスター（Ｑ₁）をオフさせ、第２相励磁信号（Ｓ
ｂ）を前記トランジスター（Ｑ₂）のベースに印加させ
てトランジスター（Ｑ₂）をオンさせると、前記コイル
（９）に磁気エネルギーとして蓄積されていた励磁電流
がダイオード（Ｄ₁₆）を通じて第１エネルギー貯蔵部
（１６）のキャパシター（Ｃ₂）に電気エネルギーで蓄
積されるとともに前記コイル（１０）に電流が流れて磁
束が発生する。前記の作動が行われる間、第２スイッチ
ング部（１８）のトランジスター（Ｑ₄）のベースに任
意の周波数を有する信号が印加されると、前記トランジ
スター（Ｑ₄）は一定の周波数によりオン、オフを繰り
返すことにより第１エネルギー貯蔵部（１６）の前記キ
ャパシター（Ｃ₂）に充電されたエネルギーの一部分が
前記トランジスター（Ｑ₄）がオンとなる状態の間、前
記誘導結合回路（１７ａ）の１次巻線（Ｎｐ）に移動し
ながら、その一側端に接続されているダイオード（１７
ｂ）を通じて第２エネルギー貯蔵部（１９）である前記
キャパシター（Ｃ₁）に電気エネルギーとして蓄積され
る。

【００３１】また、トランジスター（Ｑ₂）に第２相励
磁信号（Ｓｂ）の供給を中断して、前記トランジスター
（Ｑ₂）をオフさせ、第３相励磁信号（Ｓｃ）を前記ト
ランジスター（Ｑ₃）のベースに印加してトランジスタ
ー（Ｑ₃）をオンさせると前記コイル（１０）に磁気エ
ネルギーとして蓄積されていた励磁電流が前記ダイオー
ド（Ｄ₁₇）を通じて前記キャパシター（Ｃ₂）に電気エ
ネルギーとして蓄積されるとともに前記コイル（１１）
に電流が流れて磁束を発生させる。

【００３２】前記第２相励磁信号（Ｓｂ）の供給中断に
より前記コイル（９）の相励磁電流を電気エネルギーと
して蓄積する前記キャパシター（Ｃ₂）の蓄積エネルギ
ーは前記キャパシター（Ｃ₁）に戻す作動と同様に前記
巻線（１０、１１）に流れる相励磁電流もキャパシター
（Ｃ₁）に電気エネルギーとして蓄積される。この時、
前記キャパシター（Ｃ₂）に充電された電圧はコイル
（９、１０、１１）に流れる電流とＳＲＭの回転数によ
り異なるようになる。

【００３３】図１２は本発明に従うＳＲＭの駆動回路の
他の実施例を示すものである。図１２の回路は、図１１
の回路と比べて磁束発生部（１３）でコイル（１２）、
第１スイッチング部（１４）でトランジスター（Ｑ₅）
及びダイオードアレー部（１５）でダイオード（Ｄ₁₉）
をもっと含んでいる。これは、図１１の回路は３相ＳＲ
Ｍに対するものであり、図１２の回路は４相ＳＲＭに対
するものであるためである。図１２の回路の作動は、図
１１の回路の作動と同じであるもので説明を略する。

【００３４】図１３は第２スイッチング部（１８）トラ
ンジスター（Ｑ₄）のオン・オフ作動に従う誘導結合回
路（１７ａ）の１次巻線（Ｎｐ）に流れる電流（ｉ₁）
と２次巻線（Ｎｓ）に流れる電流（ｉ₂）の変化を示し
たものであり、図１４は第１エネルギー貯蔵部（１６）
のキャパシター（Ｃ₂）の電圧に従う誘導結合回路（１
７ａ）の１次巻線（Ｎｐ）に流れる電流（ｉ₁）と２次
巻線（Ｎｓ）に流れる電流（ｉ₂）の変化を示したもの
である。図１３をみると、前記トランジスター（Ｑ₄）
のオン期間の間に誘導結合回路（１７ａ）の１次巻線
（Ｎｐ）に流れる電流（ｉ₁）は一定の傾きをもって増
加しながら前記トランジスター（Ｑ₅）のオフになる
と、前記トランジスター（Ｑ₄）のオン期間の間１次巻
線（Ｎｐ）より磁気エネルギーで誘導される２次巻称
（Ｎｓ）の電流（ｉ₁）はダイオード（１７ｂ）を通じ
て第２エルルギー貯蔵部（１９）のキャパシター
（Ｃ₁）に抜け出ることが分かる。また、図１４で分か
るようにキャパシター（Ｃ₂）の電圧が高ければ高い程
巻線電流（ｉ₁）（ｉ₂）の多いことがわかる。

【００３５】図１５は、本発明によるＳＲＭの駆動回路
の更に他の実施例の回路図である。図１５に示したＳＲ
Ｍの駆動回路は相励磁信号を印加されてスイッチング作
動を行う第１スイッチング部（１４）、前記第１スイッ
チング部（１４）の作動により磁束を発生させる磁束発
生部（１３）、磁束発生部（１３）に流れる励磁電流を
一方向に伝えるダイオードアレー部（１５）、前記ダイ
オードアレー部（１５）を通過した励磁電流を電気的エ
ネルギーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵部（１
６）、前記第１エネルギー貯蔵部（１６）に蓄積されて
電気エネルギーを受けて、これを磁気エネルギーに転換
するエネルギー転換部（１７）、前記エネルギー転換部
（１７）の作動を制御する第２スイッチング部（１
８）、前記エネルギー転換部（１７）の出力を電気エネ
ルギーとして貯蔵する第２エネルギー貯蔵部（１９）、
第２スイッチング部（１８）のスイッチング作動を制御
する周波数切り替え部（２０）で構成される。 第１ス
イッチング部（１４）は、四つのＮ−ＭＯＳトランジス
ター（Ｍ₉、Ｍ₁₀、Ｍ₁₁、Ｍ₁₂）で構成され、磁束発生
部（１３）は四つのコイル（９、１０、１１、１２）で
成り、ダイオードアレー部（１５）は四つのダイオード
（Ｄ₁₆、Ｄ₁₇、Ｄ₁₈、Ｄ₁₉）を含める。なお、第１エネ
ルギー貯蔵部（１６）はキャパシター（Ｃ₂）を含み、
エネルギー転換部（１７）は誘導結合（１７ａ）とダイ
オード（１７ｂ）を含める。第２スイッチング部（１
８）はＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）を含める。

【００３６】図７は図１５の周波数切り替え部（２０）
を詳細に示したものである。図１６に示したように周波
数切り替え部（２０）は一つの入力で制御信号を受け、
他の入力で制動信号を受けて、これらを論理和してその
結果値を発生するＯＲゲート（２１）で構成される。

【００３７】図１７は周波数切り替え部（２０）の他の
実施例を示したものである。ここで、周波数切り替え部
（２０）はＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₂）のソース
（又はドレーン）に流れる電流を受け、これを基準信号
と比べる比較器（２２）と、比較器（２２）の出力を一
入力として受け、制動信号を他の入力として受けてこれ
らに対する論理積作動をしてその結果値を発生するＡＮ
Ｄゲート（２３）と、ＡＮＤゲート（２３）の出力を一
入力として受け、制御信号を他の入力として受けてこれ
らに対する論理和作動をしてその結果値を発生するＯＲ
ゲート（２４）で構成される。

【００３８】図１５で、周波数切り替え部（２０）の出
力により第２スイッチング部（１８）のＮ−ＭＯＳトラ
ンジスター（Ｍ₁₃）がスイッチング作動をすると、その
スイッチング作動により第１エネルギー貯蔵部（１６）
のキャパシター（Ｃ₂）に貯蔵されていたエネルギーの
一部がエネルギー転換部（１７）を通じて第２エネルギ
ー貯蔵部（１９）のキャパシター（Ｃ₁）に蓄積され
る。即ち、図１６のＯＲゲート（２１）の一入力として
作用する制動信号がローレベル期間の間にはＯＲゲート
（２１）の他の入力として作用する制御信号によりＯＲ
ゲート（２１）の出力が決定される。

【００３９】制御信号がハイレベルであると、ＯＲゲー
ト（２１）の出力もハイレベルであるのでＮ−ＭＯＳト
ランジスター（Ｍ₁₃）はターンオンされる。前記Ｎ−Ｍ
ＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）がオンする期間の間、誘導
結合回路（１７ａ）の１次巻線（Ｎｐ）にキャパシター
（Ｃ₂）の一部のエネルギーが移動する。

【００４０】一方、制御信号がローレベルであると、Ｏ
Ｒゲート（２１）の出力もローレベルであるのでＮ−Ｍ
ＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）はターンオフされる。前記
Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）がオフされる間、一
次巻線（Ｎｐ）より２次巻線（Ｎｓ）に誘導されていた
磁気エネルギーがダイオード（１７ｂ）を通じてキャパ
シター（Ｃ₁）に電気エネルギーとして貯蔵される。こ
の時、ＯＲゲート（２１）の一入力として作用する制動
信号がローレベルよりハイレベルに遷移すると、ＯＲゲ
ート（２１）の出力もＯＲゲート（２１）の他の入力と
して作用する制御信号に関係無しにハイレベルとなる。
従ってＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）は引き続きオ
ン状態で保持される。

【００４１】キャパシター（Ｃ₂）に貯蔵されていたエ
ネルギーが誘導結合回路（１７ａ）の１次巻線（Ｎ
ｐ）、Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）及び各相のコ
イル（９、１０、１１、１２）で成る閉ループに放電す
るようになり、この放電するエネルギーは各相のコイル
（９、１０、１１、１２）に磁気エネルギーとして蓄積
される。結果的にインダクタンスが減少する区間にまで
各相のコイル（９、１０、１１、１１、１２）にかなり
高い電流が流れるようになり制動がかかる。従って、制
動をかけようとするときには、その制動時点でハイレベ
ルの制動信号を加えるとよい。

【００４２】図１７の周波数切り替え部Ｎ−ＭＯＳトラ
ンジスター（Ｍ₁₃）に許容以上の電流が流れる時、過電
圧により素子が破壊されることがあるので、前記電流を
検出してＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）を制御する
ようになっている。

【００４３】図１８は図１５の作動を説明するための作
動タイミング図であり、（Ａ）は誘導結合回路（１７
ｂ）の１次巻線（Ｎｐ）に流れる電流（ｉ₁）の変化を
示したものであり、（Ｂ）は二次巻線（Ｎｓ）に流れる
電流（ｉ₂）の変化を、（Ｃ）はキャパシター（Ｃ₂）に
かかる電圧の変化を、（Ｄ）は制御信号の波形を、
（Ｅ）は制動信号の波形を示したものであり、（Ｆ）は
ＯＲゲート（２１）の出力信号の波形を示したものであ
る。

【００４４】制動信号がローレベルであり、制御信号が
ハイレベル期間の間誘導結合回路（１７ａ）の１次巻線
（Ｎｐ）に流れる電流（ｉ₁）は引き続き増加するが制
御信号がローレベルに変わると、１次巻線（Ｎｐ）の磁
気エネルギーが２次巻線（Ｎｓ）に誘導され、ダイオー
ド（１７ｂ）を通じて放出されるので、２次巻線（Ｎ
ｓ）に流れる電流は減少する。このとき、ハイレベルの
制動信号が印加されると、１次巻線（Ｎｐ）に流れる電
流（ｉ₁）は引き続き増加するが正常状態になって一定
に保持されて流れ、二次巻線（Ｎｓ）には保持されない
のでそこには電流が流れない。

【００４５】ＳＲＭに制動をかけるため、制動時点でハ
イレベルの制動信号を印加する場合、誘導結合回路（１
７ａ）の１次巻線（Ｎｐ）に流れる電流がかなりの量ま
で高くなることもある。従って、これを防止するため、
本発明では制動信号の周波数を徐々に低くするか又はデ
ューティ（duty）を大きくする方法、又は図１７でのよ
うにＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）の電流を利用し
てＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）を制御する方法を
他の実施例で取ることもできる。

【００４６】図１９は本発明によるＳＲＭの駆動回路の
更に他の実施例の回路図である。図１９に示したＳＲＭ
の駆動回路は相励磁信号を印加されてスイッチング作動
を行う第１スイッチング部（１４）、前記第１スイッチ
ング部（１４）の制御により磁束を発生させる磁束発生
部（１３）、磁束発生部（１３）に流れる励磁電流を一
方向に伝えるダイオードアレー部（１５）、前記ダイオ
ードアレー部（１５）を通過した励磁電流を電圧エネル
ギーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵部（１６）、前
記第１エネルギー貯蔵部（１６）に蓄積された電気エネ
ルギーを受けてこれを磁気エネルギーに転換するエネル
ギー転換部（１７）、前記エネルギー転換部（１７）の
作動を制御する第２スイッチング部（１８）、前記エネ
ルギー転換部（１７）の出力を電気エネルギーとして貯
蔵する第２エネルギー貯蔵部（１９）、相励磁信号を受
けてスイッチング信号を発生する制御部（２５）と、制
御部（２５）で出力されたスイッチング信号によりスイ
ッチング作動を行う第３スイッチング部（２６）と、第
３スイッチング部（２６）の作動の際、第１エネルギー
貯蔵部（１６）のエネルギー逆流を防止するための逆流
防止部（２７）で構成される。

【００４７】第１スイッチング部（１４）はＮ−ＭＯＳ
トランジスター（Ｍ₉、Ｍ₁₀、Ｍ₁₁、Ｍ₁₂）で構成さ
れ、磁束発生部（１３）はコイル（９、１０、１１、１
２）でなり、ダイオードアレー部（１５）はダイオード
（Ｄ₁₆、Ｄ₁₇、Ｄ₁₈、Ｄ₁₉）で構成される。第１エネル
ギー貯蔵部（１６）はキャパシター（Ｃ₂）を含み、エ
ネルギー転換部（１７）は誘導結合回路（１７ａ）とダ
イオード（１７ｂ）を含める。なお、第２スイッチング
部（１８）はＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₃）を含
み、第２エネルギー貯蔵部（１９）はキャパシター（Ｃ
₁）でなり、第３スイッチング部（２６）はＮ−ＭＯＳ
トランジスター（Ｍ₁₄）を含み、逆流防止部（２７）は
ダイオード（Ｄ₂₀）を含める。

【００４８】図２０は図１９の制御部（２５）を詳細に
示したものである。制御部（２５）は、各相の励磁信号
を受けてその下降エッジを検出し、下降エッジの際所定
の幅（ｔｗ）を有する信号を発生する相励磁信号の下降
エッジ検出部（２８）と、相励磁信号の下降エッジ検出
部（２８）の出力を受けて論理和作動を行うＯＲゲート
（２９）と、ＯＲゲート（２９）の出力をレベルアップ
（level up）させるレベル遷移部（３０）と、極めて短
い幅を有するパルス幅変調（ＰＷＭ）信号を発生するＰ
ＷＭ信号発生部（３１）と、レベル遷移部（３０）の出
力とＰＷＭ信号発生部（３１）の出力を受けてこれらに
対する論理積作動を行うＡＮＤゲート（３２）で構成さ
れる。

【００４９】図２１は図２０の回路の作動を説明するた
めの作動タイミング図である。図２１で（Ａ）は第１相
励磁信号であり、（Ｂ）は第２相励磁信号、（Ｃ）は第
３相励磁信号で、（Ｄ）は第４相励磁信号である。図２
０及び図２１を参照して説明すると、第１相励磁信号が
制御部（２５）の相励磁信号の下降エッジ検出部（２
８）に印加されると、前記検出部（２８）は図２１Ｅの
ような信号を発生し、第２相励磁信号が前記検出部（２
８）に印加されると、それは図２１Ｆのような信号を発
生する。このように第３及び４相励磁信号が前記検出部
（２８）に印加されると、それは図２１Ｇ及び図２１Ｈ
のような信号を順次発生する。

【００５０】図２１Ｅ〜Ｈの信号は所定の幅（ｔｗ）を
有する。従って、前記検出部（２８）の出力を受けたＯ
Ｒゲート（２９）は、図２１Ｉのような出力を発生す
る。ＯＲゲート（２９）の出力はレベル遷移部（３０）
によってレベルアップされてＡＮＤゲート（３２）の一
入力に印加される。前記レベル遷移部（３０）は、フォ
トカプラー、パルストランスフォーマー、又はレベルシ
フターであり得る。

【００５１】ＰＷＭ信号発生部（３１）はＯＲゲート
（２９）の出力信号の幅（ｔｗ）よりずっと小さい幅を
有するＰＷＭ信号を発生してＡＮＤゲート（３２）の他
の入力に供給する。ＡＮＤゲート（３２）はレベル遷移
部（３０）の出力とＰＷＭ信号発生部（３１）の出力を
受けてこれらに対する論理積作動を行って図２１Ｊのよ
うな信号を出力する。前記ＡＮＤゲート（３２）の出力
は第３スイッチング部（２６）の入力として作用する。

【００５２】図１９の回路の作動を説明すると次の通り
である。図２１Ａのようにハイレベルの第１相励磁信号
をＮ−ＭＯＳトランジスター（ＭＳ）に印加させると、
Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₉）はターンオンして、
これによりコイル（９）に電流が流れ始める。第１相励
磁信号がハイレベルよりローレベルに遷移するとき、図
２１Ｂのようなハイレベルの第２相励磁信号がＮ−ＭＯ
Ｓトランジスター（Ｍ₁₀）に印加されてＮ−ＭＯＳトラ
ンジスター（Ｍ₁₀）がターンオンする。この時、第１相
励磁信号による制御部（２５）の出力（Ｈｇ）が第３ス
イッチング部（２６）のＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ
₁₄）に印加される。

【００５３】第１相励磁信号がハイレベル期間の間、コ
イル（９）に磁気エネルギーとして貯蔵されていた励磁
電流がダイオード（Ｄ₁₆）を通じて第２エネルギー貯蔵
部（１６）のキャパシター（Ｃ₂）に電気エネルギーと
して蓄積されるとともにコイル（１０）に電流が流れ始
める。この状態でＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）に
印加されるスイッチング信号がハイレベルよりローレベ
ルに、又はローレベルよりハイレベルに変わると、Ｎ−
ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）はそのスイッチング信号
によりオン、オフ作動をする。

【００５４】Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）がオン
作動をする間にコイル（９）に流れる電流はダイオード
（Ｄ₁₈）を通じて閉ループ引き続き循環するようになる
のでコイル（９）の電流は極めて徐々に減少する一方、
Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）がオフ作動をする間
にコイル（９）に流れる電流はダイオード（Ｄ₂₀）を通
じてキャパシター（Ｃ₂）に貯蔵されるため、コイル
（９）の電流は早く減少する。

【００５５】若し、パルス幅変調信号のデューティ（du
ty）が大きいと、Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）が
オン作動する期間が長くなりコイル（９）の電流は極め
て徐々に減少する反面、パルス幅変調信号のデューテイ
が小さく、Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₄）がオフ作
動する期間が長くなってコイル（９）の電流は早く減少
する。従って、パルス幅変調信号のデューティが大きく
なればなる程コイル（９）の電流の増加する時間が早く
なる。これは、コイル（９）の電流が極めて徐々に減少
し、かなりの電流が残っているためである。第２相励磁
信号がハイレベルに遷移し、ハイレベルの第３相励磁信
号がＮ−ＭＯＳトランジスター（Ｍ₁₁）のゲートに印加
された時にも前記の過程を繰り返す。このように順次引
き続き各相の励磁信号が印加されるたびに前記過程を繰
り返す。

【００５６】図２２はパルス幅変調信号のデューティに
よる各相のコイルの電流の変化とトルクの波形を示した
ものである。

【００５７】図２２において、（Ａ）はデューティが殆
ど０％である時の電流の変化とこれに対するトルクの波
形を示したものである。（Ｂ）はデューティが５０％程
度の時、（Ｃ）はデューティが殆ど１００％の時の電流
の変化とこれによるトルクの波形を示したものである。
デューティが０％の時には第３スイッチング部（２６）
が存在しない時と同じ電流波形を発生してデューティが
５０％程度の時、各相のコイルの電流は矩形波と類似す
るものとなり、デューティが殆ど１００％に近いときに
は電流が初期にあまりに早く増加してオーバーシュート
（overshout）現象が現れる。

【００５８】従って、デューティが０％程度の時には、
鋸歯のようなトルクリップルが生じ、デューティが５０
％程度の時には殆ど平坦なトルクリップルが生ずる。そ
してデューティが殆ど１００％に近い時には、基本周波
数の２倍に該当するトルクリップルが現れる。

【００５９】

【発明の効果】従って本発明によると、ＳＲＭの駆動回
路は一つの第２スイッチング素子を追加して従来の二つ
に相当すスイッチ素子を使用したのと類似した効果を得
ることができるので価格の節減と回路の小径化ができ、
制御時に電圧供給源の両端子の間にあるキャパシターの
電圧上昇を防止し、且つスイッチング素子の破損を予防
することができる。しかも、洗濯機のモーターとして脱
水行程急停止をする必要がある時、逆相制動をかける
と、これを達成することができ、パルス幅変調信号のデ
ューティを調節してシステムに適当な電流波形をつくる
ことによりモーター騒音、振動を軽減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的スイッチドリラクタンスモーターの固定
子及び回転子の構成図である。

【図２】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図３】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図４】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図５】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図６】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図７】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図８】従来のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
回路図である。

【図９】図７及び図８の回路の波形図である。

【図１０】図７及び図８の回路の波形図である。

【図１１】本発明のスイッチドリラクタンスモーターの
駆動回路の一実施例の回路図である。

【図１２】本発明のスイッチドリラクタンスモーターの
駆動回路の他の実施例の回路図である。

【図１３】図１１及び図１２の回路の一部の電流波形図
である。

【図１４】図１１及び図１２の回路の一部の電流波形図
である。

【図１５】本発明のスイッチドリラクタンスモーターの
駆動回路の他の一実施例の回路図である。

【図１６】図１５の回路の一部の詳細な回路図である。

【図１７】図１５の回路の一部の詳細な回路図である。

【図１８】図８のＡは、図１５の回路の作動を説明する
ための作動タイミング図である。図８のＢは、図１５の
回路の作動を説明するための作動タイミング図である。
図８のＣは、図１５の回路の作動を説明するための作動
タイミング図である。図８のＤは、図１５の回路の作動
を説明するための作動タイミング図である。図８のＥ
は、図１５の回路の作動を説明するための作動タイミン
グ図である。図８のＦは、図１５の回路の作動を説明す
るための作動タイミング図である。

【図１９】本発明のスイッチドリラクタンスモーターの
駆動回路の他の一実施例の回路図である。

【図２０】図１９の回路の一部の詳細な回路図である。

【図２１】図２１のＡは、図２０の回路の作動を説明す
るための作動タイミング図である。Ｂは、図２０の回路
の作動を説明するための作動タイミング図である。Ｃ
は、図２０の回路の作動を説明するための作動タイミン
グ図である。Ｄは、図２０の回路の作動を説明するため
の作動タイミング図である。Ｅは、図２０の回路の作動
を説明するための作動タイミング図である。Ｆは、図２
０の回路の作動を説明するための作動タイミング図であ
る。Ｇは、図２０の回路の作動を説明するための作動タ
イミング図である。Ｈは、図２０の回路の作動を説明す
るための作動タイミング図である。Ｉは、図２０の回路
の作動を説明するための作動タイミング図である。Ｊ
は、図２０の回路の作動を説明するための作動タイミン
グ図である。

【図２２】図２２のＡは、パルス幅変調信号のデューテ
ィーによる各相のコイルの電流の変化とこれによるトル
ク波形を示す図面である。図２２のＢは、パルス幅変調
信号のデューティーによる各相のコイルの電流の変化と
これによるトルク波形を示す図面である。図２２のＣ
は、パルス幅変調信号のデューティーによる各相のコイ
ルの電流の変化とこれによるトルク波形を示す図面であ
る。

【図面符号の説明】

９、１０、１１、１２ コイル １３ 磁束発生部 １４ 第１スイッチング部 １５ ダイオードアレー部 １６ 第１エネルギー貯蔵部 １７ エネルギー転換部 １８ 第２スイッチング部 １９ 第２エネルギー貯蔵部 ２０ 周波数切り替え部 ２１、２４、２９ ＯＲゲート ２２ 比較器 ２３、３２ ＡＮＤゲート ２５ 制御部 ２６ 第３スイッチング部 ２７ 逆流防止部 ２８ 下降エッジ検出部 ３０ レベル遷移部 ３１ ＰＷＭ信号発生部 Ｑ₂〜Ｑ₄ トランジスター Ｍ₉〜Ｍ₁₄ Ｎ−ＭＯＳトランジスター Ｃ₁〜Ｃ₂ キャパシター Ｄ₁₆〜Ｄ₂₀、１７ｂ ダイオード

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の電気信号が印加されてスイッチン
   グ作動を行う第１スイッチング手段と、 前記第１スイッチング手段の作動により磁束を発生させ
   る磁束発生手段と、 磁束発生手段に流れる励磁電流を一方向に伝えるダイオ
   ードアレー手段と、 前記ダイオードアレー手段を通過した励磁電流を電気エ
   ネルギーとして蓄積する第１エネルギー貯蔵手段と、 前記第１エネルギー貯蔵手段に蓄積された電気エネルギ
   ーを受けて、これを磁気エネルギーに転換するエネルギ
   ー転換手段と、 前記エネルギー転換手段の作動を制御する第２スイッチ
   ング手段と、 前記エネルギー転換手段の出力を電気エネルギーとして
   貯蔵する第２エネルギー貯蔵手段を含むことを特徴とす
   るスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
2. 【請求項２】 前記第１スイッチング手段は、多数のス
   イッチング素子で構成されることを特徴とする請求項１
   記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
3. 【請求項３】 前記スイッチング素子がトランジスター
   またはＭＯＳトランジスターであることを特徴とする請
   求項２記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回
   路。
4. 【請求項４】 前記磁束発生手段は、多数のコイルで構
   成されることを特徴とする請求項１記載のスイッチドリ
   ラクタンスモーターの駆動回路。
5. 【請求項５】 前記ダイオードアレー手段は、多数のダ
   イオードで構成されることを特徴とする請求項１記載の
   スイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
6. 【請求項６】 前記第１スイッチング手段のスイッチン
   グ素子、前記磁束発生手段のコイル及び前記ダイオード
   アレー手段のダイオードの数は３相のとき三つであり、
   ４相のとき四つであることを特徴とする請求項２記載の
   スイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
7. 【請求項７】 前記第１エネルギー貯蔵手段は、キャパ
   シターを含むことを特徴とする請求項１記載のスイッチ
   ドリラクタンスモーターの駆動回路。
8. 【請求項８】 前記エネルギー転換手段は、誘導結合回
   路とダイオードで構成されることを特徴とする請求項７
   記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
9. 【請求項９】 前記第２スイッチング手段は、一つのス
   イッチングで構成されることを特徴とする請求項８記載
   のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
10. 【請求項１０】 前記スイッチング素子は、トランジス
    ター又はＭＯＳトランジスターであることを特徴とする
    請求項９記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動
    回路。
11. 【請求項１１】 前記スイッチング素子がターンオンさ
    れるとき、前記第１エネルギー貯蔵手段のキャパシター
    のエネルギーの一部が前記誘導結合回路の１次巻線より
    ２次巻線にエネルギーが誘導されることを特徴とする請
    求項９記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回
    路。
12. 【請求項１２】 前記第２エネルギー貯蔵手段は、キャ
    パシターで構成されることを特徴とする請求項１記載の
    スイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
13. 【請求項１３】 第２スイッチング手段のスイッチング
    作動を制御する周波数切り替え手段を更に含むことを特
    徴とする請求項１記載のスイッチドリラクタンスモータ
    ーの駆動回路。
14. 【請求項１４】 前記周波数切り替え手段は制御信号と
    制動信号の入力を受けて、これらに対する論理和作動を
    行う手段で構成されることを特徴とする請求項１３記載
    のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
15. 【請求項１５】 前記周波数切り替え手段は、第２スイ
    ッチング手段の出力電流を検出して、これを基準信号と
    比較する比較器と、前記比較器の出力と制動信号の入力
    を受けて、これらに対する論理積作動を行う手段と、前
    記論理積手段（２３）の出力と制御信号の入力を受け
    て、これらに対する論理和作動を行う手段（２４）で構
    成されることを特徴とする請求項１３記載のスイッチド
    リラクタンスモーターの駆動回路。
16. 【請求項１６】 逆相制動をかけようとするとき、その
    制動時点で制動信号をハイレベルにすることを特徴とす
    る請求項１５記載のスイッチドリラクタンスモーターの
    駆動回路。
17. 【請求項１７】 逆相制動の際、制動時点で制御信号の
    周波数を次第に下げることを特徴とする請求項１６記載
    のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
18. 【請求項１８】 逆相制動の際、制動時点で制御信号の
    デューティーを大きくすることを特徴とする請求項１６
    記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
19. 【請求項１９】 前記所定の電気信号を受けてスイッチ
    ング信号を発生する制御手段と、 制御手段より出力したスイッチング信号によりスイッチ
    ング作動を行う第３スイッチング手段と、第３スイッチ
    ング手段の作動の際、第１エネルギー貯蔵手段のエネル
    ギー逆流を防止するための逆流防止手段を更に含むこと
    を特徴とする請求項１記載のスイッチドリラクタンスモ
    ーターの駆動回路。
20. 【請求項２０】 前記制御手段は、各相の電気信号を受
    けて、その下降エッジを検出する下降エッジ検出手段
    と、前記下降エッジ検出手段の出力を受けて論理和作動
    を行う手段と、論理和手段の出力をレベルアップさせる
    レベル遷移手段と、パルス幅変調信号を発生するパルス
    幅変調信号発生手段、前記レベル遷移手段の出力と前記
    パルス幅変調信号発生手段の出力を受けてこれらに対す
    る論理積作動を行う手段で構成されることを特徴とする
    請求項１９記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆
    動回路。
21. 【請求項２１】 前記下降エッジ検出手段は各相の電気
    信号の下降エッジの際、所定の幅を有する信号を発生さ
    せることを特徴とする請求項２０記載のスイッチドリラ
    クタンスモーターの駆動回路。
22. 【請求項２２】 前記所定の幅は前記パルス幅変調信号
    の幅より極めて大きいものであることを特徴とする請求
    項２１記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回
    路。
23. 【請求項２３】 前記レベル遷移手段はフォトカプラ
    ー、パルストランスフォーマー、又はレベルシフターで
    あることを特徴とする請求項２０記載のスイッチドリラ
    クタンスモーターの駆動回路。
24. 【請求項２４】 前記パルス幅変調信号のデュティーを
    調節して磁束発生手段に流れる電流の形を変化させ得る
    ことを特徴とする請求項２０記載のスイッチドリラクタ
    ンスモーターの駆動回路。
25. 【請求項２５】 前記デュティーが５０％程度のとき、
    電流の形が殆ど矩形波に近いことを特徴とする請求項２
    ４記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
26. 【請求項２６】 前記逆流防止手段はダイオードを含む
    ことを特徴とする請求項１９記載のスイッチドリラクタ
    ンスモーターの駆動回路。
27. 【請求項２７】 前記第３スイッチング手段は一つのス
    イッチング素子で構成されることを特徴とする請求項１
    ９記載のスイッチドリラクタンスモーターの駆動回路。
28. 【請求項２８】 前記第３スイッチング手段の前記スイ
    ッチング素子はトランジスター又はＭＯＳトランジスタ
    ーであることを特徴とする請求項２７記載のスイッチド
    リラクタンスモーターの駆動回路。