JPH07273074A - 集積回路製造 - Google Patents

集積回路製造

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JPH07273074A
JPH07273074A JP7057836A JP5783695A JPH07273074A JP H07273074 A JPH07273074 A JP H07273074A JP 7057836 A JP7057836 A JP 7057836A JP 5783695 A JP5783695 A JP 5783695A JP H07273074 A JPH07273074 A JP H07273074A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、集積回路を製造するための方法お
よび物質に関する。 【構成】 フォトレジスト除去およびエッチングされた
伝導体の洗浄用に用いられる有機溶媒に第Ｉ族および第
ＩＩ族イオンをキレートするためのリガンドを添加する
ことにより有機溶媒の貯蔵期間が伸びる。さらに、リガ
ンドで変性された有機溶媒で処理された集積回路におい
ては、移動性イオン汚染が減少される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は、集積回路を製造する方法および
物質に関する。
【０００２】
【発明の背景】移動性イオン、特にアルカリ金属イオン
およびアルカリ−土類金属イオン（第Ｉ族および第ＩＩ
族元素）による汚染は、特にバイアス焼きつけ試験を行
う高温度中に集積回路の多くの故障を招く。移動性イオ
ン汚染は、集積回路を製造する間の種々の段階で導入さ
れ得る。修正機械路技術の開発と関連して、移動性イオ
ン汚染を減少させるための物質および手法がこれまでず
っと捜し求められてきた。
【０００３】
【発明の要旨】移動性イオン汚染は、第Ｉ族および第Ｉ
Ｉ族イオンをキレートするためのリガンド（配位子）と
ともに有機溶媒を実施例として含む本発明によって減少
される。別の実施例において、本発明は第Ｉ族および第
ＩＩ族イオンをキレートするリガンドとともに有機溶媒
を利用する集積回路製造方法を含む。
【０００４】
【詳細な説明】移動性イオン汚染のある長年の源は、フ
ォトレジスト除去およびメタルエッチング後の洗浄にお
いて用いられる有機溶媒である。典型的な溶媒は、第一
および第二アミンおよびジメチルスルホキシドおよびジ
メチルアセチルアミドのような他の不活性溶媒の混合物
を含む。これら溶媒は、通常プラスチック（例えば、高
濃度ポリプロピレン）容器に貯蔵されている。これらプ
ラスチック容器の製造過程では、第Ｉ族および第ＩＩ族
元素を含む無機触媒が使用される。したがって、これら
溶媒がこれらプラスチック容器に貯蔵されているときに
は、第Ｉ族および第ＩＩ族元素がこの溶媒中に溶解す
る。この溶媒中のこれら元素の密度は、プラスチックと
接触している期間にともない増加する。
【０００５】本願発明者は、クラウンエーテル（例え
ば、１８−クラウン−６、１８−クラウン−５、１８−
クラウン−４およびシクロデキストリン）のような、第
Ｉ族および第ＩＩ族元素を配位する有機リガンドが基板
上での第Ｉ族および第ＩＩ族元素の吸着を抑制する、と
いうことを発見したのである。なお、１８−クラウン−
６は米国特許第３５６２２９５号および第３９９７５６
２号に記載されている。
【０００６】フォトレジスト除去又は金属エッチング後
の洗浄のいずれかにおいて従来より用いられている有機
溶媒に上述の有機リガンドを添加することにより、第Ｉ
族および第ＩＩ族元素による汚染が著しく抑制されるこ
とがわかった。また、上述の有機溶媒に上述の有機リガ
ンドを添加することにより第Ｉ族および第ＩＩ族汚染の
増加に関してこれら有機溶媒の貯蔵期間が著しく伸びる
ことが予想される。
【０００７】シリコン基板上に堆積された窒化チタン又
は二酸化ケイ素を用い二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）
法により検査した実験によれば、ＡＣＴ−ＣＭＩ（ペン
シルバニア州 アレンタウンのＡＣＴ社の登録商標）の
ような従来の有機溶媒に上述のリガンドを添加すること
により第Ｉ族および第ＩＩ族元素によるこれら基板の
（室温で６０分よりも短い）短時間汚染は著しく減少す
ることが示された。（しかしながら、これら基板をリガ
ンドで修飾された有機溶媒(ligand-modified solvents)
に長期間さらすと、無修飾の有機溶媒にさらすのに比較
して基板表面上に第Ｉ族および第ＩＩ族元素が過度に蓄
積されることとなった。）
【０００８】クラウンエーテルは、ポリメチレン基と反
応しリガンドで修飾された溶媒の抑制特性を強調するこ
ととなる界面活性剤に変換され得る。
【０００９】典型的な応用では、上述のリガンドで修飾
された上述の有機溶媒を用いて、パターン化されたフォ
トレジストが（二酸化ケイ素およびオキシ窒化チタン）
のような酸化物、金属又は半導体基板上に形成されたエ
ッチングされた酸化物、金属又は半導体の形態がとり除
かれ、これにより結果として出来あがる集積回路の第Ｉ
族又は第ＩＩ族汚染の可能性が減じられる。それとは別
に、酸化物、金属又は半導体基板上のエッチングされた
金属伝導体は上記リガンドで修飾された有機溶媒中にて
洗浄される得るので出来あがる集積回路が第Ｉ族又は第
ＩＩ族汚染される可能性が減じられる。これに加えて、
容器に貯蔵された上述の有機溶媒中に上述のリガンドを
添加することにより第Ｉ族又は第ＩＩ族汚染に関してこ
の有機溶媒の貯蔵期間が伸長され得る。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第Ｉ族および第ＩＩ族イオンをキレート
    するためのリガンドにより特徴づけられる物質とともに
    用いてフォトレジストを除去し得る有機溶媒を含む物
    質。
  2. 【請求項２】 金属伝導体がフォトレジストの存在下で
    エッチングされた後に金属伝導体上に残っている重合性
    物質を、第Ｉ族および第２族イオンをキレートするため
    のリガンドによって特徴づけられる物質とともに用いて
    とり除くことのできる有機溶媒を含む物質。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の物質であって、 該リガンドがクラウンエタノールおよびシクロデキスト
    リンから成る群より選択されるものである物質。
  4. 【請求項４】 集積回路を製造する方法であって、 エッチングされた形態からパターン化されたフォトレジ
    ストを、有機溶媒を第Ｉ族および第２族イオンをキレー
    トするためのリガンドによって特徴づけられる物質とと
    もに用いてとり除く段階を含む集積回路の製造方法。
  5. 【請求項５】 集積回路を製造する方法であって、 エッチングされた金属伝導体を、第Ｉ族および第ＩＩ族
    イオンをキレートするリガンドによって特徴づけられる
    物質とともに有機溶媒ですすぐ段階を含む集積回路の製
    造方法。
  6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の方法であって、 該リガンドが、クラウンエーテルおよびクロクデキスト
    リンから成る群より選択されるものである集積回路の製
    造方法。
  7. 【請求項７】 請求項４に記載の方法であって、 該エッチングされた形態は基板上に形成され、そして該
    基板は酸化物、金属および半導体から成る群より選択さ
    れるものである集積回路の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項５に記載の方法であって、 該金属伝導体が基板上に形成され、そして該基板が酸化
    物、金属および半導体から成る群より選択されるもので
    ある集積回路の製造方法。
JP7057836A 1994-03-18 1995-03-17 集積回路製造 Pending JPH07273074A (ja)

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