JPH07268697A - 錫めっき装置および錫めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】Ｓｎ²⁺イオン濃度を長期的に安定してめっき液
に供給することのできる錫めっき装置および錫めっき方
法の提供。 【構成】不溶性陽極を用いて鋼帯に連続的に錫めっきを
行うＳｎめっき槽と、この錫めっき槽にめっき液が循環
するよう接続され、金属錫を溶解して錫めっき槽にＳｎ
²⁺イオンを供給する装置とを具え、このＳｎ²⁺イオン供
給装置は、金属Ｓｎ溶解槽と、この溶解槽内に設置され
た金属Ｓｎ収納用チタン製バスケット構造のアノードお
よび白金カソードと、このアノードとカソードの間の電
流を制御するための装置と、白金カソード表面にめっき
液を噴き付ける噴流装置を有する錫めっき装置および上
記錫めっき装置を用いて鋼帯に連続的に錫めっきするに
際し、前記電流制御装置によるアノードとカソードとの
間の電流の制御および白金カソードへの噴流の制御の組
み合わせにより、錫めっき槽へのＳｎ²⁺イオンの供給を
制御する錫めっき方法により、上記目的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、連続的に走行する鋼帯
に不溶性陽極を用いて、電気的に錫をめっきする電気め
っきぶりきの製造設備、さらに詳しくは電解錫めっき液
のＳｎ²⁺イオン濃度を適性な範囲に管理する設備を持つ
錫めっき装置およびこれを用いてめっき液成分の管理を
行う錫めっき方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】鋼帯に連続的に電解めっきを施して、錫
めっき鋼板（ぶりき）を製造する錫めっき浴としては、
ハロゲン浴、フェロスタン浴、およびメタンスルフォン
酸浴等が知られており、長年に渡り生産の実績をあげて
いる。元来これらのめっき浴は可溶性のアノード、すな
わち錫の鋳造品を用いていたが、実際の作業においては
この可溶性錫アノードの交換作業が、多くの労力を要し
て、コストアップと生産性低下の一因となっていた。そ
こで近年、これらの錫電気めっきラインの生産効率向上
の手段として、電解めっき設備のアノードを不溶性アノ
ードにすることが効果的であるとの認識が広がり、実際
にその実施例も報告されている。

【０００３】錫めっきラインの不溶性アノード化には、
解決すべき幾つかの問題点があるが、めっき設備として
最も重要な事は、Ｓｎ²⁺の供給を如何に行うかという点
である。この点に関しては既に幾つかの技術が開発され
ている。大別すると下記の３種類に分別される。 めっき浴中の溶存Ｏ₂ 濃度をＯ₂ 吹込みによって強
制的に高め、金属Ｓｎとめっき液によって流動床を形成
する溶解装置によって金属Ｓｎを溶解する方法（例えば
特公昭５６−５４０８０号公報参照）。 イオン交換膜を用いて陽極室と陰極室を分離したＳ
ｎ溶解槽を用いて、Ｓｎアノードと不溶性カソードを用
いてアノード液中にＳｎの有機酸化物を生成させる方
法。 水溶性Ｓｎ化合物の形で溶解する方法。

【０００４】この中で、Ｓｎめっき鋼帯の連続生産設備
に応用された例は、フェノールスルフォン酸浴（フェロ
スタン浴：ＰＳＡ浴）について上述の特公昭５６−５４
０８０号公報に示されているのみであるが、この方法で
はめっき液中の溶存０₂ 濃度が極めて高いために、有用
成分であるＳｎ²⁺のＳｎ⁴⁺への酸化反応が進行する。実
験規模の比較的小規模の設備においても、投入Ｓｎ量の
３％以上がスラッジとして失われるとの報告がある（齋
藤隆穂、表面技術、ｖｏｌ．４１ Ｎｏ．１（１９９
０）ｐ２〜８）。これだけスラッジ生成率が高い場合に
は、スラッジの回収再生の技術と相応の規模の設備が必
要になるが、いずれにしても、めっき操業におけるエネ
ルギー損失が大きくなる結果となり、大量生産には好ま
しくない。

【０００５】の電解法については、イオン交換隔膜を
用いて陽極室と陰極室を分離し、めっき金属アノードと
カソードの間に通電して金属イオンを供給する技術自体
は古くから知られているが、鋼帯への連続Ｓｎめっき設
備、すなわちぶりきコイルの製造設備に応用された例は
ない。その主な理由としては、ぶりき製造設備のＳｎ消
費量が一般のバッチ式めっき設備に比べて格段に大き
く、溶解設備が大掛かりになることであり、また一方
で、原理的に溶解量に比例して電解電流が増加し、めっ
き槽内陽極としてＳｎアノードを用いる可溶性陽極操業
に比べて電力コストが高くなること、さらにイオン交換
膜を使用した場合でも、その局部欠陥などにより、不可
避的にカソード室へのＳｎ²⁺イオン漏出がおこり、カソ
ード表面にデンドライトが析出するために、イオン供給
槽カソードの手入れが必要になることなどが挙げられ
る。

【０００６】これらの要因は相互に関係しあっており、
Ｓｎ溶解能力を確保したまま設備規模を小さくするため
に溶解電流密度を上げると、浴電圧が高くなって電力消
費が大きくなり、カソードでの水素発生量も多くなる。
浴電圧を低減しようとして極間距離を短縮しようとする
と、カソード表面で発生する水素ガスによって浴抵抗が
急激に大きくなり、また前述の漏出Ｓｎ²⁺イオンによる
カソード表面のデンドライト成長が起こりやすくなる。
カソードでのデンドライト成長や浴電圧の増加は電極間
でのスパークを誘発しやすく、スパークの発生はイオン
交換膜の破壊につながる。イオン交換膜の破壊は金属イ
オン供給に悪影響を及ぼすことは自明である。

【０００７】さらに、この場合イオン供給のために用い
られるＳｎ電極は必ずしも高純度のものではなく、溶解
も完全均一には進まないため、イオン供給溶解時に一定
量のスラリーをめっき浴中に放出する。これは特に電解
量の大きい大規模設備では、配管系のつまりや電極ショ
ートの原因になるなど問題が多い。このようにこの種の
技術は極小規模なバッチ式めっき設備において一部実用
化されてはいるが（例えば特開平２−７００８７号公報
参照）、ぶりき製造設備のような大規模電解設備への応
用は全く非現実的であった。

【０００８】の水溶性Ｓｎ化合物の形で溶解する方法
は、やはり電子部品のめっき処理設備等の小規模な電解
設備においては広く行われている。不溶性アノードによ
る電解を考えた場合、ハロゲンＳｎめっき浴ではカソー
ドで塩素ガスの発生があるため考慮の対象外であり、現
実にはＳｎＯあるいはＳｎめっき浴の支持電解質として
添加される酸のＳｎ塩の形で添加する方法が行われる
が、これらのＳｎ化合物はその出発原料が金属Ｓｎであ
るため、必然的にそのＳｎ重量当たりの単価が高い。ま
た、これらの化合物をめっき浴に添加するための設備
は、前述の２方法に比べて簡素なもので良いが、特にＳ
ｎＯについては、空気中での酸化が起こりやすく、また
酸化の結果、ＳｎＯ表面に生じるＳｎＯ₂ が水に難溶性
であるため、添加時の溶解性が著しく低下する。それを
防止するために輸送保管中の雰囲気を非酸化性に保つに
は、当然非常にコストがかかる。

【０００９】さらに、ＳｎＯにはその中間原料ＳｎＣｌ
₂ に由来すると考えられるＣｌ^- が通常１００ｐｐｍ前
後含まれ、クローズドシステムでの長期連続運転におけ
るＳｎ²⁺源として使用した場合には、不可避的にＣｌ^-
の蓄積が生じ、それにより酸性Ｓｎめっき浴での電析Ｓ
ｎの均一付着性が著しく阻害されることが、発明者らに
より確認された。上記のように、従来の不溶性陽極を用
いたＳｎめっき設備へのＳｎ²⁺イオン供給方法には種々
の問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消すべくなされたものであって、連続的
に走行する鋼帯に不溶性陽極を用いて、電気的に錫をめ
っきする電気めっきぶりきの製造設備において、電解錫
めっき液のＳｎ²⁺イオンおよび浴中添加物濃度を適性な
範囲に管理することを可能とした錫めっき装置およびそ
れによるめっき浴組成の管理を行う錫めっき方法を提供
することを目的とし、従来の不溶性アノードＳｎめっき
の液の浴組成管理設備およびそれによる浴組成管理方法
の不合理性、非効率性を改善し、高品質のＳｎめっき鋼
帯の高効率かつ安定的な生産を実現しようとするもので
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、大規模な
鋼帯連続Ｓｎめっき操業における、Ｓｎめっき溶液の管
理を合理的に行うことによって、Ｓｎめっき鋼帯の生産
コストを低減するべく、鋭意研究を重ね、本願発明を完
成するに至った。

【００１２】すなわち、本発明は、不溶性陽極を用いて
鋼帯に連続的に錫めっきを行う錫めっき槽と、この錫め
っき槽にめっき液が循環するよう接続され、金属錫を溶
解して前記錫めっき槽にＳｎ²⁺イオンを供給するＳｎ²⁺
イオン供給装置とを具え、このＳｎ²⁺イオン供給装置
は、金属錫溶解槽と、この溶解槽内に設置された金属錫
収納用バスケット構造のアノードおよび白金カソード
と、このアノードと白金カソードとの間の溶解電流を制
御するための溶解電流制御装置と、前記白金カソード表
面にめっき液を噴き付ける噴流装置とを有することを特
徴とする錫めっき装置を提供するものである。

【００１３】ここで、前記Ｓｎ²⁺イオン供給装置は、さ
らに、前記バスケットアノード内の金属錫に酸素を供給
する手段を有するのが好ましい。また、前記めっき液
は、支持電解質として有機酸を含み、さらに有機系酸化
防止剤および光沢剤を含むのが好ましい。また、上記錫
めっき装置において、さらに、添加剤添加のための混合
槽、めっき液組成分析装置、固形夾雑物除去装置、濃縮
装置および添加剤酸化／還元体除去装置を連結してなる
のが好ましい。

【００１４】また、本発明は、不溶性陽極を使用して鋼
帯に連続的に錫めっきを行うに際し、錫めっき槽からめ
っき操業中にめっき液を導出し、このめっき液を、金属
錫を内包するバスケットアノードと白金カソードとから
なり、さらにこの白金カソードとバスケットアノード内
の金属錫が電気的に接続され、このバスケットアノード
と白金カソードとの間の電流を調整できる機能をもつ金
属錫溶解槽に導入し、前記バスケットアノードと白金カ
ソードとの間の電流の制御および前記白金カソード表面
に噴き付けるめっき液噴流の制御を組み合わせて行っ
て、前記めっき液に金属錫を溶解し、Ｓｎ²⁺イオン濃度
を所定の濃度まで高めためっき液を前記錫めっき槽に供
給することを特徴とする錫めっき方法を提供するもので
ある。

【００１５】ここで、上記錫めっき方法であって、さら
に、前記バスケットアノード内の金属錫への酸素の供給
制御を組み合わせて前記錫めっき槽に供給するめっき液
のＳｎ²⁺イオンの濃度を制御するのが好ましい。また、
前記めっき液は、支持電解質として有機酸を含み、さら
に有機系酸化防止剤および光沢剤を含む錫めっき液であ
るのが好ましい。また、上記錫めっき方法であって、さ
らに、前記めっき液中のＳｎ²⁺イオン濃度、添加剤濃
度、添加剤酸化／還元体濃度および固形夾雑物存在密度
を連続的に分析、調整することにより、前記鋼帯に連続
的に錫めっきを行うのが好ましい。

【００１６】

【発明の作用】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の錫めっき装置は、図１に線図的に例示するよう
に、不溶性陽極を用いて鋼帯に連続的に電気錫めっきを
行なう錫めっき槽１と、このめっき槽１との間でめっき
液が循環するよう接続され、錫めっき槽１に金属Ｓｎを
溶解して得たＳｎ²⁺イオンを供給するＳｎ²⁺イオン供給
装置とを有する。めっき槽１とＳｎ²⁺イオン供給装置の
Ｓｎ²⁺イオン供給槽２とはめっき液貯留槽３を介したが
いに送液管１３にて接続されている。めっき液貯留槽３
においてはその成分がめっき液組成分析装置４によって
分析され、それに応じて金属Ｓｎ溶解量および供給量、
後述するカソードへのめっき液噴出量などが制御され
る。

【００１７】Ｓｎ²⁺イオン供給装置は、Ｓｎ²⁺イオン供
給槽（すなわち金属Ｓｎ溶解槽）２を有し、この溶解槽
２内にはチタン製バスケット構造のアノード５および白
金カソード８が設置されている。バスケットアノード５
には金属Ｓｎ粒６が金属Ｓｎ粒供給装置７からＳｎ粒供
給管１５を経て適宜供給される。バスケットアノード５
および白金カソード８には任意に電気的負荷を設定でき
る溶解電流制御装置９によって制御された電流が電線１
４を経て供給される。白金カソード８は水素過電圧が小
さく、表面積が大きく、かつ水素ガスの滞留がないよう
な構造を有するものが好ましい。

【００１８】めっき操業中には白金カソード８の表面に
水素が発生するため、この水素ガスをカソード表面から
払拭する必要があるのは前述の通りであり、このため本
発明においてはカソード８の表面にめっき液１２を噴き
付けるための噴流装置を設ける。噴流装置は図１の例で
はめっき液供給ヘッダ１０およびポンプ１１で構成され
るが、これに限定されることはない。

【００１９】また、バスケットアノード５内あるいはそ
の近傍には金属Ｓｎの溶解を補助するために、酸素供給
装置１６を設けてもよい。これにより、錫の溶解反応 Ｓｎ＋１／２０₂ ＋２Ｈ⁺ →Ｓｎ²⁺＋２Ｈ₂ Ｏ を促進させることもできる。この場合、前出の特公昭５
６−５４０８０号記載の発明のようなＯ₂ 拡散速度の増
加のみでＳｎの溶解を図る方法に比べ、電池反応に伴う
Ｓｎ²⁺発生速度が大きく、かつ余剰Ｏ₂ によるＳｎ²⁺か
らＳｎ⁴⁺への酸化が少ない点が、大きく異なり、かつ実
用上より好ましい。酸素供給装置１６は、図１に示す例
では酸素貯留タンク１６ａおよびこれに接続され、バス
ケットアノード５の下部かつその近傍まで延在する酸素
配管１６ｂで構成されるが、これに限定されることはな
い。なお、本発明の錫めっき装置においては、図示しな
いが、添加剤添加のための混合槽をめっき液貯留槽３に
連結し、Ｓｎ²⁺イオン供給槽２へ供給するめっき液か
ら、固形分、添加剤酸化／還元体を除去するための固形
夾雑物除去装置、添加剤酸化／還元体除去装置をＳｎ²⁺
イオン供給槽２の手前に連結し、さらにＳｎ²⁺イオン供
給槽２内のめっき液１２の一部を回収してこれを濃縮す
る装置をおき、濃縮液をめっき液貯留槽３に導入できる
ように連結しておくのが好ましい。

【００２０】次に本発明の錫めっき方法について説明す
る。本発明の錫めっき方法におけるＳｎめっき浴組成の
管理方法は、上述の装置を用いて、支持電解質として有
機酸を含み、あるいはさらに有機系酸化防止剤および光
沢剤を含む錫めっき液を用い、不溶性陽極を備えた鋼帯
の連続めっき設備によって、鋼帯に錫めっきを行うに際
し、該めっき液へのＳｎ²⁺イオン供給速度を、アノード
とカソードの間の電気的負荷の加減と、カソード表面液
流速の加減との組合わせ、あるいはさらにバスケットア
ノード内の金属Ｓｎへの酸素の供給の加減との組合せに
より制御する方法である。

【００２１】このＳｎ²⁺イオン供給速度の制御にあたっ
ては、本装置のめっき液ループ内のいずれかの点、具体
的にはＳｎ²⁺イオン供給槽直前等でのＳｎ²⁺イオン濃度
の測定結果と、電解量から計算される理論Ｓｎ²⁺イオン
濃度などを参考にして、白金カソード表面のめっき液流
速の増減およびカソード・アノード間の電気的負荷の加
減により、Ｓｎ²⁺イオン供給速度を設定すればよい。こ
の場合、Ｓｎ²⁺イオン供給速度に対するこれらの因子の
制御の効果は、電解装置の寸法および電極構成・面積に
より変化するので、個々の装置について、上記因子のＳ
ｎ²⁺イオン供給速度への影響を調査しておき、それぞれ
の装置について、最適な制御方法を定めればよい。また
アノードにＯ₂ を供給する場合は、Ｏ₂ ガス供給量、ア
ノード室内圧力および温度の制御によってもＳｎ²⁺イオ
ン供給速度とスラッジ発生速度を制御できる。

【００２２】本発明方法によれば、Ｓｎと白金の水素過
電圧の差を利用し、白金をカソード、Ｓｎをアノードと
して電池反応 Ｓｎ＋２Ｈ⁺ →Ｓｎ²⁺＋Ｈ₂ （１） 電池反応によりＳｎを溶解するものである。ここでＳｎ
表面でのアノード反応は、 Ｓｎ→Ｓｎ²⁺＋２ｅ^- （２） 白金表面でのカソード反応は、 Ｈ⁺ ＋ｅ^- →１／２Ｈ₂ ↑ （３） であり、電池反応の式量電位Ｅ ^O´は過電圧π、Ｓｎ²⁺
の活量係数α、ファラデー定数Ｆとして E ^O´＝−0.136 −(RT/2F)1n ((α[Sn²⁺ ])/([H⁺ ]²))
＋π で表される。これによりＳｎ²⁺溶解の速度を決定する溶
解電流の大きさを決める起電力はｐＨと電解液中のＳｎ
²⁺活量により決まることが分かる。

【００２３】ここで、カソード・アノード間にマイナス
の負荷を与え、すなわち電池反応電流を促進するように
電解電流を流してＳｎ²⁺イオンの供給を促進することも
可能である。この場合、カソード分極が促進される結
果、（２）の逆反応であるカソード上でのＳｎ²⁺イオン
の還元反応 Ｓｎ²⁺＋２ｅ^- →Ｓｎ （４） が、カソードの電極電位Ｅが、 E ≦−0.136 ＋(RT/2F)1n(( α[Sn²⁺ ]) （５） の領域で起きる。これを防ぐには、カソードの分極電位
を（５）式の範囲より貴に保てば良い。

【００２４】以上説明した処から明らかなように、本発
明装置のＳｎ溶解槽においては、Ｓｎ²⁺発生が（１）の
電池反応によるため、上述のｐＨ、Ｓｎ²⁺イオン濃度の
他、温度、圧力によっても反応速度が変化するが、Ｓｎ
²⁺イオン溶解速度の最も支配的な因子はカソード上の水
素過電圧と発生水素ガスによるカソード反応表面積の変
化である。水素過電圧は、材料固有のものであり、白金
電極よりも水素過電圧の小さい実用材料は現状では得ら
れないため、本発明においても、カソードとしては白金
を用いる。カソード実効面積の、発生水素による変化
は、水素ガスがカソード表面を覆い、電極活性が失われ
る事により起きる。これを解決するために、カソード表
面での電解液強制運動により、水素ガスの輸送率が高ま
り、結果として電解液噴流の速度および流量を制御する
ことにより、カソード反応速度を促進する方向で制御す
ることができるのである。

【００２５】以上述べた本発明の錫めっき方法において
は、錫めっき液のＳｎ²⁺イオン濃度を経時的にモニター
し、適切な値に維持する。これは、前述したように、め
っき液の循環回路の適切な個処、図１においてはめっき
液組成分析装置４において、Ｓｎ²⁺イオン濃度を分析
し、この分析値に応じて上述した制御を行う。さらに、
Ｓｎ²⁺イオン濃度の他、めっき液貯留タンク３内のめっ
き液組成、特に、めっき液中の添加剤濃度、添加剤酸化
／還元体濃度および固形夾雑物存在密度などをめっき液
組成分析装置４によって連続的に分析することにより、
Ｓｎ²⁺イオン濃度を所定濃度範囲となるように監視し、
調整することの他、他の成分も含めた錫めっき槽１内の
めっき浴組成を適切な範囲に維持・制御し、安定した鋼
帯への連続錫っき操業を行うことができる。

【００２６】

【実施例】以下に本発明の具体的な実施態様の例を、比
較例と共に示す。 （実施例）メタンスルフォン酸６０ｇ／リットル、Ｓｎ
²⁺３０ｇ／リットル、カテコールスルフォン酸１．０ｇ
／リットル、非イオン系界面活性剤５ｇ／リットルを含
むめっき液を用い、不溶性アノードにより電解を行う、
図１に示す錫めっき装置を適用する電気めっきぶりき製
造設備において、連続めっき操作を行った。めっき液の
正味量は５０ｍ³ であった。電解電流密度は５５Ａ／ｄ
ｍ² であった。

【００２７】操業期間中、Ｓｎ²⁺イオンの供給は、Ｓｎ
粒入りチタンバスケットアノードとチタン基体白金めっ
きカソードを電気的に結合し、電解等量の金属Ｓｎを３
０分毎にバスケット内に投入することにより、バスケッ
トアノード中のＳｎ量は常時１±０．１ｔであり、Ｓｎ
めっき槽内のめっき液中Ｓｎ²⁺イオン濃度が２５〜３０
ｇ／リットルになるように、アノードとカソード間の溶
解電流が制御された。Ｓｎ²⁺イオン供給槽からのめっき
液供給量は１日当り１８０ｍ³ であった。Ｓｎ ²⁺イオン
供給槽の白金カソード面積、カソード下辺に設置したヘ
ッドからのカソードへの送液量は表１に示すとおりであ
る。

【００２８】比較例においては、実施例中で行われた白
金カソードへの液噴射を止めた状態でイオン供給を試み
た例（比較例１）、金属Ｓｎ溶解槽の代りにＳｎＯ溶解
槽を設け、Ｓｎ消費量に応じた量のＳｎＯを投入し溶解
した例（比較例２）を示す。

【００２９】実施例および比較例における連続操業時間
およびめっき品質の評価結果を表１および表２に示す。
表１および表２より、本発明によって金属Ｓｎを供給源
として酸性Ｓｎめっき浴中に、Ｓｎ²⁺イオンを安定して
供給することができ、得られるめっき品質も優れている
ことがわかる。これに対し、比較例１ではカソードに噴
流していないために、比較例２ではＳｎＯに由来するＣ
ｌの蓄積のためにめっき品質が劣化してしまうことがわ
かる。

【００３０】

【表１】

【００３１】

【表２】

【００３２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の錫めっき
装置および錫めっき方法によれば、不溶性陽極による鋼
帯への連続Ｓｎめっきプロセスにおいて、金属Ｓｎを供
給源として用いた、安価で信頼性の高いＳｎ²⁺イオンの
供給装置および供給方法により、優れた品質の錫めっき
鋼板が長期安定的に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のめっき液成分管理を行う錫めっき装
置の一構成例の模式図である。

【符号の説明】

１ めっき槽 ２ Ｓｎ²⁺イオン供給槽 ３ めっき液貯留槽 ４ めっき液組成分析装置 ５ バスケットアノード ６ 金属Ｓｎ粒 ７ Ｓｎ粒供給装置 ８ 白金カソード ９ 溶解電流制御装置 １０ 液供給ヘッダ １１ ポンプ １２ めっき液 １３ 液送管 １４ 電線 １５ Ｓｎ粒供給管 １６ 酸素供給装置 １６ａ 酸素貯留タンク １６ｂ 酸素配管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 戸 延 行 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 赤 岡 和 夫 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社千葉製鉄所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】不溶性陽極を用いて鋼帯に連続的に錫めっ
   きを行う錫めっき槽と、この錫めっき槽にめっき液が循
   環するよう接続され、金属錫を溶解して前記錫めっき槽
   にＳｎ²⁺イオンを供給するＳｎ²⁺イオン供給装置とを具
   え、 このＳｎ²⁺イオン供給装置は、金属錫溶解槽と、この溶
   解槽内に設置された金属錫収納用バスケット構造のアノ
   ードおよび白金カソードと、このアノードと白金カソー
   ドとの間の溶解電流を制御するための溶解電流制御装置
   と、前記白金カソード表面にめっき液を噴き付ける噴流
   装置とを有することを特徴とする錫めっき装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の錫めっき装置であって、
   前記Ｓｎ²⁺イオン供給装置は、さらに、前記バスケット
   アノード内の金属錫に酸素を供給する手段を有すること
   を特徴とする錫めっき装置。
3. 【請求項３】前記めっき液は、支持電解質として有機酸
   を含み、さらに有機系酸化防止剤および光沢剤を含む錫
   めっき液である請求項１または２に記載の錫めっき装
   置。
4. 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の錫め
   っき装置であって、さらに、添加剤添加のための混合
   槽、めっき液組成分析装置、固形夾雑物除去装置、濃縮
   装置および添加剤酸化／還元体除去装置を連結してなる
   ことを特徴とする錫めっき装置。
5. 【請求項５】不溶性陽極を使用して鋼帯に連続的に錫め
   っきを行うに際し、錫めっき槽からめっき操業中にめっ
   き液を導出し、このめっき液を、金属錫を内包するバス
   ケットアノードと白金カソードとからなり、さらにこの
   白金カソードとバスケットアノード内の金属錫が電気的
   に接続され、このバスケットアノードと白金カソードと
   の間の電流を調整できる機能をもつ金属錫溶解槽に導入
   し、前記バスケットアノードと白金カソードとの間の電
   流の制御および前記白金カソード表面に噴き付けるめっ
   き液噴流の制御を組み合わせて行って、前記めっき液に
   金属錫を溶解し、Ｓｎ²⁺イオン濃度を所定の濃度まで高
   めためっき液を前記錫めっき槽に供給することを特徴と
   する錫めっき方法。
6. 【請求項６】請求項５に記載の錫めっき方法であって、
   さらに、前記バスケットアノード内の金属錫への酸素の
   供給制御を組み合わせて前記錫めっき槽に供給するめっ
   き液のＳｎ²⁺イオンの濃度を制御することを特徴とする
   錫めっき方法。
7. 【請求項７】前記めっき液は、支持電解質として有機酸
   を含み、さらに有機系酸化防止剤および光沢剤を含む錫
   めっき液である請求項５または６に記載の錫めっき方
   法。
8. 【請求項８】請求項６ないし７のいずれかに記載の錫め
   っき方法であって、さらに、前記めっき液中のＳｎ²⁺イ
   オン濃度、添加剤濃度、添加剤酸化／還元体濃度および
   固形夾雑物存在密度を連続的に分析、調整することによ
   り、前記鋼帯に連続的に錫めっきを行うことを特徴とす
   る錫めっき方法。